Este documento describe diferentes dispositivos semiconductores como diodos, transistores, tiristores, triacs y otros. Explica sus características y funciones, incluyendo que los semiconductores pueden comportarse como conductores o aislantes, que los diodos permiten el flujo de corriente en una sola dirección, y que los transistores pueden controlar el flujo de corriente. También describe dispositivos como el 555 que pueden usarse para temporización y oscilación.

1. Semiconductores

2. Semiconductor es un elemento que se
comporta como un conductor o como
un aislante

3. Un diodo es un componente electrónico de dos
terminales que permite la circulación de la corriente
eléctrica a través de él en un solo sentido.
Diodos

4. El diodo Zener es un diodo de cromo1 que se ha
construido para que funcione en las zonas de
rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr.
Clarence Melvin Zener.
Diodo zener

6. Diodo emisor de luz
Es un dispositivo semiconductor que emite luz
incoherente de espectro reducido cuando se polariza
de forma directa la unión PN en la cual circula por él
una corriente eléctrica .

7. Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la
familia de los diodos más sencillos. El nombre diodo
rectificador” procede de su aplicación, la cual consiste
en separar los ciclos positivos de una señal de
corriente alterna.
Diodo rectificador

8. El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para producir una señal de
salida en respuesta a otra señal de entrada
Transistor

9. El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT) GART es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente
en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales
Transistor bjt

11. . La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Transistor bjt

12. MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la estructura
MOS. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial están basados en
transistores MOSFET.
Transistor mosfet

13. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de
material semiconductor dopado en el que, mediante
técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas
de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual
se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por
una capa de conductor.
Funcionamiento

14. Estado de corte
Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es
idéntica a la del sustrato.
Estado de NO conducción
El MOSFET está en estado de no conducción: ninguna
corriente fluye entre fuente y drenador aunque se
aplique una diferencia de potencial entre ambos.
Estados

15. Al polarizarse la puerta con una tensión negativa o
positiva, se crea una región de deplexión en la región
que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión
crece lo suficiente, aparecerán portadores
minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS)
en la región de deplexión que darán lugar a un canal
de conducción.
Conduccion lineal

16. Cuando la tensión entre drenador y fuente supera
cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta
sufre un estrangulamiento en las cercanías del
drenador y desaparece. La corriente entre fuente y
drenador no se interrumpe, ya que es debida
al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre
ambos terminales
saturacion

18. Un SCR o Tiristor (thyristor en inglés) es un
componente electrónico rectificadorde estado sólido
de 3 terminales: ánodo (A), cátodo (K) y un electrodo
de control denominado puerta (G, gate), desarrollado
por la General Electric (U.S.A.) en 1957, 10 años
después de la invención del transistor bipolar de
unión.
Tiristores

19. 1. Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y
puerta. La puerta es la encargada de controlar el
paso de corriente entre el ánodo y el cátodo.
Funciona básicamente como un diodo rectificador
controlado, permitiendo circular la corriente en un
solo sentido. Mientras no se aplique ninguna
tensión en la puerta del SCR no se inicia la
conducción y en el instante en que se aplique dicha
tensión, el tiristor comienza a conducir.
Caracteristicas

20. 2. Una vez arrancado, podemos anular la tensión de
puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la
corriente de carga disminuya por debajo de la corriente
de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el
SCR se des-excita en cada alternancia o semiciclo

21. Cuando se produce una variación brusca de tensión
entre ánodo y cátodo de un tiristor, éste puede
dispararse y entrar en conducción aún sin corriente de
puerta. Por ello se da como característica la tasa
máxima de subida de tensión que permite mantener
bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido
al condensador parásito existente entre la puerta y el
ánodo.
Funcionamiento

22. TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un
dispositivo semiconductor, de la familia de los
transistores. La diferencia con un tiristor convencional
es que éste es unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la
corriente alterna.
Triac

24. DIAC o Diode Alternative Current. Es un dispositivo
bidireccional simétrico, o sea, sin polaridad con dos
electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de
control. Es un componente electrónico que está
preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional,
siempre que se llegue a su tensión de cebado o de
disparo
DIAC

26. Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado
para controlar principalmente altas potencias, en su
diseño está compuesto por un transistor bipolar de
unión BJT y transistor de efecto de campo de metal
oxido semiconductor MOSFET.
IGBT

27. El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion
Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos
zonas semiconductoras. Tiene tres terminales
denominados emisor (E), base uno (B_1) y base dos
(B_2). Está formado por una barra semiconductora
tipo N, entre los terminales B_1-B_2, en la que se
difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto
a lo largo de la barra, lo que determina el valor del
parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de
resistencias o factor intrínseco.
UJT

29. Dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable
cuya función primordial es la de producir pulsos de
temporización con una gran precisión y
que, además, puede funcionar como oscilador.
Integrado 555

30. Temporización desde microsegundos hasta horas.
Modos de funcionamiento:
Monoestable.
Astable.
Aplicaciones:
Temporizador.
Oscilador.
Divisor de frecuencia.
Modulador de frecuencia.
Generador de señales triangulares.
Caracteristicas

32. http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
Http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener
http://www.ladelec.com/teoria/informacion-
tecnica/321-diodos-rectificadores
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_MOSFET
Bibliografia

33. http://www.ecured.cu/index.php/Tiristor
http://www.ecured.cu/index.php/Triac
http://www.ecured.cu/index.php/Diac