El documento describe varios tipos de transistores comunes, incluyendo transistores PNP y NPN de silicio de propósito general como el BC558 y BC548, respectivamente. También describe el transistor de potencia 2N3055 y los transistores FET BF410 y MOSFET BF981, que se usan comúnmente en aplicaciones de radiofrecuencia y electrónica. Proporciona características técnicas y enlaces a hojas de datos e imágenes para cada transistor.
El documento proporciona las especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluidos el NDP6030PL, J201, 2N3055-3, 2N6099 y MC140. Se describen las características eléctricas y térmicas clave como la tensión máxima, corriente máxima, disipación de potencia, temperatura de unión y coeficiente de ganancia de cada transistor.
Este documento contiene las características y especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares PNP y NPN, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Proporciona detalles como voltaje máximo, corriente, disipación de energía, temperatura de operación y aplicaciones típicas para cada transistor.
Este documento describe las características de cinco transistores comunes, incluyendo el NDP6030PL MOSFET, el transistor JFET J201, el 2N3055-3 npn TO3, el 2N6099 npn TO220 y el MC140 npn TO126. Para cada transistor, se especifican valores como la potencia máxima de disipación, los límites de tensión, la corriente máxima, la temperatura de unión, la frecuencia de corte y el coeficiente de transferencia de corriente.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET), fototransistores, transistores de contacto puntual y especificaciones para cinco transistores en particular (NDP6030PL MOSFET, J201 JFET, 2N3055-3, 2N6099, MC140).
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el 2N2222, 2N3055, 3SK87, TIP35C y 2N70002. Describe sus características eléctricas como tensión máxima, corriente, ganancia y temperatura de operación. Explica que los transistores se usan comúnmente como amplificadores y conmutadores en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de unión unipolar o de efecto de campo, y el fototransistor. El transistor de contacto puntual fue el primer transistor capaz de obtener ganancia e involucraba dos puntas metálicas sobre germanio. El transistor de unión bipolar se fabrica sobre un monocristal de silicio o germanio y consta de tres zonas (emisor, base y colector) formadas por uniones PN. El transistor de unión un
El documento describe varios tipos de transistores comunes, incluyendo transistores PNP y NPN de silicio de propósito general como el BC558 y BC548, respectivamente. También describe el transistor de potencia 2N3055 y los transistores FET BF410 y MOSFET BF981, que se usan comúnmente en aplicaciones de radiofrecuencia y electrónica. Proporciona características técnicas y enlaces a hojas de datos e imágenes para cada transistor.
El documento proporciona las especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluidos el NDP6030PL, J201, 2N3055-3, 2N6099 y MC140. Se describen las características eléctricas y térmicas clave como la tensión máxima, corriente máxima, disipación de potencia, temperatura de unión y coeficiente de ganancia de cada transistor.
Este documento contiene las características y especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares PNP y NPN, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Proporciona detalles como voltaje máximo, corriente, disipación de energía, temperatura de operación y aplicaciones típicas para cada transistor.
Este documento describe las características de cinco transistores comunes, incluyendo el NDP6030PL MOSFET, el transistor JFET J201, el 2N3055-3 npn TO3, el 2N6099 npn TO220 y el MC140 npn TO126. Para cada transistor, se especifican valores como la potencia máxima de disipación, los límites de tensión, la corriente máxima, la temperatura de unión, la frecuencia de corte y el coeficiente de transferencia de corriente.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET), fototransistores, transistores de contacto puntual y especificaciones para cinco transistores en particular (NDP6030PL MOSFET, J201 JFET, 2N3055-3, 2N6099, MC140).
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el 2N2222, 2N3055, 3SK87, TIP35C y 2N70002. Describe sus características eléctricas como tensión máxima, corriente, ganancia y temperatura de operación. Explica que los transistores se usan comúnmente como amplificadores y conmutadores en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de unión unipolar o de efecto de campo, y el fototransistor. El transistor de contacto puntual fue el primer transistor capaz de obtener ganancia e involucraba dos puntas metálicas sobre germanio. El transistor de unión bipolar se fabrica sobre un monocristal de silicio o germanio y consta de tres zonas (emisor, base y colector) formadas por uniones PN. El transistor de unión un
El documento proporciona información técnica sobre varios transistores de diferentes fabricantes, incluyendo sus especificaciones como polaridad, corriente continua, voltaje, disipación de potencia y temperatura de funcionamiento. Describe transistores NPN, PNP, JFET, MOSFET, IGBT de encapsulados TO-220, TO-247, SOT-23 y más.
Este documento describe las características de varios transistores comunes, incluidos transistores NPN, PNP, JFET y MOSFET. Proporciona detalles sobre sus especificaciones eléctricas y térmicas máximas, así como sus aplicaciones típicas en circuitos de amplificación, conmutación y estabilización.
Este documento presenta las especificaciones y características de diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JEFT, MOFET, IGBT, TDT y de potencia. Proporciona detalles como el número de parte, materiales, polaridad, especificaciones máximas, características eléctricas y empaquetado de cada transistor.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Existen varios tipos de transistores como los bipolares NPN y PNP, los FET y los MOSFET, los cuales se utilizan ampliamente en aparatos electrónicos modernos debido a su pequeño tamaño, bajo costo y alta confiabilidad.
El documento resume las características y aplicaciones de varios tipos de transistores, incluyendo el transistor bipolar inventado en 1947, el transistor de efecto de campo (MOSFET) ampliamente utilizado hoy en día, el transistor de puerta aislada bipolar (IGBT) utilizado en electrónica de potencia, y el transistor uniunión (UJT) utilizado para conmutación.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y aplicaciones. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores amplificadores, conmutadores u osciladores que se encuentran ampliamente en electrónica de consumo. Describe los transistores de unión, de efecto de campo, fototransistores y el primer transistor inventado.
Este documento contiene información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus funciones, símbolos de circuito, y especificaciones técnicas. Describe transistores NPN y PNP, pares Darlington, FET, IGBT, MOSFET y más. Incluye tablas con datos como corriente máxima, voltaje, potencia disipada y rangos de temperatura de operación para cada dispositivo.
Este documento contiene las fichas técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el JFET 2SK161, el transistor NPN 2N2222, el fototransistor TDET500, el MOSFET 2SK161, el transistor de potencia 2N3055 y el transistor BJT 2N4401. Cada ficha técnica describe las características y funcionamiento básico del transistor correspondiente. Las páginas consultadas incluyen sitios sobre electrónica que explican los diferentes tipos de transistores y sus aplicaciones.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, transistores de efecto campo (FET), MOSFET, transistores de unijuntura (UJT), TRIAC, IGBT y transistores de potencia. Explica sus características, estructuras y usos comunes.
El documento describe la historia y uso de los transistores. Los transistores fueron descubiertos en 1947 como un dispositivo que permite el control de una corriente grande con una señal pequeña, reemplazando a las válvulas termoiónicas. Los transistores se usan ampliamente en aplicaciones como amplificación, generación de señales, y conmutación, y existen varios tipos incluyendo BJT, JFET y MOSFET.
El documento habla sobre los transistores MOSFET, que se usan para amplificar o conmutar señales electrónicas. Explica su disposición de terminales y símbolo, y sus ventajas como bajo consumo, tamaño pequeño, gran capacidad de integración y alta velocidad de conmutación. Finalmente, menciona algunas de sus aplicaciones como en convertidores de alta frecuencia y baja potencia y en circuitos microelectrónicos, y precauciones al manipularlos.
El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o conmutar una señal de entrada. Existen varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares (BJT), de efecto campo (FET), tiristores y transistores de potencia. El transistor bipolar fue inventado en 1947 y desde entonces se ha convertido en un componente fundamental en muchos aparatos electrónicos.
Este documento presenta las fichas técnicas de cinco transistores (NPN 2N2222, JFET 2SK161, MOSFET 2SK161, fototransistor TDET500 y transistor de potencia 2N3055) y describe sus características y especificaciones clave. Incluye diagramas, símbolos y explicaciones sobre su funcionamiento. Las fichas técnicas proporcionan información fundamental sobre los parámetros y aplicaciones de cada transistor.
La familia lógica CMOS tiene tres características principales: 1) usa transistores MOSFET que son pequeños, baratos de fabricar y consumen poca energía, 2) los circuitos CMOS ocupan menos espacio que otros debido a su alta densidad de integración, y 3) los circuitos CMOS tienen alta impedancia de entrada y bajo consumo de energía en estado estático.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores con tres terminales (emisor, colector y base) que se usan para amplificar señales. Luego describe transistores específicos como el 2N3055, IRF840 y MOSFET, proporcionando detalles técnicos sobre sus especificaciones y aplicaciones. Finalmente, introduce otros tipos avanzados de transistores como HEMT.
El documento presenta las fichas técnicas de varios transistores, incluyendo un transistor NPN de 50V 0.15A en un paquete VMT3, un transistor JFET de canal n, un MOSFET de canal N de 650V 7A, y un transistor BC337/BC338 PNP en un paquete TO-92. Cada ficha técnica proporciona detalles sobre las características eléctricas y el empaquetado de los transistores.
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores unipolares controlados por un campo eléctrico. Existen dos tipos principales: los JFET de unión y los MOSFET de puerta aislada. Los FET tienen tres terminales (puerta, drenador y fuente) y funcionan como interruptores controlados por la tensión de puerta. Permiten aplicaciones de amplificación, conmutación y control de potencia debido a su alta impedancia de entrada y baja capacidad.
El documento describe el transistor MOSFET. Explica que los MOSFET tienen tres regiones de operación: la región de corte cuando no hay corriente, la región óhmica cuando actúa como una resistencia variable, y la región de saturación cuando mantiene una corriente constante independientemente de la tensión. También resume las ventajas de los MOSFET como su pequeño tamaño, proceso de fabricación simple, y su popularidad en aplicaciones electrónicas digitales y de potencia.
Los transistores son dispositivos semiconductores que se utilizan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores. El transistor bipolar fue inventado en 1947 y reemplazó a las válvulas termoiónicas. Existen varios tipos de transistores, incluidos los bipolares NPN y PNP, los de efecto de campo (FET) y los de óxido metálico-semiconductor (MOSFET).
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo bipolares NPN y PNP, unipolares JFET y MOSFET, así como una bibliografía y créditos. Se detallan parámetros como la corriente máxima, tensión colector-emisor, configuración, disipación de potencia y referencias de fabricantes para cada transistor.
Los diodos de ruptura funcionan como estabilizadores de tensión al mantener una tensión constante (tensión de referencia VZ) para cualquier valor de corriente en la zona de ruptura. Existen dos mecanismos que causan el fenómeno de ruptura: ruptura por efecto zener (VBR ≤ 6V) y ruptura por efecto de avalancha (VBR ≥ 6V). Para que el diodo de ruptura actúe como estabilizador, su resistencia dinámica debe ser lo más baja posible.
El documento habla sobre los transistores y su funcionamiento. Explica las diferentes zonas de operación de un transistor como saturación, corte y amplificación. También describe las tres corrientes en un transistor y las polarizaciones requeridas para su correcto funcionamiento. Finalmente, incluye preguntas sobre conceptos básicos de transistores.
El documento proporciona información técnica sobre varios transistores de diferentes fabricantes, incluyendo sus especificaciones como polaridad, corriente continua, voltaje, disipación de potencia y temperatura de funcionamiento. Describe transistores NPN, PNP, JFET, MOSFET, IGBT de encapsulados TO-220, TO-247, SOT-23 y más.
Este documento describe las características de varios transistores comunes, incluidos transistores NPN, PNP, JFET y MOSFET. Proporciona detalles sobre sus especificaciones eléctricas y térmicas máximas, así como sus aplicaciones típicas en circuitos de amplificación, conmutación y estabilización.
Este documento presenta las especificaciones y características de diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JEFT, MOFET, IGBT, TDT y de potencia. Proporciona detalles como el número de parte, materiales, polaridad, especificaciones máximas, características eléctricas y empaquetado de cada transistor.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Existen varios tipos de transistores como los bipolares NPN y PNP, los FET y los MOSFET, los cuales se utilizan ampliamente en aparatos electrónicos modernos debido a su pequeño tamaño, bajo costo y alta confiabilidad.
El documento resume las características y aplicaciones de varios tipos de transistores, incluyendo el transistor bipolar inventado en 1947, el transistor de efecto de campo (MOSFET) ampliamente utilizado hoy en día, el transistor de puerta aislada bipolar (IGBT) utilizado en electrónica de potencia, y el transistor uniunión (UJT) utilizado para conmutación.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y aplicaciones. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores amplificadores, conmutadores u osciladores que se encuentran ampliamente en electrónica de consumo. Describe los transistores de unión, de efecto de campo, fototransistores y el primer transistor inventado.
Este documento contiene información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus funciones, símbolos de circuito, y especificaciones técnicas. Describe transistores NPN y PNP, pares Darlington, FET, IGBT, MOSFET y más. Incluye tablas con datos como corriente máxima, voltaje, potencia disipada y rangos de temperatura de operación para cada dispositivo.
Este documento contiene las fichas técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el JFET 2SK161, el transistor NPN 2N2222, el fototransistor TDET500, el MOSFET 2SK161, el transistor de potencia 2N3055 y el transistor BJT 2N4401. Cada ficha técnica describe las características y funcionamiento básico del transistor correspondiente. Las páginas consultadas incluyen sitios sobre electrónica que explican los diferentes tipos de transistores y sus aplicaciones.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, transistores de efecto campo (FET), MOSFET, transistores de unijuntura (UJT), TRIAC, IGBT y transistores de potencia. Explica sus características, estructuras y usos comunes.
El documento describe la historia y uso de los transistores. Los transistores fueron descubiertos en 1947 como un dispositivo que permite el control de una corriente grande con una señal pequeña, reemplazando a las válvulas termoiónicas. Los transistores se usan ampliamente en aplicaciones como amplificación, generación de señales, y conmutación, y existen varios tipos incluyendo BJT, JFET y MOSFET.
El documento habla sobre los transistores MOSFET, que se usan para amplificar o conmutar señales electrónicas. Explica su disposición de terminales y símbolo, y sus ventajas como bajo consumo, tamaño pequeño, gran capacidad de integración y alta velocidad de conmutación. Finalmente, menciona algunas de sus aplicaciones como en convertidores de alta frecuencia y baja potencia y en circuitos microelectrónicos, y precauciones al manipularlos.
El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o conmutar una señal de entrada. Existen varios tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares (BJT), de efecto campo (FET), tiristores y transistores de potencia. El transistor bipolar fue inventado en 1947 y desde entonces se ha convertido en un componente fundamental en muchos aparatos electrónicos.
Este documento presenta las fichas técnicas de cinco transistores (NPN 2N2222, JFET 2SK161, MOSFET 2SK161, fototransistor TDET500 y transistor de potencia 2N3055) y describe sus características y especificaciones clave. Incluye diagramas, símbolos y explicaciones sobre su funcionamiento. Las fichas técnicas proporcionan información fundamental sobre los parámetros y aplicaciones de cada transistor.
La familia lógica CMOS tiene tres características principales: 1) usa transistores MOSFET que son pequeños, baratos de fabricar y consumen poca energía, 2) los circuitos CMOS ocupan menos espacio que otros debido a su alta densidad de integración, y 3) los circuitos CMOS tienen alta impedancia de entrada y bajo consumo de energía en estado estático.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores con tres terminales (emisor, colector y base) que se usan para amplificar señales. Luego describe transistores específicos como el 2N3055, IRF840 y MOSFET, proporcionando detalles técnicos sobre sus especificaciones y aplicaciones. Finalmente, introduce otros tipos avanzados de transistores como HEMT.
El documento presenta las fichas técnicas de varios transistores, incluyendo un transistor NPN de 50V 0.15A en un paquete VMT3, un transistor JFET de canal n, un MOSFET de canal N de 650V 7A, y un transistor BC337/BC338 PNP en un paquete TO-92. Cada ficha técnica proporciona detalles sobre las características eléctricas y el empaquetado de los transistores.
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores unipolares controlados por un campo eléctrico. Existen dos tipos principales: los JFET de unión y los MOSFET de puerta aislada. Los FET tienen tres terminales (puerta, drenador y fuente) y funcionan como interruptores controlados por la tensión de puerta. Permiten aplicaciones de amplificación, conmutación y control de potencia debido a su alta impedancia de entrada y baja capacidad.
El documento describe el transistor MOSFET. Explica que los MOSFET tienen tres regiones de operación: la región de corte cuando no hay corriente, la región óhmica cuando actúa como una resistencia variable, y la región de saturación cuando mantiene una corriente constante independientemente de la tensión. También resume las ventajas de los MOSFET como su pequeño tamaño, proceso de fabricación simple, y su popularidad en aplicaciones electrónicas digitales y de potencia.
Los transistores son dispositivos semiconductores que se utilizan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores. El transistor bipolar fue inventado en 1947 y reemplazó a las válvulas termoiónicas. Existen varios tipos de transistores, incluidos los bipolares NPN y PNP, los de efecto de campo (FET) y los de óxido metálico-semiconductor (MOSFET).
El documento proporciona especificaciones técnicas de varios tipos de transistores, incluyendo bipolares NPN y PNP, unipolares JFET y MOSFET, así como una bibliografía y créditos. Se detallan parámetros como la corriente máxima, tensión colector-emisor, configuración, disipación de potencia y referencias de fabricantes para cada transistor.
Los diodos de ruptura funcionan como estabilizadores de tensión al mantener una tensión constante (tensión de referencia VZ) para cualquier valor de corriente en la zona de ruptura. Existen dos mecanismos que causan el fenómeno de ruptura: ruptura por efecto zener (VBR ≤ 6V) y ruptura por efecto de avalancha (VBR ≥ 6V). Para que el diodo de ruptura actúe como estabilizador, su resistencia dinámica debe ser lo más baja posible.
El documento habla sobre los transistores y su funcionamiento. Explica las diferentes zonas de operación de un transistor como saturación, corte y amplificación. También describe las tres corrientes en un transistor y las polarizaciones requeridas para su correcto funcionamiento. Finalmente, incluye preguntas sobre conceptos básicos de transistores.
Este documento presenta los fundamentos de electrónica para la carrera de Ingeniería Biomédica en la Universidad Politécnica de Chiapas. Divide las hojas de especificaciones de componentes electrónicos en valores nominales, máximos y características térmicas y eléctricas. Estas características eléctricas se subdividen en estado de encendido, apagado, pequeña señal de corriente continua y corriente alterna.
El diodo Zener se utiliza en polarización inversa y mantiene un voltaje constante a pesar de variaciones en la corriente. Funciona en la "zona de ruptura" donde un pequeño aumento en el voltaje negativo produce un gran cambio en la corriente. Se usa como regulador de voltaje ya que mantiene un voltaje fijo determinado por su diseño, independientemente de cambios en la fuente de alimentación o carga.
Este documento describe los diferentes tipos de redes de acceso, incluyendo redes de cobre, cable y fibra. Explica las tecnologías XDSL para aumentar la transmisión de datos a través del par de cobre, como ADSL y VDSL2. También describe las redes HFC y la tecnología DOCSIS, así como el acceso a través de fibra óptica utilizando arquitecturas FTTx y PON. Finalmente, discute brevemente la regulación de los servicios de acceso al bucle de abonado.
Niveles de Resistencia en Corriente Directa o Estática, Resistencia en Corriente Alterna o Dinámica y Resistencia Promedio en Corriente Alterna en Diodos
La fibra óptica transmite luz para comunicaciones a larga distancia y de alta velocidad. Funciona mediante la reflexión interna total de la luz dentro del núcleo de vidrio o plástico. Se clasifican en fibras multimodo y monomodo. Se usan principalmente para internet, telefonía y otras aplicaciones de red. Deben instalarse y probarse correctamente para evitar atenuación de la señal.
Másters en los Estudios de Informática, Multimedia y Telecomunicación de la UOCrclariso
Presentación de los Másters de los Estudios de Informática, Multimedia y Telecomunicación de la UOC, con émfasis en los Másters Universitarios (Ingeniería Informática, Ingeniería de Telecomunicación, Aplicaciones Multimedia, Software Libre y Seguridad en las TIC)
Este documento describe diferentes tipos de redes de fibra óptica, incluyendo sus componentes, ventajas y desventajas. Explica redes como FDDI, Fast Ethernet, Gigabit Ethernet y SDH/SONET, detallando sus características clave. Finalmente, concluye que aunque la fibra óptica permite redes de alta velocidad y seguridad, todavía es difícil acceder a ellas debido a sus altos costos y cobertura limitada.
Diseñar redes locales empresariales incorporando tecnologías acordes a los requerimientos de los servicios de una red actual.
Brindar soporte, balances de carga y puesta a punto de redes Ethernet corporativas.
Planificar e implementar redes Ethernet para diferentes tipos de organizaciones.
Diseñar e implementar soluciones de cableado estructurado.
Proponer soluciones de red que involucren tecnologías LAN y WLAN.
Configurar e instalar servicios de VoIP
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Los tres documentos proporcionan especificaciones técnicas de diferentes transistores, incluyendo su tipo de canal, voltaje de ruptura, corriente de drenaje, resistencia en conducción y estilo de encapsulado. El cuarto documento describe las características de los transistores S8050 S8550, incluyendo su lugar de origen, marca y familia. El quinto documento es un enlace a un transistor amplificador de silicio npn.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo JFETs, MOSFETs, bipolares, HEMTs y de potencia RF. Explica sus características y usos principales, como la amplificación de señales, conmutación y potencia en aplicaciones de radiofrecuencia.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Explica que los transistores reemplazaron a las válvulas termoiónicas y permitieron la creación de dispositivos electrónicos portátiles como radios y televisores. Describe varios tipos comunes de transistores como bipolares, MOSFET, JFET y fototransistores.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo JFET, MOSFET, bipolares, de potencia y fototransistores. Explica sus características básicas como la forma en que funcionan, sus terminales y aplicaciones comunes. También incluye tablas con especificaciones técnicas de varios transistores.
Este documento resume los principios básicos de la capa física, incluyendo los medios físicos de transmisión de información, como cables metálicos, coaxiales y de fibra óptica. También explica conceptos como modulación, multiplexación y estándares de comunicaciones como RDSI.
Este documento resume los principios básicos de la capa física, incluyendo los medios físicos de transmisión de información, como cables metálicos, coaxiales y de fibra óptica. También explica conceptos como modulación, multiplexación y estándares de comunicaciones como RDSI.
El documento proporciona información sobre un plan de evaluación para la interpretación de documentación técnica de un plano y diagrama técnico. Incluye una lista de resistores, capacitores, semiconductores y otros componentes identificados en los documentos a interpretar. También describe los pasos para fabricar un circuito impreso casero y las herramientas y materiales necesarios.
El documento contiene especificaciones técnicas para trampas de onda, incluyendo condiciones ambientales, características generales, ítems de suministro y no suministro, observaciones técnicas, pruebas de fábrica y desviaciones técnicas. Se describen tres ítems de trampas de onda con diferentes rangos de frecuencia, inductancias nominales, diámetros y alturas. El documento también incluye hojas de datos técnicos detallados para cada ítem.
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y especificaciones técnicas. Describe transistores JFET, MOSFET, bipolares y IGBT, y proporciona detalles como voltaje de ruptura, corriente, ganancia, estilo de caja y temperatura de funcionamiento. También incluye enlaces a recursos adicionales sobre transistores.
Este documento describe el funcionamiento y características de los transistores MOSFET. Explica que los MOSFET tienen cuatro partes principales (puerta, fuente, drenador y cuerpo) y funcionan como interruptores controlados por tensión, conduciendo corriente entre fuente y drenador solo cuando se aplica una tensión de umbral a la puerta. También compara los MOSFET de enriquecimiento y deplexión, y proporciona curvas características e instrucciones sobre cómo polarizarlos correctamente.
Este documento presenta el diagrama esquemático y los componentes necesarios para construir un amplificador de 180W utilizando el circuito integrado TDA7294. Incluye una lista de materiales, valores recomendados para los componentes, diagramas de conexión y consejos para la construcción y resolución de problemas.
Este documento contiene información técnica sobre varios tipos de transistores, incluidos MOSFET, BJT, JFET y transistores de potencia. Describe brevemente el funcionamiento de cada tipo de transistor y proporciona especificaciones como voltaje máximo, corriente, encapsulado y aplicaciones típicas.
Este documento contiene información técnica sobre diferentes tipos de diodos, incluyendo sus características de voltaje, corriente y luminosidad. Se proporcionan detalles sobre diodos LED SMD, diodos zener de 3W, diodos rectificadores de potencia, fotodiodos y diodos varicap SOD523.
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus especificaciones técnicas como polaridad, voltaje máximo, corriente, ganancia y encapsulado. Describe transistores bipolares NPN y PNP, MOSFET de tipo P y N, y JFET, que cumplen funciones como amplificadores, conmutadores y rectificadores en una variedad de dispositivos electrónicos.
Este documento contiene especificaciones técnicas de varios transistores comunes, incluyendo el 2N3819, 2N3055, BD712, BD678 y TIP3055. Proporciona detalles clave como la polaridad, voltajes máximos, corrientes, disipación de potencia, ganancia y encapsulado de cada transistor.
Revista "La Ciencia de la Ingeniería al descubierto."PamelaSalazar32
Los documentos describen diferentes familias lógicas de circuitos digitales, incluyendo TTL, CMOS, RTL, DTL, IIL, ECL. Cada familia se caracteriza por su tecnología subyacente, niveles lógicos, velocidad, consumo de energía y otros factores. Las familias más comunes son TTL, CMOS, ECL debido a su alta velocidad y bajo consumo de energía en el caso de CMOS.
Los documentos presentan información técnica sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo MOSFET, NPN bipolar, JFET y transistores de potencia. Se describen sus características, especificaciones y usos comunes. Los transistores son dispositivos electrónicos clave que permiten el control del flujo de corriente eléctrica.
El documento proporciona información técnica sobre el sistema BUS 2, incluyendo descripciones de sus características, principios de funcionamiento, componentes y aplicaciones. Explica que BUS 2 es una evolución del sistema ADS que simplifica la instalación mediante el uso de dos hilos no polarizados y multiplexación en frecuencia. También describe los componentes clave como placas, terminales, distribuidores y su funcionamiento.
Soluciones Examen de Selectividad. Geografía junio 2024 (Convocatoria Ordinar...Juan Martín Martín
Criterios de corrección y soluciones al examen de Geografía de Selectividad (EvAU) Junio de 2024 en Castilla La Mancha.
Soluciones al examen.
Convocatoria Ordinaria.
Examen resuelto de Geografía
conocer el examen de geografía de julio 2024 en:
https://blogdegeografiadejuan.blogspot.com/2024/06/soluciones-examen-de-selectividad.html
http://blogdegeografiadejuan.blogspot.com/
José Luis Jiménez Rodríguez
Junio 2024.
“La pedagogía es la metodología de la educación. Constituye una problemática de medios y fines, y en esa problemática estudia las situaciones educativas, las selecciona y luego organiza y asegura su explotación situacional”. Louis Not. 1993.
2. TRANSISTORES (BJT) - MATRICES
DST3906DJ
Hojas de datos DST3906DJ
Envase estándar 1
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores (BJT) - Matrices
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de transistor 2 PNP (doble)
Corriente de colector (Ic) máx. 200 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 40 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 400 mV a 5 mA, 50 mA
Corriente de corte del colector (máx.) -
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 100 a 10 mA, 1 V
Potencia máxima 300 mW
Frecuencia - Transición 300 MHz
Tipo de montaje Montaje en superficie
Otros nombres DST3906DJ-7DIDKR
3. DST3904DJ
Hojas de datos DST3904DJ
Envase estándar 10,000
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores (BJT) - Matrices
Serie -
Empaquetado Cinta y rollo (TR)
Tipo de transistor 2 NPN (doble)
Corriente de colector (Ic) máx. 200 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 40 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300 mV a 5 mA, 50 mA
Corriente de corte del colector (máx.) -
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 100 a 10 mA, 1 V
Potencia máxima 300 mW
Frecuencia - Transición 300 MHz
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete/Encapsulado SOT-963
Paquete de dispositivo de proveedor SOT-963
Otros nombres DST3904DJ-7DITR
DST3904DJ7
4. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE
JUNTURA (JFET)
2SK275100L
Hojas de datos 2SK275100L View all Specifications
Fotos de productos SOT-23-3
Planos de catálogo Mini Pkg 3-pin
Envase estándar 3,000
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0) 1.4µA a 10 V
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) -
Consumo de corriente (Id) - Máximo 10 mA
Tipo FET Canal N
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS) -
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id 3.5 V a 1µA
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5 pF a 10 V
Resistencia - RDS (activado) -
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete/Encapsulado TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo de proveedor Mini3-G1
Potencia máxima 200 mW
Otros nombres 2SK275100LTR
5. TRANSISTORES DE RF (BJT)
MMBTH10
Hojas de datos MMBTH10
Fotos de productos SOT23
Planos de catálogo SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
PCN Design/Specification Green Encapsulate 15/May/2008
Envase estándar 1
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores de RF (BJT)
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT)
Tipo de transistor NPN
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.)
25 V
Frecuencia - Transición 650 MHz
Cifra de ruido (dB típ. a f) -
Ganancia -
Potencia máxima 300 mW
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 60 a 4 mA, 10 V
Corriente de colector (Ic) máx. 50 mA
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete/Encapsulado TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo de proveedor SOT-23-3
Otros nombres MMBTH10-FDICT