1. Alexandra Maroto Romero
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2. Rectificador, zener, túnel, fotodiodo, led.

3. Aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y
en polarización inversa no conducen. Estas
características son las que permite a este tipo de
diodo rectificar una señal. Tipo PN.

4. Este tipo de diodo conduce, tanto hacia adelante (+) y
hacia atrás(-). Cuando se lleva a cabo en la dirección
hacia atrás funciona como un regulador de tensión.
Cuando se lleva a cabo en la dirección de avance
funciona como un diodo rectificador.

5. Este semiconductor es sensible a la incidencia de la luz visible o
infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de
corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción,
los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en
ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el
positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. De unión PN.

6. Un led es un componente opto electrónico pasivo y,
más concretamente, un diodo que emite luz.

7. BJT, FET, MOSFET, SCR, TRIAC, DIAC, IGBT.

8. Dispositivo semiconductor de 3 capas NPN o PNP, y sus funciones son múltiples como amplificar, switchar,
oscilar etc
Amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus
patas (base), el entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación. Entonces:
Ic = β * Ib- Ie. Las corrientes dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), la corriente Ib cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc.

9. Transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por
tanto, son unipolares.

10. Utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. es un dispositivo
de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y
sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales. se construye con una capa de
silicio policristalino.

11. Dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la
disposición pnpn. Está formado por tres terminales, llamados Ánodo,
Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por
el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi
ideal, rectificador y amplificador a la vez.

12. Dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. Es bidireccional. De
forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de
conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto
modo a la disposición que formarían dos SCR en direcciones opuestas.
Posee tres electrodos: A1, A2 y puerta. El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo puerta.

13. Dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos
principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un componente electrónico
que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por
ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de
cebado o de disparo. Se emplea normalmente en circuitos que realizan un
control de fase de la corriente del triac.

14. Dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en
circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las
señales de puerta de los FET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de
control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de
conducción son como las del BJT.