2. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
«transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

3. TIPOS DE TRANSISTORES
NPN
BIPOLARES
PNP
CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE CAMPO
(FET) CANAL N (MOSFET-N)
METAL-OXIDO-
TRANSISTORES SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
UNIPOLAR (UJT) CANAL N (UJT-N)
CANAL P (UJT-P)
TRANSISTORES DE POTENCIA

4. Transistor Bipolar

5. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada  VCE
IC IB
+
IB
+
VBE VBE
-
-
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.
La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña.

6. Transistor de silicio de uso general de
mediana potencia NPN
Ficha técnica del Transistor de silicio
de uso general de mediana
potencia NPN: BD135, BD137,
BD139, BD136, BD138, BD140.

7. Motorola
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

8. Motorola
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

9. Transistor JFET
• El transistor unipolar está formado por una sola capa
de semiconductor de tipo n sobre un substrato de tipo
p . Se distingue el canal cuyo dopado es n y las
− −
conexiones al exterior, drenador y surtidor, que son
material dopado de tipo n+. Encima del canal, que
conecta drenador y surtidor, se ha difundido una capa
adicional de tipo p. Las zonas dopadas tipo p se
conectan conjuntamente y se llaman puerta. El
drenador del JFET es equivalente al colector del BJT, el
emisor al surtidor y la puerta a la base.

10. Transistor JFET

11. Funcionamiento de un JFET de canal N (I)
D •Unión GS polarizada inversamente
•Se forma una zona de transición libre de
Canal
P P portadores de carga
G
•La sección del canal depende de la
tensión USG
USG
N Zona de •Si se introduce una cierta tensión D-S la
transición
corriente ID por el canal dependerá de
S
USG

12. Características eléctricas de un JFET de canal N
Zona resistiva
ID (mA) Zona de fuente de corriente
UGS=0V
30
20 UGS1=-2V Característica real
10 UGS2=-4V
2 UDS (V)
4 6 8
ID
UGS
UGS1
Característica
linealizada
UGS2
VP UDS

13. características de un JFET de unión
•La corriente de drenador se controla mediante tensión (a
diferencia de los transistores bipolares donde se controla la
corriente de colector mediante la corriente de base)
•La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un
valor límite de UGS a partir del cual el canal se cierra y deja de
pasar corriente de drenador
•Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una
resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la
tensión UDS.
•Aplicaciones típicas: amplificadores de audio y de
radiofrecuencia

14. Transistor MOSFET
Transistores de
efecto de campo
de metal-oxido
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor) semiconductor.
En estos
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (I) componentes,
cada transistor
G es formado por
S dos islas de
D
silicio, una
N N
Metal dopada para ser
Oxido (aislante) positiva, y la
P Semiconductor otra para ser
negativa, y en el
SUSTRATO medio, actuando
como una
Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con el puerta, un
surtidor S electrodo de
metal.

15. Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (III)
+++ +++
N n N
UGS
P - - -
- e
e e e
• Al aplicar tensión positiva UGS los electrones libres de la zona P (sustrato)
son atraídos hacia el terminal de puerta
• Por efecto del campo eléctrico se forma un canal de tipo ‘n’ (zona rica en
electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y surtidor

17. características de los transistores MOSFET:
• La corriente de drenador se controla mediante la tensión UGS
• En los MOSFET de acumulación a partir de un cierto valor umbral
de UGS se forma el canal y puede circular la corriente de drenador
• En los MOSFET de deplexión una difusión adicional permite la
circulación de la corriente de drenador incluso para tensión UGS
nula
• Aplicaciones típicas: convertidores y accionadores electrónicos de
potencia, etapas amplificadoras, circuitos digitales, ...

18. Transistor uniunión
• El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene dos
zonas semiconductoras.
• Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y
base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo
N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región
tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido
como razón de resistencias o factor intrínseco.

19. Características
• Fijándose en la curva característica del
UJT se puede notar que cuando el
voltaje sobrepasa un valor de ruptura,
el UJT presenta un fenómeno de
modulación de resistencia que, al
aumentar la corriente que pasa por el
dispositivo, la resistencia de esta baja y
por ello, también baja el voltaje en el
dispositivo, esta región se llama región
de resistencia negativa, este es un
proceso realimentado positivamente,
por lo que esta región no es estable, lo
que lo hace excelente para conmutar,
para circuitos de disparo de tiristores y
en osciladores de relajación.

20. Fuentes de información
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.compucanjes.com/products/view/14717.html
http://www.gmelectronica.com.ar/catalogo/pag113.html
http://www.uv.es/=esanchis/cef/pdf/Temas/A_T3.pdf
http://circuitosydiagramas1.blogspot.com/2011/07/ficha-tecnica-del-
transistor-de-silicio.html
http://circuitosydiagramas1.blogspot.com/2011/07/transistor-2n5157-
npn.html
http://www.gmelectronica.com.ar/flipcat/index.html
http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html#TIPOS_DE_TRANSISTORES
:_
http://server-die.alc.upv.es/electroweb/datasheet/bjt/bd135.pdf