El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo fototransistores, transistores uniunión, transistores IGBT, JFET, MESFET y MOSFET. Un fototransistor es un transistor sensible a la luz que conduce electricidad cuando la luz incide sobre su base. Un transistor uniunión tiene tres terminales (emisor, base 1 y base 2) y contiene dos zonas semiconductoras. Un transistor IGBT combina las características de alta corriente de los transistores bipolares y la entrada de baja saturación de los transistores de efecto campo.

1. AUTOR: Walter Siguas M.

2. Fototransistor:
 Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los
infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta
carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más
sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
 Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero
puede trabajar de 2 formas:
 Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).
 Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se
utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

4. Transistor uniunión:
 El transistor uniunión .-es un tipo de tiristor que contiene dos zonas
semiconductoras.
 Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está
formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que
se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de
resistencias o factor intrínseco.

5. Transistor IGBT
 El transistor bipolar de puerta aislada es un
dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrónica de potencia.
 Este dispositivo posee la características de las
señales de puerta de los transistores efecto campo
con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja
saturación del transistor bipolar, combinando una
puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del
BJT.

6. Transistores de Efecto de Campo:
 JFET:
También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más
básica.
 MESFET:
Transistores de efecto de campo metal semiconductor.
 MOSFET:
Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos
componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada
para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una
puerta, un electrodo de metal.