Este documento describe varios tipos de transistores, incluyendo el transistor de unión bipolar (BJT), el transistor de efecto de campo de unión (JFET), el transistor de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), el transistor uniunión, el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) y el fototransistor. Explica las características clave de cada uno como sus terminales, cómo funcionan y sus aplicaciones principales.

1. TRANSISTORES

2. • El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas
que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo
p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo
transistor pnp.
• EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o
electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los
tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
• BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su
labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de
vacío o "lámparas" electrónicas.
• COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos
por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los
tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

3. TRANSISTOR JFET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en
inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el
campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor. Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador
(drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la
base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de
efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p,
dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta
pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su
funcionamiento se basa en las zonas de deplexión que rodean a
cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las
zonas de deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la
corriente que va de fuente a drenaje tenga más difucultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto
mayor es la tensión inversa en el diodo compuerta-fuente, menor
es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por
corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal
creado entre las zonas de deflexión van al drenaje, por lo que la
corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente I_D = I_S .

4. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor
bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con
respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza
negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la
corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o
source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama
punch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por
corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base
para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es
controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta a
fuente modifican la región de rarefacción (deplexión) y causan que
varíe el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas
características del transistor JFET. Las curvas características típicas
para estos transistores se encuentran en la imagen, nótese que se
distinguen tres zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte
y la zona de saturación.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura,
capacitancia, etc. Todas ellas normalmente las especifica el
fabricante de cada transistor. Algunos programas de simulación
(como SPICE) permiten hacen barridos de CD básicos para obtener
las curvas, en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de
componentes.

5. El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (más adelante se verá) para dar lugar a
configuraciones de amplificadores de señal, sin embargo no son las únicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras
se tienen la configuración para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.

6. MOSFET
• El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado
en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar
fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.
• El término 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET
es actualmente incorrecto debido a que el material de la
compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con
una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utilizó
aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970
cuando el silicio policristalino comenzó a dominar el mercado
gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas.
Las compuertas metálicas están volviendo a ganar
popularidad, debido a que es complicado incrementar la
velocidad de operación de los transistores sin utilizar
componentes metálicos en la compuerta. De manera similar,
el 'óxido' utilizado como aislante en la compuerta también se
ha reemplazado por otros materiales con el propósito de
obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más
pequeñas.

7. • Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato
(B), el sustrato generalmente está conectado internamente a
la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros
transistores de efecto de campo.
• Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o
IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un término
relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término
IGFET es un poco más inclusivo, debido a que muchos
transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es
metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido.
Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un
transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor
(Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).

8. TRANSISTOR UNIUNIÓN
• El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene dos
zonas semiconductoras.
• Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1)
y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora
tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una
región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la
barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff
ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

9. TRANSISTOR IGBT
• El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo
semiconductor que generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia.
• Este dispositivo posee la características de las señales de
puerta de los transistores efecto campo con la capacidad de
alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada
de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las características de conducción son
como las del BJT.

10. FOTOTRANSISTOR
• Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz,
normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de
base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva
el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más
sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del
transistor.
• Un fototransistor es igual a un transistor común, con la
diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
• Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo
común).
• Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de
iluminación).
• Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente,
aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin
de la base sin conectar.

11. WEBIOGRAFIA
• http://en.wikipedia.org/wiki/JFET
• http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html
• http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
• http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html