Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares NPN y PNP, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET, e IGBT. Describe las características, símbolos y usos de cada tipo de transistor.
Este documento proporciona una introducción a los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares NPN y PNP, transistores de efecto de campo como JFET y MOSFET, e IGBT. Explica las características y funcionamiento básico de cada tipo de transistor, así como sus aplicaciones comunes. También discute parámetros importantes como tensión máxima, ganancia y área de operación segura.
Este documento proporciona una introducción a los transistores, incluyendo los transistores bipolares NPN y PNP, los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET, y los transistores IGBT. Explica las características, símbolos y usos de cada tipo de transistor, así como sus parámetros clave. También describe las diferencias entre los transistores bipolares e IGBT en comparación con los MOSFET para aplicaciones de potencia.
Este documento presenta varios circuitos electrónicos para diferentes aplicaciones como amplificadores, osciladores, fuentes de alimentación y más. Cada circuito viene acompañado de una breve descripción de su función y componentes clave. En total se muestran 21 circuitos diferentes.
El documento describe los principales componentes y parámetros de un receptor de radiofrecuencia. Explica que un receptor es un dispositivo que amplifica y demodula señales de RF para obtener la información contenida. Luego describe los diferentes tipos de clasificaciones de receptores y los principales parámetros normalizados como sensibilidad, selectividad, rechazo de frecuencia imagen y distorsión. Finalmente, explica algunos tipos comunes de distorsión como modulación cruzada e intermodulación.
Este documento describe los fundamentos básicos de los amplificadores de potencia para audio, incluyendo su evolución desde los amplificadores en clase A hasta los más modernos en clase AB. Explica el diseño y construcción de un amplificador didáctico de potencia de 30W con etapa de entrada y etapa de potencia final en configuración Darlington para funcionar en clase AB mediante un espejo de corriente.
Este documento describe un experimento sobre circuitos rectificadores y voltaje de rizado. El objetivo es conocer el funcionamiento de los circuitos rectificadores y medir el voltaje de rizado para diferentes valores de resistencia de carga y capacitancia. Se explica brevemente el concepto de voltaje de rizado y la fórmula para calcularlo. Luego, se enumeran los materiales y componentes necesarios y se detallan los pasos a seguir en el experimento, midiendo las señales con osciloscopio y tester digital para diferentes configuraciones del circuito
Este documento describe el diseño y funcionamiento de un amplificador de audio de un solo transistor. Consiste en una etapa de preamplificación con un transistor BC548B que amplifica la señal de un micrófono, y una etapa de salida con dos transistores TIP31C y TIP32C que alimentan un altavoz. Se explican los análisis de corriente continua y alterna, así como los modelos híbridos de los transistores utilizados. Finalmente, se muestran las simulaciones del circuito en Proteus.
Un documento describe el diseño de un amplificador de tensión utilizando un transistor BJT. Explica que un amplificador amplifica una pequeña señal de entrada para producir una señal de salida más grande. Luego detalla los cálculos teóricos para diseñar el circuito, incluyendo la polarización del transistor y los valores de las resistencias. Finalmente, compara los resultados teóricos con las mediciones del circuito real para verificar su correcto funcionamiento.
Este documento proporciona una introducción a los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares NPN y PNP, transistores de efecto de campo como JFET y MOSFET, e IGBT. Explica las características y funcionamiento básico de cada tipo de transistor, así como sus aplicaciones comunes. También discute parámetros importantes como tensión máxima, ganancia y área de operación segura.
Este documento proporciona una introducción a los transistores, incluyendo los transistores bipolares NPN y PNP, los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET, y los transistores IGBT. Explica las características, símbolos y usos de cada tipo de transistor, así como sus parámetros clave. También describe las diferencias entre los transistores bipolares e IGBT en comparación con los MOSFET para aplicaciones de potencia.
Este documento presenta varios circuitos electrónicos para diferentes aplicaciones como amplificadores, osciladores, fuentes de alimentación y más. Cada circuito viene acompañado de una breve descripción de su función y componentes clave. En total se muestran 21 circuitos diferentes.
El documento describe los principales componentes y parámetros de un receptor de radiofrecuencia. Explica que un receptor es un dispositivo que amplifica y demodula señales de RF para obtener la información contenida. Luego describe los diferentes tipos de clasificaciones de receptores y los principales parámetros normalizados como sensibilidad, selectividad, rechazo de frecuencia imagen y distorsión. Finalmente, explica algunos tipos comunes de distorsión como modulación cruzada e intermodulación.
Este documento describe los fundamentos básicos de los amplificadores de potencia para audio, incluyendo su evolución desde los amplificadores en clase A hasta los más modernos en clase AB. Explica el diseño y construcción de un amplificador didáctico de potencia de 30W con etapa de entrada y etapa de potencia final en configuración Darlington para funcionar en clase AB mediante un espejo de corriente.
Este documento describe un experimento sobre circuitos rectificadores y voltaje de rizado. El objetivo es conocer el funcionamiento de los circuitos rectificadores y medir el voltaje de rizado para diferentes valores de resistencia de carga y capacitancia. Se explica brevemente el concepto de voltaje de rizado y la fórmula para calcularlo. Luego, se enumeran los materiales y componentes necesarios y se detallan los pasos a seguir en el experimento, midiendo las señales con osciloscopio y tester digital para diferentes configuraciones del circuito
Este documento describe el diseño y funcionamiento de un amplificador de audio de un solo transistor. Consiste en una etapa de preamplificación con un transistor BC548B que amplifica la señal de un micrófono, y una etapa de salida con dos transistores TIP31C y TIP32C que alimentan un altavoz. Se explican los análisis de corriente continua y alterna, así como los modelos híbridos de los transistores utilizados. Finalmente, se muestran las simulaciones del circuito en Proteus.
Un documento describe el diseño de un amplificador de tensión utilizando un transistor BJT. Explica que un amplificador amplifica una pequeña señal de entrada para producir una señal de salida más grande. Luego detalla los cálculos teóricos para diseñar el circuito, incluyendo la polarización del transistor y los valores de las resistencias. Finalmente, compara los resultados teóricos con las mediciones del circuito real para verificar su correcto funcionamiento.
Los amplificadores de potencia amplifican señales y proporcionan potencia a las cargas. Se clasifican por su clase de funcionamiento, tipo de acoplamiento, rango de frecuencias, ancho de banda y nivel de señal. Los amplificadores de potencia tipo A siempre trabajan en la zona activa, mientras que los tipos B y C sólo lo hacen durante parte del ciclo de la señal para mejorar la eficiencia. El acoplamiento determina cómo se conectan las etapas, afectando parámetros como la estabilidad y
Este documento presenta varios circuitos electrónicos para aplicaciones como amplificadores, osciladores, fuentes de alimentación y mezcladores. Incluye diseños simples que utilizan pocos componentes como operacionales, transistores y circuitos integrados. Los circuitos cubren una variedad de funciones como amplificación de audio, generación de formas de onda, medición de señales y conversión analógica-digital.
La primera clasificación que podemos hacer con los amplificadores viene determinada por las frecuencias con las que van a trabajar. Si las frecuencias están comprendidas dentro de la banda audible los amplificadores reciben el nombre de amplificadores de audio frecuencia o amplificadores de Baja frecuencia. (Amplificadores A.F. o amplificadores B.F., respectivamente).
Este documento describe diferentes tipos de multivibradores, incluyendo bistables, monostables y astables. Explica cómo funcionan y cómo se implementan usando transistores discretos o el circuito integrado 555. Incluye ecuaciones para calcular los tiempos de retardo, frecuencias y ciclos de trabajo de cada circuito. También incluye instrucciones paso a paso para simular los diferentes tipos de multivibradores.
Este documento describe diferentes métodos para eliminar la distorsión de cruce en amplificadores de potencia de audio de clase B. Se explican circuitos de polarización que utilizan diodos o resistencias para compensar la caída de tensión en la base de los transistores y evitar que ambos estén en corte simultáneamente. También se analizan los riesgos de deriva térmica y formas de mitigarlos, como usar resistencias de coeficiente térmico negativo o circuitos de polarización ajustables. El objetivo final es diseñar amplificadores de
La radio comenzó de forma industrial y comercial con la primera transmisión comercial y el receptor de radio del siglo pasado. Las primeras transmisiones de radio fueron telegráficas usando código Morse, transmitiendo señales digitales. Más tarde se desarrolló la modulación de amplitud (AM) para transmitir audio modulando la amplitud de la onda portadora de radiofrecuencia, permitiendo que el oído humano escuche la información.
Este documento describe el diseño y simulación de un amplificador de microondas utilizando un transistor BJT. Se selecciona el transistor NE696 y se calculan sus parámetros S a 2.4 GHz. Luego, se realizan cálculos para determinar la estabilidad, las gammas de entrada y salida, y la ganancia total del amplificador, la cual resulta ser 16.362 dB. Finalmente, se muestra el diseño esquemático y las simulaciones del amplificador en Microwave Office, el cual cumple con los objetivos planteados.
El documento presenta varios circuitos electrónicos que incluyen un relé de sobrecorriente, fotorreles de acción positiva y negativa, un detector de líquido o humedad, reles de sobretensión y subtensión, un temporizador de intervalos largos, un detector de paso por cero, amplificadores para transductor piezoeléctrico y fotodiodos, un seguidor de tensión de alta impedancia, un conversor logarítmico compensado de temperatura, un extractor de raíz cuadrada, un multiplicador/divisor, un
Un amplificador es un dispositivo que amplifica la amplitud de un fenómeno utilizando energía. Puede amplificar señales de sonido, aumentando el volumen, o señales eléctricas, incrementando la amplitud de la señal de salida. Existen diferentes clases de amplificadores (A, B, AB, C) que varían en su forma de funcionar y consumo de energía. Los amplificadores integrados comerciales suelen incluir fuentes de alimentación, controles de volumen y etapas de potencia.
Este documento presenta resúmenes de varios circuitos electrónicos, incluyendo un intervalador para limpiaparabrisas, un generador de ruido blanco, y un fotovibrato. También describe una fuente de alimentación de 12V x 4A, un amplificador de 14W, y un oscilador de cuadratura. Finalmente, resume un modulador óptico y un enlace óptico infrarrojo. El documento ofrece información técnica concisa sobre diversos montajes electrónicos.
Diseño de un amplificador con mezclador de 2 canales y vumetrojosefer28051989
Este documento describe el diseño de un amplificador de audio clase A con mezclador de dos canales y vúmetro electrónico. El mezclador utiliza un transistor JFET para mezclar dos señales de audio de entrada en una sola señal de salida. Esta señal se envía a un amplificador de clase A de 3 watts para amplificarla sin ruido. El circuito incluye un vúmetro electrónico con LEDs que indican el nivel de volumen de la señal de salida.
Este documento presenta un estudio detallado de circuitos rectificadores utilizando diodos. Se estudian diferentes configuraciones de circuitos rectificadores como rectificador de media onda, rectificador de onda completa, rectificador en puente y restaurador de DC. Se miden y comparan parámetros como la eficiencia de rectificación, el factor de rizo y el voltaje inverso pico para cada configuración. Finalmente, se presentan conclusiones sobre la importancia del parámetro voltaje inverso pico y las ventajas e inconvenientes de cada configuración rect
El documento describe los transistores, incluyendo que están compuestos de tres bloques de materiales semiconductores dispuestos alternadamente y que existen los transistores tipo NPN y PNP. Explica que la operación de los transistores depende del movimiento de electrones y huecos y cómo se representan con símbolos. Además, detalla los principios básicos de funcionamiento de los transistores y sus aplicaciones como amplificadores.
Este documento presenta varios circuitos electrónicos, incluyendo un amplificador para micrófono, un mezclador de tres entradas con un operacional 741, y un latch de tercer estado para un bit único. Los circuitos cubren aplicaciones como instrumentación, audio, y lógica digital.
Este documento describe los amplificadores clase B, los cuales usan pares de transistores para obtener una señal completa de salida con mejor rendimiento que los amplificadores clase A. Explica dos tipos de circuitos clase B: circuitos contrafase que usan transformadores, y circuitos Push-Pull que no usan transformadores para evitar limitaciones de ancho de banda. También describe cómo polarizar los transistores para minimizar distorsión en la señal de salida.
El documento presenta información básica sobre los transistores bipolares de unión (BJT). Explica que los BJT son componentes electrónicos cuyo propósito principal es la amplificación de corriente mediante la regulación de la corriente de entrada y el factor de ganancia. Describe los tipos de BJT, sus terminales, la polarización típica de los BJT de tipo NPN y PNP, y cómo funcionan los BJT como amplificadores de corriente. También cubre el cálculo de parámetros eléctricos de
Este documento describe los conceptos básicos de las interfaces de computadora. Explica que una computadora acepta información de entrada, la procesa, almacena y transmite resultados, y que está compuesta de hardware y software. También describe los bloques funcionales de una computadora, la arquitectura de entrada y salida de datos, y los periféricos que permiten la comunicación. Finalmente, explica por qué se usan las interfaces y sus funciones específicas como el control del flujo de información y la detección de errores.
El transistor de unión bipolar (BJT) consiste en dos uniones PN muy cercanas que permiten controlar la corriente a través de sus terminales. Está formado por tres regiones semiconductoras dopadas - emisor, base y colector - entre las cuales la corriente puede circular. Los BJTs se usan comúnmente en electrónica analógica y algunas aplicaciones digitales como TTL o BICMOS, y existen dos tipos principales: NPN y PNP.
Este documento presenta información básica sobre tiristores. Explica que los tiristores son dispositivos semiconductores que se activan o desactivan de forma electrónica y se usan para controlar grandes corrientes y voltajes. Describe los principales tipos de tiristores como SCR, DIAC y TRIAC. También cubre la estructura interna, terminales y aplicaciones de los tiristores para corriente directa y alterna.
Los amplificadores de potencia amplifican señales y proporcionan potencia a las cargas. Se clasifican por su clase de funcionamiento, tipo de acoplamiento, rango de frecuencias, ancho de banda y nivel de señal. Los amplificadores de potencia tipo A siempre trabajan en la zona activa, mientras que los tipos B y C sólo lo hacen durante parte del ciclo de la señal para mejorar la eficiencia. El acoplamiento determina cómo se conectan las etapas, afectando parámetros como la estabilidad y
Este documento presenta varios circuitos electrónicos para aplicaciones como amplificadores, osciladores, fuentes de alimentación y mezcladores. Incluye diseños simples que utilizan pocos componentes como operacionales, transistores y circuitos integrados. Los circuitos cubren una variedad de funciones como amplificación de audio, generación de formas de onda, medición de señales y conversión analógica-digital.
La primera clasificación que podemos hacer con los amplificadores viene determinada por las frecuencias con las que van a trabajar. Si las frecuencias están comprendidas dentro de la banda audible los amplificadores reciben el nombre de amplificadores de audio frecuencia o amplificadores de Baja frecuencia. (Amplificadores A.F. o amplificadores B.F., respectivamente).
Este documento describe diferentes tipos de multivibradores, incluyendo bistables, monostables y astables. Explica cómo funcionan y cómo se implementan usando transistores discretos o el circuito integrado 555. Incluye ecuaciones para calcular los tiempos de retardo, frecuencias y ciclos de trabajo de cada circuito. También incluye instrucciones paso a paso para simular los diferentes tipos de multivibradores.
Este documento describe diferentes métodos para eliminar la distorsión de cruce en amplificadores de potencia de audio de clase B. Se explican circuitos de polarización que utilizan diodos o resistencias para compensar la caída de tensión en la base de los transistores y evitar que ambos estén en corte simultáneamente. También se analizan los riesgos de deriva térmica y formas de mitigarlos, como usar resistencias de coeficiente térmico negativo o circuitos de polarización ajustables. El objetivo final es diseñar amplificadores de
La radio comenzó de forma industrial y comercial con la primera transmisión comercial y el receptor de radio del siglo pasado. Las primeras transmisiones de radio fueron telegráficas usando código Morse, transmitiendo señales digitales. Más tarde se desarrolló la modulación de amplitud (AM) para transmitir audio modulando la amplitud de la onda portadora de radiofrecuencia, permitiendo que el oído humano escuche la información.
Este documento describe el diseño y simulación de un amplificador de microondas utilizando un transistor BJT. Se selecciona el transistor NE696 y se calculan sus parámetros S a 2.4 GHz. Luego, se realizan cálculos para determinar la estabilidad, las gammas de entrada y salida, y la ganancia total del amplificador, la cual resulta ser 16.362 dB. Finalmente, se muestra el diseño esquemático y las simulaciones del amplificador en Microwave Office, el cual cumple con los objetivos planteados.
El documento presenta varios circuitos electrónicos que incluyen un relé de sobrecorriente, fotorreles de acción positiva y negativa, un detector de líquido o humedad, reles de sobretensión y subtensión, un temporizador de intervalos largos, un detector de paso por cero, amplificadores para transductor piezoeléctrico y fotodiodos, un seguidor de tensión de alta impedancia, un conversor logarítmico compensado de temperatura, un extractor de raíz cuadrada, un multiplicador/divisor, un
Un amplificador es un dispositivo que amplifica la amplitud de un fenómeno utilizando energía. Puede amplificar señales de sonido, aumentando el volumen, o señales eléctricas, incrementando la amplitud de la señal de salida. Existen diferentes clases de amplificadores (A, B, AB, C) que varían en su forma de funcionar y consumo de energía. Los amplificadores integrados comerciales suelen incluir fuentes de alimentación, controles de volumen y etapas de potencia.
Este documento presenta resúmenes de varios circuitos electrónicos, incluyendo un intervalador para limpiaparabrisas, un generador de ruido blanco, y un fotovibrato. También describe una fuente de alimentación de 12V x 4A, un amplificador de 14W, y un oscilador de cuadratura. Finalmente, resume un modulador óptico y un enlace óptico infrarrojo. El documento ofrece información técnica concisa sobre diversos montajes electrónicos.
Diseño de un amplificador con mezclador de 2 canales y vumetrojosefer28051989
Este documento describe el diseño de un amplificador de audio clase A con mezclador de dos canales y vúmetro electrónico. El mezclador utiliza un transistor JFET para mezclar dos señales de audio de entrada en una sola señal de salida. Esta señal se envía a un amplificador de clase A de 3 watts para amplificarla sin ruido. El circuito incluye un vúmetro electrónico con LEDs que indican el nivel de volumen de la señal de salida.
Este documento presenta un estudio detallado de circuitos rectificadores utilizando diodos. Se estudian diferentes configuraciones de circuitos rectificadores como rectificador de media onda, rectificador de onda completa, rectificador en puente y restaurador de DC. Se miden y comparan parámetros como la eficiencia de rectificación, el factor de rizo y el voltaje inverso pico para cada configuración. Finalmente, se presentan conclusiones sobre la importancia del parámetro voltaje inverso pico y las ventajas e inconvenientes de cada configuración rect
El documento describe los transistores, incluyendo que están compuestos de tres bloques de materiales semiconductores dispuestos alternadamente y que existen los transistores tipo NPN y PNP. Explica que la operación de los transistores depende del movimiento de electrones y huecos y cómo se representan con símbolos. Además, detalla los principios básicos de funcionamiento de los transistores y sus aplicaciones como amplificadores.
Este documento presenta varios circuitos electrónicos, incluyendo un amplificador para micrófono, un mezclador de tres entradas con un operacional 741, y un latch de tercer estado para un bit único. Los circuitos cubren aplicaciones como instrumentación, audio, y lógica digital.
Este documento describe los amplificadores clase B, los cuales usan pares de transistores para obtener una señal completa de salida con mejor rendimiento que los amplificadores clase A. Explica dos tipos de circuitos clase B: circuitos contrafase que usan transformadores, y circuitos Push-Pull que no usan transformadores para evitar limitaciones de ancho de banda. También describe cómo polarizar los transistores para minimizar distorsión en la señal de salida.
El documento presenta información básica sobre los transistores bipolares de unión (BJT). Explica que los BJT son componentes electrónicos cuyo propósito principal es la amplificación de corriente mediante la regulación de la corriente de entrada y el factor de ganancia. Describe los tipos de BJT, sus terminales, la polarización típica de los BJT de tipo NPN y PNP, y cómo funcionan los BJT como amplificadores de corriente. También cubre el cálculo de parámetros eléctricos de
Este documento describe los conceptos básicos de las interfaces de computadora. Explica que una computadora acepta información de entrada, la procesa, almacena y transmite resultados, y que está compuesta de hardware y software. También describe los bloques funcionales de una computadora, la arquitectura de entrada y salida de datos, y los periféricos que permiten la comunicación. Finalmente, explica por qué se usan las interfaces y sus funciones específicas como el control del flujo de información y la detección de errores.
El transistor de unión bipolar (BJT) consiste en dos uniones PN muy cercanas que permiten controlar la corriente a través de sus terminales. Está formado por tres regiones semiconductoras dopadas - emisor, base y colector - entre las cuales la corriente puede circular. Los BJTs se usan comúnmente en electrónica analógica y algunas aplicaciones digitales como TTL o BICMOS, y existen dos tipos principales: NPN y PNP.
Este documento presenta información básica sobre tiristores. Explica que los tiristores son dispositivos semiconductores que se activan o desactivan de forma electrónica y se usan para controlar grandes corrientes y voltajes. Describe los principales tipos de tiristores como SCR, DIAC y TRIAC. También cubre la estructura interna, terminales y aplicaciones de los tiristores para corriente directa y alterna.
Los tiristores son dispositivos semiconductores de potencia que funcionan como conmutadores biestables. Tienen tres terminales - ánodo, cátodo y compuerta - y conducen electricidad cuando se aplica una corriente a la compuerta, siempre que el ánodo tenga mayor potencial que el cátodo. Existen varios tipos de tiristores como los GTO que pueden apagarse aplicando una pulsación a la compuerta, a diferencia de los SCR convencionales.
TRANSISTORES DE JUNTURA, BIPOLARES UNIDAD ILuis Miguel Q
El documento describe el transistor bipolar de unión (TBJ), que consta de tres terminales (emisor, base y colector) y dos junturas PN. Tiene la propiedad de controlar la corriente de salida mediante la corriente de entrada. Se describen los transistores NPN y PNP, así como sus cuatro regiones operativas: activa, inversa, de corte y de saturación. Finalmente, se mencionan factores que afectan la ganancia de corriente y se incluyen curvas características del transistor.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen varios tipos de transistor como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar y el transistor de efecto de campo. El transistor se encuentra en muchos aparatos electrónicos y ha permitido el desarrollo de la electrónica moderna.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar (NPN y PNP), transistores de efecto de campo (JFET, MOSFET, IGFET), y explica brevemente sus características y aplicaciones fundamentales.
El documento describe la historia y el concepto del transistor. Explica que los transistores reemplazaron a las válvulas y permitieron el desarrollo de la electrónica moderna. Luego describe los diferentes tipos de transistores como los bipolares, de efecto de campo y fototransistores, y sus usos comunes en dispositivos electrónicos. Finalmente, incluye un glosario de términos relacionados con los transistores.
Este documento lista diferentes tipos de transistores como el JFET, MOSFET, fototransistor, transistor de contacto puntual y transistor de unión bipolar. Brevemente describe cada uno, destacando que los transistores son dispositivos electrónicos semiconductores que cumplen funciones como amplificación, oscilación, conmutación o rectificación, y que el MOSFET es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo:
1) Transistores bipolares de unión (BJT), que consisten en dos uniones PN muy cercanas que permiten controlar el paso de corriente a través de sus terminales.
2) Los transistores de efecto de campo (FET), como los JFET y MOSFET, que tienen tres terminales (puerta, fuente y drenaje) y cuyo funcionamiento depende del campo eléctrico.
3) Los transistores bipolares de unión heterojuntura (HBT), que se us
El documento explica los conceptos básicos de los triacs y UJTs. Un triac es un dispositivo semiconductor bidireccional que puede conducir en ambas direcciones y ser bloqueado mediante la inversión de tensión o la disminución de la corriente. Los triacs se usan comúnmente para controlar el flujo de corriente alterna a una carga. Un UJT es un tipo de tiristor de dos zonas que exhibe una modulación de resistencia y se usa comúnmente para generar pulsos en diente de sierra para controlar triacs y
Un transistor funciona como un interruptor que puede estar abierto u cerrado dependiendo si se encuentra en la región de corte o saturación. Para usarlo como amplificador, debe polarizarse entre estas dos regiones para que las señales de entrada y salida estén desfasadas 180 grados, amplificando la señal de entrada.
Este documento describe diferentes tipos de tiristores, incluyendo sus características de control, ventajas, desventajas, frecuencias de operación y rangos de voltaje y corriente. Los tiristores discutidos incluyen SCR, BCT, LASCR, TRIAC, SCR de apagado rápido, GTO, MTO, ETO, IGCT, MCT y SITH.
Este documento proporciona información sobre tres dispositivos de electrónica de potencia: el SCR (Silicon Controlled Rectifier), TRIAC (Triode for Alternative Current) y DIAC (Diode for Alternative Current Triggering). Describe las características, especificaciones, curvas de características, métodos de encendido y apagado y aplicaciones principales de cada dispositivo.
El documento describe las diferentes configuraciones del transistor bipolar de unión (BJT), incluyendo: 1) la configuración de base común, 2) la configuración de emisor común, y 3) la configuración de colector común. También explica los principios básicos de operación del BJT y sus características en cada configuración.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión (BJT) y transistores de efecto de campo (FET). Explica la construcción y operación básica de los BJT, incluyendo las regiones de corte, lineal y saturación. También cubre las configuraciones básicas de los BJT como base común, emisor común y colector común.
Este documento describe la estructura y funcionamiento del transistor bipolar de unión (BJT). Explica que el BJT fue inventado en los laboratorios Bell en 1947 y consiste en tres capas semiconductoras dopadas de forma diferente: emisor, base y colector. La capa del emisor está fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector poco dopado. También define parámetros como la ganancia de corriente beta y el alfa, y explica cómo se polariza el BJT para su funcionamiento.
Este documento proporciona una introducción a los transistores, incluyendo los transistores bipolares NPN y PNP, los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET, y los transistores IGBT. Explica las características, símbolos y usos de cada tipo de transistor, así como consideraciones importantes como la protección de la puerta en los MOSFET.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares NPN y PNP, transistores de efecto de campo JFET y MOSFET, y sus características. Explica cómo funcionan los transistores bipolares como interruptores y sus usos en electrónica de potencia y electrónica digital. También resume los parámetros clave proporcionados por los fabricantes para los transistores bipolares.
Este documento proporciona una introducción a los transistores, incluyendo los transistores bipolares NPN y PNP, los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET, y los transistores IGBT. Explica las características, símbolos y usos de cada tipo de transistor, así como sus parámetros clave. También describe las diferencias entre los transistores bipolares e IGBT en comparación con los MOSFET para aplicaciones de potencia.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares NPN y PNP. Explica el principio de funcionamiento del transistor bipolar, sus características eléctricas como la corriente de base, corriente de colector y tensión colector-emisor, y sus zonas de funcionamiento. También cubre el fototransistor y concluye que los transistores bipolares son similares excepto por la rapidez, siendo el NPN más rápido que el PNP.
En esta presentación se define al transistor, y como es su polarización cuando es un NPN o PNP. Se muestra situación en donde se usa el transistor y su simulación en EWB.
Modalidad Informatica - Transistores 10 G Beller SuarezBeller Suarez
El documento proporciona información sobre transistores. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores de estado sólido que facilitan el diseño de circuitos electrónicos pequeños y versátiles. Describe las clasificaciones principales de transistores, como los bipolares y de efecto campo, y proporciona detalles sobre la estructura y funcionamiento de los transistores NPN y PNP. También cubre temas como las curvas de trabajo, configuraciones de amplificación y métodos para identificar y probar transistores.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, su estructura y funcionamiento. Explica que los transistores permiten controlar una corriente grande con una señal pequeña y menciona los transistores NPN y PNP, describiendo su polarización y zonas de trabajo como corte, saturación y activa. También define los transistores de baja y alta potencia.
Los transistores son dispositivos semiconductores que se utilizan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores. El transistor bipolar fue inventado en 1947 y reemplazó a las válvulas termoiónicas. Existen varios tipos de transistores, incluidos los bipolares NPN y PNP, los de efecto de campo (FET) y los de óxido metálico-semiconductor (MOSFET).
El documento explica cómo funciona un transistor como interruptor o switch. Indica que para que el transistor entre en corte, la corriente de base debe ser baja o nula, mientras que para la saturación, la corriente de base depende de la carga entre el encendido y apagado. También muestra cómo calcular el valor de la resistencia de base para que un circuito funcione como interruptor y conecte o desconecte un voltaje aplicado.
Este documento describe el transistor bipolar de unión (BJT). Explica que el BJT tiene tres terminales (base, colector y emisor) y puede usarse como interruptor, amplificador o en circuitos digitales y de memoria. También define términos clave como la ganancia β y las regiones de operación del BJT (corte, saturación y activa).
El documento describe el funcionamiento del transistor bipolar, incluyendo su principio de funcionamiento, tipos (NPN y PNP), características eléctricas y aplicaciones. Explica que el transistor bipolar está formado por dos uniones PN y funciona como interruptor controlado por la corriente de base. Los transistores NPN son más rápidos que los PNP debido a la mayor movilidad de los electrones.
El documento describe el funcionamiento básico del transistor, un dispositivo semiconductor que permite controlar una corriente grande con una señal pequeña. Explica que existen dos tipos principales de transistores, NPN y PNP, y describe su estructura y polarización. También define las tres zonas de trabajo de un transistor: corte, saturación y activa, y cómo varían los parámetros eléctricos en cada zona.
El transistor es un componente electrónico clave que inició una revolución en la electrónica. Permite amplificar señales y funciona como interruptor para dejar pasar o cortar corrientes eléctricas usando una pequeña señal de control. Existen dos tipos básicos: los transistores bipolares (BJT) que constan de tres cristales semiconductores unidos, y los de efecto campo (FET) que controlan el flujo de corriente. El transistor bipolar puede encontrarse en tres estados de funcionamiento: corte, activo y saturación, determin
El transistor es un componente electrónico clave que inició una revolución en la electrónica. Funciona como un interruptor o amplificador controlado por una pequeña señal de entrada. Existen dos tipos básicos: los transistores bipolares, compuestos de tres cristales semiconductores unidos, y los transistores de efecto de campo. Los transistores bipolares pueden encontrarse en tres estados de funcionamiento - corte, activo o saturado - dependiendo de la corriente que pase por su base.
El transistor es un componente electrónico clave que inició una revolución en la electrónica. Funciona como un interruptor o amplificador controlado por una pequeña señal de entrada. Existen dos tipos básicos: el transistor bipolar, compuesto de tres cristales semiconductores unidos, y el transistor de efecto de campo. El transistor bipolar puede encontrarse en tres estados: corte, cuando no conduce; activo, cuando conduce parcialmente en proporción a la señal de entrada; y saturación, cuando conduce totalmente.
El transistor es un componente electrónico clave que inició una revolución en la electrónica. Funciona como un interruptor o amplificador controlado por una pequeña señal de entrada. Existen dos tipos básicos: el transistor bipolar, compuesto de tres cristales semiconductores unidos, y el transistor de efecto de campo. El transistor bipolar puede encontrarse en tres estados: corte, cuando no conduce; activo, cuando conduce parcialmente en proporción a la señal de entrada; y saturación, cuando conduce totalmente.
El transistor es un componente electrónico clave que inició una revolución en la electrónica. Funciona como un interruptor o amplificador controlado por una pequeña señal de entrada. Existen dos tipos básicos: los transistores bipolares, compuestos de tres cristales semiconductores unidos, y los transistores de efecto de campo. Los transistores bipolares pueden encontrarse en tres estados de funcionamiento - corte, activo y saturación - dependiendo de la corriente que pasa por su base.
Este documento describe las características y aplicaciones de los transistores de base común. Explica que en esta configuración, la señal se aplica al emisor y se extrae por el colector, mientras que la base está conectada a masa tanto en la entrada como en la salida. Suele usarse para adaptar fuentes de baja impedancia, como micrófonos dinámicos. También describe las características de entrada, salida y el símbolo de los transistores, así como su construcción y polarización en la zona activa.
Este documento proporciona información básica sobre los transistores. Explica que un transistor está formado por tres capas de material semiconductor dispuestas en forma de sándwich y tiene tres terminales: emisor, base y colector. Describe cómo la corriente de base controla el paso de corriente entre el colector y el emisor, y define las zonas de funcionamiento del transistor: corte, activa y saturación. También cubre la polarización del transistor y las curvas características que representan su comportamiento.
2. TRANSISTORES
NPN
BIPOLARES
PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
2
3. TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
Base En principio un transistor bipolar está formado por
dos uniones PN.
(B)
Emisor
Colector Para que sea un transistor y no dos diodos deben
N P N (E) de cumplirse dos condiciones.
(C)
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
C E (Fundamental para que sea transistor).
SÍMBOLO 2.- El emisor debe de estar muy dopado.
B
Normalmente, el colector está muy poco dopado y
C es mucho mayor.
N-
P N+
Descubiertos por
B E Shockley, Brattain
ASPECTO MAS REAL DE UN y Barden en 1947
TRANSISTOR BIPOLAR (Laboratorios Bell)
3
4. CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN
C
IC [mA]
B
IB [mA] =
E 30
3000
ZONA DE SATURACIÓN: = 100 ZONA ACTIVA:
Comportamiento como 2000 20 Comportamiento
interruptor cerrado. como Fuente de
1000 10 Corriente.
0
VCE
ZONA DE CORTE:
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:
Comportamiento
Emisor y colector intercambias papeles. como interruptor
Podemos tener una INVERSA, que en el abierto.
dispositivo ideal consideraremos cero
4
5. USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I = 100
40 mA
IC
Sustituimos el interruptor principal por
un transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturación. PF (ON) 3 A ON
Ventajas: OFF
No desgaste, sin
chispas, rapidez, permite control desde
sistema lógico. 12 V VCE
PF (OFF)
Electrónica de Potencia y Electrónica
digital
5
6. USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor
12 V = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un transistor. 4A IB = 40 mA
La corriente de base (ahora circula al PF (ON) 3 A ON
reves) debe ser suficiente para asegurar
la zona de saturación. OFF
12 V VEC
PF (OFF)
6
7. CARACTERÍSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP
Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
VCE1 VCE2 CMax
VCE = 0
IB5
Saturación IB4 PMax = VCEIC
IB3
Avalancha
IB2 Primaria
IB1
VBE IB= 0
1V VCEMax VCE
Característica
Corte
de Entrada
Característica
de Salida
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8. TRANSISTOR BIPOLAR:
PARÁMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
IC
C
IC-MAX Corriente máxima de colector
ICMAX B
VCE-MAX Tensión máxima CE E
PMAX Potencia máxima PMAX
VCE-SAT Tensión C.E. de saturación SOAR
VCE-MAX
HFE Ganancia
VCE
Área de operación segura
(Safety Operation Area)
8
10. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)
CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patentó el concepto de "Field Effect Transistor".
20 años antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
10
11. TRANSISTORES MOSFET
(MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor )
CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO-
CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
Dr Martín Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer
MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
11
12. Aislante (Si O2)
TRANSISTOR MOSFET - canal N
Puerta Fuente
Drenador (Gate) (Source) Substrato
(Drain) (Substrate)
N N
SECCIÓN
P
Canal
(Channel)
VISTA SUPERIOR
12
13. TRANSISTOR MOSFET - canal N
D G S
Substrato
N N
NOTAR QUE EN
P PRINCIPIO ES UN
DISPOSITIVO
SIMÉTRICO
NOTAR:
D De momento, vamos a olvidarnos
del substrato.
METAL
OXIDO Posteriormente veremos que hacer
SEMICONDUCTOR Substrato con este terminal "inevitable" para
que no afecte a la operación del
G dispositivo.
SÍMBOLO ¡¡Que no moleste!!
S
13
14. MOSFET DE CANAL N (Característica real de salida)
ZONA COMPORTAMIENTO
D FUENTE DE CORRIENTE
ID
Substrato UGS[V]
G
+15
S +10
+5
0
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO
COMO ANTES, LA TENSIÓN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.
14
15. MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)
D
G S Substrato
canal
N N
P
D Se observa que los diodos juegan un papel secundario en
la operación del dispositivo.
Canal.
Substrato Debemos asegurar que nunca entren en operación.
Aparece entre D y S
en paralelo a los S EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del
diodos iniciales circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).
En los circuitos integrados se conectará el SUBSTRATO a
la alimentación negativa
15
16. MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)
Se une con S
D
G S
Substrato
canal
N N
P
D
D D
G
S S
S
¡¡¡ AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMÉTRICO !!!
16
17. MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)
COMENTARIO:
D D
Aunque a veces se dibuje el símbolo
con un diodo, tener en cuenta que NO
ES UN COMPONENTE APARTE.
ID UGS[V]
G G
=+15 V
S =+10 V
S
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VDS
(Substrato - Drenador)
17
18. MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)
La puerta (G) es muy sensible.
D
Puede perforarse con tensiones
bastante pequeñas (valores ID
típicos de 30 V).
No debe dejarse nunca al aire y
debe protegerse adecuadamente. - 30 V + 30 V VGS
G
S
CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!
18
19. USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I
La puerta no puede
quedar al aire
(debe protegerse)
ID
4A UGS= 12 V
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor. PF (ON) 3 A ON
¡¡¡ LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA OFF
(MUY PEQUEÑA) !!!
12 V VDS
PF (OFF)
19
20. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
C
G
E
Combinación de MOSFET y transistor
Bipolar que aúna las ventajas de los
dos:
La facilidad de gobierno del
MOSFET
El buen comportamiento como
interruptor de BIPOLAR
Dispositivo reciente muy importante
en Electrónica de Potencia
Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982
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