Este documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos, dopados tipo P y tipo N. Los semiconductores intrínsecos tienen igual número de electrones y huecos, mientras que los dopados tienen un exceso de electrones (tipo N) o huecos (tipo P) debido a la adición de impurezas. El dopaje permite controlar la conductividad del semiconductor mediante la incorporación de átomos con mayor o menor valencia.
Zentral oder Dezentral? Wie IT-Infrastruktur an Schulen organisiert werden kö...Univention GmbH
Jan Christoph Ebersbach von Univention berichtet in seinem Vortrag auf dem Univention Summit 2016 über seine Erfahrungen aus Projekten zur Einführung und Migration zu UCS@school an Schulen. Wie schaffen es Schulen, ihre IT-Infrastruktur so zu gestalten, dass Computerräume zentral betrieben werden können, Schüler und Lehrer aber gleichzeitig von überall und jederzeit auf die für sie bestimmten Daten zugreifen können?
Semiconductores Intrinsecos y extrinsecos o dopados tipo n y pLuis Palacios
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
2. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
A temperatura ambiente se
comporta como Aislante pues
debido a la energía térmica tiene
pocos electrones libres y térmicos.
Es un Semiconductor Puro se,
contiene una cantidad mínima de
átomos impuros.
n = p =ni
http://electronicageneralenet1.blogspot.com/2013/0
5/semiconductor-puro-de-silicio.html
3. FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES LIBRES Y
HUECOS DENTRO DEL SEMICONDUCTOR
Al llegar los electrones lires al
extremo derecho del cristal,
entran al conductor externo y
circulan hacia el teminal
positivo de la batería.
Los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirán
hacia el extremo izquierdo del cristal, de esta manera entran al
cristal y se combinan con los huecos que llegan al extremo
izquierdo del cristal.
Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del
semiconductor.
http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1
4. GENERACIÓN TÉRMICA DE
PARES ELECTRÓN HUECO
La generación eléctrica de pares electrón – hueco se explica de la siguiente
manera:
Si un electrón de valencia se convierte en
electrón de conducción deja una posición
bacante, si se aplica un campo eléctrico al
semiconductor, este hueco es ocupado por
otro electrón de valencia que deja otro
hueco.
Este efecto es de una carga +e moviéndose
en dirección del campo eléctrico.
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.h
tml
5. LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS
Consiste en sustituir algunos átomos de silicio por
átomos de otros elementos conocidos como impurezas.
Según el tipo de impureza con el que se dope el
semiconductor puros o intrínsecos, aparecen 2 tipos de
conductores:
Semiconductores Tipo P
Semiconductores Tipo N
6. SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:
Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png
7. ELEMENTOS DOPANTES
Para los semiconductores del grupo IV como el
Germanio, Silicio y Carburo los dopantes mas
comunes son elementos del grupo III o del grupo
V, Boro, Fósforo, Arsénico, y ocasionalmente el
Galio, son utilizados para dopar al silicio.
http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(se
miconductores)
8. DOPAJE TIPO P
El dopaje tipo P, se crean agujeros
mediante la incorporación en caso del
silicio de átomos con 3 electrones de
valencia, por lo general se utiliza el
Boro.
http://www.textoscientificos
.com/energia/celulas