Este documento describe diferentes dispositivos semiconductores utilizados para el control de motores, iluminación, calefacción y alarmas. Describe el transistor de efecto de campo (FET), el transistor unijuntura, el tiristor, diodos emisores de luz (LED), detectores de luz, sensores de temperatura y cómo cada uno funciona. También analiza el transistor de efecto de campo (FET), el transistor de efecto de campo de óxido metálico semiconductor (MOSFET), el dispositivo de compuerta complementaria metálica-óxido-
Este documento describe diferentes dispositivos semiconductores utilizados para el control de motores, iluminación, calefacción y alarmas. Describe el transistor de efecto de campo (FET), el transistor MOSFET, el tiristor SCR y otros dispositivos como LED, fotocélulas y termistores. Explica el funcionamiento, características y aplicaciones de cada uno de estos dispositivos semiconductores.
Este documento describe el funcionamiento y características de los transistores MOSFET. Explica que los MOSFET tienen cuatro partes principales (puerta, fuente, drenador y cuerpo) y funcionan como interruptores controlados por tensión, conduciendo corriente entre fuente y drenador solo cuando se aplica una tensión de umbral a la puerta. También compara los MOSFET de enriquecimiento y deplexión, y proporciona curvas características e instrucciones sobre cómo polarizarlos correctamente.
El documento describe los diferentes tipos de transistores de efecto de campo, incluyendo JFET (transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor). Explica su estructura interna, funcionamiento y características eléctricas. Los JFET controlan la corriente mediante el voltaje de puerta, mientras que los MOSFET lo hacen formando o eliminando un canal de conducción. Estos transistores se utilizan comúnmente en amplificadores, convertidores de potencia y
El documento describe el transistor MOSFET, incluyendo su historia, estructura, tipos, regiones de operación y características. Explica que el MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas, y fue inventado en 1959. Describe las partes del MOSFET (surtidor, drenador, compuerta, sustrato) y sus dos tipos (empobrecimiento y enriquecimiento). También resume sus tres regiones de operación (corte, óhmica y saturación), así como características clave como tensión
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores unipolares controlados por un campo eléctrico. Existen dos tipos principales: los JFET de unión y los MOSFET de puerta aislada. Los FET tienen tres terminales (puerta, drenador y fuente) y funcionan como interruptores controlados por la tensión de puerta. Permiten aplicaciones de amplificación, conmutación y control de potencia debido a su alta impedancia de entrada y baja capacidad.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto de campo de unión (JFET), transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y transistores de efecto de campo de metal-semiconductor (MESFET). Explica las características básicas de cada tipo de transistor, como su estructura, funcionamiento y curvas características. También incluye información sobre encapsulados comunes y ejemplos de transistores populares de cada tipo.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto de campo de unión (JFET), transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y transistores de efecto de campo de metal-semiconductor (MESFET). Explica las características básicas de cada tipo de transistor, como su estructura, funcionamiento y curvas características. También incluye información sobre encapsulados comunes y ejemplos de transistores populares.
Este documento describe diferentes dispositivos semiconductores utilizados para el control de motores, iluminación, calefacción y alarmas. Describe el transistor de efecto de campo (FET), el transistor unijuntura, el tiristor, diodos emisores de luz (LED), detectores de luz, sensores de temperatura y cómo cada uno funciona. También analiza el transistor de efecto de campo (FET), el transistor de efecto de campo de óxido metálico semiconductor (MOSFET), el dispositivo de compuerta complementaria metálica-óxido-
Este documento describe diferentes dispositivos semiconductores utilizados para el control de motores, iluminación, calefacción y alarmas. Describe el transistor de efecto de campo (FET), el transistor MOSFET, el tiristor SCR y otros dispositivos como LED, fotocélulas y termistores. Explica el funcionamiento, características y aplicaciones de cada uno de estos dispositivos semiconductores.
Este documento describe el funcionamiento y características de los transistores MOSFET. Explica que los MOSFET tienen cuatro partes principales (puerta, fuente, drenador y cuerpo) y funcionan como interruptores controlados por tensión, conduciendo corriente entre fuente y drenador solo cuando se aplica una tensión de umbral a la puerta. También compara los MOSFET de enriquecimiento y deplexión, y proporciona curvas características e instrucciones sobre cómo polarizarlos correctamente.
El documento describe los diferentes tipos de transistores de efecto de campo, incluyendo JFET (transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor). Explica su estructura interna, funcionamiento y características eléctricas. Los JFET controlan la corriente mediante el voltaje de puerta, mientras que los MOSFET lo hacen formando o eliminando un canal de conducción. Estos transistores se utilizan comúnmente en amplificadores, convertidores de potencia y
El documento describe el transistor MOSFET, incluyendo su historia, estructura, tipos, regiones de operación y características. Explica que el MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas, y fue inventado en 1959. Describe las partes del MOSFET (surtidor, drenador, compuerta, sustrato) y sus dos tipos (empobrecimiento y enriquecimiento). También resume sus tres regiones de operación (corte, óhmica y saturación), así como características clave como tensión
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores unipolares controlados por un campo eléctrico. Existen dos tipos principales: los JFET de unión y los MOSFET de puerta aislada. Los FET tienen tres terminales (puerta, drenador y fuente) y funcionan como interruptores controlados por la tensión de puerta. Permiten aplicaciones de amplificación, conmutación y control de potencia debido a su alta impedancia de entrada y baja capacidad.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto de campo de unión (JFET), transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y transistores de efecto de campo de metal-semiconductor (MESFET). Explica las características básicas de cada tipo de transistor, como su estructura, funcionamiento y curvas características. También incluye información sobre encapsulados comunes y ejemplos de transistores populares de cada tipo.
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Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), y transistores insulados de puerta bipolares (IGBT). Explica las características clave de cada tipo de transistor, como sus terminales, mecanismos de conducción, y aplicaciones comunes. También proporciona detalles sobre cómo los transistores MOSFET y JFET funcionan a nivel básico.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), e IGBT. Explica las características clave de cada tipo de transistor como su construcción, principio de operación, aplicaciones y diferencias con los transistores bipolares. También proporciona detalles sobre las curvas características, zonas de operación y polaridad de los transistores JFET y MOSFET.
Este documento describe dos tipos de transistores MOSFET y su configuración y polarización. Explica que los MOSFET de tipo de empobrecimiento funcionan cuando el voltaje de la compuerta es cero o negativo, mientras que los MOSFET de tipo de enriquecimiento requieren un voltaje positivo en la compuerta para conducir corriente. También describe las curvas de drenador características y los métodos comunes de polarización para cada tipo.
Transistor de efecto de campo mosfet y ffetAldair Serrano
El documento describe los transistores JFET y MOSFET, sus características y aplicaciones. Explica que el JFET es un dispositivo de tres terminales que puede usarse como interruptor o amplificador controlado por voltaje. Luego describe al MOSFET, sus dos tipos (NMOS y PMOS) y sus cuatro terminales. Finalmente discute métodos comunes para polarizar JFETs y MOSFETs.
Transistor de efecto de campo mosfet y ffetAldair Serrano
El documento describe los transistores JFET y MOSFET, incluyendo sus características, simbología y métodos de polarización. Explica que los JFET son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje que no requieren corriente de polarización, mientras que los MOSFET son más importantes y usados en circuitos digitales. También resume los diferentes tipos de MOSFET y cómo se crea el canal de conducción aplicando voltaje a la puerta.
Los transistores han facilitado el diseño de circuitos electrónicos compactos y versátiles. Los MOSFET reemplazaron a los transistores de unión debido a su menor tamaño, proceso de fabricación más simple y mayor número de funciones lógicas implementables. La corriente entre el drenaje y la fuente de un MOSFET se controla mediante la tensión aplicada en la puerta, sin generar corriente en esta terminal debido a la delgada capa de óxido aisladora.
El documento proporciona descripciones y características de varios componentes electrónicos, incluyendo diodos rectificadores, LED, diodos Zener, transistores BJT, MOSFET, IGBT, UJT, temporizador 555, SCR, triac, diac y amplificador operacional 741. Para cada componente, se describe su función principal y algunas de sus características eléctricas y de rendimiento clave. El documento sirve como una referencia concisa para los componentes electrónicos básicos.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET tienen tres o cuatro terminales y que su flujo de carga está controlado por un campo eléctrico. Los FET más importantes son los MOSFET, que tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente. Los FET pueden funcionar como resistencias controladas por tensión, amplificadores de corriente o tensión, fuentes de corriente o interruptores lógicos.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET tienen tres o cuatro terminales y que su flujo de carga está controlado por un campo eléctrico. También compara FET y BJT, describiendo los diferentes tipos de FET como MOSFET de canal N y P, y explica cómo funcionan los FET en diferentes regiones como la óhmica y de saturación.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo su clasificación, principio de funcionamiento, simbología y características. Explica los transistores JFET y MOSFET, sus estructuras, curvas características y zonas de funcionamiento. También cubre temas como polarización, factor de transconductancia y cálculo del ganancia de amplificación.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo su clasificación, principio de funcionamiento, simbología y características. Explica los transistores JFET y MOSFET, sus estructuras, curvas características y zonas de funcionamiento. También cubre temas como polarización, factor de transconductancia y cálculo del ganancia de amplificación.
El documento resume los conceptos básicos de los transistores bipolares y amplificadores operacionales. Explica que los transistores bipolares están compuestos de tres capas semiconductoras, dos del mismo tipo y una del otro tipo, formando un transistor PNP o NPN. Describe la polarización de los transistores y sus curvas características, así como su funcionamiento como amplificadores y conmutadores. Finalmente, introduce los fototransistores y optoaisladores.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo (FET) y MOSFET. Explica su funcionamiento, principios de amplificación, zonas de corte y saturación, y su uso como interruptores. También incluye fórmulas y circuitos de polarización para cada tipo.
Transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de estado sólido con tres o cuatro terminales que controlan el flujo de cargas a través de un campo eléctrico. Los más importantes son los MOSFET y JFET. Los MOSFET tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente y usan un solo tipo de portador, mientras que los JFET usan una unión PN entre la puerta y el canal para controlar el flujo. Ambos funcionan como resistencias controladas por tensión, amplificadores y interruptores.
El documento describe el transistor MOSFET. Explica que los MOSFET tienen tres regiones de operación: la región de corte cuando no hay corriente, la región óhmica cuando actúa como una resistencia variable, y la región de saturación cuando mantiene una corriente constante independientemente de la tensión. También resume las ventajas de los MOSFET como su pequeño tamaño, proceso de fabricación simple, y su popularidad en aplicaciones electrónicas digitales y de potencia.
Electronica transitores efecto de cambioVelmuz Buzz
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, tipos (JFET y MOSFET), y operación. Explica que los FET son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje en lugar de corriente, y que los MOSFET se han vuelto muy populares debido a su pequeño tamaño y proceso de fabricación más simple en comparación con los BJT. También describe la construcción y operación básicas de los JFET y MOSFET.
El documento describe el funcionamiento del MOSFET en modo de empobrecimiento. Explica que cuando se aplica una tensión negativa a la puerta, se produce un estrechamiento en el canal debido al empobrecimiento de portadores, lo que reduce la corriente de drenador. También describe las curvas características del MOSFET en modo de empobrecimiento, mostrando cómo la corriente varía con las tensiones aplicadas a la puerta y al drenador.
El documento describe los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Los JFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta-fuente, formando un canal variable entre drenador y fuente. Los MOSFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta, formando un canal mediante acumulación o deplexión de portadores en el sustrato entre drenador y fuente. Ambos se usan comúnmente como interruptores, amplificadores y en circuitos digitales.
El documento describe los transistores, incluyendo sus objetivos, tipos (transistor de unión y de efecto campo), y funcionamiento. Explica que el transistor de unión funciona mediante la difusión de huecos entre el emisor y colector influenciada por la corriente de base, mientras que los transistores de efecto campo (JFET y MOSFET) controlan el flujo entre drenador y fuente usando un campo eléctrico. También cubre las características, configuraciones y aplicaciones de los transistores.
Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo sus símbolos, funcionamiento, polarización, zonas de trabajo y encapsulados. Explica transistores bipolares NPN y PNP, transistores Darlington, UJT, JFET, MOSFET y cómo probar diodos y transistores. Además, incluye varias imágenes de los diferentes encapsulados y curvas características.
Los puentes son estructuras esenciales en la infraestructura de transporte, permitiendo la conexión entre diferentes
puntos geográficos y facilitando el flujo de bienes y personas.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), y transistores insulados de puerta bipolares (IGBT). Explica las características clave de cada tipo de transistor, como sus terminales, mecanismos de conducción, y aplicaciones comunes. También proporciona detalles sobre cómo los transistores MOSFET y JFET funcionan a nivel básico.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), e IGBT. Explica las características clave de cada tipo de transistor como su construcción, principio de operación, aplicaciones y diferencias con los transistores bipolares. También proporciona detalles sobre las curvas características, zonas de operación y polaridad de los transistores JFET y MOSFET.
Este documento describe dos tipos de transistores MOSFET y su configuración y polarización. Explica que los MOSFET de tipo de empobrecimiento funcionan cuando el voltaje de la compuerta es cero o negativo, mientras que los MOSFET de tipo de enriquecimiento requieren un voltaje positivo en la compuerta para conducir corriente. También describe las curvas de drenador características y los métodos comunes de polarización para cada tipo.
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El documento describe los transistores JFET y MOSFET, sus características y aplicaciones. Explica que el JFET es un dispositivo de tres terminales que puede usarse como interruptor o amplificador controlado por voltaje. Luego describe al MOSFET, sus dos tipos (NMOS y PMOS) y sus cuatro terminales. Finalmente discute métodos comunes para polarizar JFETs y MOSFETs.
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El documento describe los transistores JFET y MOSFET, incluyendo sus características, simbología y métodos de polarización. Explica que los JFET son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje que no requieren corriente de polarización, mientras que los MOSFET son más importantes y usados en circuitos digitales. También resume los diferentes tipos de MOSFET y cómo se crea el canal de conducción aplicando voltaje a la puerta.
Los transistores han facilitado el diseño de circuitos electrónicos compactos y versátiles. Los MOSFET reemplazaron a los transistores de unión debido a su menor tamaño, proceso de fabricación más simple y mayor número de funciones lógicas implementables. La corriente entre el drenaje y la fuente de un MOSFET se controla mediante la tensión aplicada en la puerta, sin generar corriente en esta terminal debido a la delgada capa de óxido aisladora.
El documento proporciona descripciones y características de varios componentes electrónicos, incluyendo diodos rectificadores, LED, diodos Zener, transistores BJT, MOSFET, IGBT, UJT, temporizador 555, SCR, triac, diac y amplificador operacional 741. Para cada componente, se describe su función principal y algunas de sus características eléctricas y de rendimiento clave. El documento sirve como una referencia concisa para los componentes electrónicos básicos.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET tienen tres o cuatro terminales y que su flujo de carga está controlado por un campo eléctrico. Los FET más importantes son los MOSFET, que tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente. Los FET pueden funcionar como resistencias controladas por tensión, amplificadores de corriente o tensión, fuentes de corriente o interruptores lógicos.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET tienen tres o cuatro terminales y que su flujo de carga está controlado por un campo eléctrico. También compara FET y BJT, describiendo los diferentes tipos de FET como MOSFET de canal N y P, y explica cómo funcionan los FET en diferentes regiones como la óhmica y de saturación.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo su clasificación, principio de funcionamiento, simbología y características. Explica los transistores JFET y MOSFET, sus estructuras, curvas características y zonas de funcionamiento. También cubre temas como polarización, factor de transconductancia y cálculo del ganancia de amplificación.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo su clasificación, principio de funcionamiento, simbología y características. Explica los transistores JFET y MOSFET, sus estructuras, curvas características y zonas de funcionamiento. También cubre temas como polarización, factor de transconductancia y cálculo del ganancia de amplificación.
El documento resume los conceptos básicos de los transistores bipolares y amplificadores operacionales. Explica que los transistores bipolares están compuestos de tres capas semiconductoras, dos del mismo tipo y una del otro tipo, formando un transistor PNP o NPN. Describe la polarización de los transistores y sus curvas características, así como su funcionamiento como amplificadores y conmutadores. Finalmente, introduce los fototransistores y optoaisladores.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo (FET) y MOSFET. Explica su funcionamiento, principios de amplificación, zonas de corte y saturación, y su uso como interruptores. También incluye fórmulas y circuitos de polarización para cada tipo.
Transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de estado sólido con tres o cuatro terminales que controlan el flujo de cargas a través de un campo eléctrico. Los más importantes son los MOSFET y JFET. Los MOSFET tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente y usan un solo tipo de portador, mientras que los JFET usan una unión PN entre la puerta y el canal para controlar el flujo. Ambos funcionan como resistencias controladas por tensión, amplificadores y interruptores.
El documento describe el transistor MOSFET. Explica que los MOSFET tienen tres regiones de operación: la región de corte cuando no hay corriente, la región óhmica cuando actúa como una resistencia variable, y la región de saturación cuando mantiene una corriente constante independientemente de la tensión. También resume las ventajas de los MOSFET como su pequeño tamaño, proceso de fabricación simple, y su popularidad en aplicaciones electrónicas digitales y de potencia.
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Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, tipos (JFET y MOSFET), y operación. Explica que los FET son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje en lugar de corriente, y que los MOSFET se han vuelto muy populares debido a su pequeño tamaño y proceso de fabricación más simple en comparación con los BJT. También describe la construcción y operación básicas de los JFET y MOSFET.
El documento describe el funcionamiento del MOSFET en modo de empobrecimiento. Explica que cuando se aplica una tensión negativa a la puerta, se produce un estrechamiento en el canal debido al empobrecimiento de portadores, lo que reduce la corriente de drenador. También describe las curvas características del MOSFET en modo de empobrecimiento, mostrando cómo la corriente varía con las tensiones aplicadas a la puerta y al drenador.
El documento describe los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Los JFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta-fuente, formando un canal variable entre drenador y fuente. Los MOSFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta, formando un canal mediante acumulación o deplexión de portadores en el sustrato entre drenador y fuente. Ambos se usan comúnmente como interruptores, amplificadores y en circuitos digitales.
El documento describe los transistores, incluyendo sus objetivos, tipos (transistor de unión y de efecto campo), y funcionamiento. Explica que el transistor de unión funciona mediante la difusión de huecos entre el emisor y colector influenciada por la corriente de base, mientras que los transistores de efecto campo (JFET y MOSFET) controlan el flujo entre drenador y fuente usando un campo eléctrico. También cubre las características, configuraciones y aplicaciones de los transistores.
Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo sus símbolos, funcionamiento, polarización, zonas de trabajo y encapsulados. Explica transistores bipolares NPN y PNP, transistores Darlington, UJT, JFET, MOSFET y cómo probar diodos y transistores. Además, incluye varias imágenes de los diferentes encapsulados y curvas características.
Los puentes son estructuras esenciales en la infraestructura de transporte, permitiendo la conexión entre diferentes
puntos geográficos y facilitando el flujo de bienes y personas.
1. Introduccion a las excavaciones subterraneas (1).pdfraulnilton2018
Cuando las excavaciones subterráneas son desarrolladas de manera artesanal, se conceptúa a la excavación como el “ que es una labor efectuada con la mínima sección posible de excavación, para permitir el tránsito del hombre o de
cémilas para realizar la extracción del material desde el
frontón hasta la superficie
Cuando las excavaciones se ejecutan controlando la sección de excavación, de manera que se disturbe lo menos posible la
roca circundante considerando la vida útil que se debe dar a la roca, es cuando aparece el
concepto de “ que abarca,
globalmente, al proceso de excavación, control de la periferia, sostenimiento, revestimiento y consolidación de la excavación
4. El transistor de efecto de campo MOSFET
Es un tipo de transistor cuyo funcionamiento
está basado en el transporte de carga asociado a
un único tipo de portadores (e- o p+).
Debido a ello, a veces son conocidos con el
nombre de transistores unipolares, a diferencia
de los transistores bipolares (BJT) en los que el
transporte de carga se realiza mediante ambos
tipos de portadores inyectados a través de las
uniones PN polarizadas directamente.
5. El transistor de Efecto de Campo MOSFET
Se ha desarrollado diversas estructuras de
transistores FET, según la tecnología y/o
necesidades. Las más importante son las
implementadas con tecnologías sobre
Silicio (Si) como el JFET, o Junction FET, y
el MOSFET, o Metal-Oxide-Semiconductor
FET.
MOSFET: transistor de efecto de campo de metal
óxido semiconductor (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor)
6. El transistor de Efecto de Campo MOSFET
El transistor MOSFET es ampliamente el más utilizado sobre los
demás (JFET) por poseer ciertas características que los hacen
ventajosos, incluso en ocasiones respecto del transistor bipolar:
4.- Pueden implementarse tanto funciones analógicas como digitales
y/o mixtas dentro de un mismo chip.
3.- Reducido consumo de energía (menor consumo de potencia).
1.- El proceso de fabricación es simple (menor número de pasos)
2.- Reducido tamaño, que conducen a densidades de integración
elevadas.
7. Estructura MOS Metal-Oxido-Semiconductor
La estructura MOS se compone de dos terminales y tres
capas: Un SUBSTRATO de silicio, puro o poco dopado p
o n, sobre el cual se genera una capa de oxido de silicio
(SiO2) que posee características dieléctricas o aislantes.
Por último, sobre ésta se coloca una capa de METAL
(Aluminio o polisilicio), que posee características
conductoras.
11. TIPOS Y SIMBOLOGIA DE LOS MOSFET
-Según el modo de
formación del canal:
MODO ACUMULACIÓN
MODO DEPLEXION
MODO DEPLEXION
MODO ACUMULACION
CANAL tipo N CANAL tipo P
-Según el tipo de portadores
del canal:
CANAL tipo N
CANAL tipo P
13. ¿Cómo se polariza al MOSFET de ACUMULACION ?
ID ID
Canal n Canal p
n
n
n p
p
p
_
_
_
_
+
+
+
+
VDS
VDS
VGS
VGS
VGS polarización directa
VDS polarización inversa
VDD
VGG
VDD
VGG
D D
G G
S
S
14. Parámetros del MOSFET
Parámetros de entrada: VGS, IG = 0
Parámetros de salida: VDS, ID
ID
Canal n
n
n
p
_
_
+
+
VDS
VGS
VDD
VGG
D
G
S
malla de entrada malla de salida
20. Funcionamiento el MOSFET de acumulación
Si se aplica un voltaje entre el Drenador y la Fuente (VDS), el transistor
conducirá con una resistencia que será menor cuando mayor sea el voltaje
VGS
21. CONCLUSIÓN
El transistor opera como resistencia variable:
Cuando VDS aumenta a cierto nivel, ID ya no
puede aumentar mas debido a las limitaciones
físicas del canal :
26. Las curvas características del MOSFET definen su funcionamiento.
Curvas características del MOSFET
Se distinguen tres regiones o zonas importantes:
• Zona lineal u óhmica: El MOSFET se comporta como una resistencia
cuyo valor depende de la tensión VGS.
• Zona de saturación: El MOSFET, amplifica y se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensión VGS que existe entre
Puerta (G) y Fuente (S).
• Zona de corte: La intensidad corriente de Drenaje (D) es nula.
33. Admite tensiones VGS tanto negativas como positivas
Cuando VGS es negativa actúa como un JFET canal N.
Cuando VGS es positiva actúa como un MOSFET de
acumulación o enriquecimiento.
34. Parámetros mas significativos del MOSFET de deplexión o empobrecimiento
Las ecuaciones de funcionamiento en la zona de saturación son las
mismas que las del JFET.
IDSS =IDSo Corriente de saturación para VGS = 0
VDSsat Tensión VDS necesaria para entrar en saturación para VGS = 0V
Vt = VGSth Tensión de umbral, VGS tensión mínima necesaria para la
c conducción del canal
RDS(on) Resistencia del canal para la máxima conducción del transistor
37. Las corrientes de saturación para cada VGS es IDSS y responden a la siguiente ley
La curva de transferencia no cumple con la ecuación de Shockley
38. Parámetros mas significativos del MOSFET de acumulación o enriquecimiento
ID(on)
VDS(on)
VGS(on)
RDS(on)
Valores que el fabricante suministra en un punto
de funcionamiento, llamado ON, que
normalmente es el de máxima conducción del
transistor MOSFET, cuando trabaja como
interruptor
Vt = VGSth Tensión de umbral, VGS tensión mínima necesaria
p para la conducción del canal
46. El MOSFET como interruptor
Las principales ventajas de la tecnología MOSFET, sobre los dispositivos
bipolares, cuando trabajan como interruptores electrónicos, es que su
terminal de puerta está aislado del canal conductor principal por una
capa delgada de óxido metálico, y el canal MOSFET principal utilizado
para la conmutación es puramente resistivo.
El MOSFET cuando se utiliza como dispositivo de conmutación,
generalmente opera entre sus regiones de corte y saturación, por lo que
VGS actúa como un voltaje de control de ENCENDIDO / APAGADO para el
MOSFET.
Recordar que la tensión de umbral VT de un MOSFET es la tensión mínima
aplicada al terminal de puerta para que el canal principal entre los
terminales de drenaje y de fuente comience a conducir.
47. El MOSFET como interruptor
Para que el MOSFET de ACUMULACION de canal N funcione como un
dispositivo abierto (DESACTIVADO) o cerrado (ENCENDIDO), se deben
cumplir las siguientes condiciones:
Un MOSFET de canal N se comporta como un interruptor cerrado
cuando el voltaje de puerta-fuente VGS sea mayor que la tensión de
umbral VT.
Un MOSFET de canal N se comporta como un interruptor abierto
cuando el voltaje de puerta-fuente VGS sea menor que la tensión de
umbral VT.
48. El MOSFET como interruptor
El MOSFET de ACUMULACION de canal N funciona como un dispositivo
cerrado (ENCENDIDO) FIG.1, o abierto (DESACTIVADO) FIG.2
FIG. 1 FIG. 2
49. del transistor MOSFET de ACUMULACIÓN
POLARIZACIONES
del transistor MOSFET de DEPLEXIÓN
51. ¿Cómo se polariza al MOSFET de DEPLEXION ?
ID ID
Canal n Canal p
n
n
n p
p
p
_
_
_
_
+
+
+
+
VDS
VDS
VGS
VGS
VGS polarización inversa
VDS polarización inversa
VDD
VGG
VDD
VGG
D D
G G
S
S
52. Auto polarización del MOSFET de DEPLEXION
VDD=RDID+VDS + RSID
0 = RGIG +VGS + RSID
En la malla de salida:
En la malla de entrada:
0 = 1MΩ(0)+VGS + 0,43kΩ ID
- 0,43kΩ ID = VGS
14V= (1,2kΩ + 0,43kΩ) ID+VDS
14V= 1,63kΩ ID+VDS
53. 1V
ID = 6mA 1 -
-4V
2
con: VGS = 1V
0
6mA
- 4V
0
3mA
1,5mA - 2V
- 1,2V
ID = 9,375 mA
ID (mA)
VGS (V)
IDQ = 2,8 mA
Q
- 0,43kΩ ID = VGS
ID VGS
0 0
4 -1,72
para trazar la recta:
54. Polarización por Divisor de voltaje del MOSFET de DEPLEXION
Se obtiene el voltaje Thevenin
utilizando el divisor de voltaje:
VDD
R1 +R2
Vth =
R2
18V
110MΩ + 10MΩ
Vth =
10 MΩ
Vth = 1,5V
Se obtiene la resistencia
Thevenin utilizando el paralelo:
R1 +R2
R1 . R2
Rth=
110MΩ + 10MΩ
110MΩ . 10MΩ
Rth=
Rth= 9,2MΩ
=
55. VDD=RDID+VDS + RSIS
VGG = RG IG +VGS + RS IS
En la malla de salida:
En la malla de entrada:
1,5V = VGS + 0,75kΩ ID
18V= (1,8kΩ + 0,75kΩ) ID+VDS
18V= 2,55kΩ ID+VDS
Polarización por Divisor de voltaje del MOSFET de DEPLEXION
56. 1V
ID = 6mA 1 -
-3V
2
con: VGS = 1V
0
6mA
- 3V
0
3mA
1,5mA - 1,5V
- 0,9V
ID = 10,67 mA
ID (mA)
VGS (V)
IDQ = 3,1 mA
Q
ID VGS
0 1,5
2 0
para trazar la recta:
1,5V = VGS + 0,75kΩ ID
57. Polarización por Divisor de voltaje del MOSFET de DEPLEXION
Se obtiene el voltaje Thevenin
utilizando el divisor de voltaje:
VDD
R1 +R2
Vth =
R2
18V
110MΩ + 10MΩ
Vth =
10 MΩ
Vth = 1,5V
Se obtiene la resistencia
Thevenin utilizando el paralelo:
R1 +R2
R1 . R2
Rth=
110MΩ + 10MΩ
110MΩ . 10MΩ
Rth=
Rth= 9,2MΩ
58. VDD=RDID+VDS + RSIS
VGG = RG IG +VGS + RS IS
En la malla de salida:
En la malla de entrada:
1,5V = VGS + 0,15kΩ ID
18V= (1,8kΩ + 0,15kΩ) ID+VDS
18V= 1,95kΩ ID+VDS
Polarización por Divisor de voltaje del MOSFET de DEPLEXION
59. 1V
ID = 6mA 1 -
-3V
2
con: VGS = 1V
0
6mA
- 3V
0
3mA
1,5mA - 1,5V
- 0,9V
ID = 10,67 mA
ID (mA)
VGS (V)
IDQ = 7,6 mA Q
ID VGS
0 1,5
10 0
para trazar la recta:
1,5V = VGS + 0,15kΩ ID
60. ¿Cómo se polariza al MOSFET de ACUMULACION ?
ID ID
Canal n Canal p
n
n
n p
p
p
_
_
_
_
+
+
+
+
VDS
VDS
VGS
VGS
VGS polarización directa
VDS polarización inversa
VDD
VGG
VDD
VGG
D D
G G
S
S
62. VDD=RDID+VDS + RSIS
VGG = Rth IG +VGS + RS IS
En la malla de salida:
En la malla de entrada:
18V = VGS + 0,82kΩ ID
40V= (3kΩ + 0,82kΩ) ID+VDS
40V= 3,82kΩ ID+VDS
Polarización del MOSFET de ACUMULACION
63. Para graficar la curva de transferencia:
ID = K (VGS - VGS (th) )²
Determinar el valor de K:
ID(encendido)
K =
(VGS (encendido) - VGS (th) )²
3mA
K =
(10V- 5V )²
= 1,2x10⁻⁴ A/V²
Por lo que la ecuación queda:
ID = 1,2x10⁻⁴ (VGS - 5)²
VGS ID
5 0
10 3
15 12
20 27
Para graficar la recta:
18V = VGS + 0,82kΩ ID
ID VGS
0 18
21,95 0
64. IDQ = 7 mA
Q
ID (mA)
VGS (V)
VGS ID
5 0
10 3
15 12
20 27
Para graficar la recta:
18V = VGS + 0,82kΩ ID
ID VGS
0 18
21,95 0
65. FOTORESITENCIA (LDR)
El LDR por sus siglas en inglés (Light Dependent Resistor) o
fotoresistor es una resistencia eléctrica la cual varía su valor
en función de la cantidad de luz que incide sobre su
superficie.
Cuanto mayor sea la intensidad de luz que incide en la
superficie del LDR o fotoresistor menor será su resistencia
y en cuanto menor sea la luz que incida sobre éste mayor
será su resistencia.
Valor ohmico de la LDR:
Cuando medimos entre sus extremos nos encontraremos que
pueden llegar a medir en la oscuridad valores cercanos al
MegaOhm (1 MΩ) y expuestas a la luz mediremos valores
alrededor de los 100 Ω(en algunos casos puede descender a
valores de 50Ω).
68. EJERCICIO: para el siguiente circuito encuentre los valores de ID,VGS,VDS y grafique la
curva de trabajo del transistor.
voltaje Thevenin: VDD
R1 +R2
Vth =
R2
24V
10MΩ + 4MΩ
Vth =
5MΩ
Vth = 8V
resistencia Thevenin:
R1 +R2
R1 . R2
Rth=
5MΩ + 10MΩ
5MΩ . 10MΩ
Rth=
Rth= 3.33MΩ
24
10MΩ
1.8KΩ
5MΩ
1KΩ
2V
4mA
6V
69. VDD=RDID+VDS + RSIS
VGG = Rth IG +VGS + RS IS
En la malla de salida:
En la malla de entrada:
8V = VGS + 1kΩ ID
24V= (1.8kΩ + 1kΩ) ID+VDS
24V= 2.8kΩ ID+VDS
Polarización del MOSFET de ACUMULACION
1KΩ
8 V
3.33 M Ω
2V
4mA
6V
1.8KΩ
70. Para graficar la curva de transferencia:
ID = K (VGS - VGS (th) )²
Determinar el valor de K:
ID(encendido)
K =
(VGS (encendido) - VGS (th) )²
4mA
K =
(6V- 2V )²
= 2.5x10⁻⁴ A/V²
Por lo que la ecuación queda:
ID = 2.5x10⁻⁴ (VGS - 2)²
VGS ID
2 0
4 1
6 4
8 9
Para graficar la recta:
8V = VGS + 1kΩ ID
ID VGS
0 8 V
8mA 0
71. VGS ID
2 0
4 1
6 4
8 9
ID VGS
0 8 V
8mA 0
Q 2.7 mA
5.3 V
ID = 2.5x10⁻⁴ (VGS - 2)²
VGS =8V- 1kΩ ID
ID1 = 2.7 mA
ID2 = 13 mA VGS = -2
VGS = 5.3 V