Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen concentraciones iguales de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados se crean agregando impurezas como el arsénico o el boro, lo que da como resultado los tipos "n" y "p". La unión de un semiconductor tipo "p" y uno tipo "n" forma una unión p-n, que puede conducir corriente eléctrica cuando
Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen electrones que pueden absorber energía para pasar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores dopados tienen impurezas que añaden electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores entre ellos.
Semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopadosUniversidad Telesup
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y germanio tienen una pequeña concentración de electrones y huecos que les permite conducir electricidad. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la concentración de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), mejorando su conductividad. También describe las uniones p-n, donde los semiconductores p y n se unen, creando una zona de agotamiento que permite o bloquea el
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosJohn Hdlc
Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la cantidad de electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores. Al aplicar una tensión directa, los portadores pueden cruzar la unión y permitir la conducción eléctrica.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Describe cómo los semiconductores puros como el silicio y el germanio pueden conducir electricidad cuando se calientan, debido a electrones que se mueven a la banda de conducción. Explica cómo dopar semiconductores con impurezas como el arsénico o el boro crea los tipos "n" y "p", respectivamente, y cómo la unión de estos tipos crea un diodo semiconductor capaz de conducir en una dirección pero
La unión PN se forma por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas aceptoras (tipo P) y otro con impurezas donantes (tipo N). Esto crea una zona de carga espacial en la interfaz que actúa como barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los portadores mayoritarios pueden atravesar la barrera y conducir corriente, mientras que en inversa la barrera se hace más ancha impidiendo el flujo de corriente.
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica está entre la de los conductores y los aislantes. El silicio y el germanio son los semiconductores más comunes. Pueden ser intrínsecos o dopados con impurezas para crear semiconductores tipo N o P. La unión de un semiconductor N y P forma un diodo, que permite la conducción eléctrica en un sentido pero no en el otro, lo que permite su uso para rectificar corriente alterna.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Comienza describiendo que los semiconductores como el silicio poseen algunos electrones libres y huecos. Luego explica que cuando los átomos de silicio se unen forman una estructura cristalina debido a los enlaces covalentes entre los electrones. Finalmente, describe las diferencias entre los cristales tipo P y tipo N, indicando que el tipo P tiene más huecos mientras que el tipo N tiene más electrones libres.
Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen electrones que pueden absorber energía para pasar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores dopados tienen impurezas que añaden electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores entre ellos.
Semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopadosUniversidad Telesup
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y germanio tienen una pequeña concentración de electrones y huecos que les permite conducir electricidad. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la concentración de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), mejorando su conductividad. También describe las uniones p-n, donde los semiconductores p y n se unen, creando una zona de agotamiento que permite o bloquea el
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosJohn Hdlc
Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración constante de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados tienen átomos impuros que aumentan la cantidad de electrones libres (tipo n) o huecos (tipo p). Una unión p-n se forma cuando se unen un semiconductor tipo p y uno tipo n, creando una zona de agotamiento sin portadores. Al aplicar una tensión directa, los portadores pueden cruzar la unión y permitir la conducción eléctrica.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Describe cómo los semiconductores puros como el silicio y el germanio pueden conducir electricidad cuando se calientan, debido a electrones que se mueven a la banda de conducción. Explica cómo dopar semiconductores con impurezas como el arsénico o el boro crea los tipos "n" y "p", respectivamente, y cómo la unión de estos tipos crea un diodo semiconductor capaz de conducir en una dirección pero
La unión PN se forma por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas aceptoras (tipo P) y otro con impurezas donantes (tipo N). Esto crea una zona de carga espacial en la interfaz que actúa como barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los portadores mayoritarios pueden atravesar la barrera y conducir corriente, mientras que en inversa la barrera se hace más ancha impidiendo el flujo de corriente.
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica está entre la de los conductores y los aislantes. El silicio y el germanio son los semiconductores más comunes. Pueden ser intrínsecos o dopados con impurezas para crear semiconductores tipo N o P. La unión de un semiconductor N y P forma un diodo, que permite la conducción eléctrica en un sentido pero no en el otro, lo que permite su uso para rectificar corriente alterna.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Comienza describiendo que los semiconductores como el silicio poseen algunos electrones libres y huecos. Luego explica que cuando los átomos de silicio se unen forman una estructura cristalina debido a los enlaces covalentes entre los electrones. Finalmente, describe las diferencias entre los cristales tipo P y tipo N, indicando que el tipo P tiene más huecos mientras que el tipo N tiene más electrones libres.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en añadir pequeñas cantidades de impurezas a los semiconductores intrínsecos de silicio o germanio puros. Esto da lugar a los semiconductores extrínsecos tipo N y tipo P, los cuales tienen un exceso de electrones o huecos, respectivamente. La unión entre un semiconductor tipo N y otro tipo P crea una zona de depleción donde los portadores de carga se recombinan, permitiendo el paso de
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos tienen igual número de electrones y huecos, mientras que los dopados tienen un exceso de uno u otro. Los semiconductores tipo N están dopados con impurezas pentavalentes que añaden electrones, mientras que los tipo P están dopados con impurezas trivalentes que añaden huecos. El dopaje aumenta en gran medida la conductividad eléctrica de los semiconductores.
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores. Los semiconductores intrínsecos son puros y su conductividad depende de la generación térmica de pares electrón-hueco. Los semiconductores dopados tienen impurezas que aumentan la cantidad de portadores, dando lugar a los tipos n y p. Los tipos n tienen electrones en exceso y los tipos p tienen huecos en exceso.
Los semiconductores intrínsecos son aquellos que se encuentran en estado puro sin impurezas. Contienen igual número de electrones libres en la banda de conducción que huecos en la banda de valencia. A temperatura ambiente se comportan como aislantes debido a la baja cantidad de portadores. Los elementos semiconductores principales son el silicio y el germanio.
Unión PN son uniones de dos semiconductores, tipos P y N. Cuando se unen, los electrones del tipo N difunden al tipo P, creando una zona de carga espacial. En polarización directa, la batería reduce la barrera de potencial permitiendo el paso de electrones; en polarización inversa, la batería aumenta la zona de carga espacial impidiendo el paso de corriente, aunque pequeñas corrientes de saturación y fugas pueden ocurrir.
Este documento describe un experimento realizado en un laboratorio de circuitos y electrónica sobre circuitos con diodos. Explica los objetivos del experimento, los fundamentos teóricos sobre diodos incluyendo su funcionamiento y características, y presenta detalles sobre el circuito construido con diodos para funcionar como compuertas lógicas.
El documento resume los conceptos básicos de los semiconductores. Explica que los semiconductores son elementos que pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo de factores como la temperatura. Luego describe los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados), indicando que el dopaje aumenta drásticamente la conductividad al introducir electrones (tipo n) o huecos (tipo p). Finalmente, resume brevemente cómo las bandas de energía explican el comportamiento de los semiconductores dopados.
Un diodo permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran de válvula termoiónica que consistían en electrodos empacados en vidrio al vacío. Los diodos semiconductores modernos están hechos de cristal semiconductor como el silicio con regiones tipo n y tipo p unidas, llamada unión PN, que conduce la corriente en una dirección.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Define un semiconductor como un material que puede comportarse como un conductor o aislante dependiendo de factores como la temperatura o campo eléctrico. Los semiconductores más comunes son el silicio y el germanio, que tienen 4 electrones de valencia. Los semiconductores intrínsecos son puros, mientras que los extrínsecos están dopados con impurezas que añaden electrones (tipo n) o huecos (tipo p) para mejorar su conductividad.
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen una concentración igual de electrones y huecos a temperatura ambiente debido a la generación térmica de pares electrón-hueco. Los semiconductores extrínsecos son dopados con impurezas que aumentan la concentración ya sea de electrones (tipo n) o huecos (tipo p).
Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica es intermedia entre los metales y los aislantes. Pueden conducir electricidad mejor que los aislantes pero peor que los metales. El dopaje intencional de semiconductores puros con pequeñas cantidades de impurezas puede aumentar dramáticamente su conductividad eléctrica y hacerlos útiles para aplicaciones electrónicas como el silicio y el germanio.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos (dopados). Los semiconductores extrínsecos se crean al añadir pequeñas cantidades de impurezas, como elementos con tres o cinco electrones de valencia, dando lugar a los tipos P y N respectivamente. Al aplicar un voltaje, los portadores mayoritarios (electrones en N, huecos en P) circulan en gran número creando la corriente, mientras que los portadores minoritarios apenas contribuyen.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en sustituir átomos del semiconductor por otros elementos químicos que introducen electrones u huecos adicionales. Los semiconductores dopados con electrones se denominan tipo N, mientras que los dopados con huecos son tipo P. El silicio y el germanio son los semiconductores más utilizados, y su dopaje permite la fabricación de dispositivos electrónicos como transistores y diodos.
Los semiconductores se dividen en intrínsecos y extrínsecos. Los intrínsecos tienen una pequeña brecha de energía que permite que algunos electrones pasen a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Cuando se aplica un voltaje, los electrones y huecos se mueven conduciendo la corriente. Los extrínsecos tienen impurezas que crean niveles de energía donantes o aceptantes, lo que determina su conductividad.
Este documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos como el silicio tienen una densidad intermedia de portadores de carga. Los semiconductores dopados son intrínsecos con pequeñas cantidades de impurezas que aumentan la conductividad. Los semiconductores tipo n están dopados con elementos pentavalentes que donan electrones. Los semiconductores tipo p están dopados con elementos trivalentes que aceptan huecos.
Este documento resume los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos tienen una baja conductividad debido a que los electrones pueden pasar de la banda de valencia a la de conducción con poca energía. Los semiconductores dopados o extrínsecos tienen mayor conductividad al introducir impurezas que donan electrones (tipo N) o huecos (tipo P) mejorando el flujo de portadores de carga.
Este informe analiza el comportamiento de resistores y diodos al variar la corriente y tensión aplicada. Se midió la tensión y corriente de resistencias de 100Ω y 470Ω, observando una relación lineal que verifica la ley de Ohm. El diodo cumple la ley de Ohm en polarización directa pero no en inversa, donde no hay conducción. Los resultados experimentales concuerdan con la teoría del comportamiento de elementos lineales y no lineales.
Este documento presenta información sobre los diodos y sus aplicaciones. Introduce los diodos, explicando su funcionamiento básico en polarización directa e inversa. Luego describe varios tipos de diodos como rectificadores, LED, Zener y Varicap, y sus usos. Finalmente, explica tres circuitos comunes con diodos: rectificador de media onda, rectificador de onda completa de 2 diodos y rectificador de puente.
1) Los semiconductores son materiales como el silicio y el germanio que a bajas temperaturas se comportan como aislantes pero que a temperaturas más altas o mediante la adición de impurezas pueden conducir electricidad. 2) Los semiconductores intrínsecos son puros y a temperatura ambiente se comportan como aislantes debido a que solo tienen unos pocos electrones libres y huecos. 3) Los semiconductores pueden volverse más conductores mediante el proceso de dopaje, que implica añadir pequeñas cantidades de impure
Un semiconductor intrínseco es un material puro sin impurezas. Cuando se calienta, los electrones ganan energía y pasan de la banda de valencia a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Esto hace que la concentración de portadores intrínsecos, electrones y huecos, aumente con la temperatura. Un semiconductor extrínseco contiene pequeñas impurezas que crean un exceso de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), haciendo que uno sea el portador mayoritario.
Este documento describe el funcionamiento de un diodo de unión PN polarizado directamente. Cuando se aplica un potencial mayor a la región P que a la N, los huecos y electrones son empujados hacia la unión reduciendo la anchura de la zona de transición y la barrera de potencial. La corriente puede fluir a través del diodo en esta configuración.
Este documento explica la unión P-N en semiconductores. Cuando se unen un semiconductor dopado tipo N y otro dopado tipo P, se forma una unión P-N conocida como diodo. La unión permite el paso de corriente eléctrica bajo polarización directa, pero no bajo polarización inversa. El documento ilustra este comportamiento usando gráficos y simulaciones.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en añadir pequeñas cantidades de impurezas a los semiconductores intrínsecos de silicio o germanio puros. Esto da lugar a los semiconductores extrínsecos tipo N y tipo P, los cuales tienen un exceso de electrones o huecos, respectivamente. La unión entre un semiconductor tipo N y otro tipo P crea una zona de depleción donde los portadores de carga se recombinan, permitiendo el paso de
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos tienen igual número de electrones y huecos, mientras que los dopados tienen un exceso de uno u otro. Los semiconductores tipo N están dopados con impurezas pentavalentes que añaden electrones, mientras que los tipo P están dopados con impurezas trivalentes que añaden huecos. El dopaje aumenta en gran medida la conductividad eléctrica de los semiconductores.
El documento describe los diferentes tipos de semiconductores. Los semiconductores intrínsecos son puros y su conductividad depende de la generación térmica de pares electrón-hueco. Los semiconductores dopados tienen impurezas que aumentan la cantidad de portadores, dando lugar a los tipos n y p. Los tipos n tienen electrones en exceso y los tipos p tienen huecos en exceso.
Los semiconductores intrínsecos son aquellos que se encuentran en estado puro sin impurezas. Contienen igual número de electrones libres en la banda de conducción que huecos en la banda de valencia. A temperatura ambiente se comportan como aislantes debido a la baja cantidad de portadores. Los elementos semiconductores principales son el silicio y el germanio.
Unión PN son uniones de dos semiconductores, tipos P y N. Cuando se unen, los electrones del tipo N difunden al tipo P, creando una zona de carga espacial. En polarización directa, la batería reduce la barrera de potencial permitiendo el paso de electrones; en polarización inversa, la batería aumenta la zona de carga espacial impidiendo el paso de corriente, aunque pequeñas corrientes de saturación y fugas pueden ocurrir.
Este documento describe un experimento realizado en un laboratorio de circuitos y electrónica sobre circuitos con diodos. Explica los objetivos del experimento, los fundamentos teóricos sobre diodos incluyendo su funcionamiento y características, y presenta detalles sobre el circuito construido con diodos para funcionar como compuertas lógicas.
El documento resume los conceptos básicos de los semiconductores. Explica que los semiconductores son elementos que pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo de factores como la temperatura. Luego describe los semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados), indicando que el dopaje aumenta drásticamente la conductividad al introducir electrones (tipo n) o huecos (tipo p). Finalmente, resume brevemente cómo las bandas de energía explican el comportamiento de los semiconductores dopados.
Un diodo permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran de válvula termoiónica que consistían en electrodos empacados en vidrio al vacío. Los diodos semiconductores modernos están hechos de cristal semiconductor como el silicio con regiones tipo n y tipo p unidas, llamada unión PN, que conduce la corriente en una dirección.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores. Define un semiconductor como un material que puede comportarse como un conductor o aislante dependiendo de factores como la temperatura o campo eléctrico. Los semiconductores más comunes son el silicio y el germanio, que tienen 4 electrones de valencia. Los semiconductores intrínsecos son puros, mientras que los extrínsecos están dopados con impurezas que añaden electrones (tipo n) o huecos (tipo p) para mejorar su conductividad.
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen una concentración igual de electrones y huecos a temperatura ambiente debido a la generación térmica de pares electrón-hueco. Los semiconductores extrínsecos son dopados con impurezas que aumentan la concentración ya sea de electrones (tipo n) o huecos (tipo p).
Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica es intermedia entre los metales y los aislantes. Pueden conducir electricidad mejor que los aislantes pero peor que los metales. El dopaje intencional de semiconductores puros con pequeñas cantidades de impurezas puede aumentar dramáticamente su conductividad eléctrica y hacerlos útiles para aplicaciones electrónicas como el silicio y el germanio.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos (dopados). Los semiconductores extrínsecos se crean al añadir pequeñas cantidades de impurezas, como elementos con tres o cinco electrones de valencia, dando lugar a los tipos P y N respectivamente. Al aplicar un voltaje, los portadores mayoritarios (electrones en N, huecos en P) circulan en gran número creando la corriente, mientras que los portadores minoritarios apenas contribuyen.
Los semiconductores son materiales cuyas propiedades eléctricas pueden ser modificadas mediante el dopaje. El dopaje consiste en sustituir átomos del semiconductor por otros elementos químicos que introducen electrones u huecos adicionales. Los semiconductores dopados con electrones se denominan tipo N, mientras que los dopados con huecos son tipo P. El silicio y el germanio son los semiconductores más utilizados, y su dopaje permite la fabricación de dispositivos electrónicos como transistores y diodos.
Los semiconductores se dividen en intrínsecos y extrínsecos. Los intrínsecos tienen una pequeña brecha de energía que permite que algunos electrones pasen a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Cuando se aplica un voltaje, los electrones y huecos se mueven conduciendo la corriente. Los extrínsecos tienen impurezas que crean niveles de energía donantes o aceptantes, lo que determina su conductividad.
Este documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos como el silicio tienen una densidad intermedia de portadores de carga. Los semiconductores dopados son intrínsecos con pequeñas cantidades de impurezas que aumentan la conductividad. Los semiconductores tipo n están dopados con elementos pentavalentes que donan electrones. Los semiconductores tipo p están dopados con elementos trivalentes que aceptan huecos.
Este documento resume los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos tienen una baja conductividad debido a que los electrones pueden pasar de la banda de valencia a la de conducción con poca energía. Los semiconductores dopados o extrínsecos tienen mayor conductividad al introducir impurezas que donan electrones (tipo N) o huecos (tipo P) mejorando el flujo de portadores de carga.
Este informe analiza el comportamiento de resistores y diodos al variar la corriente y tensión aplicada. Se midió la tensión y corriente de resistencias de 100Ω y 470Ω, observando una relación lineal que verifica la ley de Ohm. El diodo cumple la ley de Ohm en polarización directa pero no en inversa, donde no hay conducción. Los resultados experimentales concuerdan con la teoría del comportamiento de elementos lineales y no lineales.
Este documento presenta información sobre los diodos y sus aplicaciones. Introduce los diodos, explicando su funcionamiento básico en polarización directa e inversa. Luego describe varios tipos de diodos como rectificadores, LED, Zener y Varicap, y sus usos. Finalmente, explica tres circuitos comunes con diodos: rectificador de media onda, rectificador de onda completa de 2 diodos y rectificador de puente.
1) Los semiconductores son materiales como el silicio y el germanio que a bajas temperaturas se comportan como aislantes pero que a temperaturas más altas o mediante la adición de impurezas pueden conducir electricidad. 2) Los semiconductores intrínsecos son puros y a temperatura ambiente se comportan como aislantes debido a que solo tienen unos pocos electrones libres y huecos. 3) Los semiconductores pueden volverse más conductores mediante el proceso de dopaje, que implica añadir pequeñas cantidades de impure
Un semiconductor intrínseco es un material puro sin impurezas. Cuando se calienta, los electrones ganan energía y pasan de la banda de valencia a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Esto hace que la concentración de portadores intrínsecos, electrones y huecos, aumente con la temperatura. Un semiconductor extrínseco contiene pequeñas impurezas que crean un exceso de electrones (tipo n) o huecos (tipo p), haciendo que uno sea el portador mayoritario.
Este documento describe el funcionamiento de un diodo de unión PN polarizado directamente. Cuando se aplica un potencial mayor a la región P que a la N, los huecos y electrones son empujados hacia la unión reduciendo la anchura de la zona de transición y la barrera de potencial. La corriente puede fluir a través del diodo en esta configuración.
Este documento explica la unión P-N en semiconductores. Cuando se unen un semiconductor dopado tipo N y otro dopado tipo P, se forma una unión P-N conocida como diodo. La unión permite el paso de corriente eléctrica bajo polarización directa, pero no bajo polarización inversa. El documento ilustra este comportamiento usando gráficos y simulaciones.
El documento describe el funcionamiento de un diodo PN, explicando que cuando se une un semiconductor dopado tipo P con uno dopado tipo N se forma una unión PN. La unión PN puede estar polarizada directamente o inversamente dependiendo de si la energía externa aplicada permite o no el paso de corriente a través del diodo.
El documento describe el funcionamiento de un diodo PN y cómo la corriente se ve afectada por la polarización, dopaje y temperatura. Explica que bajo polarización directa los electrones pasan de la zona N a la zona P, mientras que bajo polarización inversa los electrones y huecos se alejan de la unión. También describe cómo la anchura de la zona de agotamiento cambia dependiendo de si la polarización es directa o inversa.
El documento describe la unión P-N en tres oraciones:
1) La unión P-N ocurre cuando un semiconductor dopado con impurezas aceptoras (zona P) se une a uno dopado con impurezas donadoras (zona N), creando una zona de transición donde se forman campos eléctricos.
2) En la zona de transición, la ausencia de portadores crea una distribución de cargas positivas y negativas que genera un campo eléctrico interno y una diferencia de potencial entre las zonas P y N.
3)
Este documento describe la estructura de bandas de energía de los sólidos, incluidos los semiconductores. Explica las estructuras cristalinas de los semiconductores como el silicio y el arseniuro de galio, así como sus estructuras de bandas. También describe los semiconductores intrínsecos y extrínsecos de tipo n y p, incluidas sus propiedades eléctricas, ópticas y térmicas. Finalmente, presenta algunas aplicaciones de los semiconductores como los diodos rectificadores.
Este documento describe la estructura atómica y los semiconductores. Explica que los átomos tienen electrones en capas de energía distintas y que los semiconductores como el silicio y el germanio pueden ser dopados para tener exceso de electrones (tipo N) o huecos (tipo P). Cuando se unen los materiales N y P se forma una barrera de potencial en la unión PN que permite el paso de corriente en un sentido pero no en el otro, dando al diodo sus propiedades rectificadoras.
El documento describe los principales sistemas de representación para dibujar objetos en tres dimensiones sobre una superficie bidimensional. Explica que existen cuatro sistemas principales: diédrico, acotado, axonométrico y cónico. Luego se detalla el sistema diédrico, el cual utiliza la proyección cilíndrica ortogonal para proyectar un objeto y mostrarlo a través de sus vistas de alzado, planta y perfiles.
Este documento describe diferentes tipos de diodos, incluyendo:
1) Diodos de vacío que consisten en dos electrodos en un tubo de vidrio al vacío y fueron los primeros diodos usados ampliamente en el siglo 20.
2) Diodos semiconductores modernos formados por la unión de dos regiones de un cristal semiconductor, una dopada con impurezas tipo n y la otra tipo p.
3) Otros tipos especializados como diodos túnel, Gunn, Zener, diodos láser y LED que se us
El documento describe la unión PN, la estructura fundamental de los semiconductores. Se forma por la unión de dos cristales dopados, uno tipo P y otro tipo N. Esto crea una barrera interna de potencial en la zona de unión debido a la difusión de electrones y huecos. La barrera puede superarse aplicando una tensión directa, permitiendo el flujo de corriente, o aumentarse con una tensión inversa, bloqueando el flujo.
El documento describe una unión P-N, que es la estructura fundamental de los semiconductores como diodos y transistores. Se forma al unir un cristal dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Esto crea una zona de carga espacial en la unión que actúa como una barrera de potencial. Al aplicar una tensión directa, los electrones y huecos pueden cruzar la barrera y conducir electricidad, mientras que una tensión inversa aumenta la barrera impidiendo el flujo.
Un diodo es un componente electrónico que permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran tubos de vacío inventados por Fleming en 1904, mientras que los diodos semiconductores modernos están hechos de silicio o germanio dopado. Un diodo polarizado directamente conduce la corriente, mientras que en polarización inversa la corriente es pequeña debido a la barrera de potencial creada en la unión PN.
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosyuri2211
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos son puros y solo tienen unos pocos electrones libres y huecos debido a la energía térmica. En los semiconductores dopados, se agregan pequeñas cantidades de impurezas para modificar la densidad de portadores de carga y el comportamiento eléctrico. Existen dos tipos de dopado: tipo n usa impurezas de la columna V y tipo p usa impurezas de la columna III.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica inferior a los conductores metálicos pero superior a los aislantes. El silicio es el semiconductor más utilizado. Al dopar semiconductores con impurezas pentavalentes o trivalentes, se pueden mejorar su conductividad eléctrica y crear regiones tipo P y tipo N. Cuando se juntan regiones P y N se forma una unión PN que puede conducir electricidad en un sentido u otro dependiendo de su polarización.
Este documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Define un semiconductor como un elemento con cuatro electrones de valencia y describe cómo los semiconductores intrínsecos conducen electricidad a través de la generación térmica de pares electrón-hueco. Explica que los semiconductores extrínsecos son aquellos a los que se les han agregado impurezas, dando lugar a los tipos P y N, los cuales conducen mejor gracias a un exceso de portadores mayoritarios.
Un diodo está formado por materiales tipo p y tipo n combinados en un cristal. Cuando se aplica un voltaje directo, los electrones fluyen fácilmente a través del diodo, pero cuando el voltaje es inverso, solo fluye una pequeña corriente debido a la corriente térmica e imperfecciones del cristal. El diodo se destruirá si el voltaje inverso es demasiado alto y causa una avalancha de electrones.
Los semiconductores tienen una conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El silicio es el semiconductor más común y forma una red cristalina donde los átomos comparten electrones. Al aplicar calor, algunos electrones se liberan y pueden moverse a través del cristal. Los semiconductores pueden doparse con impurezas para mejorar su conductividad, dando lugar a los tipos P y N. Cuando se juntan regiones P y N se forma una unión PN que se comporta como un interruptor.
1) Los semiconductores intrínsecos tienen una concentración igual de electrones y huecos (ni) debido al equilibrio térmico. 2) Al dopar un semiconductor con impurezas, se pueden añadir electrones o huecos en exceso creando semiconductores tipo N o P. 3) Los semiconductores tipo N tienen un exceso de electrones al doparlos con elementos del grupo V, mientras que los tipo P tienen un exceso de huecos al doparlos con elementos del grupo III.
El documento describe los semiconductores, materiales cuya conductividad eléctrica está entre la de los conductores y los aislantes. Explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio adquieren portadores de carga (electrones y huecos) térmicamente que permiten una pequeña corriente. Los semiconductores dopados (tipo N y P) tienen mayor número de portadores al añadir impurezas, lo que aumenta su conductividad. La unión de los semiconductores dopados forma el diodo, dispositivo clave en electrónica por su
Este documento describe los semiconductores, incluyendo su estructura atómica, conductividad eléctrica y tipos como intrínsecos y dopados. Explica cómo los semiconductores intrínsecos como el silicio tienen una pequeña concentración de electrones y huecos que los hacen conductores. Los semiconductores dopados con impurezas como el silicio tipo N tienen más electrones, mientras que los dopados tipo P tienen más huecos. Estos portadores mayoritarios permiten una mayor conductividad y su unión forma un diodo semiconductor.
Este documento describe los conceptos básicos de los semiconductores. Explica que los semiconductores como el silicio y el germanio tienen propiedades intermedias entre los conductores y los aislantes. Detalla cómo el dopaje con impurezas como el silicio o el germanio crea los semiconductores tipo P y tipo N. Finalmente, explica el funcionamiento de la unión PN y cómo se comporta un diodo cuando está polarizado directa o inversamente.
Este documento describe la unión P-N, la estructura fundamental de los componentes electrónicos como diodos y transistores. Explica que una unión P-N está formada por la unión de dos cristales de silicio, uno dopado con impurezas tipo P y otro tipo N. Cuando se unen, se forma una zona de carga espacial que crea una barrera de potencial. Esta barrera permite el paso de corriente en polarización directa pero no en inversa.
El documento describe los principios básicos del dopaje en semiconductores. Explica que el dopaje implica agregar pequeñas cantidades de impurezas que donan electrones extra (dopaje tipo N) o huecos extra (dopaje tipo P), lo que modifica las propiedades eléctricas del semiconductor. Los dopantes comunes para el silicio son el fósforo y el arsénico (tipo N) y el boro (tipo P). El dopaje permite controlar si los electrones o los huecos son los portadores mayoritarios de corriente en el material.
El documento resume los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos son puros y tienen igual número de electrones y huecos, mientras que los dopados se crean artificialmente añadiendo impurezas, dando lugar a los tipos N con exceso de electrones o P con exceso de huecos. Al unir un semiconductor N y P se crea una unión PN donde los electrones y huecos se recombinan generando un campo eléctrico.
Un diodo es un componente electrónico con dos terminales que permite el paso de la corriente eléctrica en un solo sentido. Los primeros diodos eran de vacío o termoiónicos, pero ahora son principalmente semiconductores compuestos por cristales dopados con impurezas. Cuando se polariza directamente, la corriente puede pasar; cuando se polariza inversamente, la corriente no puede pasar debido a la barrera de potencial en la unión p-n.
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosMeryleny
El documento describe el proceso de dopaje de silicio para crear un semiconductor de tipo N. Explica que al sustituir átomos de silicio por impurezas pentavalentes como el arsénico, el fósforo o el antimonio, los cinco electrones de valencia de estas impurezas se enlazan con cuatro electrones del silicio, dejando un electrón libre. Esto da como resultado un semiconductor con una mayor concentración de electrones que huecos, lo que lo convierte en un semiconductor de tipo N con alta conductividad eléctrica.
Este documento describe los fundamentos de los semiconductores y dispositivos. Explica que los semiconductores como el silicio y el germanio tienen propiedades eléctricas entre conductores e aislantes. También describe cómo las impurezas pueden hacer que los semiconductores sean de tipo P o N, y cómo los diodos y otros dispositivos se fabrican uniendo P y N.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El más común es el silicio, que forma una estructura cristalina tetraédrica. A temperatura ambiente, algunos electrones en el silicio absorben energía y saltan a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Esto crea pares electrón-hueco que transportan corriente eléctrica. Los semiconductores intrínsecos solo contienen silicio, mientras que los dopados contienen pequeñas cantidades de imp
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2. Semiconductores intrínsecos
•Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraedro similar a la del carbono
mediante enlace covalente entre sus átomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conductancia dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia(1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12
eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
•Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer,
desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de
valencia liberando energía. A este fenómeno de singadera extrema se le denomina
recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de
pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y
huecos permanece constante. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p"
la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
•
•ni = n = p
•siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.
•Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27ºc):
•ni(Si) = 1.5 10
10cm-3n
i (Ge) = 1.72 10
13cm-3
3. Cristal De Silicio Puro
Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del mismo
tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza. La disposición esquemática de los átomos para un
semiconductor de silicio podemos observarla en la figura, Las regiones sombreadas representan
la carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los
mismos.
4. Conducción Del Cristal De Silicio
Puro
•A la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los átomos se
rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los
electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón
que pertenecía a la unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo.
5. SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los electrones y el
negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito
6. Dopado del Germanio
•el germanio tiene todos sus electrones con baja energía dentro de las bandas de
valencia y se transforma en un aislador absoluto. En cambio a temperatura
ambiente alguno de los electrones toma la energía necesaria para pasar a la
banda de conducción y el germanio se comporta como un semiconductor(Ver
figura 2.).
• El electrón que se independiza de la atracción del núcleo se convierte en
electrón libre y origina en la covalencia que se destruye, la ausencia de una carga
negativa o pozo positivo, que se denomina, laguna o agujero. Se admite que esta
laguna o agujero se va corriendo sucesivamente a través del sólido, pues puede
ser llenada por electrones de covalencias vecinas originando en ellas el nuevo
hueco (ver figura 3).
•
9. Movimiento de Agujero
La movilidad del agujero puede ser simulada por estudiantes. Cinco
estudiantes son electrones y una silla vacía es un agujero. Por cada movimiento
de los estudiantes una silla hacia la derecha (flechas oscuras) produce un
resultado que es equivalente a una silla vacía que mueve a la izquierda (flechas
blancas). (Ver analogía en figura 4.)
11. Semiconductores del tipo "n”
•La impurificación consiste en agregar al semiconductor átomos de otros
elementos, hablamos de una contaminación de un átomo contaminante por
cada 108 átomos de la red.
•Una de las impurezas usadas es el Arsénico que tiene 5 electrones en la
última capa, necesitando 3 para lograr la configuración estable de 8
electrones.
•Poniendo en condiciones adecuadas de presión y temperatura cristales de
Ge en presencia de As, el mismo desplaza a los átomos de Ge y con 4 de sus
electrones forma 4 covalencias compartiendo electrones con otros cuatro
átomos de Ge logrando 8 en la última capa a expensas de liberar el quinto a la
red. El electrón libre que se incorpora al sólido mejora la conductividad del
mismo porque se aumenta dentro del sólido el número de portadores de
corriente.
13. Semiconductores del tipo "p"
•El Ge se puede contaminar también con otras impurezas como el Boro o el
Indio. Tanto uno como el otro tienen 3 electrones de valencia en la última
capa y también en condiciones adecuadas de presión y temperatura estos
pueden sustituir a un átomo de Ge de la red, pero al hacer esto en las
covalencias vecinas faltaría un electrón generando un hueco positivo llamado
laguna. Ésta genera estabilidades y tiende a ser llenada con electrones de
covalencias vecinas pasando el hueco o la laguna (+) alternativamente entre
los átomos de la red, es decir contrariamente a lo que hacía el Arsénico , el
Boro deja lagunas libres forzando a los electrones a ocuparlas y haciendo que
estos queden en minoría resultando como portadoras mayoritarias las
lagunas. Este nuevo semiconductor se denomina del tipo "p" y a la impureza,
"aceptora".
15. Unión p-n
•Una unión p-n se obtiene por la unión de un semiconductor tipo "p" y uno
"n". En el tipo "p" los portadores mayoritarios son lagunas y tratarán de
difundirse hacia el "n" por lo contrario los portadores mayoritarios del "n"
que son los electrones tratarán de difundirse ocupando parte de "p".
•Pero tanto uno como otro semiconductor son neutros, cada electrón que
deja el "n" y pasa al "p" carga negativamente al "p" y positivamente al "n" y
cada laguna que pase del "p" al "n" aumenta también la positividad de "n" y
la negatividad de "p".
•Al principio los primeros electrones y lagunas que difunden cerca de la
juntura no encuentran resistencia de ningún campo eléctrico pero a medida
que van cruzando la unión van dejando una zona sin portadores y creando un
potencial eléctrico intenso que actúa en contra del movimiento de otros
portadores que quieren intentar el mismo camino.
•Llega un momento que los portadores que no han cruzado la unión, si
quieren hacerlo necesitan energía extra para vencer el potencial y pasar la
zona deprimida que es del orden de un micrón.
17. Zona de agotamiento
•No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella
actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera de
potencial.
18. Polarización Directa Unión Pn
•El bloque PN en principio no permite el establecimiento de una corriente
eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es
conductora.
•Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un
campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un
estrechamiento de la zona de agotamiento. Sin embargo, mientras ésta exista
no será posible la conducción.
•Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de
agotamiento y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que
sucede es lo siguiente
•Electrones y huecos se dirigen a la unión.
•En la unión se recombinan.
•En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la
zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se
inunda de cargas móviles la zona de agotamiento.
•La tensión aplicada se emplea en:
•Vencer la barrera de potencial.
•Mover los portadores de carga
20. Polarización Inversa Unión Pn.
Corriente De Fuga
•Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V).
•Bajo esta condición el número de iones positivos descubiertos en la región
de agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor número de
electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El
número de iones negativos descubiertos en el material tipo P también
aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las
cuales ocuparán los huecos. El fenómeno explicado anteriormente, en ambos
tipos de material N y P, provocará que la región de agotamiento se ensanche
o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores
mayoritarios no podrán superar, esto significa que la corriente Id del diodo
será cero. Sin embargo, el número de portadores minoritarios que estarán
entrando a la región de agotamiento no cambiará, ya que para ellos la unión
esta polarizada en directo, creando por lo tanto la corriente Is denominada
corriente de saturación inversa o corriente de fuga.
22. Polarización Directa
•Cuando al diodo se le aplica externamente una diferencia de potencial
como si estuviera en paralelo con una pila imaginaria que formó el
potencial de la unión, los electrones del lado n no pueden pasar al lado
p porque la pila con su lado positivo refuerza la barrera de potencial.
23. Polarización Directa
•Por la misma razón las lagunas tampoco pueden pasar al lado n porque el
potencial negativo de la pila refuerza la barrera de potencial de la unión.
•También podemos decir que no circulará ninguna corriente porque la pila
exterior ensancha mucho la zona deprimida. En realidad siempre circula una
corriente pequeña debida a los portadores minoritarios. La polarización del
diodo realizada de esta forma se llama polarización inversa, es decir si el
diodo se polariza inversamente no conduce corriente. Si invertimos la
polarización de los portadores mayoritarios toman la energía necesaria para
atravesar la unión venciendo la barrera de potencial y a ésta se la denomina
polarización directa.
•En forma no muy rigurosa podemos decir que un diodo polarizado
directamente se comporta como un interruptor cerrado mientras que
inversamente polarizado como uno abierto. El signo que se utiliza para
individualizar a un diodo en un circuito es el siguiente: