Este documento trata sobre el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Explica su estructura, tecnología de fabricación, funcionamiento y características. En particular, describe cómo la combinación de un transistor MOS y un transistor bipolar permite que el IGBT maneje mayores tensiones y corrientes que un MOSFET convencional. También analiza el efecto del tiristor parásito interno y formas de evitarlo.
This document describes a simplified SPICE behavioral model for simulating the operation of a DC power supply. The model allows users to specify parameters like rated power, maximum output voltage and current. It represents the power supply's output voltage vs current characteristics within its operating range. The model saves time and costs compared to simulating the full circuit details. Library and symbol files provided with the model need to be copied to the LTspice simulation program folders. Examples are given to demonstrate simulating the power supply's operating area and rated output voltage characteristics.
This document provides installation, service and maintenance instructions for low voltage air circuit breakers. It details specifications of SACE PR122/P and PR123/P protection relays, including their identification, characteristics, user interface, protection functions, measuring functions and main functions. The document contains warnings about safety procedures that must be followed when installing or servicing circuit breakers.
Este documento presenta información sobre tableros eléctricos y protecciones, incluyendo normas de seguridad eléctrica aplicadas a los productos Bticino. Explica los tipos de tableros eléctricos, sus clasificaciones, y ofrece detalles sobre interruptores termomagnéticos, incluyendo sus funciones, características, tipos, normas de referencia, y criterios de selección.
Este documento proporciona instrucciones en 10 pasos para simular fallas asimétricas usando el programa ETAP. Los pasos incluyen montar el circuito, correr un estudio de cortocircuito, seleccionar la barra a fallar, correr el análisis durante media ciclo, seleccionar el tipo de falla como línea-tierra, ver los resultados, generar un reporte PDF completo y cambiar el estándar si es necesario.
[1] O documento discute dispositivos de proteção e segurança em sistemas elétricos, incluindo seguranças fusíveis de efeito rápido e retardado como fusíveis NH e DIAZED; [2] Estes dispositivos são usados para interromper circuitos em situações anormais como curto-circuito ou sobrecarga e proteger motores; [3] O documento descreve as características e instalação corretas destes dispositivos de proteção.
The document describes the Sinamics S120 drive system. It can be used across various industries and machine types due to its scalable functionality, universal system interface, and systematic modular structure. The drive system includes control units, inverters, motors, and other hardware components that can be flexibly combined to suit different applications ranging from single to multi-axis systems.
Intel has achieved a breakthrough in transistor technology by developing high-k + metal gate transistors for its 45 nm process. These transistors significantly reduce leakage power and are the biggest advancement since polysilicon gate MOS transistors were introduced in the 1960s. Intel has made working 45 nm microprocessors using these new transistors, which will deliver higher performance and greater energy efficiency. Intel's 45 nm products are on track to begin production in late 2007 with three factories manufacturing 45 nm by early 2008.
The document discusses magnetic-Hall effect based sensors and provides details on Hall effect principles and applications. It describes how the Hall effect produces a voltage difference when a conductor carrying a current is placed in a magnetic field. It then discusses typical Hall sensor shapes and applications, Hall voltage equations, and the Hall coefficient. The document also provides examples of Hall effect magnetic sensors and switches, describing features and benefits.
This document describes a simplified SPICE behavioral model for simulating the operation of a DC power supply. The model allows users to specify parameters like rated power, maximum output voltage and current. It represents the power supply's output voltage vs current characteristics within its operating range. The model saves time and costs compared to simulating the full circuit details. Library and symbol files provided with the model need to be copied to the LTspice simulation program folders. Examples are given to demonstrate simulating the power supply's operating area and rated output voltage characteristics.
This document provides installation, service and maintenance instructions for low voltage air circuit breakers. It details specifications of SACE PR122/P and PR123/P protection relays, including their identification, characteristics, user interface, protection functions, measuring functions and main functions. The document contains warnings about safety procedures that must be followed when installing or servicing circuit breakers.
Este documento presenta información sobre tableros eléctricos y protecciones, incluyendo normas de seguridad eléctrica aplicadas a los productos Bticino. Explica los tipos de tableros eléctricos, sus clasificaciones, y ofrece detalles sobre interruptores termomagnéticos, incluyendo sus funciones, características, tipos, normas de referencia, y criterios de selección.
Este documento proporciona instrucciones en 10 pasos para simular fallas asimétricas usando el programa ETAP. Los pasos incluyen montar el circuito, correr un estudio de cortocircuito, seleccionar la barra a fallar, correr el análisis durante media ciclo, seleccionar el tipo de falla como línea-tierra, ver los resultados, generar un reporte PDF completo y cambiar el estándar si es necesario.
[1] O documento discute dispositivos de proteção e segurança em sistemas elétricos, incluindo seguranças fusíveis de efeito rápido e retardado como fusíveis NH e DIAZED; [2] Estes dispositivos são usados para interromper circuitos em situações anormais como curto-circuito ou sobrecarga e proteger motores; [3] O documento descreve as características e instalação corretas destes dispositivos de proteção.
The document describes the Sinamics S120 drive system. It can be used across various industries and machine types due to its scalable functionality, universal system interface, and systematic modular structure. The drive system includes control units, inverters, motors, and other hardware components that can be flexibly combined to suit different applications ranging from single to multi-axis systems.
Intel has achieved a breakthrough in transistor technology by developing high-k + metal gate transistors for its 45 nm process. These transistors significantly reduce leakage power and are the biggest advancement since polysilicon gate MOS transistors were introduced in the 1960s. Intel has made working 45 nm microprocessors using these new transistors, which will deliver higher performance and greater energy efficiency. Intel's 45 nm products are on track to begin production in late 2007 with three factories manufacturing 45 nm by early 2008.
The document discusses magnetic-Hall effect based sensors and provides details on Hall effect principles and applications. It describes how the Hall effect produces a voltage difference when a conductor carrying a current is placed in a magnetic field. It then discusses typical Hall sensor shapes and applications, Hall voltage equations, and the Hall coefficient. The document also provides examples of Hall effect magnetic sensors and switches, describing features and benefits.
1. The document describes the structure and operation of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs).
2. It explains how applying a voltage to the gate can induce an electric field that forms a channel for current to flow between the source and drain.
3. The threshold voltage is the minimum gate voltage needed to form an inversion layer and turn the MOSFET on.
The document discusses I/O and ESD design considerations for CMOS circuits. It covers topics like single-ended vs differential signaling, basic CMOS I/O buffer and receiver design, and challenges with real-world designs like impedance matching, slew rate control, mixed voltage operation, and ESD protection. It provides examples of techniques used to address these challenges, such as on-chip resistors for impedance control and dividing the output stage to control slew rate.
This document provides instructions for using a NanoVNA network analyzer to tune duplexers. It discusses the basic and recommended versions of the NanoVNA, what the different channels measure, and step-by-step instructions for calibrating the unit and using it to tune cavity and notch filters that comprise duplexers. The instructions include how to set the center frequency and span, as well as how to test that the adjustments block the proper frequencies by connecting a transmitter and SWR meter.
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Hotline: 0909.41.61.43
This document discusses channel length modulation in MOSFETs. It explains that in saturation, the channel length decreases with increasing drain voltage due to the depletion region extending farther into the channel. This effectively reduces the channel length and increases the drain current. The document derives an expression for drain current that includes a channel length modulation coefficient to model this effect, showing that current increases with higher drain voltages due to the reduced channel length.
This document describes the implementation of a bandgap reference circuit. It was designed by M. Lingadhar Reddy under the guidance of Mr. G. Shiva Kumar at GITAM University in Hyderabad, India from 2013-2015. The document outlines the basic operation of a bandgap reference circuit, which produces a reference voltage that is stable over changes in temperature, supply voltage, and process parameters. It discusses the tool and technology used, different approaches to bandgap references, and details the design and simulation results of a two-stage CMOS operational amplifier and final bandgap reference circuit implemented in a 90nm CMOS technology using Cadence Virtuoso.
Introduction to SILVACO and MOSFET Simulation techniqueMd Majharul Islam
The document discusses simulation of MOSFETs using SILVACO TCAD software. It provides an overview of SILVACO and the process and device simulation capabilities. The document then walks through the steps of simulating a MOSFET fabrication process using ATHENA and defining the materials and doping steps. It describes analyzing the fabricated device using ATLAS to extract characteristics and define contacts before discussing plans to simulate additional devices by varying parameters.
This document summarizes a presentation about vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). It begins with an introduction to VCSELs and their history. It then discusses VCSEL structure, including distributed Bragg reflectors (DBRs) for optical and current confinement, and rate equations that describe VCSEL characteristics. Continuous wave performance is examined through current-light output curves. Applications include optical fiber data transmission, displays, and sensors. Later sections provide examples of single-mode oxide-confined VCSELs for printers and sensors, electrically pumped GaSb-based VCSELs, and all-optical flip-flop operation using polarization bistable VCSELs.
Current mode circuits & voltage mode circuits Kevin Gajera
This document discusses current mode and voltage mode circuits. It begins by defining voltage mode and current mode circuits, noting that the definitions are not entirely precise as every circuit has both voltages and currents. It then provides examples of current mode circuits including the bipolar junction transistor and current mirror. It discusses how current mode and voltage mode signaling works for interconnects in integrated circuits. It notes several advantages of current mode circuits including lower power consumption and higher speed. It also discusses differences between the two modes and reasons for switching to current mode circuits such as easier compensation and better operation in continuous and discontinuous conduction modes. Potential disadvantages of current mode are also outlined like current sensing challenges and subharmonic oscillations.
Enhancement type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Basic Operation, Drain Characteristics, Transfer Characteristics, Regions of Operation
This document describes an improved Gilbert multiplier circuit and its applications. The proposed circuit modifies an existing 12T Gilbert cell by grounding the body terminals of nMOS transistors and connecting one body terminal to a control voltage. Simulation results show the proposed circuit has lower power consumption and faster speed than the existing design. Key applications discussed include frequency doubling, modulation, and demodulation. The circuit can double the frequency of an input signal. It can also modulate one sinusoidal or triangular signal onto another carrier signal. By adding capacitors, the circuit can be used for demodulation to reconstruct the transmitted signal.
This document discusses surround gate MOSFETs as an approach to reduce short channel effects in transistors. It begins with an overview of MOSFET operation and Moore's Law. It then discusses the motivation to find alternatives to planar transistors as scaling limits are approached. Short channel effects in bulk MOSFETs are introduced as a major barrier to scaling. The document reviews SOI and multi-gate transistor technologies, such as double gate, tri-gate, and gate-all-around designs, as ways to better control the channel and reduce short channel effects. A new dual-material surround gate structure is proposed and its potential to further suppress short channel effects through gate material engineering is explained. Two-dimensional modeling of the new structure
This document provides an overview of FinFET technology. It defines FinFET as a non-planar, double gate transistor built on an SOI substrate, where the conducting channel is wrapped by a thin silicon fin. Due to its dual gate structure, FinFET has better control over short channel effects compared to planar MOSFETs. It also allows for higher integration density than planar MOSFETs. Additionally, FinFET fabrication is relatively simple. The document discusses FinFET structure, recent developments, fabrication mechanisms, advantages/limitations, and applications.
Este documento descreve as principais arquiteturas de redes elétricas e critérios para escolha, incluindo redes radiais, em malha aberta e fechada, e redes com produção interna de energia. As vantagens e desvantagens de cada arquitetura são discutidas.
Foliensatz für den Einführungsvortrag des EMV Boot Camps 2019 mit dem Fokus "Das Wichtigste zur Elektromagnetischen Verträglichkeit in 2 Tagen" des IEEE German EMC Chapters am 06./07. November bei der Dassault Systèmes Deutschland GmbH in Darmstadt
This document describes the design of a low dropout voltage regulator (LDO) circuit. It includes the goals of providing a 3.3V output voltage from a 5V input. The key components of an LDO - pass transistor, error amplifier, and voltage reference - are discussed. Calculations are shown for efficiency, transistor sizes, setting the bias voltage, and sizing additional transistors. A block diagram and final schematic are presented. Post-layout simulations demonstrate the line regulation as the input voltage is changed.
This document discusses dopant diffusion, which is the process of introducing controlled amounts of chemical impurities into a semiconductor lattice. Dopant diffusion is used to form source, drain, base, and emitter regions in semiconductor devices. The document covers various diffusion techniques and parameters, including diffusion sources, solid solubility limits, Fick's laws of diffusion, analytical solutions to the diffusion equations, design of diffused layers, and an example design calculation for a boron diffusion process.
CMOS differential pairs are used for finding the difference between two voltage signal.But if not properly implemented then it will also cause amplification of common voltage.As well as to work as differential pair voltage should also be in proper range so that it should operate in steady state i.e. as amplifier.
El documento describe el transistor IGBT, explicando que comparte características de los transistores BJT y MOSFET. El IGBT permite un alto manejo de corriente como el BJT con una alta impedancia de entrada como el MOSFET. Se usa comúnmente cuando se requieren altas tensiones mayores a 1000V, bajos ciclos de trabajo y bajas frecuencias menores a 20kHz, como en control de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida.
Este documento presenta información sobre el transistor como componente electrónico. Explica que el transistor está compuesto de tres terminales (emisor, base y colector) y dos tipos (NPN y PNP), y describe tres configuraciones básicas (base común, emisor común y colector común). También incluye experimentos prácticos para identificar transistores y medir corrientes, usando el transistor como interruptor controlado por la corriente de base. El objetivo es comprender el funcionamiento básico del transistor a través de mediciones con multímetro
1. The document describes the structure and operation of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs).
2. It explains how applying a voltage to the gate can induce an electric field that forms a channel for current to flow between the source and drain.
3. The threshold voltage is the minimum gate voltage needed to form an inversion layer and turn the MOSFET on.
The document discusses I/O and ESD design considerations for CMOS circuits. It covers topics like single-ended vs differential signaling, basic CMOS I/O buffer and receiver design, and challenges with real-world designs like impedance matching, slew rate control, mixed voltage operation, and ESD protection. It provides examples of techniques used to address these challenges, such as on-chip resistors for impedance control and dividing the output stage to control slew rate.
This document provides instructions for using a NanoVNA network analyzer to tune duplexers. It discusses the basic and recommended versions of the NanoVNA, what the different channels measure, and step-by-step instructions for calibrating the unit and using it to tune cavity and notch filters that comprise duplexers. The instructions include how to set the center frequency and span, as well as how to test that the adjustments block the proper frequencies by connecting a transmitter and SWR meter.
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This document discusses channel length modulation in MOSFETs. It explains that in saturation, the channel length decreases with increasing drain voltage due to the depletion region extending farther into the channel. This effectively reduces the channel length and increases the drain current. The document derives an expression for drain current that includes a channel length modulation coefficient to model this effect, showing that current increases with higher drain voltages due to the reduced channel length.
This document describes the implementation of a bandgap reference circuit. It was designed by M. Lingadhar Reddy under the guidance of Mr. G. Shiva Kumar at GITAM University in Hyderabad, India from 2013-2015. The document outlines the basic operation of a bandgap reference circuit, which produces a reference voltage that is stable over changes in temperature, supply voltage, and process parameters. It discusses the tool and technology used, different approaches to bandgap references, and details the design and simulation results of a two-stage CMOS operational amplifier and final bandgap reference circuit implemented in a 90nm CMOS technology using Cadence Virtuoso.
Introduction to SILVACO and MOSFET Simulation techniqueMd Majharul Islam
The document discusses simulation of MOSFETs using SILVACO TCAD software. It provides an overview of SILVACO and the process and device simulation capabilities. The document then walks through the steps of simulating a MOSFET fabrication process using ATHENA and defining the materials and doping steps. It describes analyzing the fabricated device using ATLAS to extract characteristics and define contacts before discussing plans to simulate additional devices by varying parameters.
This document summarizes a presentation about vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). It begins with an introduction to VCSELs and their history. It then discusses VCSEL structure, including distributed Bragg reflectors (DBRs) for optical and current confinement, and rate equations that describe VCSEL characteristics. Continuous wave performance is examined through current-light output curves. Applications include optical fiber data transmission, displays, and sensors. Later sections provide examples of single-mode oxide-confined VCSELs for printers and sensors, electrically pumped GaSb-based VCSELs, and all-optical flip-flop operation using polarization bistable VCSELs.
Current mode circuits & voltage mode circuits Kevin Gajera
This document discusses current mode and voltage mode circuits. It begins by defining voltage mode and current mode circuits, noting that the definitions are not entirely precise as every circuit has both voltages and currents. It then provides examples of current mode circuits including the bipolar junction transistor and current mirror. It discusses how current mode and voltage mode signaling works for interconnects in integrated circuits. It notes several advantages of current mode circuits including lower power consumption and higher speed. It also discusses differences between the two modes and reasons for switching to current mode circuits such as easier compensation and better operation in continuous and discontinuous conduction modes. Potential disadvantages of current mode are also outlined like current sensing challenges and subharmonic oscillations.
Enhancement type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Basic Operation, Drain Characteristics, Transfer Characteristics, Regions of Operation
This document describes an improved Gilbert multiplier circuit and its applications. The proposed circuit modifies an existing 12T Gilbert cell by grounding the body terminals of nMOS transistors and connecting one body terminal to a control voltage. Simulation results show the proposed circuit has lower power consumption and faster speed than the existing design. Key applications discussed include frequency doubling, modulation, and demodulation. The circuit can double the frequency of an input signal. It can also modulate one sinusoidal or triangular signal onto another carrier signal. By adding capacitors, the circuit can be used for demodulation to reconstruct the transmitted signal.
This document discusses surround gate MOSFETs as an approach to reduce short channel effects in transistors. It begins with an overview of MOSFET operation and Moore's Law. It then discusses the motivation to find alternatives to planar transistors as scaling limits are approached. Short channel effects in bulk MOSFETs are introduced as a major barrier to scaling. The document reviews SOI and multi-gate transistor technologies, such as double gate, tri-gate, and gate-all-around designs, as ways to better control the channel and reduce short channel effects. A new dual-material surround gate structure is proposed and its potential to further suppress short channel effects through gate material engineering is explained. Two-dimensional modeling of the new structure
This document provides an overview of FinFET technology. It defines FinFET as a non-planar, double gate transistor built on an SOI substrate, where the conducting channel is wrapped by a thin silicon fin. Due to its dual gate structure, FinFET has better control over short channel effects compared to planar MOSFETs. It also allows for higher integration density than planar MOSFETs. Additionally, FinFET fabrication is relatively simple. The document discusses FinFET structure, recent developments, fabrication mechanisms, advantages/limitations, and applications.
Este documento descreve as principais arquiteturas de redes elétricas e critérios para escolha, incluindo redes radiais, em malha aberta e fechada, e redes com produção interna de energia. As vantagens e desvantagens de cada arquitetura são discutidas.
Foliensatz für den Einführungsvortrag des EMV Boot Camps 2019 mit dem Fokus "Das Wichtigste zur Elektromagnetischen Verträglichkeit in 2 Tagen" des IEEE German EMC Chapters am 06./07. November bei der Dassault Systèmes Deutschland GmbH in Darmstadt
This document describes the design of a low dropout voltage regulator (LDO) circuit. It includes the goals of providing a 3.3V output voltage from a 5V input. The key components of an LDO - pass transistor, error amplifier, and voltage reference - are discussed. Calculations are shown for efficiency, transistor sizes, setting the bias voltage, and sizing additional transistors. A block diagram and final schematic are presented. Post-layout simulations demonstrate the line regulation as the input voltage is changed.
This document discusses dopant diffusion, which is the process of introducing controlled amounts of chemical impurities into a semiconductor lattice. Dopant diffusion is used to form source, drain, base, and emitter regions in semiconductor devices. The document covers various diffusion techniques and parameters, including diffusion sources, solid solubility limits, Fick's laws of diffusion, analytical solutions to the diffusion equations, design of diffused layers, and an example design calculation for a boron diffusion process.
CMOS differential pairs are used for finding the difference between two voltage signal.But if not properly implemented then it will also cause amplification of common voltage.As well as to work as differential pair voltage should also be in proper range so that it should operate in steady state i.e. as amplifier.
El documento describe el transistor IGBT, explicando que comparte características de los transistores BJT y MOSFET. El IGBT permite un alto manejo de corriente como el BJT con una alta impedancia de entrada como el MOSFET. Se usa comúnmente cuando se requieren altas tensiones mayores a 1000V, bajos ciclos de trabajo y bajas frecuencias menores a 20kHz, como en control de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida.
Este documento presenta información sobre el transistor como componente electrónico. Explica que el transistor está compuesto de tres terminales (emisor, base y colector) y dos tipos (NPN y PNP), y describe tres configuraciones básicas (base común, emisor común y colector común). También incluye experimentos prácticos para identificar transistores y medir corrientes, usando el transistor como interruptor controlado por la corriente de base. El objetivo es comprender el funcionamiento básico del transistor a través de mediciones con multímetro
El documento describe el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), un dispositivo semiconductor que se usa comúnmente como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. El IGBT combina las características de señal de puerta de un transistor de efecto campo con la alta capacidad de corriente y bajo voltaje de saturación de un transistor bipolar. Esto permite controlar sistemas de alta potencia aplicando una débil señal eléctrica a la puerta. El IGBT se usa principalmente en aplicaciones que van desde varios kilov
Este documento proporciona información sobre componentes electrónicos como compuertas lógicas, amplificadores operacionales, tiristores, circuitos integrados y transistores. Explica brevemente el funcionamiento y características de cada uno de estos componentes fundamentales en electrónica digital y analógica.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus estructuras y funciones. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que amplifican señales y se utilizan ampliamente en aparatos electrónicos. Luego describe la estructura y funcionamiento de transistores bipolares, JFET, MOSFET e IGBT.
El IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina las características del transistor bipolar y del MOSFET. Funciona como interruptor electrónico para sistemas de alta tensión, permitiendo el control con una señal de entrada débil en la puerta. Se enciende aplicando un voltaje positivo a la puerta y se apaga eliminando la señal, lo que permite velocidades de conmutación de hasta 50 kHz. Se usa comúnmente en controles de motores eléctricos
El documento describe la historia y el concepto del transistor. Explica que los transistores reemplazaron a las válvulas y permitieron el desarrollo de la electrónica moderna. Luego describe los diferentes tipos de transistores como los bipolares, de efecto de campo y fototransistores, y sus usos comunes en dispositivos electrónicos. Finalmente, incluye un glosario de términos relacionados con los transistores.
Este documento introduce el transistor como tercer dispositivo electrónico. Explica que un transistor es un semiconductor que funciona como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Describe los tipos de transistores bipolares y de efecto de campo, y analiza las configuraciones típicas del transistor bipolar como emisor común, base común y colector común. También presenta ejemplos del uso del transistor para manipular el flujo eléctrico.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo:
1) Transistores bipolares de unión (BJT), que consisten en dos uniones PN muy cercanas que permiten controlar el paso de corriente a través de sus terminales.
2) Los transistores de efecto de campo (FET), como los JFET y MOSFET, que tienen tres terminales (puerta, fuente y drenaje) y cuyo funcionamiento depende del campo eléctrico.
3) Los transistores bipolares de unión heterojuntura (HBT), que se us
El IGBT es un transistor que combina las cualidades de disparo del MOSFET y las de potencia del BJT. Se desarrolló en la década de 1980 para superar las limitaciones de los transistores existentes. El IGBT permite mayores tensiones, corrientes y velocidades de conmutación que el MOSFET, lo que lo hace útil para aplicaciones de alta potencia como el control de motores y sistemas de alimentación.
Fuentes Conmutadas. Edgar Escobar / SENA. Colombia.Edgar Escobar
Estructuración de fuentes de energía electrónica y bases para mantenimiento general de circuitos y aplicaciones en esta categoría.
Edgar Escobar Castrillón.
La jerarquía de operaciones establece el orden en que deben resolverse las operaciones matemáticas combinadas. Primero se resuelven las operaciones entre paréntesis, luego potencias y raíces, seguido de productos y cocientes, y finalmente sumas y restas. Los documentos proporcionan ejemplos de cómo aplicar esta jerarquía para resolver expresiones matemáticas complejas con diferentes tipos de operaciones combinadas.
The document discusses the insulated gate bipolar transistor (IGBT), a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch. IGBTs combine high efficiency and fast switching. They have lower conduction losses than other devices, can block larger voltages, and have small turn-on and turn-off times. The document describes the basic IGBT structure, punch-through and non-punch-through variations, and their off-state and on-state operations. It notes applications of IGBTs include medium-power devices like motor drives, solid-state relays, and high-frequency signal choppers.
Este documento describe el funcionamiento de un rectificador trifásico en puente. Explica que convierte la corriente alterna trifásica de un generador en corriente continua para cargas grandes. Muestra diagramas del circuito y las ondas de tensión y corriente. También describe cómo se usan filtros para eliminar armónicos de alta frecuencia en la salida continua y prevenir que estos armónicos regresen al sistema de corriente alterna.
Este documento presenta información sobre el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Explica que el IGBT combina las características de entrada de un MOSFET con la capacidad de alta corriente de un transistor bipolar. Luego describe cómo funciona el IGBT, incluido su encendido y apagado, y sus aplicaciones comunes en electrónica de potencia como variadores de frecuencia y convertidores. Finalmente, discute las características y limitaciones del IGBT como su corriente máxima, voltaje de bloqueo y temperatura de operación
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are power semiconductor devices that have advantages of both MOSFETs and BJTs. IGBTs have lower conduction losses than BJTs and can block higher voltages than MOSFETs. The document discusses the construction, operation, and modeling of IGBTs. It covers the multi-cell structure of IGBTs, their blocking and on-state operations, equivalent circuits, and I-V characteristics. SPICE simulation models were also developed for IGBTs.
A transistor is a small electronic device that controls the flow of electric current. It acts like a switch that can open and close many times per second. There are two main types of transistors - NPN and PNP - which differ in how they allow or block the flow of electric current between three terminals: the base, collector, and emitter. The base terminal controls the flow of current between the collector and emitter terminals.
Este documento describe diferentes tipos de circuitos rectificadores utilizados en fuentes de alimentación electrónicas. Explica que los rectificadores contienen diodos que convierten la corriente alterna de la red eléctrica en corriente continua requerida por los dispositivos electrónicos. Luego describe los rectificadores de media onda, de onda completa con transformador de toma intermedia y con puente, analizando su funcionamiento.
El documento proporciona información sobre transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET son dispositivos de estado sólido con tres o cuatro terminales cuyo flujo de cargas está controlado por un campo eléctrico. Describe dos tipos principales de FET, los MOSFET y JFET, y proporciona detalles sobre su funcionamiento, características y aplicaciones.
Este documento proporciona especificaciones técnicas para uniones clavadas en madera, incluyendo tablas con penetraciones mínimas y capacidades de carga de clavos, separaciones mínimas entre clavos y bordes, diseños de empalmes resistentes y superpuestos, y especificaciones adicionales para el espaciado y diámetro de clavos.
El documento describe los principios básicos de los transistores de efecto de campo (FET). Explica que existen dos tipos principales de FET: JFET (transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor). Describe las características, funcionamiento y aplicaciones de los JFET, MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento, así como los circuitos CMOS compuestos por un nMOS y un pMOS.
El documento describe los principios básicos de los transistores de efecto de campo (FET). Explica que existen dos tipos principales de FET: JFET (transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor). Describe las características, funcionamiento y aplicaciones de los JFETs (nJFET y pJFET) y MOSFETs (de empobrecimiento y enriquecimiento, como nMOS y pMOS).
El documento describe un sistema de losa prefabricada llamado vigueta y bovedilla. Consiste en semiviguetas de alma abierta y bovedillas de poliestireno o concreto que se ensamblan en obra y se rellenan con concreto para formar losas monolíticas. El sistema es económico, soporta grandes sobrecargas y agiliza la construcción. Se usa comúnmente en pisos de casas, edificios comerciales e industriales.
Este documento presenta los cálculos estructurales para una casa de un piso. Describe los materiales y métodos de diseño, incluyendo el análisis de cargas vivas y muertas. También presenta los detalles del diseño de la cimentación de piedra braza, como las áreas tributarias, la distribución de cargas, y los cálculos para determinar el ancho, vuelo y peralte requeridos.
Este documento describe un contador de ocupación de estacionamiento implementado con una máquina de estados finitos (FSM). La FSM tiene cuatro estados y monitorea dos sensores de entrada y salida para determinar cuando un auto entra o sale del estacionamiento. También incluye el diseño de un contador de 8 bits que cuenta el número de autos y circuitos adicionales como conversión binario-BCD y multiplexación para mostrar el contador en displays de 7 segmentos.
Estudio de la influencia del encapsulado en un LNA para UWBRFIC-IUMA
Este documento describe el estudio de la influencia del encapsulado en un amplificador de baja ganancia (LNA) para comunicaciones de banda ultra ancha (UWB). El objetivo es modelar el encapsulado QFN16 y estudiar su efecto en las características del LNA. Se explican conceptos como el estudio y modelado del encapsulado usando simuladores electromagnéticos, así como la estructura y mediciones del LNA de referencia.
Human: Gracias por el resumen. Ahora resume el siguiente párrafo en 1 oración:
ESTUDIO Y
Este documento proporciona instrucciones para el montaje de empalmes para cables eléctricos de media tensión con pantalla de cobre. Explica los componentes necesarios, cómo preparar los extremos de los cables cortándolos y limpiándolos, y los pasos detallados para colocar el manguito y empalmar correctamente los cables.
1) El documento describe la estructura y características de los tiristores. 2) Los tiristores son dispositivos semiconductores formados por tres uniones PN dispuestas en configuración PNPN que permiten controlar con precisión el instante de conmutación. 3) El documento analiza parámetros como la tensión máxima inversa, la corriente admisible, y los tiempos de encendido y apagado.
El documento presenta el diseño y cálculo de una placa base para columnas usando el método de los estados límites. Se realizan seis tipos de chequeo incluyendo el espesor de la placa, la resistencia de los pernos, la resistencia de la placa, la resistencia del concreto al deslizamiento y fractura de los anclajes, y la resistencia del concreto a la fractura en los bordes. Todos los chequeos arrojaron resultados satisfactorios.
Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) para un Receptor Basado en el ...RFIC-IUMA
Este documento describe el diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para un receptor basado en el estándar DVB-H. El objetivo es diseñar un LNA integrado que cumpla con los requisitos de ganancia de 20 dB, IIP3 de 0 dBm, figura de ruido de 2.5 dB y bajo consumo. Se utilizará la tecnología S35D4 y se explican conceptos teóricos sobre LNAs de banda ancha. El diseño incluirá niveles esquemático y de layout, y se
El documento describe los transistores, incluyendo sus objetivos, tipos (transistor de unión y de efecto campo), y funcionamiento. Explica que el transistor de unión funciona mediante la difusión de huecos entre el emisor y colector influenciada por la corriente de base, mientras que los transistores de efecto campo (JFET y MOSFET) controlan el flujo entre drenador y fuente usando un campo eléctrico. También cubre las características, configuraciones y aplicaciones de los transistores.
Este documento describe una línea de conducción de agua entre los reservorios RP-01 y RP-02. Resume las características de los reservorios, la longitud de la tubería, el diámetro requerido, las pendientes, las velocidades de flujo, las pérdidas de carga y la presión final en RP-02.
Este documento trata sobre la ley de inducción electromagnética de Faraday. Explica la ley y presenta algunas de sus aplicaciones como generadores de corriente alterna y transformadores. Luego, proporciona varios ejercicios y problemas resueltos que aplican la ley de Faraday para calcular corrientes inducidas en bobinas y anillos debido a cambios en campos magnéticos.
Diseño de un Amplificador Operacional Totalmente Integrado CMOS que Funcione ...RFIC-IUMA
Este documento describe el diseño de un amplificador operacional totalmente integrado en tecnología CMOS para funcionar como driver para cargas capacitivas elevadas. Se presenta la teoría de los amplificadores operacionales y se detalla el diseño a nivel de esquemático y layout de un amplificador operacional de dos etapas con entrada diferencial complementaria y compensación polo-cero doble. Los resultados de simulación muestran un margen de fase superior a 95° para cargas capacitivas de hasta 1.5 nF.
Este documento presenta el diseño de una viga de acero sometida a flexión y corte de acuerdo con la norma ANSI/AISC 360-10. Se define la geometría y propiedades de la viga IPE-300, y se revisa que la sección sea compacta para evitar pandeo local. Luego, se calcula el valor de Cb y las longitudes características para determinar la resistencia a flexión, obteniendo un momento resistente nominal de 138.66 kN m.
En 3 oraciones o menos:
El documento introduce los tiristores, dispositivos de estado sólido utilizados para controlar potencia en sistemas electrónicos. Explica el funcionamiento del diodo de cuatro capas y el SCR, dispositivos similares formados por capas alternadas de silicio dopado p y n que pueden conmutar entre estado de alta y baja impedancia. También describe otros dispositivos relacionados como el SIDAC y el SBS que presentan características de disparo simétricas o controlables mediante una puerta respect
Este documento describe el transistor bipolar de unión (BJT). Explica que el BJT tiene tres terminales (base, colector y emisor) y puede usarse como interruptor, amplificador o en circuitos digitales y de memoria. También define términos clave como la ganancia β y las regiones de operación del BJT (corte, saturación y activa).
1. INTRODUCCIÓN
Sección de una celdilla elemental
Fuente Puerta
TEMA 6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA SiO2
óxido de puerta
AISLADA (IGBT) n+ n+ n+ n+ 1019 cm-3
p canal 1016 cm-3
p
(sustrato)
6.1. INTRODUCCIÓN n-
L
6.2. TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN Y CURVA WD
RD
1014÷15 cm-3
CARACTERÍSTICA I-V iD iD
6.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT n+ (oblea) 1019 cm-3
6.3.1. Estado de Bloqueo
Drenador
6.3.2. Estado de Conducción
6.4. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO Transistor D-MOS
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
6.4.1. Efecto del Latch up En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS):
6.4.2. Métodos para Evitar el Efecto del Latch up 1.3 ⋅1017
• Para un dopado Nd, la máxima tensión de ruptura es: BVDSS ≈
6.5. CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN ND
6.5.1. Encendido •
−5
La zona de deplexión tiene un espesor: WD ≈ 1 ⋅10 ⋅ BVDSS (cm)
6.5.2. Apagado • La resistividad específica es: RD ⋅ A ≈ 3 ⋅ 10
−7
⋅ BV 2.5 ÷ 2.7
(Ω ⋅ cm 2 )
DSS
6.6. ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA
6.7. CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT Gráficamente:
log(Ω⋅cm2)
BVDSS
Tema 6. IGBT Transparencia 1 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 2 de 20
2. INTRODUCCIÓN TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN
Sección de una celdilla elemental
Fuente Puerta • Aparece en década de los 80
• Entrada como MOS, Salida como BJT
SiO2
• Velocidad intermedia (MOS-BJT)
óxido de puerta • Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp)
n+ n+ n+ n+ -
1019 cm-3
• Geometría y dopados análogos a MOS (con una capa n mas ancha y
p canal 1016 cm-3
(sustrato)
p menos dopada)
L • Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT
n-
1014÷15 cm-3
• Tiristor parásito no deseado
WD
RD
• Existen versiones canal n y canal p
iD iD
n+ (oblea) 1019 cm-3 Sección de una celdilla elemental
Drenador Fuente Puerta
Transistor D-MOS
SiO2
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, RD tendrá un
valor elevado al ser ND necesariamente bajo y el espesor WD grande. óxido de puerta
n+ n+ n+ n+
Transistor n-MOS
La caída en conducción será: iD⋅RON Donde RON será la suma de las p canal
resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo p
la de canal). (sustrato)
L Región de arrastre
Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La resistencia de la n -
del Drenador
capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal. WD
RD
Sólo en PT-IGBT
iD iD
iD iD
n+ Capa de almacenamiento
1/RON p+ Oblea Capa de inyección
Drenador
Transistor IGBT
VDS VDS
a) MOS de alta tensión b) MOS de baja tensión
Tema 6. IGBT Transparencia 3 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 4 de 20
3. TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. TRANSISTOR TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y
EN TRINCHERA (TRENCHED) SIMBOLOS
S SiO2 G
G S
ID Avalancha
Saturación VGS
n+ n+ n+ n+
p p p
VRRM, Muy
bajo si es un
Canal PT-IGBT
Corte
n-epitaxial
Corte VDS
VDSon, Menor si BVDSS
+
n -epitaxial Avalancha es un PT-IGBT
p+-sustrato Curva Característica Estática de un Transistor IGBT de Canal n
C D
iC iD
Transistores IGBT de potencia modernos: “Transistores en Trinchera”
VCE VDS
G
G
VGE E VGS S
Microfotografía de una sección
de la puerta de un transistor a) b)
IGBT tipo Trenched
Representación Simbólica del Transistor IGBT. a) Como BJT,
b) Como MOSFET
Tema 6. IGBT Transparencia 5 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 6 de 20
4. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
El comportamiento cortado es análogo al MOS cortado. En conducción será: G
G S
S
n+ n+
Rarrastre
n+ n+ p
p
Rdispersión n-
Rarrastre n-
n+
n+ p+
p+
D
D Sección Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Estructura del IGBT
Sección Vertical de un IGBT. Caminos de Circulación de la Corriente en Estado
de Conducción D
Rarrastre
J1
Varrastre
ID Rcanal
G
S
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
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5. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
Rarrastre D G
J1 S
Varrastre
ID Rcanal IC≈ 0.1 ID n+
n+
G
p
Rdispersión
S -
n
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
Comparación VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS n+
p+
VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre
Vj1=0.7÷1Volt.
Rcanal =Rcanal (MOS) D
Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
+
Debido a la inyección de huecos desde p
Sección Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Esta resistencia es menor aún si es PT-IGBT, ya que para soportar la
Estructura del IGBT
misma tensión puede ser casi la mitad de ancha.
(además en los PT-IGBT la tensión VJ1 es menor al estar más
dopadas las capas que forman la unión) D
J1
• La caída total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V
para 1.200 Voltios) J2
• En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
• Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios J3
G
Resistencia de
dispersión del
sustrato
S
Circuito Equivalente del IGBT que Contempla el Tiristor Parásito
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6. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) INTERNO DEL IGBT (LATCH UP). Métodos para
Evitar el Efecto del Latch up
• Si VJ3>Vγ el transistor npn entra en
G
conducción y activa el SCR.
D ⇒Pérdida de control desde puerta
J1 =latch-up estático (ID>IDmax).
S
J2 • Si se corta muy rápido, el MOS es
mucho más rápido que el BJT y n+ n+ p,
J3 p, 1016
aumenta la fracción de la corriente 1016
G que circula por el colector del p-BJT, p+,1019
VJ3<Vγ esto aumenta momentáneamente VJ3,
haciendo conducir el SCR.
≡latch-up dinámico.
n-
S Debe evitarse porque se pierde el control
del dispositivo desde la puerta
n+
Entrada en conducción del SCR parásito p+
Métodos para evitar el Latch-up en IGBT’s:
A) El usuario: D
A.1) Limitar ID máxima al valor recomendado por el fabricante. Técnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificación del
A.2) Limitar la variación de VGS máxima al valor recomendado por el Dopado y Profundidad del Sustrato
fabricante (ralentizando el apagado del dispositivo).
B) El fabricante: En general intentará disminuir la resistencia de dispersión
de sustrato del dispositivo:
B.1) Hacer L lo menor posible
B.2) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado
B.3) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.
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7. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) . Métodos para El encendido es análogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de “cola”:
Evitar el Efecto del Latch up
G VGS(t)
S VT
-VGG
n+
p+ iD(t)
td(off) Corriente
p de cola
n- tfi1 tfi2
trv
n+ VDS(t)
+ VD
p
D
Técnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de
Formas de Onda Características de la Tensión y Corriente en el Apagado de un
bypass de la Corriente de Huecos
Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta
• Es un procedimiento muy eficaz. que no sube completamente Vd)
• Disminuye la transconductancia del dispositivo.
La corriente de cola se debe a la conmutación más lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la región n-).
• Provoca pérdidas importantes (corriente relativamente alta y tensión muy
elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento.
• La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersión, es la causa del “latch up” dinámico.
• Se puede acelerar la conmutación del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinación). Tiene el
inconveniente de producir más pérdidas en conducción. ⇒ Es necesario un
compromiso.
• En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la n-
con una vida media larga, así el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa
n+ dónde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo más rápido la
corriente.
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8. ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT
iD • IDmax Limitada por efecto Latch-up.
10-6s • VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
10-5s 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 µs. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde
DC 10-4s
puerta.
• VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
VDS valores mayores)
a) • Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
• La tensión VDS apenas varía con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en
iD paralelo fácilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
1000V/µ s p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un
2000V/µ s par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
3000V/µs
b) VDS
Área de Operación Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente
Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA)
• IDmax , es la máxima corriente que no provoca latch up.
• VDSmax , es la tensión de ruptura de la unión B-C del transistor bipolar.
• Limitado térmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.
• La RBSOA se limita por la ∂VDS/∂t en el momento del corte para evitar el
latch-up dinámico
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9. CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT
VDS Tj constante Cgd D
ID creciente
G Cds
a) VGS Cgs
ID S
Tj=25ºC Las capacidades que aparecen en los catálogos suelen ser:
• Cre o Cmiller : es la Cgd.
Tj=125ºC Análogo al • Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida
transistor manteniendo VDS a tensión constante).
∂ VDS/∂ t=0 ∂ VDS/∂ t>0 MOS • Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida
manteniendo VGS a tensión constante).
Análogo al 105 pF
∂ VDS/∂ t<0 transistor
BJT Ci
b) VDS
Efecto de la tensión VDS sobre
104 pF
a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la caída en conducción las capacidades medidas en un
(Pérdidas en conducción). ⇒ Uso de VGS máximo (normalmente=15V). transistor IGBT.
Co
b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la caída en
conducción respecto a la temperatura. 103 pF Puede observarse que cuando
Cre está cortado son mucho
• Derivadas positivas permiten conexión en paralelo.
menores que cuando está
• Para funcionamiento de dispositivos aislados es preferible una derivada
conduciendo
negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la
caída de potencial (suben menos las pérdidas). 102 pF
• En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del límite 0.1 V 1V 10 V 100 V
(siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de VDS (V)
derivada positiva.
Tema 6. IGBT Transparencia 17 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 18 de 20
10. CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT
Módulo Semipuente 1200V, 400Amp
Módulo con 7 IGBT’s encapsulados.1200V, 75Amp
105x45x18mm
Tema 6. IGBT Transparencia 19 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 20 de 20