1. Información para todos
Sistemas de Información
MEMORIA RAM
Autores
Linda Almanza
Noreyda Muñoz
Eduar Pazú
David Jacanamejoy
Proyecto de Investigación de Circuitos Digitales

2. TABLA DE CONTENIDO
CONTENIDO PÁG.
PRESENTACIÓN………………………………………………………….…………………………….………….4
FORMULACION DEL PROBLEMA………………………………………......................................................5
JUSTIFICACIÓN………………………………………………………………………………………….………..6
OBJETIVOS……………………………………………………………………………………………..…....…...7
TITULO: MEMORIA RAM…………………………………………………………………………………...……8
1. ¿QUÉ ES UNA MEMORIA RAM?.........................................................................................................8
2. ¿QUÉ ES UNA MEMORIA RAM?..........................................................................................................9
3. NOMENCLATURA................................................................................................................................10
4. HISTORIA DE LA MEMORIA RAM. ……………………………………………………………….………...11
5. HISTORIA DE LA MEMORIA RAM. ……………………………………………………………..……….….12
6. ESTRUCTURA LÓGICA DE UNA MEMORIA RAM .…………………………………………………...….13
7. ESTRUCTURA FÍSICAS DE UNA MEMORIA RAM……………………………………………….….......14
8. TIPOS DE MEMORIA RAM…………………………………………………………………………..…...….15
8.1. DRAM…………………………………………………………………………………………...…..15
8.2 SRAM……………………………………………………………………………………..…..……..16
TIPOS DE MEMORIA SRAM………………………………………………………….……..16
8.2.1 SDR SDRAM……………………………………………………………………….…...16
8.2.2. DDR SDRAM………………………………………………………………………..….17
8.2.3. DDR2 SDRAM …………………………………………………………………...…….18
8.2.4. DDR3 SDRAM ………………………………………………...……………………….19
8.2.5 DDR4 SDRAM …………………………………………………..……..……………….19
8.3. SWAP………..…………………………………….…………………………………………...……20
9. DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES EN LA MEMORIA RAM ………………………….…...21
10. CONCLUSIÓN ……………………………………………..…………………………………………...……22
11. BIBLIOGRAFÍA……………………………………………………………………………………...…...…..23
TABLA DE CONTENIDO

3. En el siguiente trabajo se plasma la definición y se definirá explícitamente todo lo relacionado
con la memoria RAM, de la cual de antemano podemos resaltar su importancia mencionando
que es uno de los componentes más importantes de un ordenador, cabe denotar que todos
los componentes son importantes pero la memoria RAM es uno de los elementos más
importantes ya que esta es la que nos permite trabajar rápido o lento, tener más programas
ejecutándose o de mayor tamaño y que es además la parte software donde se realiza la
mayor parte del trabajo de un ordenador. Para el desarrollo de este trabajo implementando
una herramienta de información que es muy importante que es el INTERNET, de la cual
recopilaremos información que será seleccionada para luego organizarla y expresarla de
manera clara e informativa, para crear una fuente de información completa sobre la memoria
RAM, también implementaremos los conocimientos que hemos adquirido en las clases de
Reparación de Circuitos Digitales.
Este trabajo será realizado por Linda Almanza, Noreyda Muñoz, David Jacanamejoy y Eduar
Pazu, en un tiempo determinado de cinco días, desde 13 al 18 de junio de 2013, es
importante el desarrollo de este trabajo ya que durante la investigación podemos nosotros
como estudiantes ampliar nuestros conocimientos sobre la memoria RAM y para que los
demás estudiantes del INESUP tengan una fuente de información clara y explícita sobre la
Memoria RAM.
PRESENTACION

4. Actualmente en el Instituto INESUP no se encuentra para los estudiantes una fuente física de
información de las Memorias RAM para ellos poder realizar consultas, por lo cual se ideo
realizar una extensa investigación que a la vez fuera muy precisa y clara, de la cual además
se realizará una cartilla informativa exclusiva sobre la memoria RAM para que los estudiantes
en un futuro puedan tener una fuente de investigación para sus actividades e incluso para su
aprendizaje para los que tengan la voluntad de tomar esta guía de la biblioteca para leerla y
llenarse de conocimiento, lo que requiere que esta sea una guía que exprese ideas claras y
entendibles sobre la memoria RAM, además debe ser ilustrativa y visualmente llamativa para
el lector
PROBLEMA

5. Los fines de este proyecto de investigación son educativos ya que este proyecto se realizara
con la intención de recopilar toda la información importante sobre la memoria RAM, siendo
este un tema muy importante en el día de hoy ya que cualquier persona hoy en día tiene una
computadora y siendo esta un parte muy importante es bueno dar a conocer al público todo
sobre este pequeño artefacto electrónico, y si es tan importante para cualquier persona,
mucho más lo será para cualquier persona que se esté formando académicamente en el área
de la informática, en esta caso podríamos hablar directamente de los estudiantes de Sistemas
de Información ya que ellos deben conocer todas estas cosas porque es de gran importancia
que conozcan todo sobre la memoria RAM en el área que se desarrollan académicamente.
JUSTIFICACION

6. OBJETIVO GENERAL
Con este proyecto de investigación se realizara una guía informativa para los estudiantes del
Instituto INESUP para que puedan tener una fuente de información sobre todo lo que tenga
que ver con la memoria RAM
OBJETIVOS ESPESIFICOS
 Crear una guía informativa sobre Memorias RAM
 Que los estudiantes del Instituto INESUP tengan una fuente de información sobre la
memoria RAM
 Recolecta una información amplia y precisa sobre Memorias RAM
 Llenarnos de conocimientos sobre la memoria RAM durante la investigación del trabajo.
OBJETIVOS

7. La memoria RAM, Memoria de Acceso Aleatorio, es donde el computador
guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El
almacenamiento es considerado temporal porque los datos y programas
permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea
reiniciada, es decir, cuando ejecutamos un programa, la información que
necesitaremos para hacerlo funcionar se almacenará en la memoria RAM. De
esta forma, desde ahí se trasladarán al procesador todas las instrucciones
que necesiten ser ejecutadas; y aun que su almacenamiento es volátil esta
tiene una gran característica y es que tiene una muy alta velocidad para
realizar la transmisión de la información siendo esto lo que la caracteriza en la
función que realiza.
Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y
la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que
ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan «de
acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una posición de memoria
con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario
seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida
posible. Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los
módulos de memoria RAM estén conectados de manera correcta. En el caso
TITULO: MEMORIA RAM
1. ¿QUE ES UNA MEMORIA RAM?

8. La expresión Memoria RAM se utiliza frecuentemente para describir a los
módulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores.
Se les denomina como memorias porque aunque directamente no se guarde
información en ellas el ordenador si lo hace aunque sea d manera
temporalmente. Las siglas RAM vienen de los vocablos ingleses "Random
Access Memory" que significa "Memoria de Acceso Aleatorio".
Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una
posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición,
no siendo necesario seguir una orden para acceder a la información de la
manera más rápida posible.
NOMENCLATURA

9. Uno de los primeros tipos de memoria RAM
fue la memoria de núcleo magnético,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en
muchos computadores hasta el desarrollo de
circuitos integrados a finales de los años 60 y
principios de los 70. Esa memoria requería
que cada bit estuviera almacenado en un
toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que
resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes
que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos
construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin
acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en
semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits
de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1024
bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en
ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las
memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de
memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía
un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

10. En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se
convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la
direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en
un empaque de 16 pines,[]
mientras sus competidores las fabricaban en el
empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un
estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de
DRAM.
Para finales de los 70 los
integrados eran usados en la
mayoría de computadores
nuevos, se soldaban
directamente a las placas base
o se instalaban en zócalos, de
manera que ocupaban un área
extensa de circuito impreso.
Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal,
impedía la miniaturización, entonces se idearon los primeros módulos de memoria
como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato
SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas
áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las
tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la
misma distribución de pines.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento
en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el
esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en
el direccionamiento como las siguientes:
Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con
integrados tipo EDO-RAM.

11. FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel
486, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria
envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesi-
dad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que
ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posicio-
nes consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una
calle: después de la primera vez no sería necesario decir el número de la calle
únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns
y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.
EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora
sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones
contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la infor-
mación de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de esta-
dos de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el
próximo ciclo de lectura.
BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada
en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones
y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera
que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado,
dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sin-
crónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan fun-
cionalidades distintas como señales de reloj.

12. Desde las primeras computadoras, la estructura lógica ha sido la siguiente:
Memoria base: desde 0 hasta 640 KB (KiloBytes), es en esta zona dónde se
almacena la mayoría de los programas que el usuario utiliza.
Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024 MB (MegaBytes), carga unas
estructuras llamadas páginas de intercambio de información y unos bloques de
memoria llamados UMB.
Bloques UMB (Bloques de memoria superior): se trata de espacios asignados
para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a la configuración de
diversos dispositivos como el video, en algunos casos estos espacios quedan sin
utilizar, por lo que se comenzó a pensar en utilizarlos de modo funcional, lo que
se logra con optimizadores de memoria como el comando "memmaker" de Ms-
DOS®, que se utilizaba estos bloques para cargar ciertos Drivers
Memoria expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a programas
en memoria superior, la cual algunas veces no se utilizaba debido a la
configuración del equipo y con este método se puede utilizar.
Memoria extendida: de 1.024 MB hasta 4 GB (GigaBytes), se cargan todas las
aplicaciones que no caben en la memoria base.
Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existían
utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para optimizar
su funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft® Ms-DOS necesitaba
de un controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria extendida, sin
él solo reconocía 640 KB aunque hubiera instalados más de 1 MB.
ESTRUCTURA LÓGICA DE UNA MEMORIA

13. Los módulos de memoria RAM: son tarjetas de circuito impreso que tienen
soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras, Permite
alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando
integrados de cientos o miles de megabits. Además de DRAM, los módulos
poseen un integrado que permiten la identificación de los mismos ante el
computador por medio del protocolo de comunicación SPD.
Chips de Memoria: Son chips pequeños de forma rectangular que contienen
diversos dispositivos electrónicos que forman "celdas", donde se almacenan los
datos en forma de bits, variando su estado eléctrico.
El interior de cada chip se puede imaginar como una matriz o tabla en la cual
cada celda es capaz de almacenar un bit. Por tanto, un bit se puede localizar
directamente proporcionando una fila y una columna de la tabla. En realidad, la
CPU identifica cada celda mediante un número, denominado dirección de
memoria.
Pines De Conexión: Permiten que el módulo al ser insertado en un zócalo
apropiado de la placa base, tenga buen contacto eléctrico con los controladores
de memoria y las fuentes de alimentación.
ESTRUCTURA FÍSICAS DE UNA MEMORIA

14. Hay tres tipos de memorias RAM, según su tecnología, las DRAM, SRAM y una
emulación denominada SWAP.
DRAM
Las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") o dinámicas, debido a
que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores (capacitores),
los cuáles necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta
velocidad pero a cambio tienen un precio económico.
Tipos de memoria DRAM
DIP (Dual In-line Pin): Encapsulado con doble línea de
pines. Un tipo de encapsulado consistente en
almacenar un chip de memoria en una caja
rectangular con dos filas de pines de conexión en
cada lado.
SIP (Single In-line Package): Paquete de
encapsulado de una línea de pines, (30 pines) son
los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de
celdas construidas a base de capacitores).
SIMM (Single In-line Memory Module): existen dos tipos de formato de modulos
SIMM. Los de 30 y los de 72 contactos.
Los SIMM de 30 contactos acumulan la
información en renglones de 8 Bits.
Los de 72 contactos lo hacen
empleando reglones de 32 Bits.
TIPOS DE MEMORIA RAM

15. SRAM
Las siglas provienen de ("Static Read Aleatory Memory") o estáticas, debido a que
sus chips se encuentran construidos a base de transistores, los cuáles no necesitan
constantemente refrescar su carga (bits) y esto las hace sumamente veloces pero
también muy caras. El término memoria Caché es frecuentemente utilizada pare este
tipo de memorias, sin embargo también es posible encontrar segmentos de Caché
adaptadas en discos duros, memorias USB y unidades SSD.
Memorias SRAM para insertar en ranura de la tarjeta principal (Motherboard).
Memorias Caché integradas en los discos duros.
Memorias Caché integradas en los microprocesadores.
TIPOS DE MEMORIA SRAM
SDR SDRAM: (Single Data Rate SDRAM o SDRAM de tasa de datos simple), son
memorias síncronas, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan
en módulos DIMM de 168 contactos.
ESTÁNDARES:
Nombre
estándar
Velocidad
del bus
Tiempo en-
tre señales
Velocidad
del módulo
Datos
transferidos
por segun-
do
Nombre del
módulo
Máxima
capacidad
de transfe-
rencia
SDR-66 15 ns 66,6 MHz 66 Millones PC-66 533 MB/s
SDR-100 10 ns 100 MHz
100 Millo-
nes
PC-100 800 MB/s
SDR-133 7,5 ns 133,3 MHz
133 Millo-
nes
PC-133 1066 MB/s

16. DDR SDRAM: (Double Data Rate SDRAM o SDRAM de tasa de datos doble),
permite a ciertos módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas
(SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la capacidad de transferir
simultáneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Los
módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
ESTÁNDARES:
DDR2 SDRAM: (Double Data Rate type two SDRAM o SDRAM de tasa de datos
doble de tipo dos), son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y
2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda
potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a
200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200
MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que
dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la
información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria.
Nombre es-
tándar
Reloj de
Bus
Tiempo
entre seña-
les
Reloj de me-
moria
Datos trans-
feridos por
segundo
Nombre del
módulo
Máxima capacidad
de transferencia
DDR-200 100 MHz 100 MHz 200 Millones PC-1600
1600 MB/s (1,6
GB/s)
DDR-266 133 MHz 133 MHz 266 Millones PC-2100
2128 MB/s (2,1
GB/s)
DDR-333 166 MHz 166 MHz 333 Millones PC-2700
2656 MB/s (2,6
GB/s)
DDR-400 200 MHz 200 MHz 400 Millones PC-3200
3200 MB/s (3,2
GB/s)

17. ESTÁNDARES:
DDR3 SDRAM: (Double Data Rate type three SDRAM o SDRAM de tasa de datos
doble de tipo tres), permite usar integrados de 512 MiB a 8 GiB, siendo posible fabricar
módulos de hasta 16 GiB.
Nombre
estándar
Velocidad
del reloj
Tiempo
entre seña-
les
Velocidad
del reloj de
E/S
Datos
transferi-
dos por
segundo
Nombre
del módulo
Máxima
capacidad
de transfe-
rencia
DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz
400 millo-
nes
PC2-3200 3200 MB/s
DDR2-533 133 MHz 7,6 ns 266 MHz
533 millo-
nes
PC2-4200 4264 MB/s
DDR2-600 150 MHz 6,7 ns 300 MHz
600 millo-
nes
PC2-4800 4800 MB/s
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz
667 Millo-
nes
PC2-5300 5336 MB/s
DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz
800 Millo-
nes
PC2-6400 6400 MB/s
DDR2-
1000
250 MHz 3,75 ns 500 MHz
1000 Millo-
nes
PC2-8000 8000 MB/s
DDR2-
1066
266 MHz 3,75 ns 533 MHz
1066 Millo-
nes
PC2-8500 8530 MB/s
DDR2-
1150
286 MHz 3,5 ns 575 MHz
1150 Millo-
nes
PC2-9200 9200 MB/s
DDR2-
1200
300 MHz 3,3 ns 800 MHz
1200 Millo-
nes
PC2-9600 9600 MB/s

18. ESTÁNDARES:
DDR4 SDRAM: (Double Data Rate type four SDRAM o SDRAM de tasa de datos
doble de tipo cuatro) Las memorias DDR4 SDRAM están actualmente (2013) en fase
de producción. Las memorias DDR4 SDRAM tendrán un mayor rendimiento y menor
consumo que las memorias DDR predecesoras.
Nombre
estándar
Velocidad
del reloj
Tiempo
entre seña-
les
Velocidad
del reloj de
E/S
Datos
transferi-
dos por
segundo
Nombre del
módulo
Máxima
capacidad
de transfe-
rencia
DDR3-
1066
133 MHz 7,5 ns 533 MHz
1066 Millo-
nes
PC3-8500 8530 MB/s
DDR3-
1200
150 MHz 6,7 ns 600 MHz
1200 Millo-
nes
PC3-9600 9600 MB/s
DDR3-
1333
166 MHz 6 ns 667 MHz
1333 Millo-
nes
PC3-10600
10 664
MB/s
DDR3-
1375
170 MHz 5,9 ns 688 MHz
1375 Millo-
nes
PC3-11000
11 000
MB/s
DDR3-
1466
183 MHz 5,5 ns 733 MHz
1466 Millo-
nes
PC3-11700
11 700
MB/s
DDR3-
1600
200 MHz 5 ns 800 MHz
1600 Millo-
nes
PC3-12800
12 800
MB/s
DDR3-
1866
233 MHz 4,3 ns 933 MHz
1866 Millo-
nes
PC3-14900
14 930
MB/s
DDR3-
2000
250 MHz 4 ns 1000 MHz
2000 Millo-
nes
PC3-16000
16 000
MB/s
DDR3-
2200
350 MHz 3,3 ns 1200 MHz
2200 Millo-
nes
PC3-18000
18 000
MB/s

19. SWAP
La memoria virtual ó memoria Swap ("de intercambio") no se trata de memoria RAM
como tal, sino de una emulación (simulación funcional), esto significa que se crea un
archivo de grandes dimensiones en el disco duro ó unidad SSD, el cuál almacena
información simulando ser memoria RAM cuándo esta se encuentra parcialmente
llena, así se evita que se detengan los servicios de la computadora.
Asignación de SWAP en el disco duro
Este tipo de memoria se popularizó con la salida al mercado de sistemas operativos
gráficos, debido a que la memoria instalada en la computadora es regularmente
insuficiente para el uso de ventanas, aunque al parecer el sistema operativo UNIX lo
utilizaba de manera normal antes que sus competidores.
En los sistemas operativos Microsoft® Windows Vista/Microsoft® con ayuda de
algunas utilidades, es posible utilizar un archivo de intercambio (Swap) en memorias
USB e incluso en memorias SD, MemoryStick®, etc., que permiten aumentar la
velocidad del equipo. Básicamente no debe ser menor a 256 MB la capacidad
disponible del dispositivo, tener una velocidad alta de transmisión de datos y
asignarse del siguiente modo:
a) Mínimo: (Total de RAM) + (1/2 Total de RAM)
b) Máximo: 3X(Total de RAM)

20. Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard
fails) que son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por
causas fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en
algunas condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser
resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de hallar. En la actualidad la
confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente
alta como para no realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo
menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más críticos, se
aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes
estrategias:
La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte
de datos y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad
par) o impar (paridad impar), detectándose así el error.
Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4
bits y corregir errores que afecten a un sólo bit. Esta técnica se usa sólo en
sistemas que requieren alta fiabilidad.
DETECCION Y CORRECCIÓN DE ERRORES EN
LA MEMORIA RAM

21. El estudio de la memoria RAM es muy amplio ya que existen variedades de esta,
nuestro propósito fue de manera organizada exponer toda esta información y
convertirla en un solo tema extenso pero puntual sobre todo lo que tiene que ver
con la memoria RAM.
Con la realización de este trabajo nos hemos podido dar cuenta que la memoria
RAM es un componente muy importante para el funcionamiento de un ordenador,
hay varios tipos pero generalizados en tres, estos son: RAM, SRAM y SWAP, la
última es una memoria virtual.
También nos pudimos dar cuenta que la memoria RAM ha evolucionado mucho
atreves de la historia y que cada vez la han ido mejorando cada vez más hasta
llegar a la que tenemos actualmente.
CONCLUCION

22. Libro: memoria RAM Y ROM.
Enciclopedias de tecnología e informática.
http:// historia-la-memoria-RAM
http://jvanmaar.blogspot.com/
Http: www.wikipedia .com
Http: www.monografias .com
BIBLIOGRAFIA