1. TRANSISTORES
Programa: Ing. de Sistemas e Informática
Curso: Física Electrónica
Alumno: Ferni Francisco Nogueira Linari
Profesor: Roberto Rodríguez Cahuana
2014

2. Especificaciones Técnicas del Transistor 2N2222
Material: Si
Polaridad del transistor: NPN
El 2N2222 es un transistor de unión bipolar basado en silicio; está
ampliamente disponible para su compra en tiendas de
componentes electrónicos. Este transistor se usa como un transistor
con propósitos generales. Su bajo costo y disponibilidad lista le
permite al transistor ser usado a bajo voltaje o con circuitos
electrónicos de baja señal para aficionados.

3. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250
Capacitancia de salida (Cc), pF: 8
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Empaquetado / Estuche: TO18
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5
Tensión colector-base (Ucb): 60
Tensión colector-emisor (Uce): 30
Tensión emisor-base (Ueb): 5
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

4. Especificaciones Técnicas del Transistor 2N3055
Los transistores de potencia como el 2N3055 actúan como
amplificadores que recogen y emiten corriente a través de una base
de metal. Tales componentes funcionan como conmutadores para
desviar corriente en distintos dispositivos electrónicos, desde
televisores hasta reguladores de voltaje. El 2N3055 es un transistor de
corriente complementario de silicio fabricado por numerosas
compañías. Aunque muchos fabricantes proveen este transistor, sus
especificaciones son las mismas para cada marca.

5. Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 117
Tensión colector-base (Ucb): 100
Tensión colector-emisor (Uce): 70
Tensión emisor-base (Ueb): 7
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 200

6. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.2
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Empaquetado / Estuche: TO3

7. Especificaciones Técnicas del Transistor 3SK87
Mosfet
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET
(en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en
circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue
mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

8. Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2
Tensión drenaje-fuente (Uds): 20
Tensión compuerta-fuente (Ugs): 10
Corriente continua de drenaje (Id): 0.025
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 125
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr):
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 3.5
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm:
Empaquetado / Estuche: MACROX

9. Especificaciones Técnicas del Transistor TIP35C
Transistor bipolar de propósito general diseñado para aplicaciones de
amplificador de potencia y de conmutación.
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN

10. ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90
Tensión colector-base (Ucb): 140
Tensión colector-emisor (Uce): 100
Tensión emisor-base (Ueb): 5
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 3
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Empaquetado / Estuche: TOP3

11. Especificaciones Técnicas del Transistor FET
2N70002
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es
en realidad una familia de transistores que se basan en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado
de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina
semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los
TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que
se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal
aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).

12. Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2
Tensión drenaje-fuente (Uds): 60
Tensión compuerta-fuente (Ugs): 40
Corriente continua de drenaje (Id): 0.115
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr):
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 50
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 7.5
Empaquetado / Estuche: SOT23