El documento describe el transistor bipolar (BJT), uno de los dispositivos semiconductores más importantes. Explica que el BJT fue desarrollado por Walter Brattain y John Bardeen en 1947 y consiste en dos capas de material tipo n o p con una capa intermedia de material opuesto. También define al BJT como un dispositivo de tres terminales (emisor, base y colector) que puede amplificar señales de voltaje utilizando pequeñas señales de entrada para controlar elementos que requieren mayor señal.