El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Explica que el transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Luego describe brevemente el transistor bipolar, el transistor de efecto campo (JFET), el transistor Darlington, el transistor de efecto campo metal-óxido (MOSFET) y el transistor de contacto puntual, detallando algunas de sus propiedades clave.

1. {
TRANSISTORES

2. El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor
que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conm
utador o rectificador.
CONCEPTO:

3. El transistor bipolar fue inventado en los
laboratorio Bell de EE.UU. en diciembre de 1957
por John Bardeen, Walter Hoouser Brattain y
William Bradford, quienes fueron galardonados
con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el
sustituto de la Válvula termoiónica de tres
electrodos, o tríodo.
HISTORIA

4.  El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio
de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas)
de material tipo p situadas a ambos lados.
 Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan
drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
 La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén
inversamente polarizadas.
 En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe
ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de
corriente a través de canal.
TRANSISTORES EFECTO DE
CAMPO (JFET)
CARACTERISTICAS:

5. o Transistor de tipo especial que tiene una alta ganancia de
corriente.
o Esta compuesto internamente por dos transistores bipolares
que se conectan en cascada.
o Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario
controlar cargas grandes con corriente muy pequeñas.
TRANSISTOR
DARLINGTON
CARACTERISTICAS:

6.  Es un tipo especial de transistor FET
que tiene una versión NPN y otra PNP.
 El NPN es llamado MOSFET de canal N
y el PNP es llamado MOSFET de canal
P.
 Una delgada capa de material aislante
formada de dióxido de silicio (SiO2)
(también llamada "sílice" o "sílica") es
colocada del lado del semiconductor y
una capa de metal es colocada del lado
de la compuerta (GATE)
TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
METAL-OXIDO (MOSFET)

7.  Un transistor funciona como un interruptor
para el circuito conectado al colector (Rc) si se
hace pasar rápidamente de corte a saturación
y viceversa.
 En corte es un interruptor abierto y en
saturación es un interruptor cerrado.
 Posee dos resistencia que tienen como función
limitar la cantidad de corriente que circula
por la base y el colector.
 El transistor se comporta como un
interruptor cerrado, cuando aumenta
progresivamente el valor de intensidad en la
base, de tal manera, y hace que la intensidad
del colector no sigue aumentando
 El transistor se comporta como un
interruptor abierto, cuando no circula
intensidad por la base, por lo que, la
intensidad de colector y emisor es nula.
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) COMO
INTERRUPTOR
CARACTERISTICAS:

8.  Llamado también transistor de punta
de contacto.
 Consta de una base de
germanio, semiconductor para
entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metálicas que
constituyen el emisor y el colector.
 La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el
colector, de ahí el nombre de "transfer
resistor".
TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
CARACTERISTICAS: