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GUÍA DE PRÁCTICA
ELECTRÓNOCA ANALÓGICA
CET 22
Tecnología Superior en Electrónica
Periodo académico 2021-Il
w w w .tecnologicosucre.edu.ec
1. TEMA
Transistores bipolar de juntura y de efecto campo
2. OBJETIVOS
General
Aprender a armar circuitos, diseñar, interpretar y leer diagramas de circuitos electrónicos
y aplicaciones con los diferentes elementos semiconductores.
Específicos
 Conocer el funcionamiento de un transistor.
 Reconocer los pines del transistor BJT y FET
 Determinar los voltajes y corrientes de la base, colector y emisor
3. TRABAJO PREPARATORIO
Consultar:
a. Que es un transistor BJT y su curva característica.
Dicen características del BJT las curvas tensión corriente de los distintos terminales
del BJT.
Se dice característica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente de
base IB en función de la tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al
transistor NPN BCW82.

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Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho, entre
la base y el emisor, el transistor se comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la
corriente de base es cero, cuando la VBE es menor que la tensión de umbral, que en
nuestro caso coincide aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la tensión de
umbral la corriente de base aumenta rápidamente.
Se dice características de salida las que expresan la corriente de colector IC como una
función de la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB; tales como las
siguientes, que se refieren siempre a BCW82

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Observamos que hay diferentes características de salida, cada obtenida para un valor
predeterminado de la corriente de la base IB; de hecho, la primera característica, a
partir de la parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el mantenimiento
de un IB constante con el aumento de VCE, al principio la IC es cero; luego aumenta
linealmente y rápidamente a la rodilla; allá de la rodilla, la IC permanece prácticamente
constante, incluso si se aumenta la VCE.
Las características son importantes para la determinación del punto de trabajo; Se
dice punto de trabajo un punto de que se sabe la tensión y la corriente en reposo, es
decir, en ausencia de señal; ejemplo, si tomo el punto P, como en el siguiente
diagrama:

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podemos observar que se encuentra en la característica para IB = 15 m A; la corriente
de base será IB = 15 m A ; la tensión VCE es de 1,0 V; la corriente de colector será
aproximadamente IC = 4,6 mA
RECTA DE CARGA
Es dicha recta de carga, la recta que tiene como ecuación la ecuación de la malla de
salida, es decir:
VCC = RC IC + VCE + RE IE
Para representarla sobre las características de salida, es necesario tomar dos puntos.

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Supongamos que VCC = 2,0 V; cuando IB = 0 y IC = 0 de la ecuación de la línea de
carga se obtiene que VCE = VCC; a continuación, un punto será en el eje horizontal, con
coordenadas (2,0 ; 0).
Suponiendo vez que la VCE es nula, de la ecuación de la recta de carga obtenemos:
VCC = RC IC + RE IE
y descuidando la IB en relación de la IC obtenemos el segundo punto ICMAX = VCC/
(RC + RE); entonces el segundo punto tiene las coordenadas (0; VCC/ (RC +
RE)); uniendo los dos puntos obtenemos la recta de carga.
Diseño del circuito de polarización
Durante el diseño del circuito de polarización usamos los siguientes criterios prácticos.
Para la VCE establece un valor aproximadamente igual a VCC/2;

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para la caída de tension a los bornes de RE, es decir, VE, se fija a un valor igual
a VCC/10; para la corriente del divisor ID se fija una corriente igual a IC/10. Con la ayuda
de las características y ecuaciones de la malla de salida y de la malla de entrada se
calculan los valores de todas los resistores.
b. Consultar que es un transistor FET y su curva característica.
Simbología
Simbología Rafa
El transistor de Efecto de Campo
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensión aplicada a la entrada. Características generales:
 Por el terminal de control no se absorbe corriente.
 Una señal muy débil puede controlar el componente.
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.
Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de
efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación
más frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres
terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain).
Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los
siguientes:

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Símbolo de un FET de canal N
Símbolo de un FET de canal P
CURVA CARACTERÍSTICA
Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente
figura:
Parámetros de un FET de canal N
Parámetros de un FET de canal P

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La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:
 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
tensión VGS.
 Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET,
amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe
entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
 Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común
(SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común
que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares. Las principales
aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificación de señales
débiles.
CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo
constante la tensión entre puerta y surtidor. En la zona óhmica o lineal se observa como al
aumentar la tensión drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de
saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce una saturación de la
corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja
como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una
intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el

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transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y
surtidor es cero la intensidad de drenador es máxima.
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA Indican la variación entre la intensidad de
drenador en función de la tensión de
puerta.
HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE LOS FET
En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes
parámetros (los más importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas
soportables por la unión PN. IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta -
surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente.
IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito
de puerta cuando la unión puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

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El transistor de Efecto de Campo
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensión aplicada a la entrada. Características generales:
 Por el terminal de control no se absorbe corriente.
 Una señal muy débil puede controlar el componente.
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.
Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de
efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación
más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
CURVA CARACTERÍSTICA
La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:
 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
tensión VGS.
 Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET,
amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe
entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
 Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común
(SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común
que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares. Las principales
aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificación de señales
débiles.
CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo
constante la tensión entre puerta y surtidor. En la zona óhmica o lineal se observa como al

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aumentar la tensión drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de
saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce una saturación de la
corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja
como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una
intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el
transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y
surtidor es cero la intensidad de drenador es máxima.

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c. Consultar algunas aplicaciones del BJT y FET
APLICACIONES
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas,
control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Amplificadores
Los FET de cruce (JFET) se utilizan en la etapa deAmplificación que aísla la etapa
anterior de la siguiente etapa y por lo tanto actúa como amplificadores de búfer (Figura
3). Esto se debe a que los JFET tienen una impedancia de entrada muy alta debido a
que la etapa anterior se cargará ligeramente, lo que hará que toda la salida de la Etapa
1 aparezca en la entrada del búfer.
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Además, toda la salida del búfer se puede hacer paraaparece en la entrada de la Etapa
2 utilizando JFET en la configuración de drenaje común, debido a la baja impedancia
de salida ofrecida. Esto incluso significa que los amplificadores de búfer son capaces
de conducir cargas pesadas o resistencias de carga pequeña.
Los FET son dispositivos de bajo ruido en comparación conTransistores de unión bipolar
(BJTs). Esto lo convierte en un componente útil para ser utilizado como un amplificador en el
extremo frontal del receptor, ya que se necesita la mínima cantidad de ruido en la salida final.
Además, debe observarse que los JFET son dispositivos controlados por voltaje, lo que los
hace ideales para ser utilizados como amplificadores de radiofrecuencia (RF). La razón detrás

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de esto es que uno espera que el amplificador de RF responda adecuadamente incluso cuando
las antenas en el extremo receptor reciben las señales débiles (señales con una cantidad muy
baja de corriente).
Un amplificador FET en una fuente común (CS)la configuración puede usarse para controlar
otro amplificador FET en la configuración de compuerta común, formando un amplificador de
Cascode como se muestra en la Figura 4. Aunque la ganancia del amplificador en cascada es
la misma que la del amplificador CS, su capacitancia de entrada es significativamente baja en
comparación con la de Amplificador CS. Además, el amplificador Cascade ofrece una
resistencia muy alta en su entrada.
Oscilador de cambio de fase
Los JFET ofrecen alta impedancia en su entradaTerminales que reducen el efecto de
carga. Además, pueden usarse adecuadamente para lograr tanto la amplificación como
las funciones de retroalimentación. Esta naturaleza de los FET los hace adecuados
para ser utilizados en circuitos osciladores de cambio de fase, como se muestra en la
Figura 5.

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Helicóptero
JFET actuando como un interruptor puede ser utilizado como un helicóptero(Figura 6)
donde el voltaje de CC que se le aplica, VDC se convierte en voltaje de CA con el
mismo nivel de amplitud, VAC. Esto se debe al hecho de que la forma de onda de
voltaje cuadrado aplicada como VGS hace que el JFET funcione en las regiones de
corte y saturación, alternativamente. Tales circuitos chopper ayudan a superar el
problema de la deriva que existe en el caso de los amplificadores de acoplamiento
directo.

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Limitador de corriente
Un JFET de canal n cuyo terminal de puerta está en cortocircuitocon el terminal Fuente
actúa como un limitador de corriente. Esto significa que en esta disposición, los FET
permiten que la corriente a través de ellos aumente solo a un nivel particular, después
de lo cual se mantiene constante, independientemente de las fluctuaciones en el nivel
de voltaje. Estos limitadores de corriente forman parte integral de los diodos de
corriente constante o regulador de corriente.
Aparte de estos, los FET se utilizan ampliamente enCircuitos integrados (ICs) debido a su
tamaño compacto. Se utilizan en circuitos mezcladores de receptores de TV y FM debido a
las bajas distorsiones de intermodulación. Además, los FET también se utilizan como
resistencias de voltaje variable en los circuitos integrados de control de tono, los circuitos de
control de tono y el voltímetro JFET. Los JFET también se pueden usar para diseñar los
circuitos del temporizador, ya que ofrecen un alto aislamiento entre sus terminales de
compuerta y drenaje. Además, los JFET también encuentran su uso en campos como la
electrónica digital y los sistemas de fibra óptica.

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4. EQUIPO Y MATERIALES
Cada estudiante deberá tener como mínimo los siguientes elementos electrónicos
• 1 transistor BJT NPN 2N2222
• 1 resistencia de 180Ω
• 1 resistencia de 2.2kΩ
• 2 resistencias de 820Ω
• 2 resistencia de 5,6KΩ
• Protoboard
• Conectores
• 1 multímetro
• 1 Fuente de voltaje variable de 0 a 12 VDC, 1A
5. PROCEDIMIENTO
Armar y simular el circuito de la figura 1, usando R1 = 5.6kΩ, R2= 820Ω, RC=820Ω,
RE=180Ω y BJT NPN 2N2222 y llenar la tabla 1 Antes de conectar la alimentación del
circuito asegúrese de que el transistor esté bien montado, es decir compruebe la
asignación de los pines

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Figura 1: Circuito auto polarizado con transistor BJT NPN
a) Mida las corrientes y las diferencias de potencial en el transistor, consigne dicha
información en la tabla 1
IB IC IE VCE VBE VBC
12.0 +10 12.0 10. 10 10
Tabla 1: Resultados del circuito por divisor de tensión con transistor BJT NPN
b) Cambie la resistencia R2 del circuito por los valores que se detallan en la siguiente
tabla y mida el resto de parámetros que le piden en la misma y llenar tabla 2.
R2 IB IC IE VCE VBE
330
Ω
220
Ω
Tabla 2: Resultados del circuito por divisor de tensión con transistor BJT NPN
Circuito 2:

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Armar y simular el circuito de la figura 2, usando RC = 2.2kΩ, RB=5.6kΩ y BJT NPN
2N2222 y llenar la tabla 3. Antes de conectar la alimentación del circuito asegúrese de
que el transistor esté bien montado, es decir compruebe la asignación de los pines
Figura 2: Circuito de polarización con tensión de base
Mida las corrientes y las diferencias de potencial en el transistor, consigne dicha
información en la tabla 3
IB IC IE VCE VBE VBC
Tabla 3: Resultados del circuito de polarización con tensión de base
Rellene la siguiente tabla, midiendo los distintos parámetros del transistor para cada
uno de los valores de tensión VB que se indican, llenar la tabla 4.
VB IB IC VCE VBE VBC
0.5V
0.7V
1V
Tabla 4: Resultados del circuito de polarización con tensión de base
6. APLICACIÓN
Construir un dispositivo electrónico que produzca el sonido de una sirena de policía
utilizando el transistor FET o J-FET
7. INFORME

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Se describen las actividades que el estudiante debe realizar o comprobar para incluirlas
en el informe, teniendo por lo menos:
7.1 Documentar las pruebas realizadas en la práctica.
7.2 Conclusiones y Recomendaciones.
7.3 Referencias Bibliográficas.

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