TRANSISTORES - FISICA ELECTRONICA

1. INGENIERA DE SISTEMAS E
INFORMATICA
José Andres Malca Pascual

2. El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el
transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantación hasta 1970 debido a la alta tecnología necesaria
para formar sus uniones.
No es muy común encontrarse en un circuito un JFET aislado, éstos suelen aparecer, más bien, insertos en
circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados, por ejemplo, en las cápsulas microfónicas, como un
pequeño amplificador de la señal débil que se produce en éstas.
En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas características de surtidor común de un
transistor JFET de canal N y el circuito correspondiente con el que se han obtenido dichas curvas.

3. Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la
concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta está localizada encima del sustrato y
aislada de todas las demás regiones del dispositivo por una capa de dieléctrico, que en el caso
del MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio. Si se utilizan otros materiales dieléctricos
que no sean óxidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-
aislante-semiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye
dos terminales adicionales (surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente
dopadas que están separadas por la región del sustrato.

4. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente
sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan
en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP, quedando formadas dos uniones NP.

5. Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente
puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

6. El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico,
tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal