Este documento describe las características y especificaciones de varios transistores y dispositivos electrónicos, incluyendo el MOSFET canal N FB42N20D, el transistor NPN MJ15015, el J-FET canal N MPF102, el transistor NPN 2SC5707, y el transistor NPN 2SC2922. También incluye enlaces a hojas de datos en línea para cada dispositivo.

1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERÍA DE SISTEMAS
FÍSICA ELECTRÓNICA
ESTUDIANTE:
JOELANDY SANDOVAL RUIZ
TUTOR:
ROJAS REÁTEGUI RAUL

2. MOSFET Canal N FB42N20D / IRFB42N20D
200V/44A@25ºC - Encapsulado TO-220

5. Transistor NPN MJ15015 = ECG388 = NTE388 Encapsulado TO-3

9. MPF102 J-FET Canal N (Amplificador de RF)
MPF102 = ECG451 = NTE451= 2N5486 - Encapsulado TO-92

10. Transistor NPN 2SC5707 (C5707) - 2SC5707= NTE2668 = ECG2668
CARACTERÍSTICAS
• Adopción de FBET,
proceso MBIT.
Gran capacidad.
• Voltage de saturación
colector-emisor bajo.
• Commutación de alta
velocidad.
• Alta disipación de
potencia permitida

12. TRANSISTOR NPN 2SC-2922 (C2922) = ECG58 =
NTE58

14. Bibliografía consultada:
http://www.tiendaelectronica.com.ve/transistores/1134-fb42n20d.html
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/IRFB42N20D.pdf
http://www.tiendaelectronica.com.ve/transistores/963-mj15015.html
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/c/0g5hgcz30koit1pc02w0ao95fpwy.pdf
http://www.tiendaelectronica.com.ve/transistores/1304-2sc5707-original.html
http://www.fairchildsemi.com/ds/MP/MPF102.pdf
http://www.tiendaelectronica.com.ve/transistores/1160-2sc2922.html
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/WINGS/2SC2922.pdf