El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario como radios, televisores, computadoras, teléfonos celulares, etc. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor y el MOSFET. Los transistores se utilizan ampliamente en aplicaciones de electrónica de potencia como conversores estáticos de potencia

2. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
«transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

3. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUA
Transistor de contacto puntual
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor
capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces
mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se
«ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley,
1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

4. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
Transistor de unión bipolar
Artículo principal: Transistor de unión bipolar.
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o
«huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),
Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre
ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

5. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la
práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de
la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al
otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización
cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función
de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del
canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en
este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

6. FOTOTRANSISTOR
Fototransistor[editar · editar fuente]
Artículo principal: Fototransistor.
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo
que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

7. TRANSISTORES Y ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Transistores y electrónica de potencia
Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de
los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles
de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es
así como actualmente los transistores son empleados en conversores
estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.
El transistor bipolar como amplificador

8. JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o
unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de
entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la
tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor
presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones
definidas: corte, óhmica y saturación.
Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor
tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos
regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al
aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas
zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión.
Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal
punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese
valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp
son negativas, cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.
Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas
mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa) y una zona de corte para tensiones menores
que Vp. Los distintos valores de la ID en función de la VGS vienen dados por una gráfica o ecuación
denominada ecuación de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una salida en el circuito que
viene definida por la propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente VDS. A la gráfica o ecuación
que relaciona estás dos variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde se
distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y saturación.

9. JFET

10. MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.
El término 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que
el material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una capa de silicio
policristalino. En sus inicios se utilizó aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970
cuando el silicio policristalino comenzó a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas. Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, debido
a que es complicado incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar
componentes metálicos en la compuerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la
compuerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales
fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.
Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros
transistores de efecto de campo.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es un poco
más inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es
metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET,
que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-
semiconductor field-effect transistor).

11. MOSFET