Un equipo de la Universidad de California en San Diego ha creado un nuevo dispositivo de almacenamiento llamado Moneta que es más rápido que la memoria flash. Moneta utiliza memoria de cambio de fase que almacena datos en la estructura cristalina de una aleación metálica. Puede leer a 327 megabytes por segundo y escribir a 91 megabytes por segundo, entre 2 y 7 veces más rápido que una memoria flash SSD actual. El profesor Steven Swanson espera construir la segunda generación de Moneta en los próximos 6 a 9 meses y cree

1. DISPOSITIVO DE ALMACENAMIENTO MAS RAPIDO QUE LA MEMORIA FLASH Por: Ariacni Mora Lorenzo 31/julio/2011

2. Crean un dispositivo de almacenamiento más rápido que la memoria flash El sistema se basa en la tecnología de cambio de fase de estado sólido (SSD) Un equipo de estudiantes de la universidad de California en San Diego está a punto de demostrar la primera memoria de cambio de fase de estado sólido que proporciona un rendimiento miles de veces más potente que un disco duro convencional, y hasta siete veces más rápido que los actuales discos de estado sólido (SSD).

3. MONETA El sistema de almacenamiento, al que los científicos han bautizado como Moneta, utiliza la memoria de cambio de fase PCM (del inglés phase-changememory), una tecnología de almacenamiento de datos emergentes que almacena éstos en la estructura cristalina de una aleación de metal llamada calcogenuro.

4. LEE A 327 MEGABYTES POR SEGUNDO En accesos más pequeños puede leer a 327 megabytes por segundo y escribir a 91 megabytes por segundo, es decir, entre dos y siete veces más rápido que una memoria flash SSD actual. Moneta también ofrece una menor latencia para cada operación y podría reducir las necesidades energéticas en aplicaciones que requieren una alta densidad de datos.

5. MEMORIA FLASH –vs- Moneta Las memorias flash (SSD) de hoy en día se pueden encontrar en una amplia gama de productos electrónicos de consumo, tales como iPads y ordenadores portátiles. Aunque son más rápidas que el disco duro, las memorias flash son todavía demasiado lentas para conseguir un almacenamiento de datos moderno y satisfacer las exigencias de análisis de datos, especialmente en el área de computación de alto rendimiento, donde la capacidad de cribar dentro de enormes volúmenes de información con rapidez es fundamental Los chips de memoria PRAM o PCM son un tipo de memoria no volátil que utiliza vidrio calcógeno. Este tipo de material tiene la propiedad de poder transformarse de un estado cristalino a un estado amorfo mediante la aplicación de calor. Para almacenar datos, estos chips de memoria transforman la aleación de un estado cristalino “cero” a un estado amorfo “uno” o viceversa, aplicando calor a través de una corriente eléctrica. Para leer los datos, se emite una corriente más pequeña, mediante la cual se determina la impedancia y por tanto, el estado en el que se encuentra la aleación.

6. El profesor Steven Swanson espera construir la segunda generación del dispositivo de almacenamiento Moneta entre los próximos seis y nueve meses, por lo que cree la tecnología podría estar lista para lanzarla al mercado en pocos años, como una mejora subyacente de la actual tecnología de cambio de fase. Swanson: “Hemos descubierto que se puede construir un dispositivo de almacenamiento mucho más rápido, pero para poder hacer realmente uso de este sistema, también tienes que cambiar el software que lo gestiona.