conocida por su acrónimo, Read Only Memory). En su sentido más estricto, se refiere sólo a máscara ROM en inglés MROM (el más antiguo tipo de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente, y por lo tanto, su contenido no puede ser modificado.
conocida por su acrónimo, Read Only Memory). En su sentido más estricto, se refiere sólo a máscara ROM en inglés MROM (el más antiguo tipo de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente, y por lo tanto, su contenido no puede ser modificado.
Memorias con las definiciones de cada una, tipos incluyendo diferencias entre las principales memorias; funciones, capacidades y caracteristicas con su evolucion
ROMPECABEZAS DE ECUACIONES DE PRIMER GRADO OLIMPIADA DE PARÍS 2024. Por JAVIE...JAVIER SOLIS NOYOLA
El Mtro. JAVIER SOLIS NOYOLA crea y desarrolla el “ROMPECABEZAS DE ECUACIONES DE 1ER. GRADO OLIMPIADA DE PARÍS 2024”. Esta actividad de aprendizaje propone retos de cálculo algebraico mediante ecuaciones de 1er. grado, y viso-espacialidad, lo cual dará la oportunidad de formar un rompecabezas. La intención didáctica de esta actividad de aprendizaje es, promover los pensamientos lógicos (convergente) y creativo (divergente o lateral), mediante modelos mentales de: atención, memoria, imaginación, percepción (Geométrica y conceptual), perspicacia, inferencia, viso-espacialidad. Esta actividad de aprendizaje es de enfoques lúdico y transversal, ya que integra diversas áreas del conocimiento, entre ellas: matemático, artístico, lenguaje, historia, y las neurociencias.
Ponencia en I SEMINARIO SOBRE LA APLICABILIDAD DE LA INTELIGENCIA ARTIFICIAL EN LA EDUCACIÓN SUPERIOR UNIVERSITARIA. 3 de junio de 2024. Facultad de Estudios Sociales y Trabajo, Universidad de Málaga.
1. COMO SE ESTRUCTURA Y SE ORGANIZA LA
INFORMACIÓN EN LAS DISTINTAS UNIDADES
DE MEMORIA.
RAM: lectura y escritura
ROM (Read 0nly Memory): Son memorias de sólo lectura. Existen diferentes
variantes::
ROM programadas por máscara, cuya información se escribe en el proceso deθ
fabricación y no se puede modificar.
PROM, o ROM programable una sola vez. Utilizan una matriz de diodos cuya
unión seθ puede destruir aplicando sobre ella una sobretensión.
EPROM (Erasable PROM) o RPROM (Reprogramable ROM), cuyo contenido
puedeθ borrarse mediante rayos ultravioletas para volverlas a escribir.
EAROM (Electrically Alterable ROM) o EEROM (Electrically Erasable ROM),
sonθ memorias que están entre las RAM y las ROM ya que su contenido se puede
volver a escribir por medios eléctricos. Se diferencian de las RAM en que no son
volátiles.
Memoria FLASH. Utilizan tecnología de borrado eléctrico al igual que las
EEPROM,θ pero pueden ser borradas y reprogramadas en bloques, y no palabra por
palabra como ocurre con las tradicionales EEPROM. Ofrecen un bajo consumo y una
alta velocidad de acceso, alcanzando un tiempo de vida de unos 100.000 ciclos de
escritura.