TRABAJO TECNOLOGIA EN DESARROLLO DE SOFTWARE UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

1. Maria Angelica Perea Valderrama
Carlos Peña

3. 
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
Memoria de semiconductores es un dispositivo electrónico de
almacenamiento de datos, que se utiliza a menudo como la memoria del
ordenador, implementado en un circuito integrado basado en
semiconductores. Se hace en muchos tipos y tecnologías diferentes.

4. Memoria de semiconductores tiene la propiedad de acceso aleatorio, lo
que significa que se necesita la misma cantidad de tiempo para acceder
a cualquier ubicación de la memoria, por lo que los datos se puede
acceder de manera eficiente en cualquier orden al azar. Esto contrasta
con los medios de almacenamiento de datos, como los discos duros y CD
que leen y escriben datos de forma consecutiva, por lo que sólo se
puede acceder a los datos en la misma secuencia que fue escrito.
Memoria de semiconductores también
tiene tiempos de acceso mucho más rápido
que otros tipos de almacenamiento de
datos, un byte de datos se puede escribir
o leer desde la memoria de
semiconductores dentro de unos pocos
nanosegundos, mientras que el tiempo de
acceso para la rotación de almacenamiento
tales como discos duros está en el rango
de milisegundos.

5. Se puede establecer la siguiente clasificación:
 De lectura y escritura o RAM
Estáticas (SRAM)
Dinámicas o con refresco (DRAM)
 De sólo lectura ROM
Por estas razones, se utiliza para la memoria principal de la
computadora, para almacenar los datos de la computadora está
trabajando, entre otros usos.

6. 
RAM ESTÁTICAS(SRAM).
MEMORIAS BIESTABLES
El componente elemental de las memorias biestables (capaz de
almacenar un bit) es el Flip-Flop (FF), un dispositivo electrónico que es a
su vez un elemento ampliamente utilizado en las computadoras en su
conjunto, especialmente en los registros.
Si bien existen varios tipos de FF, consideraremos solo uno de ellos, que
utilizaremos en nuestras futuras descripciones: el Flip-Flop R-S.
El diagrama básico de un FF de este tipo es el que muestra la figura.
Este circuito tiene, como observamos, dos entradas y dos salidas, aunque
como veremos, estas últimas son sólo distintas expresiones de una misma
cosa.

7. En efecto, la salida, en realidad, es solo a; la otra salida b es su
negación (o complemento lógico); o sea: cuando b vale 1, a vale 0, y
viceversa.
Aunque parezca a priori absurdo contar con estas salidas redundantes,
su importancia en el diseño es fundamental.
La tabla de funcionamiento de este tipo de Flip-Flop se muestra en la
figura.

8. Los valores de a y b en (1) indican
que mientras no exista un pulso en
algunas de las entradas, el FF
mantendrá su estado.
Los asteriscos en (2) indican que
esta es una situación prohibida,
cuyo resultado es impredecible.
La entrada S se denomina así por la
palabra inglesa Set. Un 1 lógico en
esta entrada (identificado por un
pulso normalmente positivo) hace
que la salida a tome el valor 1,
consecuentemente b = 0. Utilizando
un divulgado anglicanismo, diremos
que hemos seteado el bit; en la
práctica hemos grabado un 1 en
dicho bit, el cual no se borrará al
desaparecer la entrada de Set
(pero sí en caso de quitarse
alimentación al circuito).
La entrada R se denomina así por la
palabra inglesa Reset. Un 1 lógico en
esta entrada hace que la salida b
tome el valor 1 (y a = 0). Diremos
entonces que hemos reseteado el bit,
o sea hemos grabado un cero.
En el momento de producirse una
entrada (S o R) en el FF, su salida
adopta su estado en forma
prácticamente instantánea. Las
memorias biestables son las más
rápidas que consideramos.

9. Para el siguiente gráfico ingrese los posibles valores (0 y 1) en los
casilleros S y R y luego presione el botón ingresar y se observará los
resultados en las casillas correspondientes en a y b.

10. 
RAM Dinámicas.
(DRAM)
El componente elemental (capaz de almacenar un bit de información) es
un condensador (capacitor) que denominaremos celda capacitiva o celda.
El contenido de información de cada celda queda determinado por la
carga del capacitor: una tensión de 0 a 6 volts representa un cero,
mientras que 6 a 12 volts indicará un uno lógico.

11. Una de las características fundamentales de los capacitores es que
pierden su carga con el tiempo. Si no se tomara en cuenta este
fenómeno, la información almacenada iría "borrándose", haciéndola
por lo tanto absolutamente no confiable. El proceso destinado a
mantener en un nivel adecuado el nivel de carga de celda se denomina
refresco.
Cada vez que se efectúa un acceso a una
celda (para lectura o grabación) se
realiza el refresco de esa posición. Pero
no es suficiente, dado que ciertas
posiciones de memoria pueden no ser
accedidas por largo tiempo y, por lo
tanto se necesita un proceso adicional de
refresco. Mediante este proceso, cada
celda es refrescada a breves intervalos
de tiempo.
La figura muestra las curvas
características de carga (grabación de
un 1) y de descarga (grabación de un 0)
en una celda.

12. Una celda de memoria RAM dinámica es más simple que una estática
y por lo tanto más pequeña. Por lo tanto, la RAM dinámica es más
densa (más celdas por unidad de superficie) y más barata que la
correspondiente SRAM. Por otra parte una DRAM requiere de una
cicuiteria para el refresco. En memorias grandes, el coste fijo de la
circuiteria de refresco se ve más que compensado por el menor
costo de las celdas DRAM. Así, las DRAM son preferidas para
memorias grandes. Un último detalle es que las SRAM son
generalmente algo más rápidas que las DRAM.

13. 
ROM
Memorias de Solo Lectura.
Las memorias ROM almacenan habitualmente información pre-grabada
por el fabricante y que no puede ser modificada por el usuario. (
Este tipo de memorias tiene dos ventajas fundamentales:
a) su gran velocidad de acceso
b) su no volatilidad (no se "borra" al apagar la computadora)
Es muy simple imaginarse la estructura de una memoria ROM.
Supongamos tener que generar la siguiente secuencia de valores:
Que aunque es un simple contador de 0 a 9 (FIG. 1), puede ser
considerada (con un poco de imaginación), una serie de instrucciones de
un programa.
Supongamos además que disponemos de una malla de conductores
eléctricos como la de la FIG. 2:

14. donde los puntos de cada intersección indican que los conductores
horizontales y verticales están físicamente conectados.
Si por algún procedimiento eliminamos adecuadamente "algunas" de
estas conexiones físicas, podemos obtener la malla siguiente.

15. http://ocw.usal.es/ensenanzas-
tecnicas/electronica/contenido/electronic
a/Tema9_Memorias.pdf

16. ESDE EL PUNTO DE VISTA DE SU DESDE EL PUNTO DE VISTA DE SU
FABRICACIÓN