Este documento explica las diferencias entre memorias de acceso secuencial (SAM) y aleatorio (RAM), así como entre memorias RAM estáticas (SRAM) y dinámicas (DRAM). También describe cómo se implementa un bus común bidireccional en las memorias RAM y por qué las memorias DRAM son de lectura destructiva debido a que los capacitores se descargan y borran los bits almacenados si no reciben energía. Finalmente, pide dibujar un habilitador general para una SRAM 2x2.

1. Universidad Nacional Autónoma de México
Facultad de Ingeniería
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO y E/S
Isabel Fecha: 12 / Feb/ 2015
Semestre: 2015-2
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MEMORIAS DE LECTURA – ESCRITURA SEMICONDUCTORAS
1- Explique la diferencia entre una memoria de acceso secuencial (SAM) y una memoria de
acceso aleatorio (RAM).
Una memoria SAM los datos se encuentran almacenados en “serie”. El tiempo de acceso a una
localidad de memoria varia de acuerdo a donde esta se encuentre. En cambio una memoria RAM
la localización física de un registro en la memoria donde se quiera escribir a lo leer un dato, el
tiempo de acceso es el mismo, además de que llegar a esa localidad no requiere mucho tiempo ni
pasar por otras localidades de memoria como en una memoria SAM.
2- Explique la diferencia entre una memoria RAM Estática (SRAM) y una memoria RAM Dinámica
(DRAM).
Una memoria DRAM puede tener una gran capacidad de almacenamiento pero requiere se
energizada de nuevo para conservar su contenido. Se usa, generalmente, un transistor y un
capacitor para representar un bit. El capacitor debe ser energizado cientos de veces por segundo
para conservar la información.
Una memoria SRAM es más rapida, requiere más energía y es más costosa que una memoria
dinámica. No requiere ser refrescada mientras siga conectada. El bit de una SRAM estática se
construye con un circuito flip-flop, esto permite que la corriente fluya de un lado a otro de acuerdo q cual
de los dos transistores es activado.
3- Algunos CI`s RAM tienen terminales de entrada/salida comunes, ¿Qué circuito nos permite
lograr esto y como lo hace?
Bus comun bidireccional con una señalde activación (R/W generalmente) para poder decidir que
tipo de operación se realizará.
4- ¿Qué quiere decir que una memoria es de lectura destructiva?
Que la informacion almacenada se pierde después de un tiempo, ya que al dejar de energizarse la
memoria esta pierde su información y debe reescribirse.
5- ¿ Que causa que una memoria DRAM sea de lectura destructiva, explique y fundamente su
respuesta?
La celda de una DRAM consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. Una
carga se almacena en el condensador lo que significa un 1, mientras que sin carga es un 0. El
transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Al no existir ninguna
energía en el circuito los capacitores se descargan, lo que borra todos los bits almacenados y por lo tanto es
una memoria de lectura destructiva.

2. Universidad Nacional Autónoma de México
Facultad de Ingeniería
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO y E/S
Isabel Fecha: 12 / Feb/ 2015
Semestre: 2015-2
6- Dibuje gráficamente como se implementará un habilitador general en la figura 1 del desarrollo
de la práctica(SRAM 2 x 2).