Transistores de efecto de campo.

1. TRANSISTORES DE
EFECTO DE CAMPO
(Field effect transistor o FET)
INTEGRANTES:
- LOAYZA BENITES LUIS DANIEL
- BECERRA MIRANDA CESAR ANTONIO

2. ¿Qué es un transistor FET?
Es un dispositivo activo de 3 terminales que usa un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente y tiene una alta
impedancia de entrada que es útil en muchos circuitos y equipos.
El transistor de efecto de campo o FET, es un componente electrónico clave que se utiliza en muchas áreas de la
industria electrónica.
¿Cual es su importancia?
Se encuentra dentro de los circuitos integrados. En esta
aplicación, los circuitos FET consumen niveles mucho más bajos
de energía que los circuitos integrados que utilizan tecnología de
transistores bipolares.
Esto permite que funcionen los circuitos integrados de gran
escala. Si se usara tecnología bipolar, el consumo de energía
sería órdenes de magnitud mayor y la energía generada sería
demasiado grande para disiparse del circuito integrado.

3. Clasificaciones de los Transistores FET
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MOSFET: Trans. de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor

4. Analogía entre Transistores Bipolar y transistores
FET

5. •En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las corrientes de salida (IC
e ID ).
•En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil relacionar corrientes de salida y
entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con tensión de entrada (JFET).
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más pequeña en el caso del
JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente la unión puerta-canal).

6. Estructura de los transistores de efecto de campo de unión,
JFET

7. JFET de canal N

8. Ventajas del FET

9. Desventajas que limitan el uso del FET

10. Ecuación de Shockley
Este modelo matemático es empleado en la ecuación de Shockley se aplica
con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de salida para los JFET
,y los MOSFET de tipo decremental:

11. MOSFET
FET
JFET
Canal N
Canal P
Empobrecimiento
Enriquecimiento
Canal P
Canal P
Canal N
Canal N

13. . La tabla muestra los parámetros MOS más utilizados
Parámetros de los MOSFET
Nombre del
parámetro
VGS
VDS
VT
VG
VS
VD
ID
Kn
Descripción
Gate to source voltage
Drain to source voltage
Threshold voltage
Gate voltage
Source voltage
Drain voltage
Drain current
Process transconductance

23. Modos de operación
Región de corte:
VGS < VT
Región resistiva:
VGS – VT > VDS
ID = kn[ 2 (VGS - VT) VDS– VDS
2]
Región de saturación:
VT < VGS y VGS – VT < VDS
ID = kn(VGS - VT)2
ID = 0
kn =

24. GRACIAS