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Aplicaciones 0 1
- 1. UNIVERSIDAD POLITECNICASALESIANAELECTRONICA DE POTENCIAAPLICACIONES DEL TBJ Y FETPAULINA ARGÜELLO O.
- 2. TRANSISTORESEl transistor esun dispositivo que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.
- 3. TRANSISTOR BJTEl transistorde unión bipolar, o BJT por sus siglas eninglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
- 4. Los transistores sonutilizados como interruptores en los circuitos de potencia. Los circuitos de polarización están diseñados para que estosestén completamente saturados (activados) o en corte (desactivados).El estado de conducción se consigue proporcionando suficiente corriente de base para llevar el BJT a saturación. La tensión desaturación colector-emisor típica es de 1V a 2V para un BJT de potencia.Una corriente de base nula hace que el transistor se polarice en corte.
- 5. El transistor bipolarcomo amplificadorEl comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y300.
- 6. Tenemos tres configuracionesdiferentes para la aplicación de lostransistores en los AmplificadoresEMISOR COMUN BASE COMUNCOLECTOR COMUN
- 7. Básicamente un transistor es un semiconductor que puede ser utilizado como amplificador oscilador conmutador o rectificador, igual que los diodos que se basan en conducción se utilizan básicamente para amplificar o bien también puede utilizarse como oscilador, prácticamente un transistor esta en todos los electrodomésticos de hoy en día. Me refiero al transistor de unión bipolar EL BJT (transistor de unión bipolar)
- 8. TRANSISTORES FETEl transistorde efecto campo (Field-Effect Transistor o FET) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal quivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre el drenador y la fuente.
- 9. Así como lostransistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.
- 10. TIPOS DE FETSeconsideran tres tipos principales de FET:• FET de unión (JFET) • FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento) • FET metal óxido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de enriquecimiento). Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta aislada (IGFET, insulated-gate FET).
- 11. PRINCIPALES APLICACIONES DELFET EN LA ELECTRONICA, TELECOMUNICACIONES Y OTRAS RAMASEntre las principales aplicaciones de este dispositivo tenemos:
- 13. PRINCIPALES VENTAJASEstos dispositivosson sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa. * Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. * Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente. * Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.
- 14. * LosFET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor). * La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento. * Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
- 15. DESVENTAJAS * Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. * Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre. * Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.
- 16.