Electrónica de
potencia
Transistor IGBT
Electrónica de
potencia
¿QUE ES UN IGBT?
 El IGBT es un transistor bipolar de compuerta aislada
que comparte las características de los BJT y
MOSFET
 ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA (MOSFET)
 ALTA CAPACIDAD DE MANEJAR CORRIENTE (BJT)
 FACIL MANEJO CONTROLABLE POR VOLTAJE(MOSFET)
 SIN PROBLEMAS DE SEGUNDA AVALANCHA(BJT)
 BAJAS PERDIDAS DE CONDUCCION EN ESTADO ACTIVO(BJT)
SIMBOLO
 COMO MOSFET  COMO BJT
CURVA CARACTERISTICA
TIPOS DE IGBT
 Corriente de cola corta.
 Más sensible a la temperatura,
debido a mayor número de
portadores minoritarios.
 Coeficiente de temperatura
negativo.
 Corriente de cola larga pero
de baja amplitud.
 Coeficiente de temperatura
positivo.
 Corriente de cola corta.
 Coeficiente de temperatura
positivo
PT NPT FIELD STOP
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN
PERDIDAS DE CONDUCCION
 IGBT tiene una mayor pérdida de conmutación
debido a la corriente de cola en el apagado.
Efecto LATCH-UP
SOA
SAFE OPERATION AREA
RANGO DE TRABAJO
 Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V
 El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
 En los valores intermedios depende de la aplicación, de la
frec.,etc.
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
 Bajo ciclo de trabajo
 Baja frecuencia (< 20 kHz)
 Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
 Alta potencia (>5 kW)
Aplicaciones típicas del IGBT
 Control de motores
 Sistemas de alimentación
ininterrumpida
 Sistemas de soldadura
 Iluminación de baja frecuencia (<100
kHz) y alta potencia
APLICACIONES
PROBLEMAS PARA OPERACIÓN EN PARALELO
DE LOS IGBT
 Debido a que tienen un coeficiente de temperatura
negativo el dispositivo al aumentar la temperatura
tenemos menor pérdida de tención lo que conlleva
una mayor corriente provocando un alto
calentamiento.
Empaquetados del IGBT
TO 220
TO 247
Módulos de potencia
MTP
HOJAS DE DATOS
GRACIAS POR SU ATENCION!!!

Igbt listo

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    ¿QUE ES UNIGBT?  El IGBT es un transistor bipolar de compuerta aislada que comparte las características de los BJT y MOSFET  ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA (MOSFET)  ALTA CAPACIDAD DE MANEJAR CORRIENTE (BJT)  FACIL MANEJO CONTROLABLE POR VOLTAJE(MOSFET)  SIN PROBLEMAS DE SEGUNDA AVALANCHA(BJT)  BAJAS PERDIDAS DE CONDUCCION EN ESTADO ACTIVO(BJT)
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    TIPOS DE IGBT Corriente de cola corta.  Más sensible a la temperatura, debido a mayor número de portadores minoritarios.  Coeficiente de temperatura negativo.  Corriente de cola larga pero de baja amplitud.  Coeficiente de temperatura positivo.  Corriente de cola corta.  Coeficiente de temperatura positivo PT NPT FIELD STOP
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    PERDIDAS DE CONDUCCION IGBT tiene una mayor pérdida de conmutación debido a la corriente de cola en el apagado.
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    RANGO DE TRABAJO Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V  El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V  En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.
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    El IGBT sesuele usar cuando se dan estas condiciones:  Bajo ciclo de trabajo  Baja frecuencia (< 20 kHz)  Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)  Alta potencia (>5 kW) Aplicaciones típicas del IGBT  Control de motores  Sistemas de alimentación ininterrumpida  Sistemas de soldadura  Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia APLICACIONES
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    PROBLEMAS PARA OPERACIÓNEN PARALELO DE LOS IGBT  Debido a que tienen un coeficiente de temperatura negativo el dispositivo al aumentar la temperatura tenemos menor pérdida de tención lo que conlleva una mayor corriente provocando un alto calentamiento.
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    Empaquetados del IGBT TO220 TO 247 Módulos de potencia MTP
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    GRACIAS POR SUATENCION!!!