Los transistores son elementos electrónicos que han permitido el diseño de circuitos más pequeños, versátiles y fáciles de controlar. Sustituyeron a las antiguas válvulas termoiónicas y facilitaron la construcción de dispositivos portátiles como radios y televisores. Los transistores más comunes son los JFET, MOSFET y BJT, los cuales controlan el flujo de corriente eléctrica mediante campos eléctricos.

2. Los transistores son unos elementos que han
facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos
electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y
facilidad de control.

3. Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas
de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la
construcción de receptores de
radio portátiles llamados comúnmente "transistores",
televisores que se encendían en un par de segundos,
televisores en color... Antes de aparecer los transistores,
los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones
bastante altas, tardaban más de 30 segundos en
empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar
a pilas, debido al gran consumo que tenían.

4. Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las
que se encuentran:
 Amplificación de todo tipo (radio, televisión,
instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas,
emisión de radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés,
fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas,
modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)

5.  Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo
(FET) tienen también 3 terminales, que son Puerta
(Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que
igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

6. Tipos de transistores. Simbología

7. Aquí podemos ver una selección de los transistores
más típicos, mostrando su encapsulado y distribución
de patillas.

8.  JFET:
También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de
efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica.
 MESFET:
Transistores de efecto de campo metal semiconductor.
 MOSFET:
Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En
estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio,
una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio,
actuando como una puerta, un electrodo de metal.


9.  El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que
se traduce como transistor de efecto de campo) es un
dispositivo electrónico activo unipolar.

10.  El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.
 Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y
fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El
transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado
por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o
no corriente entre drenador y fuente.
 Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto
de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo
de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en
estado de conducción o no conducción, respectivamente.
 El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se
basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas
inversamente.
 Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de
deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de
fuente a drenaje tenga más dificultades para atravesar el canal que se crea
entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tensión inversa en el diodo
compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
 Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente.
Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas
de deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la
corriente de fuente .

11.  Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor. Consiste en un transistor
de efecto de campo basado en la estructura MOS.
Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. La práctica totalidad de los
circuitos integrados de uso comercial están
basados en transistores MOSFET.

12. Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material
semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de
difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa
de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Tipos de Mosfet
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos
fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el
dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo
n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. Las
áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el
conductor entre ellos es la puerta.

13. http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema2/te
ma2.6.html
http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSIST
OR-FET.php