El documento describe varios tipos de transistores electrónicos, incluyendo transistores bipolares npn y pnp, transistores de efecto de campo MESFET, transistores de potencia RF de 420-500 MHz, transistores de silicio TIP29 para uso complementario con la serie TIP30, módulos que integran transistores MOSFET y bipolares, y transistores de efecto de campo de GaAs para aplicaciones de microondas.

1. FICHA TÉCNICA

2. El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor de tres capas que consiste
de dos capas de material tipo n y una capa
tipo p, o bien, de dos capas de material
tipo p y una tipo n. al primero se le llama
transistor npn, en tanto que al segundo
transistor pnp.
El semiconductor intermedio en un
transistor es la Base y los otros dos Emisor
y Colector (del mismo tipo) son de signo
contrario a la Base, siendo mas dopado el
Emisor que el Colector.

3. Transistor de efecto de campo metal-
semiconductor (MESFET)
El FH1 es un alto FET del rango dinámico.
La combinación de poco ruido de alto
rendimiento en el mismo punto diagonal lo hace
ideal para los usos del receptor y del transmisor.
El dispositivo combina funcionamiento confiable
con calidad magnífica a mantener los valores del
MTTF que exceden 100 años en el montaje
temperaturas de +85 °C.
El FH1 es disponible sin plomo, respetuoso del
medio ambiente/verde/RoHS-obediente
Paquete SOT-89.
El dispositivo utiliza una alta confiabilidad
GaAs MESFET.
Adaptada para tecnologías inalámbricas como
GPRS, G/M, CDMA, y W-CDMA.
El FH1 trabaja dentro de los 50 a 4000
megaciclos en gama de frecuencia tal como radio
fija.

4. Transistor de potencia RF
420 - 500 MHz Infineon Technologies - Sensors
420 megaciclos a 500 megaciclos
Estos transistores son convenientes para el
uso en diseño del amplificador de energía
de CDMA.
Fabricado con tecnología avanzada de
LDMOS y en grandes cantidades.
Proporcionan confiabilidad y consistencia
excelentes. Nuestros paquetes de cerámica
termal-realzados son Pb-libres y RoHS-
obedientes.

5. TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C
TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL
SILICIO DE NPN
Diseñado para el uso complementario con
Serie TIP30
● 30 W en la temperatura de caso 25°C
● 1 una corriente de colector continua
● 3 una corrientes de colector máxima

6. Módulo MOSFET / transistor bipolar
Los dispositivos que integran dos
transistores están disponibles en los
paquetes ultra-compactos, convenientes
para los varios usos tales como circuitos
diferenciados de la amplificación del
preamplificador, oscillattors de alta
frecuencia, conductor ICs.
Características
Transistor bipolar complejo de Ultra-
compace para la gerencia de la energía

7. Transistor de GaAs de microondas de efecto de campo (FET)
Producto ultra linear de los FETs del
GaAs, para la gama de frecuencia de
la C-Venda con un aumento más alto,
una distorsión de intermodulación
más baja y una eficacia más alta.
Familia de producto de la UL,
incluye productos a partir de 4 vatios
de (w) hasta 25W y fue convertida
para la radio digital de la microonda
de punto a punto para las
comunicaciones terrestres y el bloque
encima del convertidor o del terminal
de VSAT para las comunicaciones
basadas en los satélites.