1. ALUMNO: Isaac Valuis Olortegui Ayala

2.  Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o
como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el
campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
 El elemento semiconductor más usado es el SILICIO, el segundo el
GERMANIO, aunque idéntico comportamiento presentan las
combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos
14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
Posteriormente se ha comenzado a emplear también el AZUFRE. La
característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el
silicio una CONFIGURACIÓN ELECTRONICAS s²p².

4.  Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando seencuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ningunaimpureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura. En esecaso, la cantidad de huecos que dejan
los electrones en la bandade valencia al atravesar la banda prohibida será
igual a lacantidad de electrones libres que se encuentran presentes en
labanda de conducción.Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente
se comportacomo un aislante porque solo tiene unos pocos electrones
libres yhuecos debidos a la energía térmica.

5.  En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones yhuecos,
aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe aque por acción
de la energía térmica se producen los electrones libresy los huecos por
pares, por lo tanto hay tantos electrones libres comohuecos con lo que la
corriente total es cero.

6.  Como se puede apreciar enla figura, los electronesfactibles de ser
liberados dela fuerza de atracción delnúcleo son cuatro

7.  Compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía.
Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo
poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen
formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un
cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se
comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

8.  En un semiconductor perfecto, las concentraciones deelectrones(n) en la
banda de conducción y de huecos(p) enla banda de valencia son iguales
(por unidad de volumen);así como la concentración intrínseca de
portadores.

9.  En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente
puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y
moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente
dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es
llamado degenerado.

10.  El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en
las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeño.
Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden
de 1 cada100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o
ligero.
 Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000
átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje
pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, oP+
para material de tipo P.

11.  Adición de un elemento de impureza a un semiconductor puro donde los
electrones libres y huecos se encuentran en igual número y son producidos
únicamente por la agitación térmica para así cambiar su conductividad.
 Las impurezas donadas o pentavalentes aumentan el número de electrones
libres.

12.  Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará
atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo así la aparición
de una corriente a través del circuito.

13. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor
puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores :
 Semiconductor tipo P
 Semiconductor tipo N

14. Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la
formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos,
como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman
aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser de valencia
tres, como :
 El Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el átomo introducido es
neutro, por lo que no modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero
debido a que...
 Solo tiene tres electrones en su última capa de valencia, aparecerá una
ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de los átomos próximos,
generando...
 Finalmente más huecos que electrones, por lo que los primeros serán los
portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios.

15.  El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En
el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es donado un hueco de
electrón.

16.  Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten
la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos
de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.
Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo. De esta
forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo
introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado,
a diferencia de los átomos que conforman la estructura original, por lo que
la energía necesaria para separar lo del átomo será menor que la
necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del
semiconductor original).
 Cuando se añade el material dopante aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
también conocido como material donante ya que da algunos de sus
electrones.

17.  NEl siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo(dopaje N).
En el caso del Fósforo, se dona un electrón.

18.  http://www.uv.es/candid/docencia/ed_
tema-02.pdf
 http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(se
miconductores)
 http://www.ifent.org/lecciones/semicon
ductor/dop ado.asp