El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET), transistores bipolares (BJT), transistores de unión bipolar aislada (IGBT), fototransistores y transistores uniunión. Explica las características clave de cada tipo de transistor como sus terminales, mecanismos de operación y aplicaciones comunes.

1. TRANSISTOR
ES

2. TRANSISTORES
 El transistor es un dispositivo semiconductor de
tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos
capas de material tipo p y una tipo n. al primero
se le llama transistor npn, en tanto que al
segundo transistor pnp.
 EMISOR, que emite los portadores de
corriente,(huecos o electrones). Su labor es la
equivalente al CATODO en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.
 BASE, que controla el flujo de los portadores de
corriente. Su labor es la equivalente a la
REJILLA cátodo en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.
 COLECTOR, que capta los portadores de
corriente emitidos por el emisor. Su labor es la
equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.

3. TRANSISTOR JFET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es
en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico
para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas
por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y
fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El
transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto
de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo
de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor
en estado de conducción o no conducción, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento
se basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser
polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas
de deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va
de fuente a drenaje tenga más difucultades para atravesar el canal que se
crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tensión inversa en el
diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por
corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado
entre las zonas de deflexión van al drenaje, por lo que la corriente de
drenaje es igual a la corriente de fuente I_D = I_S .

4. TRANSISTOR BIPOLAR
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor
bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al
terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con
respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la
corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source.
La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama punch-off y
es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y
requieren que halla cambios en la corriente de base para producir
cambios en la corriente de colector. El JFET es controlado por tensión y
los cambios en tensión de la compuerta a fuente modifican la región de
rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas
características del transistor JFET. Las curvas características típicas para
estos transistores se encuentran en la imagen, nótese que se distinguen
tres zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte y la zona de
saturación.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc.
Todas ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor.
Algunos programas de simulación (como SPICE) permiten hacen
barridos de CD básicos para obtener las curvas, en base a los modelos
contenidos en sus bibliotecas de componentes.

5. El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de
diversas maneras (más adelante se verá) para dar lugar a
configuraciones de amplificadores de señal, sin embargo no son las
únicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la
configuración para formar osciladores, interruptores controlados,
resistores controlados, etc.

6. MOSFET
 El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor) es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en
la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión
bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET.
 El término 'metal' en el nombre de los transistores
MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el
material de la compuerta, que antes era metálico,
ahora se construye con una capa de silicio
policristalino. En sus inicios se utilizó aluminio para
fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970
cuando el silicio policristalino comenzó a dominar el
mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas. Las compuertas
metálicas están volviendo a ganar popularidad,
debido a que es complicado incrementar la velocidad
de operación de los transistores sin utilizar
componentes metálicos en la compuerta. De manera
similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la
compuerta también se ha reemplazado por otros
materiales con el propósito de obtener canales
fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.

7. MOSFET …
 Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro
terminales llamadas surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato
generalmente está conectado internamente a la
terminal del surtidor, y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos de tres terminales similares
a otros transistores de efecto de campo.
 Un transistor de efecto de campo de compuerta
aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un término relacionado que es
equivalente a un MOSFET. El término IGFET es un
poco más inclusivo, debido a que muchos
transistores MOSFET utilizan una compuerta que
no es metálica, y un aislante de compuerta que no
es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el
MISFET, que es un transistor de efecto de campo
metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor
field-effect transistor).

8. TRANSISTOR UNIUNIÓN
 El transistor uniunión es un tipo de tiristor
que contiene dos zonas semiconductoras.
 Tiene tres terminales denominados emisor
(E), base uno (B1) y base dos (B2). Está
formado por una barra semiconductora tipo
N, entre los terminales B1-B2, en la que se
difunde una región tipo P+, el emisor, en
algún punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parámetro η, standoff
ratio, conocido como razón de resistencias o
factor intrínseco.

9. TRANSISTOR IGBT
 El transistor bipolar de puerta aislada es un
dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrónica de potencia.
 Este dispositivo posee la características de las
señales de puerta de los transistores efecto campo
con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja
saturación del transistor bipolar, combinando una
puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT.

10. FOTOTRANSISTOR
 Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz,
normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región
de base, generando portadores en ella. Esta carga de base
lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor
es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
 Un fototransistor es igual a un transistor común, con la
diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
 Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo
común).
 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de
iluminación).
 Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente,
aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el
pin de la base sin conectar.

11. FUENTES
 http://en.wikipedia.org/wiki/JFET
 http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.ht
ml
 http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
 http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.ht
ml