Transistores
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Este documento describe las características de varios tipos de transistores, incluyendo transistores JFET de canal P, MOSFET de 60V, transistores programables unijuntura, transistores complementarios de silicio y transistores de potencia de silicio. Para cada tipo de transistor, se enumeran sus características clave como voltajes máximos, corrientes, temperaturas de funcionamiento y paquetes disponibles. También incluye enlaces a sitios web relacionados con componentes electrónicos.
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Transistores
Los documentos proporcionan información técnica sobre varios tipos de transistores, incluidos sus especificaciones de tensión máxima, corriente, disipación de potencia, temperatura de funcionamiento y tipo de encapsulado. Se describen las características de transistores NPN, N-Canal MOSFET, IGBT, JFET y otros.
Transistores
Este documento describe las características de cinco transistores comunes, incluyendo el NDP6030PL MOSFET, el transistor JFET J201, el 2N3055-3 npn TO3, el 2N6099 npn TO220 y el MC140 npn TO126. Para cada transistor, se especifican valores como la potencia máxima de disipación, los límites de tensión, la corriente máxima, la temperatura de unión, la frecuencia de corte y el coeficiente de transferencia de corriente.
Dispositivos electrónicos transistores
Este documento contiene las características y especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares PNP y NPN, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Proporciona detalles como voltaje máximo, corriente, disipación de energía, temperatura de operación y aplicaciones típicas para cada transistor.
Transistores
Este documento presenta información técnica sobre varios transistores y componentes electrónicos, incluyendo sus especificaciones como corriente máxima, voltaje, potencia disipada, estilo de encapsulado y conformidad RoHS. Se proporcionan detalles sobre MOSFETs, IGBTs, JFETs y transistores NPN/PNP de fabricantes como NXP, Fairchild, International Rectifier y STMicroelectronics.
Transistores
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y aplicaciones. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores amplificadores, conmutadores u osciladores que se encuentran ampliamente en electrónica de consumo. Describe los transistores de unión, de efecto de campo, fototransistores y el primer transistor inventado.
Transistores ficha tecnica
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Calculo de coci_en_rrdd
Este documento presenta apuntes sobre niveles de cortocircuito en redes de distribución. Explica que cerca de los transformadores, la corriente máxima ocurre durante un cortocircuito monofásico, mientras que más lejos ocurre durante un cortocircuito trifásico. Luego calcula las impedancias de falla en las barras de una subestación de 14.8 kV y usa esto para calcular corrientes de cortocircuito máximas y mínimas.
Diodo
Este documento proporciona especificaciones técnicas para varios tipos de diodos, incluidos diodos Zener, diodos laser infrarrojos, LED y diodos Schottky. Presenta valores máximos como voltaje inverso, corriente directa, temperatura de funcionamiento y longitud de onda para cada tipo de diodo.
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Dispositivos electrónicos transistores
Este documento contiene las características y especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares PNP y NPN, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Proporciona detalles como voltaje máximo, corriente, disipación de energía, temperatura de operación y aplicaciones típicas para cada transistor.
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Opam 741 01
Funcionamiento del OPAMP como Amplificador inversor, no inversor y como seguidor
de emisor (Adaptador de impedancias), tanto para c.c. como c.a.
Transistores
Este documento describe las características y especificaciones de varios transistores y dispositivos electrónicos, incluyendo el MOSFET canal N FB42N20D, el transistor NPN MJ15015, el J-FET canal N MPF102, el transistor NPN 2SC5707, y el transistor NPN 2SC2922. También incluye enlaces a hojas de datos en línea para cada dispositivo.
Diodo
1. ACTIVIDAD: DIODOS FICHAS TÉCNICAS CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA ALUMNO: CRISTHIAN SANCHEZ LEYVA TUTOR: KELLY CONDORI ZAMORA 2014
2. DIODO DE RECTIFICADOR MOD: 1N5402D VOLTAJE REVERSO MÁXIMO RECURRENTE MÁXIMO (VRRM): 200V VOLTAJE MÁXIMO DEL RMS (VRMS): 140V VOLTAJE DE BLOQUEO DE LA C.C. DEL MÁXIMO (VDC): 200V CORRIENTE ADELANTE RECTIFICADA MEDIA MÁXIMA (IO): 3A SOBRETENSIÓN DELANTERA MÁXIMA (IFSM): 200A CORRIENTE REVERSA DE LA C.C. DEL MÁXIMO (IR): 5μA GAMA DE TEMPERATURAS DE FUNCIONAMIENTO: -65°C A +175°C TIPO SIN PLOMO ROHS OBEDIENTE PROPÓSITO-TIPO GENERAL
3. DIODO LÁSER INFRARROJO 980NM 300MW CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 400MA LONGITUD DE ONDA: 808NM, 980NM, 405NM, 445NM, 635NM, 650NM VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 2.4V ENERGÍA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW, 5000MW POTENCIA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW
4. 50W DE ALTA POTENCIA LED / DIODO DE ENERGÍA: 50 VATIOS EL MODELO NO.:LSP-520CWSA-G45- AC5B-BHT-55 VOLTAJE DE FUNCIONAMIENTO: 31~35 V CORRIENTE DE TRABAJO: 1500 MA TEMPERATURA DE COLOR: 5500~6500 K LÚMENES: 4000~4500 LM EL ÁNGULO DE VISIÓN: 100~120 DEG MEDIO AMBIENTE DE TRABAJO:- 20& DEG; C~+80& DEG; C DURACIÓN DE LA VIDA: @& @50, HRS 000
5. DIODO 3V CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 350MA TEMPERATURA DE COLOR: 2700-3200K VOLTAJE HACIA EL ÁNGULO DE VISIÓN: 120 GRADO ADELANTE: 3.0-3.6V VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 3.6V LUMIOUS FLUJO: 110-120ML EL CONSUMO DE ENERGÍA: 1W
6. DIODO ZENER HOJA DE DATOS MÁXIMO TÍPICO DE COEFICIENTE DE TEMPERATURA& DELTA; VBR = 0.1% X VBR@25& DEG; C X& DELTA; TÇ PASIVADO CHIP UNIÓN P600 EN EL PAQUETE 5000W PICO DEL PULSO EN CAPADILITY 10& VECES; 1000& MU; S DE FORMA DE ONDA, LA REPETICIÓN TASA DE( CICLOS DE TRABAJO): 0.01% RÁPIDO TIEMPO DE RESPUESTA: POR LO GENERAL MENOS DE 1.0PS DE 0 VOLTIOS A BV MIN IR MENOS DE 5& MU; POR ENCIMA DE UN 12V DE ALTA TEMPERATURA DE SOLDADURA GARANTIZA: 260& DEG; C/40 SEGUNDOS/ 0.375& Y RDQUO;,( 9.5MM) PLOMO LONGITUD, 5 LIBRAS.,( 2.3KG) LA TENSIÓN DE INFLAMABILIDAD
Transistores
Los tres documentos proporcionan especificaciones técnicas de diferentes transistores, incluyendo su tipo de canal, voltaje de ruptura, corriente de drenaje, resistencia en conducción y estilo de encapsulado. El cuarto documento describe las características de los transistores S8050 S8550, incluyendo su lugar de origen, marca y familia. El quinto documento es un enlace a un transistor amplificador de silicio npn.
Transistores bilolares (pnp)
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo bipolares NPN y PNP, unipolares JFET y MOSFET, así como una bibliografía y créditos. Se detallan parámetros como la corriente máxima, tensión colector-emisor, configuración, disipación de potencia y referencias de fabricantes para cada transistor.
Amplificador audio clase ab de fapesa con transistores
El documento describe un amplificador de audio clase AB con transistores bipolares, incluyendo un circuito esquemático, respuesta en frecuencia, polarización, oscilogramas, lista de materiales y mediciones. El amplificador tiene una ganancia de 26.6 dB a 1 KHz, frecuencia de corte inferior de 23 Hz y frecuencia de corte superior de 1.13 MHz. Las mediciones muestran una ganancia de 20.23 veces y una sensibilidad de entrada de 354 mV.
Presentacion propuesta
Este documento describe un inversor DC-AC que convierte una entrada de 12V DC a una salida de 110V AC de 60Hz utilizando un oscilador Schmitt Trigger de 120Hz y transistores de potencia para generar la forma de onda de salida requerida. El inversor consta de una unidad de control y una unidad de potencia.
Diodo
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios componentes electrónicos como rectificadores, diodos zener, láseres, fotodiodos, capacitores variables y diodos LED. Incluye información sobre la corriente máxima, tensión, potencia de salida, longitud de onda, capacitancia, tensión inversa y color de diferentes marcas y referencias de estos componentes.
Transistores
Este documento contiene información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus funciones, símbolos de circuito, y especificaciones técnicas. Describe transistores NPN y PNP, pares Darlington, FET, IGBT, MOSFET y más. Incluye tablas con datos como corriente máxima, voltaje, potencia disipada y rangos de temperatura de operación para cada dispositivo.
Jezuz tareas
El documento describe los pasos para construir una sirena casera utilizando un circuito integrado NE556, un parlante y otros componentes electrónicos. Primero se pinta el circuito en la placa de circuito impreso y luego se sumerge en agua con cloruro férrico para revelarlo. Después se perforan los agujeros y se revisa el circuito con un medidor para verificar la conexión. Por último, se introduce la batería, se conecta el parlante y se sueldan los componentes.
Transistores
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus especificaciones técnicas como polaridad, voltaje máximo, corriente, ganancia y encapsulado. Describe transistores bipolares NPN y PNP, MOSFET de tipo P y N, y JFET, que cumplen funciones como amplificadores, conmutadores y rectificadores en una variedad de dispositivos electrónicos.
Transistores
El documento proporciona información técnica sobre varios transistores de diferentes fabricantes, incluyendo sus especificaciones como polaridad, corriente continua, voltaje, disipación de potencia y temperatura de funcionamiento. Describe transistores NPN, PNP, JFET, MOSFET, IGBT de encapsulados TO-220, TO-247, SOT-23 y más.
Circuitos capacitivos practia 1
Este documento presenta una práctica sobre la carga y descarga de condensadores. Los estudiantes aprenderán a montar circuitos RC para implementar filtros pasa bajos, pasa altos y pasa bandas. Realizarán mediciones para verificar la evolución teórica de la tensión de carga y descarga de un condensador y determinarán parámetros como el tiempo de carga/descarga. Finalmente, diseñarán filtros RC según especificaciones de frecuencia de corte y verificarán su funcionamiento con un generador de señales y osciloscopio.
Fet
El documento describe las características y funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET). El FET consiste en una región de tipo n con dos regiones de tipo p a los lados que actúan como compuerta. Dependiendo del voltaje aplicado a la compuerta, se puede controlar la corriente entre el drenaje y la fuente. Existen FET de canal-n y canal-p. La relación entre la corriente de drenaje y el voltaje de compuerta sigue una ecuación parabólica conocida como ecuación de Shockley.
Angie zubieta
El documento describe los pasos para construir una sirena casera utilizando un circuito integrado NE556, un parlante y otros componentes electrónicos. Primero se pinta el circuito en la placa de circuito impreso y se sumerge en una solución para revelarlo. Luego se perforan los agujeros y se revisa el circuito con un medidor para verificar la conexión. Por último, se ensamblan los componentes soldándolos en la placa.
Diodo
Este documento presenta especificaciones técnicas de diversos componentes electrónicos como rectificadores, reguladores de tensión, láseres, fotodiodos, diodos y LEDs. Incluye tablas con la marca, número de referencia, corriente máxima, tensión, potencia de salida, espectros detectados, configuración y otras características de cada componente. El documento proporciona información técnica detallada sobre las capacidades y especificaciones de estos dispositivos electrónicos.
Amp 250w mono[1]
Este amplificador de 250W utiliza transistores complementarios para permitir una carga de 4 ohmios. Utiliza un amplificador operacional TL071 para preamplificar la señal de entrada y proporcionar suficiente ganancia a los transistores de salida. La ganancia general puede ajustarse variando una resistencia de 33K. El amplificador es ideal para guitarra y bajo debido a su baja distorsión armónica.
Diodo
Este documento contiene las especificaciones técnicas de varios tipos de diodos, incluidos diodos rectificadores, diodos láser infrarrojos, diodos LED de alta potencia, diodos de 3V y diodos zener. Proporciona detalles sobre las características eléctricas y físicas de cada diodo como voltaje, corriente, potencia, longitud de onda y temperatura de funcionamiento.
Amplificadores multietapas
Este documento presenta las especificaciones para un proyecto de diseño de un amplificador de dos etapas con ganancia de tensión específica. Incluye recomendaciones sobre el análisis teórico, la polarización, y la medición de parámetros como la ganancia, impedancias y respuesta en frecuencia. El estudiante debe diseñar el circuito usando transistores npn, medir sus características, y analizar mejoras posibles.
Transistores
El documento describe el transistor de efecto de campo (FET). Explica que el FET consiste en una región de tipo n con dos regiones de tipo p a los lados que actúan como compuertas. La corriente de drenaje depende del voltaje aplicado a la compuerta y puede ser controlada por medio de este voltaje. También describe las características del FET como su alta resistencia de entrada y baja ruido en comparación con el transistor bipolar.
Transistores
El documento proporciona las especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluidos el NDP6030PL, J201, 2N3055-3, 2N6099 y MC140. Se describen las características eléctricas y térmicas clave como la tensión máxima, corriente máxima, disipación de potencia, temperatura de unión y coeficiente de ganancia de cada transistor.
Transistores
Este documento presenta diferentes tipos de transistores como NPN, PNP, JFET, MOSFET y HEMT. También incluye tablas con especificaciones técnicas de varios transistores de diferentes marcas como Magnatec, Panasonic, Fairchild Semiconductor, Analog Devices, NXP, STMicroelectronics, International Rectifier, Avago Technologies y enlaces a páginas de proveedores de componentes electrónicos. El documento forma parte de un curso de física electrónica en la universidad Telesup.
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El documento proporciona especificaciones técnicas de varios componentes electrónicos como rectificadores, diodos zener, láseres, fotodiodos, capacitores variables y diodos LED. Incluye información sobre la corriente máxima, tensión, potencia de salida, longitud de onda, capacitancia, tensión inversa y color de diferentes marcas y referencias de estos componentes.
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Transistores
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Este documento trata sobre electrónica de potencia y contiene información sobre rectificadores de potencia, diodos de potencia, construcción y encapsulado de diodos, características estáticas y dinámicas de diodos, transistores de potencia, construcción y encapsulado de transistores, y conmutación en electrónica de potencia.
Mto250 ds es_v02
El documento describe el ohmímetro para transformadores MTO250. El MTO250 puede medir de forma segura y precisa la resistencia de devanados magnéticos como transformadores, reactores de derivación y devanados de máquinas rotatorias. Posee múltiples funciones de seguridad y permite realizar pruebas en transformadores de hasta 1000 MVA. Además, puede controlar el estado y la temporización de cambiadores de derivación de carga.
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Transistores de Potencia: Los transistores de potencia son dispositivos semiconductores que controlan el flujo de corriente eléctrica en un circuito. Los tipos más comunes son los MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor) y los IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada). Se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta potencia, como inversores de frecuencia para motores eléctricos y fuentes de alimentación conmutadas.
Tiristores: Los tiristores son dispositivos de control de potencia que permiten el paso de la corriente en un solo sentido y se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta potencia, como en sistemas de control de voltaje en corriente alterna (AC) y en rectificadores controlados.
Diodos de Potencia: Aunque los diodos son conocidos principalmente por permitir el flujo de corriente en un solo sentido, los diodos de potencia se utilizan para rectificar corriente alterna (AC) en corriente continua (DC) y para proteger circuitos contra inversión de polaridad y sobretensiones.
SCR (Rectificador Controlado de Silicio): Similar a un tiristor, el SCR es un dispositivo de conmutación de potencia que se utiliza en aplicaciones de control de alta corriente y alta potencia en corriente alterna.
Módulos de Potencia: Estos son conjuntos de dispositivos de potencia montados en un solo paquete para aplicaciones de alta potencia, como inversores, convertidores DC-DC y fuentes de alimentación conmutadas.
Los dispositivos de potencia son esenciales en aplicaciones que requieren control preciso de la potencia eléctrica, como sistemas de control de motores, electrónica de potencia en energía renovable, sistemas de energía y distribución, y más. Su capacidad para manejar altos niveles de potencia los hace cruciales en la ingeniería eléctrica y electrónica moderna.
PR Electronics: Serie 3000
Este documento proporciona información sobre la Serie PR 3000 de transmisores de temperatura y dispositivos de acondicionamiento de señal de alta precisión y bajo consumo energético. La serie incluye transmisores de temperatura, repetidores, convertidores y duplicadores universales con opciones de entrada y salida, aislamiento galvánico y comunicación HART. Los dispositivos son compactos, precisos, cumplen normativas como ATEX y NEMA y ofrecen 5 años de garantía.
Transistores
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y especificaciones técnicas. Describe transistores JFET, MOSFET, bipolares y IGBT, y proporciona detalles como voltaje de ruptura, corriente, ganancia, estilo de caja y temperatura de funcionamiento. También incluye enlaces a recursos adicionales sobre transistores.
Ficha técnica de transistores
Este documento presenta las especificaciones y características de diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JEFT, MOFET, IGBT, TDT y de potencia. Proporciona detalles como el número de parte, materiales, polaridad, especificaciones máximas, características eléctricas y empaquetado de cada transistor.
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Este documento presenta conceptos básicos sobre conductores eléctricos y cables. Define términos como aislante, alma, cable, e introduce diferentes tipos de cables como los aislados con papel impregnado y compuesto termoplástico. Explica la designación numérica de las secciones de cables y proporciona ejemplos. Además, discute la capacidad de transporte de corriente de los conductores y factores como la sobrecarga y caída de tensión.
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Este documento presenta información sobre esquemas de conexión a tierra y sistemas de protección contra contactos indirectos. Explica los esquemas TT, TN, TN-S y TN-C, y analiza casos prácticos para verificar el cumplimiento de las condiciones de seguridad. También incluye tablas con valores de corriente y resistencia para diferentes dispositivos de protección como fusibles, interruptores automáticos y diferenciales.
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- 3. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET Voltaje drenaje-Gate, VDG. 40V Invierta Voltaje puerta-fuente, VGSR. . 40V Forward puerta actual, IG (f). 10mA Disipación total del dispositivo (TA = 25 ° C), PD. 310mW Degradación por encima de 25 ° C 2.82mW /° C Rango de temperatura de unión, TJ.. . -65 ° a +135 ° C Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg. -55 ° a 150 ° C NTE326
- 4. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET Baja resistencia: 2,5? Bajo Umbral: 2,1 V Baja capacitancia de entrada: 22 pF Rápido velocidad de conmutación: 7 ns Bajo entrada y fuga de salida 2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
- 5. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION Programable - RBB, IV e IP Baja tensión en estado activado - 1,5 V Máxima @ IF = 50 mA Bajo Puerta de fuga del ánodo actual - 10 nA máximo Tensión de salida High Peak - 11 V Típico tensión de offset bajo - 0,35 V Típica (RG = 10 k) Paquetes Pb gratuitos están disponibles * 2N6027, 2N6028
- 6. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR Silicon Complementary Zona Alta de funcionamiento seguro: 250W @ 50V Una baja distorsión Diseños Complementarios Alta Ganancia de CC: hFE = 25 Min @ IC = 5A NTE60 (NPN) & NTE61 (PNP)
- 7. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR Silicon Power Alta Ganancia de CC: hFE = 25 - 100 @ IC = 7,5 Excelente área de funcionamiento seguro NTE180 (PNP) & NTE181 (NPN)