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1. Existendostecnologiasestablecidadparael diseñode circuitosintegrados:laBJTy la CMOS,
que utilizamosNMOSyPMOS.Cada tipotiene ventajasdesventajasespecificas.Una
tecnologíade reciente Aparicion,que se conoce como tecnología BiCMOS, utilizandoel
procesobipolar-CMOS(BiCMOS) ycombinaMOSFETde canal n y de canal p juntocon BJT de
tiponpno pnp(o,aveces,ambos) sobre lamismapastilla de semiconductores.El circuito
BiCMOSaprovechala ventajasde cada tipopara proporcionarlas funcionesde circuito
deseadas.
Primerose estudiaranlosamplificadoresbásicosconBJT,conuna carga activasimilara ladel
semicircuitode unpardiferencial BJT.Laresistenciade salidaestadadapor.
Ecuación 1
Donde VA esel voltaje Early.Normalmente,VA =50 V e Ic = 5µA, por lo que ro = 50/(5 µA) =
10MΩ. suponiendoque lacargade lafuente de corriente tieneunaresistenciainfinita,la
gananciaen voltaje estadadapor:
Ecuación 2

2. Ilustración 1
Que es independiente de lacorriente de polarizaciónIC.yaque,a temperaturaambiente
VA=50V y VT=25.8 mV,la gananciaintrínsecade un amplificadorBJTesAd=-1938 V/V.la
resistenciade entradaes>
Ecuación 3
Que generalmenteesbaja.Normalmente βF=60e Ic=5µA, por loque R1=60x25mV /
5µA=300kΩ. aunque el hechode reducirel valorde IC incrementaríaRi,estodisminuye lagm
del transistory,por tanto,el limite superiorde frecuenciadel amplificador ---estoes,lafT de la
ecuación.
Ahorase considerarael amplificadorMOSFETque se muestra:
La resistenciade salidaestadadapor.
Ecuación 4
Donde VM es el voltaje de modulacióndel canal.NormalmenteVA=20V e ID=5µA, por loque
ro=20/(5µA)=4MΩ. suponiendoque lacargade la fuente de corriente tiene unaresistencia
infinita,lagananciaenvoltaje estadadapor.

3. Ecuación 5
Por tanto,la gananciaesinversamente proporcionala √ 𝐼D,y se incrementaraconforme
disminuyalacorriente de polarización.Sinembargo,lareducciónde lacorriente de
polarizaciónde cddisminuye el anchode bandadel amplificador.Porejemplo, ID=5µA,VM=20V
y Kp=25µA/V2
,Ad=-89.
El resumen,parael mismovalorde corriente de polarizaciónID,losvaloresde gm y de ro son
muchos más grandespara un amplificadorBJTque para un amplificadorMOSFET---
comúnmente es.5veces--.El VA de unamplificadorBJT(50V) essuperioral VM de MOSFET
(20V).la gananciaenvoltaje de unamplificadorBJTesmás grande que la de un amplificador
MOSFET en unfactor de 10, aproximadamente.Noobstante,unamplificadorMOSFETtiene
una resistenciade entradaprácticamenteinfinita.
AMPLIFICADORESBICMOS
El amplificadoresBiCMOScombinalasmejorescaracterísticasde losamplificadoresBJTy
MOSFET. Están formadopor conexionesde tipocascode BJTy MOSFET. El semicircuitobásico
para la configuración BiCMOSse muestra.
Ecuación 6
MOSFET M1 actua como dispositivoexcitador,yel BJTQ1, comocarga. La configuración
cascode.El BJT Q1 actua como disositivoexcitador,yel MOSFETM1 y el BJT Q2 actuan como
carga. Un amplificadorBiCMOS;este amplificadoresidénticoal amplificadorCMOS.Comosu

4. abreviaturaloindica,el espejode corriente enunBiCMOSenbipolar,enlugarde unipolar,
como enel caso de los dispositivosMOS.LostransistoresM1 y M2 sonlosdispositivos
amplificadores.El transistorQ4 actua comocarga del M2. La resistenciadel salidaRo esla
combinancionenparalelode laresistenciade salidaro2=2VM/IQ parael transistorM2, y la
resistenciade salidaro4=2VA/IQ parael transistorQ4. Esto es,
Ecuación 7
La gananciaenvoltaje diferencialAd estadadapor
Ecuación 8
Donde gm, que es latransconductanciadel MOSFET excitadorM2,sustituyendo(ro4 II
ro2)=2VAVM/IQ(VA + VM) y gM=√2𝐾𝑝𝐼 𝑄
en laecuaciónanterior,se obtiene
Ecuación 9
Ya que ro4>ro2,Ro y Ad seránmayoresenun amplificadorBiCMOSque enunamplificador
CMOS.