SlideShare una empresa de Scribd logo
1 de 370
Descargar para leer sin conexión
DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS
Y CIRCUITOS
Jimmie J.Cathey
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Y CIRCUITOS
DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS
Y CIRCUITOS
Profesor graduado en Ingeniería Eléctrica
Universidad de Kentuchky
Graciela Bruriesca Correa
Ingeniero Mecángco-Electricista, UNAM
Profesora, Faculpd de Ingeniería, UNAM
REVISIÓN TÉCNICA:
Roberto Maclas Pérez
Ingeniero Mecánico Electricista, UNAM
Jefe del Departamento de Comunicaciones
y Electrónica
Facultad Ingeniería, UNAM
McGRAW-HILL
MÉXICO • BOGOTÁ • BUENOS AIRES • CARACAS • GUATEMALA • LISBOA
MADRID • NUEVA YORK • PANAMÁ • SAN JUAN • SANTIAGO • SAO PAULO
AUCKLAND • HAMBURGO • LONDRES • MILÁN • MONTREAL • NUEVA DELHI
PARÍS • SAN FRANCISCO • SINGAPUR • ST. LOUIS
SIDNEY • TOKIO • TORONTO
Jimmie L. G á t e y , Ph.D.
Jimmie J. Cathey obtuvo su Doctorado de la Universidad de Texas A
y M., y tiene 13 años de experiencia en la industria, en el diseño y desarrolle
de sistemas de fuerza eléctrica.
Desde 1980 está incorporado a la Universidad de Kentucky, y su interés
sobre la investigación y enseñanza se centra en la potencia electrónica,
máquinas eléctricas y robótica. Él está reqistrado como Ingeniero Profesional
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y CIRCUITOS
Prohibida la reproducción total o parcial de esta obra,
por cualquier medio, sin autorización escrita del editor
DERECHOS RESERVADOS © 1991 respecto a ía primera edición en español poi
McGRAW-HILL INTERAMERICANA DE MÉXICO, S. A. de C. V.
ATLACOMULCO 499-501, Fracc. Industrial San Andrés Atoto
53500 Naucalpan de Juárez, Edo. de México
Miembro de la Cámara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nüm. 1890
ISBN 968-422-243-2
Traducido de la primera edición en inglés de
SCHAUM'S OUTLINE OF ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS
Copyright (c) MCMLXXXIX by McGraw-Hill, inc. U.S.A.
Esta obra se terminó de
imprimir en octubre de 1990
en Impresora y Editora Xalco S.A
José María Martínez s/n
Col. San Miguel Jacalones
Chalco Edo. Méx.
Se tiraron 5000 ejemplares
A Phillip y Julia
con el deseo de que no se aparten nunca del buen camino
Prefacio
El tema de la electrónica puede dividirse en dos grandes categorías; la aplicación de las propiedades físicas
de los materiales en el desarrollo de dispositivos electrónicos de control y la utilización de estos dispositivos en
las aplicaciones a los circuitos. En este libro se hace hincapié en la segunda categoría, comenzando con las
categorías terminales de los dispositivos electrónicos de control. Nos ocupamos de otros temas sólo cuando son
necesarios para entender esas características.
Este libro tiene por objeto complementar las obras para un curso introductorio de circuitos electrónicos
destinado a ingenieros. Servirá además como repaso para los que ya hayan tomado ese curso. Los estudiantes
de ingeniería que se inscriben en un curso de circuitos electrónicos dirigido a quienes no siguen esta carrera se
darán cuenta que algunas partes de los capítulos 1 a 6, 10 y 11 ofrecen un valioso complemento a su estudio.
Cada capítulo contiene un breve repaso de los temas pertinentes, junto con las ecuaciones y las leyes que se
aplican en cada caso. También se incluyen ejemplos para aclarar y poner de relieve los principios en el momento
que se explican. Como en las otras obras de la serie Schaum, la solución de problemas constituye la parte medular
del libro: con tal fin, se incluyen más de 640 problemas resueltos.
Deseo agradecer a mi esposa Mary Ann por su incansable labor en la mecanografía del manuscrito. Un
agradecimiento especial al Editor Ed Millman por sus valiosas sugerencias y meticulosa revisión del material.
Acepto la responsabilidad de los errores que se me hayan escapado y deseo ofrecer mis disculpas desde ahora.
JlMMIE J. CATHEY
Capitulo 6 AMPLIFICADORES BJT DE SEÑAL PEQUEÑA EN FRECUENCIA MEDIA 140
6.1 Introducción 6.2 Modelos de parámetros híbridos 6.3 El circuito T
equivalente 6.4 Conversión de parámetros 6.5 Medidas
de bondad en amplificadores 6.6 Análisis del amplificador EC
6.7 Análisis del amplificador BC 6.8 Análisis del amplificador CC
Capítulo 5 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES 115
5.1 Introducción 5.2 Incertidumbre de p y efectos de temperatura en el BJT
5.3 Análisis del factor de estabilidad 5.4 Estabilización de elementos
no lineales de circuitos BJT 5.5 Polarización de límites del punto Q para el FET
Capítulo 4 CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 92
4.1 Introducción 4.2 Construcción de JFET y sus símbolos
4.3 Características terminales del JFET 4.4 Línea de polarización JFET
y línea de carga 4.5 Análisis gráfico para JFET 4.6 Construcción del
MOSFET y sus símbolos 4.7 Características terminales del MOSFET
4.8 Polarización del MOSFET y líneas de carga
Capítulo 3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 62
3.1 Construcción de TBJ y sus símbolos 3.2 Características terminales
de la base común 3.3 Características terminales del emisor común
3.4 Relaciones de corriente 3.5 Líneas de polarización y de carga
para cd 3.6 Capacitores de ca y líneas de carga
Capítulo 2 DIODOS SEMICONDUCTORES 24
2.1 Introducción 2.2 El diodo ideal 2.3 Características del diodo 2.4 Análisis
gráfico 2.5 Análisis del circuito equivalente 2.6 Amplificaciones
del diodo como rectificador 2.7 Filtración de forma de ondas
2.8 Operaciones de recorte y sujeción 2.9 El diodo Zener
Capítulo 1 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 1
1.1 Introducción 1.2 Elementos de circuitos 1.3 Leyes de circuitos
1.4 Circuitos en estado estable 1.5 Teoremas de redes 1.6 Redes
de dos puertos 1.7 Valores instantáneos, valores promedio y valores RMS
Capítulo 7 AMPLIFICADORES FET DE SEÑAL PEQUEÑA EN FRECUENCIA MEDIA 176
7.1 Introducción 7.2 Circuitos equivalentes de señal pequeña para el FET
7.3 Análisis del amplificador FC 7.4 Análisis del amplificador DC 7.5 Análisis
del amplificador GC
Capítulo 8 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 195
8.1 Introducción 8.2 Gráficas de Bode y respuesta en frecuencia 8.3 Efecto de baja
frecuencia de los capacitores de paso y acoplamiento 8.4 Modelos del FET de alta
frecuencia 8.5 Modelos del FET de alta frecuencia 8.6 Capacitancia de Miller
Capítulo 9 AMPLIFICADORES DE POTENCIA 226
9.1 Clasificación y características del amplificador 9.2 Potencia y eficiencia
de los amplificadores 9.3 Especificaciones y consideraciones térmicas
9.4 Amplificador clase A con acoplamiento directo 9.5 Amplificador clase A
acoplado con inductor 9.6 Amplificador clase A con acoplamiento por
transformador 9.7 Amplificadores de contrafase 9.8 Amplificadores
de simetría complementaria
Capitulo 10 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 250
10.1 Introducción 10.2 Amplificadores operacionales ideales y prácticos
10.3 Amplificador inversor 10.4 Amplificador no inversor 10.5 Razón
de rechazo de modo común 10.6 Amplificador sumador 10.7 Amplificador
de diferenciación 10.8 Amplificador integrador 10.9 Amplificador logarítmico
10.10 Aplicaciones en los filtros 10.11 Generadores de función
y acondicionadores de señal
Capítulo 11 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 279
11.1 El concepto de retroalimentación 11.2 Efecto de la retroalimentación
en la ganancia y en la respuesta en frecuencia 11.3 Efecto de la
retroalimentación en las ¡mpedancias de entrada y salida
11.4 Retroalimentación de voltaje-serie 11.5 Retroalimentación
de corriente-serie 11.6 Retroalimentación de voltaje-paralelo
11.7 Retroalimentación de corriente-paralelo
Capítulo 12 CONMUTACIÓN Y CIRCUITOS LÓGICOS 313
12.1 Introducción 12.2 Modelos de conmutación para el BJT 12.3 Modelos de
conmutación para el FET 12.4 Lógica digital y álgebra Booleana
12.5 Diagramas de bloques de lógica digital 12.6 Multivibradores biestables
Capítulo 13 TUBOS DE VACIO 331
13.1 Introducción 13.2 Diodos de vacío 13.3 Construcción de un triodo
de vacío y símbolos 13.4 Características terminales del triodo
13.5 Polarización y análisis gráfico de los amplificadores con triodo
13.6 Circuito equivalente del triodo 13.7 Tubos de rejilla de control múltiple
ÍNDICE 347
Análisis de circuitos: desde
el punto de vista de puertos
1.1 INTRODUCCIÓN
Los dispositivos electrónicos se describen por sus características no lineales de voltaje/corriente entre sus
terminales. Los circuitos que contienen dispositivos electrónicos son analizados y diseñados mediante gráficas
con características medidas experimentalmente o mediante Idealización de sus características voltaje/corriente.
Según su aplicación, este último enfoque permite formular las ecuaciones que se utilizan para pequeñas
perturbaciones y que son válidas para variaciones alrededor de un punto de operación, así como un conjunto de
ecuaciones lineales por partes. El conjunto de ecuaciones lineales describe el circuito en términos de elementos
pasivos ¡nterconectados, y fuentes de voltaje y dé corriente independientes o controladas; la formulación, así como
la solución requieren el conocimiento de análisis de circuitos y los principios de reducción de los mismos,
estudiados en este capítulo.
1.2 ELEMENTOS DE CIRCUITOS
Los elementos invariantes en el tiempo (o de valor constante) mostrados en la figura 1-1a) a c) (el resistor,
inductor y capacitor, respectivamente) se llaman elementos pasivos, puesto que ninguno de ellos puede suminis-
trar energía continuamente a un circuito. Para un voltaje y corriente tenemos las siguientes relaciones: Para
el resistor,
v = Ri o i=Gv (1.1)
donde R es su resistencia en ohms (Q) y G = MR es su conductancia en siemens (S). La ecuación (1.1) se conoce
como ley de Ohm. Para el inductor,
donde L es su inductancia en henrys (H). Para el capacitor,
o
donde C es su capacitancia en farads (F). Si R, L y C son independientes del voltaje y la corriente (así como del
tiempo) se dice que los elementos son lineales: La multiplicación de la corriente que circula por cada uno de ellos
por una constante da por resultado la multiplicación de su voltaje terminal por la misma constante. (Problemas 1.1
y 1.3.)
Los elementos de la figura 1-1d) a h) se llaman elementos activos debido a que cada uno es capaz de
suministrar energía continuamente a una red. La fuente ideal de voltaje de la figura-1-1d) proporciona un voltaje
v entre sus terminales que es independiente de la corriente que circula a través de ésta. La fuente ideal de
corriente mostrada en la figura 1-1e) proporciona una corriente independiente del voltaje a través de sus
terminales. Sin embargo, la fuente de voltaje controlada (o dependiente) de la figura 1 -1 f) tiene un voltaje terminal
que depende del voltaje ^través o la corriente que circula por algún otro elemento de la red. De manera-análoga,
(1.3)
(1.2)
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
la fuente de corriente controlada (o dependiente), que se observa en la figura 1.1 g) proporciona una corriente cuya
magnitud depende del voltaje entre las terminales o de la corriente que atraviesa algún otro elemento de la red.
Si la relación de dependencia para el voltaje o la corriente de una fuente controlada es de primer grado, entonces
la fuente es una fuente controlada lineal (o dependiente). La batería o fuente de voltaje de cd que se indican en la
figura 1-1/7) es una clase especial de la fuente de voltaje independiente.
1.3 LEYES DE CIRCUITOS
Refiriéndonos a las tres relaciones de voltaje/corriente dadas de (7.7) a (7.3), las leyes de Kirchhoff son
suficientes para formular las ecuaciones simultáneas necesarias para conocer todas las corrientes y voltajes de
una red. (Utilizamos el término red para indicar cualquier arreglo de los elementos del circuito.)
La ley de voltajes de Kirchhoff (LVK) determina que la suma algebraica de todos los voltajes alrededor de
cualquier malla cerrada en un circuito es cero; esto se expresa en forma matemática como
(1.4)
donde n es el número total de voltajes de los elementos pasivos y activos alrededor de la malla considerada.
La ley de corrientes de Kirchhoff (LCK) determina que la suma algebraica de todas las corrientes en cada
nodo (unión de elementos) debe ser cero; esto es,
(1.5)
donde m es el número total de corrientes que fluyen hacia dentro del nodo considerado.
1.4 CIRCUITOS EN ESTADO ESTABLE
En un tiempo (suficientemente grande) después de energizar un circuito que contiene solamente elementos
lineales, los voltajes y las corrientes llegan a ser independientes de las condiciones iniciales y la variación en el
tiempo de las cantidades de un circuito se vuelven idénticas a las de las fuentes independientes; se dice entonces
que el circuito está operando en estado estable. Si todas las fuentes no dependientes en una red son independien-
tes del tiempo, al estado estable de la red se le llama estado estable de cd. Por otro lado, si la magnitud de cada
fuente no independiente puede escribirse como donde K es una constante, entonces al estado
estable resultante se le conoce como estado estable sinusoidal y los métodos del dominio de la frecuencia o
métodos fasoriales se aplican en su análisis. En general, el análisis de los circuitos electrónicos es una
2
Figura 1-1
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
combinación del análisis de cd y del análisis en el estado estable sinusoidal, utilizando el principio de superposición
que estudiaremos en la siguiente sección.
1.5 TEOREMAS DE REDES
Una red lineal (o circuito lineal) está 'orrnada por la interconexión de las terminales de fuentes independientes
(esto es, no dependientes), fuentes controladas lineaimente y también por elementos lineales pasivos que forman
una o más trayectorias cerradas. El teorema de superposición establece que en una red lineal que contiene
múltiples fuentes, el voltaje a través o la corriente que atraviesa cualquier elemento pasivo puede determinarse
como la suma algebraica de los voltajes o corrientes individuales debidos a la acción aislada de cada una de las
fuentes, desactivando las otras fuentes independientes.
Una fuente de voltaje ideal se desactiva colocándola en cortocircuito. Una fuente de corriente ideal se desactiva
colocándola en circuito abierto. En general, las fuentes controladas permanecen activas cuando se aplica el
teorema de superposición.
Ejemplo 1.1 ¿Es la red de la figura 1-2 un circuito lineal?
La definición de un circuito lineal se cumple si la fuente controlada es lineaimente controlada; esto es, si a es
una constante.
Figura 1-2
Ejemplo 1.2 Encuentre la corriente 4 utilizando el teorema de superposición. Para el circuito mostrado en la
figura 1 -2 si tenemos que: = 10 sen =
Primero desactivamos Vb poniéndola en cortocircuito y utilizamos un símbolo prima para denotar una
respuesta debida sólo a Utilizando el método de voltajes de nodo con una incógnita y sumando las corrientes
en el nodo superior, tenemos
Sustituyendo los valores dados y despejando obtenemos
Por consiguiente, por la ley de Ohm,
3
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Ahora bien, desactivando y utilizando un signo de doble prima para señalar una respuesta debida sólo a
tenemos
donde
de manera que
Por lo tanto, por la división de la corriente,
Las terminales en una red normalmente se consideran en pares. Un puerto es un par de terminales a través
de las cuales puede identificarse un voltaje, y la corriente de entrada de una terminal es igual a la corriente de
salida de la otra terminal. En la figura 1-3, si entonces las terminales 1 y 2 forman un puerto. Por otra parte,
si se observa a la izquierda de las terminales 1,2, la red A es una red de un puerto. Del mismo modo, si se observa
al lado derecho de las terminales 1, 2, la red B es una red de un solo puerto.
El teorema de Thévenin establece que una red de un puerto arbitrariamente lineal, como la red A que se
observa en la figura 1-3a), puede reemplazarse en las terminales 1,2 por una fuente equivalente de voltaje
conectada en serie con una impedancia ZTh como se observa en la figura 1-3b). VTh es el voltaje en
circuito abierto entre las terminales 1,2 de la red A y es la razón del voltaje de circuito abierto entre la corriente
de cortocircuito de la red A determinada entre las terminales 1,2 con la red B desconectada. Si la red A o la B
contienen una fuente controlada, entonces su variable de control debe estar en esa misma red. Por el contrario,
ZTh es la impedancia equivalente mirando hacia dentro de la red A a través de las terminales 1,2, con todas las
otras fuentes independientes desactivadas. Si la red A contiene una fuente controlada, ZTh se determina como la
impedancia en el punto de excitación (Ejemplo 1.4).
Ejemplo 1.3 Encuentre el voltaje equivalente VTh y la impedancia para la red al lado izquierdo de las terminales
1,2. En el circuito mostrado en la figura 1 -4, VA =4 V, IA
4
Finalmente, por el teorema de superposición,
Figura 1-3
Red
B
Red
B
Red
B
Red
lineal
A
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Figura 1-4
La corriente no fluye a través de R2 con las terminales 1,2 en circuito abierto; así pues, por KVL,
La impedancia de Thévenin se determina como la impedancia equivalente para el circuito a la izquierda de las
terminales 1,2, con las fuentes independientes desactivadas (esto significa que VA se sustituye por un cortocircuito
y IA por un circuito abierto):
Ejemplo 1.4 En el circuito que se observa en la figura 1-5a), Encuentre
el voltaje equivalente y la impedancia de Thévenin para la red a la izquierda de las terminales 1,2.
Figura 1-5
La corriente no fluye a través de R2 con las terminales 1,2 en circuito abierto. Pero la variable de control
para la fuente dependiente controlada por voltaje está todavía contenida en la red a la izquierda de las terminales
1,2. La aplicación de LVK da
de manera que
Puesto que la red a la izquierda de las terminales 1,2 contiene una fuente controlada, ZTh se determina como
la impedancia en el punto de excitación con la red a la derecha de las terminales 1,2 de la figura 1-5a)
sustituida por la fuente en el punto de excitación que se indica en la figura 1 -5b) y desactivada VA (en corto circuito).
Después de estos cambios, LCK aplicada en el nodo a da
□
a) b)
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
La aplicación de LVK alrededor de la malla exterior de este circuito (con VA todavía desactivado) da
(1.6)
(1.7)
La sustitución de (1.6) en (17) da la solución
El teorema de Norton establece que una red arbitraria y lineal de un puerto como la red A mostrada en la
figura 1-3a) se puede sustituir en las terminales 1,2 por una fuente de corriente equivalente y una admitancia
YN conectadas en paralelo como se observa en la figura 1-3c). IN es la corriente en cortocircuito que fluye de la
terminal 1 a la terminal 2 debida a la red A, y YN es la razón de la corriente del cortocircuito entre voltaje del
circuito abierto entre las terminales 1,2 con la red B desconectada. Si la red A o B contienen una fuente controlada,
su variable de control debe estar en la misma red. Es obvio que así pues, cualquier método para
determinar ZTh es igualmente válido para encontrar YN.
Ejemplo 1.5 Obtenga la corriente IN y la admitancia YN equivalentes de Norton para el circuito que se ve en la
figura 1 -4 con valores como los del ejemplo 1.3.
La corriente de Norton se determina como la corriente de cortocircuito de la terminal 1 a la 2 mediante
superposición; esto es
La admitancia de Norton se encuentra a partir del resultado del ejemplo 1.3 como
Algunas veces denotamos los voltajes y corrientes con un subíndice doble para señalar cuáles terminales
son de más interés. De esta manera, V13 es el voltaje a través de las terminales 1 y 3, donde la terminal 1 está a
potencial más alto que el de la terminal 3. De manera análoga, /,3 es la corriente que fluye de la terminal 1 a la
terminal 3. Por ejemplo, VL en la figura 1-5a) puede etiquetarse como V,2 (pero no como V21).
Obsérvese también que un elemento activo (independiente o controlado) está restringido a su corriente o
voltaje asignado o indicado, sin importar lo que ocurra en el resto del circuito. Así la fuente controlada en la figura
1 -5a) proporcionará a VL A, sin importar qué voltaje se requiera ni qué cambios sucedan en otras partes del circuito.
1.6 REDES DE DOS PUERTOS
La red de la figura 1-6 es una red de dos puertos si se cumple que Puede caracterizarse
mediante las cuatro variables sólo dos de las cuales pueden ser independientes. Si se supone que
son variables independientes y que la red es lineal y contiene fuentes no independientes, las variables
independientes y dependientes se relacionan mediante los parámetros de impedancia de circuito abierto (o,
simplemente, tos parámetros con el conjunto de ecuaciones
Figura 1-6
6 1
corriente debida a corriente debida a
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
(1.8)
(1.9)
Se puede evaluar cada uno de los parámetros z mediante el establecimiento de la corriente apropiada a cero (o,
en forma equivalente mediante un circuito abierto en un puerto apropiado de la red). Estos parámetros son:
(1.10)
(1.11)
(1.12)
(1.13)
De manera similar, si se supone que V, y l2 son variables independientes resulta una caracterización de la
red de dos puertos por medio de los parámetros híbridos (o, simplemente, los parámetros se obtiene
(1.14)
(1.15)
Dos de los parámetros h se determinan mediante el puerto 2 en cortocircuito, mientras que los dos restantes se
determinan mediante el puerto 1 en circuito abierto:
(1.16)
(1.17)
(1.18)
(1.19)
Ejemplo 1.6 Encuentre los parámetros z para la red de dos puertos que se observa en la figura 1 -7.
Con el puerto 2 (a la derecha) en circuito abierto, /2 =0 y usando (1.10) da
Asimismo, la corriente IR2 descendiente a través de se obtiene por medio de la ecuación de la divisora de corriente
Pero, por la ley de Ohm,
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Por tanto, mediante (1.12),
De manera análoga, con el circuito abierto en el puerto conducen a
El uso de la división de la corriente para encontrar la corriente descendente a través de da
Y la ley de Ohm da
Así que, por (1.11)
Ejemplo 1.7 Encuentre los parámetros h para la red de dos puertos de la figura 1-7.
Con el puerto 2 en cortocircuito,
Mediante la división de corriente,
de manera que, por (1.18),
Si el punto 1 está en un circuito abierto, la división de voltaje y (1.17) conducen a
Finalmente, es la admitancia en el punto 2, dada en (1.19):
1.7 VALORES INSTANTÁNEOS, VALORES PROMEDIO Y VALORES RMS
Los valores instantáneos de una cantidad son el valor de ella en un tiempo determinado. A menudo queremos
conocer el valor promedio de una cantidad que tiene variaciones en el tiempo. Pero, obviamente, el valor promedio
8
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Ejemplo 1.9 Suponga que tenemos una resistencia R conectada directamente a una fuente de voltaje de cd. La
potencia absorbida por R es
Ahora reemplace por una fuente de voltaje de ca, La potencia instantánea está dada por
Por tanto, la potencia promedio en un periodo es, mediante (1.20),
Comparando (1.23) y (1.25) vemos que, en lo que se refiere a la disipación de la potencia, una fuente de ca de
amplitud Vm es equivalente a otra de cd de magnitud
(1.26)
Por este motivo al valor rms de un sinusoide, se le llama su valor eficaz.
Desde este punto de vista, a menos que se haga una declaración explícita de lo contrario, todas las corrientes
9
de una función sinusoidal en un periodo es cero. Por lo tanto, para sinusoides existe otro concepto que es más
útil, el del valor cuadrático medio (rms): Para cualquier función con variación de tiempo f(t) con un periodo T, el
valor promedio en un periodo está dado por
(1.20)
y el valor rms correspondiente está definido como
Ejemplo 1.8 Puesto que el valor promedio de una función del tiempo sinusoidal es cero, el valor promedio de
medio ciclo de dicha función no es cero y se utiliza con frecuencia. Encuentre el valor promedio de me-
dio ciclo de la señal sinusoidal de corriente que pasa a través de la resistencia R, la cual está conectada
directamente a una fuente de (ca) de señal periódica
Por medio de la ley de Ohm,
y de (1.20), aplicada a la mitad del ciclo desde
(1.22)
(1.23)
(1.24)
(1.25)
(1.21)
donde, por supuesto, F0 y F son independientes de f0. El motivo por el cual se introducen los valores rms se puede
comprender con el ejemplo 1.9.
10 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Problemas resueltos
1.1 Pruebe que el elemento inductor de la figura 1 -1 b) es un elemento lineal, demostrando que (1.2) satisface
la proposición del teorema de superposición.
Sean dos corrientes que fluyen a través de los inductores. Entonces mediante (1.2) los voltajes
a través del inductor para estas corrientes son, respectivamente,
Ahora bien, suponga que son constantes arbitrarias diferentes. Entonces por
(1.2) y (1),
(2)
Puesto que (2) se cumple para cualquier par de constantes la superposición se satisface y el
elemento es lineal.
1.2 Encuentre la corriente / mediante el teorema de superposición. Si
3 A en el circuito que se observa en la figura.
Figura 1-8
Con desactivada (circuito abierto), LVK y la ley de Ohm da la componente de . debida a Vs como
Con . desactivada (cortocircuito), la división de la corriente determina la componente debida a /s;
Por superposición, la corriente total es
y voltajes que están en el dominio de la frecuencia (fasores) utilizarán valores rms en vez de valores máximos.
Así pues, el voltaje en el dominio del tiempo se indicará en el dominio de la frecuencia como
(1)
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 11
1.3 Suponga que todos los valores del circuito son como el del problema 1-2 y la figura 1-8, excepto que R2
=0.25/ £2. Determine la corriente / utilizando el método de voltajes de nodo.
Por (1.1), la relación voltaje/corriente para es
Aplicando el método de voltajes de nodo en a y utilizando (1), obtenemos
Reordenando y sustituyendo los valores dados obtenemos
Haciendo x2
=vab y aplicando la fórmula cuadrática, obtenemos
La raíz negativa es un número que no tiene significado, puesto que el valor resultante de no satisface
LVK; por consiguiente, se toma el valor positivo
Observe que, debido a que la resistencia R2 es una función de la corriente, el circuito no es lineal y no se
puede aplicar al teorema de superposición.
1.4 Para el circuito que se observa en la figura 1-9, encuentre si a) k =0 y b) k =0.01. No use teoremas
de redes para simplificar el circuito anterior a la solución.
Figura 1-9
a) Para k =0, la corriente / puede determinarse inmediatamente con la ley de Ohm:
Puesto que la salida de la fuente de corriente controlada fluye a través de la combinación en paralelo
de dos resistores de 100 Ω, tenemos
1
(1)
de modo que
(1)
b) Con es necesario resolver dos ecuaciones simultáneas con las incógnitas Alrededor de
la malla del lado izquierdo, LVK da
Con como incógnita, (1) se convierte en
(2)
(3)
Resolviendo (2) y (3) simultáneamente mediante la regla de Cramer nos conduce a
1.5 Para el circuito de la figura 1-10, encuentre iL por el método de voltajes de nodo si
a) Con como incógnitas y sumando las corrientes en el nodo c, obtenemos
(1)
(2)
Ahora bien, la suma de corrientes en el nodo a da
(3)
Sustituyendo (2) en (4) y reordenando se obtiene
(4)
(5)
12 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 1
Sustituyendo (2) en (7) y reordenando da
Pero
13
La sustitución de los valores dados en (3) y (5) y la aplicación de la regla de Cramer finalmente dan
y por la ley de Ohm,
b) Con los valores dados (incluyendo a =0) sustituidos en (3) y (5), se utiliza la regla de Cramer para
determinar
Entonces se obtiene de nuevo con la ley de Ohm:
1.6 Encuentre el equivalente de Thóvenin para la red a la izquierda de las terminales a, b. Si V, = 10 V, V2 =
15 V, en el circuito mostrado en la figura 1-11.
Con las terminales a, b en circuito abierto, sólo fluye la corriente de malla /. Por lo tanto, mediante
LVK,
de modo que,
Figura 1-11
El voltaje equivalente de Thévenin es entonces
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
14 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Desactivando (poniendo en cortocircuito) las fuentes de voltaje independientes V, y V2 se obtiene la
impedancia de Thévenin a la izquierda de las terminales a, b como
se conectan como se indica en la figura 1 -3b) para obtener el circuito equivalente de Thévenin.
1.7 Encuentre el equivalente de Norton de la red a la izquierda de las terminales a, b, para el circuito y los
valores del problema 1.6.
Con las terminales a, b en cortocircuito, el componente de la corriente U debido a V, únicamente es
En consecuencia, por superposición,
Ahora bien, con Rn como en el problema 1.6,
íN y YN se conectan como se muestra en la figura 1 -3c) para producir el circuito equivalente de Norton.
1.8 Encuentre la impedancia de Thévenin, así como la razón del voltaje de circuito abierto entre la corriente
de cortocircuito. Para ilustrar la equivalencia de los resultados, utilice el circuito £^>s voltajes de los
problemas 1.6 y 1.7.
El voltaje de circuito abierto es VJh como se determinó en el problema 1.6 y la corriente en cortocircuito
es IN del problema 1.7. Por tanto,
1.9 Los teoremas de Thévenin y Norton se aplican también a circuitos diferentes de los de cd en estado
estable. Para el circuito en el "dominio de la frecuencia" que sé observa en la figura 1-12 (donde s es la
frecuencia), encuentre a) el equivalente de Thévenin y b) el equivalente de Norton del circuito a la derecha
de las terminales a, b.
a) Con las terminales a,b en circuito abierto, sólo fluye la corriente de malla /(s); mediante LVK y la ley
de Ohm, con todas las corrientes y voltajes como funciones de s, tenemos
De manera análoga, la componente debida sólo a V¡ es
lo cual concuerda con el resultado del problema 1.6.
Después LVK da
Con las fuentes independientes desactivadas, la impedancia de Thévenin se puede determinar como
b) La corriente de Norton se puede encontrar con
y la admitancia de Norton con
b Figura 1-12
1.10 Determine los parámetros z para la red de dos puertos que se observa en la figura 1-13.
Cuando /2 =0, mediante la ley de Ohm,
(2)
Asimismo, en el nodo b, LCK da
Así pues, según (1.10),
Además, nuevamente por la ley de Ohm,
La sustitución de (2) en (1) da
de modo que, según (1.12),
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 15
(1)
16 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
En seguida con /, =0. aplicando LCK en el nodo a nos da
Ahora bien, la sustitución de (2) en (3) da
Portante, de (1.13),
(3)
1.11 Determine los parámetros h para la red de dos puertos que se indica en la figura 1-13.
Para de esta manera, /, =V, /10 y, según (1.16),
Además, l2 =-/i y, mediante (1.18),
Ahora bien, Con h =0, la LVK da
y, de (1.17),
Finalmente, aplicando LCK en el nodo a da
de modo que, según (1.19),
La aplicación de LVK entonces conduce a
de esta manera, mediante (1.11),
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 17
1.12 Utilice (7.8), (7.9), y (7.76) a (7.79) para encontrar los parámetros h en términos de los parámetros z.
Estableciendo V2 =0 en (7.9) da
Ahora bien, con /, =0. (7.8) y (7.9) se convierte en
de modo que, de (7.77),
y, de (7.79),
1.13 Los parámetros h de la red de dos puertos mostrada en la figura 1-14 son y
Encuentre la ganancia de voltaje
Por la ley de Ohm, de modo que (1. 15) puede escribirse como
con lo cual podemos despejar la ganancia de voltaje:
de lo cual obtenemos
La sustitución anterior de (7) en (7.8) y el uso de (7.76) da
Despejando /, y sustituyéndolo en (7.14) da
1.14 Determine el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin a la derecha del puerto 1 del circuito que
se advierte en la figura 1-14.
El voltaje de Thévenin es V, de (1.8) con el puerto 1 en circuito abierto:
Ahora bien, por la ley de Ohm,
Pero, con /1 =0, la expresión (1.9) se reduce a
Restando (2) de (3) da
Puesto que en general, concluimos de (4) que
Sustituyendo (2) en (1.8) y (7.9) da
V, se encuentra despejando V2 y sustituyendo el resultado en (5):
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
1.15 Encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin en el puerto 1 del circuito que se indica en
la figura 1-14 si RL se reemplaza por una fuente de voltaje controlada por corriente de tal manera que V2
es una constante.
Como en el problema 1.14
(2)
Despejando /2 en (2) y sustituyendo el resultado en (1) da
Después ZTh se calcula como la impedancia en el punto de excitación
Pero si /1 =0, la expresión (1.9) y las relaciones definidas para la fuente controlada conducen a
de lo cual l2 =0 y, por tanto, VTh =0.
Ahora sea V1 =VI)PI de modo que /, =/dp, y determinamos ZTh como la impedancia en el punto de
excitación. De (1.8), (1.9), y las relaciones definidas para la fuente controlada, tenemos
18 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
(1)
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 19
de lo cual la impedancia de Thévenin se encuentra con
1.16 La forma de onda de la corriente periódica mostrada en la figura 1-15 está compuesta por segmentos de
una sinusoide. Encuentre (a) el valor promedio de la corriente y (b) el valor de rms (eficaz) de la corriente.
a) Debido a que i(t) =0 cuando el valor promedio de la corriente es, de acuerdo a (1.20),
Figura 1-15 Figura 1-16
1.17 Suponga que la forma de onda periódica que se indica en la figura 1-16 es una corriente (en vez de un
voltaje). Encuentre a) el valor promedio de la corriente y b) el valor rms de la corriente.
a) La integral indicada en (1.20) es simplemente el área bajo la curva f(t) para un periodo. Podemos,
por lo tanto, encontrar el promedio de la corriente como
6) De manera análoga, la integral en (1.21) no es más que el área bajo la curva Por tanto,
1.18 Calcule el promedio y los valores rms de la corriente
Puesto que i(t) tiene periodo la expresión (1.20) da
6) Según (1.21) y la identidad
de modo que
20 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Este resultado se esperaba, puesto que el valor promedio de una sinusoide en un ciclo es cero.
La ecuación (1.21) y la identidad proporcionan el valor rms de ¡(t):
1.19 Encuentre el valor rms (o eficaz) de una corriente que consta de la suma de dos funciones que varían
sinusoidalmente con frecuencias cuya razón es un entero.
Sin pérdida de generalidad, podemos escribir
1.20 Encuentre el valor promedio de la potencia entregada a una red de un puerto con una convención de
signos pasivos (que es; la corriente que se dirige de la terminal positiva a la negativa)
Después de realizar la integración y evaluar sus límites, el resultado es
de modo que
donde k es un entero. Aplicando (1.21) y retomando
obtenemos
Realizando la integración indicada y evaluando en los límites resulta
El flujo de la potencia instantánea en el puerto está dado por
Según (1.20),
21
Problemas complementarios
1.21 Pruebe que el elemento capacitivo que se indica en la figura 1-1c) es un elemento lineal que satisface el
postulado del teorema de superposición. (Sugerencia: vea el problema 1.1)
1.22
1.23 En la figura 1 -17, a) encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin para ia red a la izquierda
de las terminales a, b y b) use el circuito equivalente de Thévenin para determinar la corriente lL.
Figura 1-17 Figura 1-18
1.24 En el circuito mostrado en la figura 1-12, y la carga
es un resistor de a) Determine el equivalente de Thévenin para la red a la derecha de las terminales
a,b. b) Use el equivalente de Thévenin para encontrar la corriente de carga (Sugerencia: Los resultados
del problema 1.9 pueden utilizarse aquí, con s =/2.)
1.25 Encuentre el equivalente de Thévenin en el circuito puente como se ve a través del resistor de carga RL
que se observa en la figura 1-18.
1.26 Suponga que el circuito puente mostrado en la figura 1-18 se equilibra mediante
Encuentre los elementos del circuito equivalente de Norton. Resp.
1.27 Para el circuito que se indica en la figura 1-19, a) determine el equivalente de Thévenin del circuito
a la izquierda de las terminales a,b, y b) use el equivalente de Thévenin para encontrar la corriente de
carga
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Resp. a)
22 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
Figura 1-19
1.28 En el circuito que se observa en la figura 1-20, sea ñ, =RZ=RC = 1 Q y determine el equivalente de
Thévenin para el circuito a la derecha de las terminales a,b a) si vc =0.5/,, y b) si vc =0.5/2.
Figura 1-20
1.29 Encuentre el equivalente de Thévenin para la red a la izquierda de las terminales a,b, mostrada en la figura
a) si k =0, y b) si k =0.1. Use el equivalente de Thévenin para verificar los resultados del problema 1 ¿
1.30 Encuentre el equivalente de Thévenin para el circuito a la izquierda de las terminales a,b que se observa
en la figura 1-10, y úselo para verificar los resultados del problema 1.5.
1.31 Otra solución del problema 1.3 incluye la determinación de un circuito equivalente de Thévenin el cual,
cuando está conectado a través de la R2 =0.25i no lineal, permite el establecimiento de una ecuación
cuadrática para la corriente i mediante LVK. Encuentre los elementos del circuito de Thévenin y la corriente
resultante.
1.32 Use las ecuaciones (1.10) a (7.75) para encontrar los parámetros z en términos de los parámetros n.
1.33 Para la red de dos puertos que se advierte en la figura 1-14, (a) obtenga la razón de la ganancia de voltaje
V2/V1 en términos de los parámetros z, y luego evalúe dicha razón utilizando los valores de los parámetros
h dados en el problema 1.13 y los resultados del problema 1.32.
ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 23
1.34 Obtenga en términos de los parámetros h, la razón de ganancia de corriente I2 /I1 para la red de dos puertos
mostrada en la figura 1-14:
1.35 Encuentre la razón de ganancia de corriente I2 /I1, para la red de dos puertos que vemos en la figura 1-14
en términos de los parámetros z.
1.36 Determine el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin, en términos de los parámetros z,
observando hacia la derecha del puerto 1 de la red de dos puertos mostrada en la figura 1-14, si RL se
reemplaza por una fuente de voltaje independiente de cd Vd1, conectada de modo que V2 =V2.
1.37 Encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin en términos de los parámetros h, que se
ven a la derecha del puerto 1 de la red que vemos en la figura 1-14 si RL se reemplaza por una fuente de
corriente controlada por voltaje tal que y se supone que los parámetros h son
positivos.
1.39 Evalúe los parámetros z de la red mostrada en la figura 1-10.
1.38 Determine la impedancia en el punto de excitación (la impedancia de entrada con todas las fuentes
independientes desactivadas) de la red de dos puertos que se advierte en la figura 1-14.
1.40 Encuentre la corriente /1 que se ve en la figura 1 -2
V.
1.41 Para una red de un puerto con una convención de signos pasivos (Problema 1.20),
Calcule a) la potencia instantánea que fluye en la red y b) su potencia promedio.
Diodos
semiconductores
2.1 INTRODUCCIÓN
Los diodos se encuentran entre los dispositivos electrónicos más viejos y más ampliamente usados. Un diodo
puede definirse como un conductor casi unidireccional en el cual el estado de conductividad se determina mediante
la polaridad del voltaje entre sus terminales. El tema de este capítulo es el diodo semiconductor, el cual está
formado por la unión metalúrgica de materiales de tipo p y n. (Un material del tipo p es un elemento del grupo IV
impurificado con una pequeña cantidad de material del tipo V; el material del tipo n es un elemento base del grupo
IV impurificado con un material del grupo III.)
2.2 EL DIODO IDEAL
El símbolo del rectificador común o diodo se observa en la figura 2-1. El dispositivo tiene dos terminales
llamadas ánodo (tipo p) y cátodo (tipo n), con lo cual queda claro su nombre. Cuando el voltaje terminal es no
negativo se dice que el diodo tiene polarización directa o está "encendido"; la corriente positiva que fluye
se llama corriente directa. Cuando se dice que el diodo está en polarización inversa o "apagado",
y la corriente negativa pequeña correspondiente recibe el nombre de corriente inversa.
El diodo ideal es un dispositivo perfecto con dos estados que muestra una impedancia cero cuando la
polarización es directa y una impedancia infinita cuando la polarización es inversa (Figura 2-2). Obsérvese que,
como la corriente o voltaje es cero en cualquier instante, no existe potencia disipada en un diodo ideal. En muchas
aplicaciones de circuitos, la caída de voltaje directo del diodo y la corriente inversa son pequeños en comparación
con otras variables del circuito; por eso, se obtienen resultados suficientemente exactos si el diodo real se
representa como ideal.
DIODOS SEMICONDUCTORES 25
El procedimiento del análisis del diodo ideal es como sigue:
Paso 1: Supóngase que es directo, y reemplácese el diodo ideal con un cortocircuito.
Paso 2: Evalúese la corriente del diodo utilizando cualquier técnica de análisis para circuito lineal.
Paso 3:
Paso 4:
= 0, y despéjese las cantidades del circuito deseadas utilizando cualquier método en su análisis. El
voltaje se determina y debe tener un valor negativo.
Ejemplo 2.1 Encuentre el voltaje en el circuito que se indica en la figura 2-3a), donde D es un diodo ideal.
El análisis se simplifica si se encuentra el equivalente de Thévenin para el circuito a la izquierda de las
terminales a,b; el resultado es
Figura 2-3
Paso 1: Después de reemplazar la red al lado izquierdo de las terminales a,b con el equivalente de Thévenin,
supóngase que está polarizado directamente y reemplácese el diodo D con un cortocircuito, como se
ve en la figura 2-36).
Paso 2: Por la ley de Ohm,
Paso 3:
26 DIODOS SEMICONDUCTORES
Paso 4: Si y el resultado del paso 3 es inválido. El diodo D debe reemplazarse por un
circuito abierto como se ilustra en la figura 2-3c), y el análisis se realiza de nuevo. Puesto que ahora iD
se verifica que el diodo está polarizado inversamente.
(Véase el problema 2-4 para la extensión de este procedimiento a un circuito multidiodo.)
2.3 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO
El uso de la función de probabilidad de Fermi-Dirac para predecir cambios en la neutralización permite obtener
la ecuación estática (sin variación en el tiempo) para la corriente del diodo de unión:
(2.2)
(2.1)
donde
Ejemplo 2.2 Encuentre el valor de VT en (2.1) a 20 °C.
Recordando que el valor del cero absoluto es -273 °C, escribimos
En tanto que (2.1) sirve como modelo útil del diodo de unión en cuanto a su resistencia dinámica, la figura
2-4 presenta regiones de inexactitud:
1. La caída real del voltaje directo (medido) es mayor que la que se obtiene de la ecuación (2.1) (debida a la
resistencia óhmica de los contactos entre el metal y el material semiconductor).
2. La corriente inversa real para es mayor que la calculada con (2.1) (debida a la corriente de fuga
¡s a lo largo de la superficie del material semiconductor).
3. La corriente real inversa se incrementa a valores significativamente grandes que los obtenidos con la ecuación
(2.1) para (debido a un fenómeno complejo llamado disrupción en avalancha).
En los diodos que se encuentran en el mercado, la impurificación apropiada (adición de impurezas) del material
base produce las diferentes características estáticas para cada diodo. En la figura 2-5 se ve una comparación de
las características del diodo de Si y para el de Ge. ambos tipos de diodos muestran una
corriente inversa casi constante /fl. En general, mientras que para
Sí en el caso de los diodos de nivel de señal (especificaciones de corriente directa menores que 1 A). En un diodo
con polarización directa, el voltaje de conducción para entrar a la región de resistencia baja está entre 0.2 y 0.3
V para Ge, y entre 0.6 y 0.7 v para Si.
En ambos diodos Ge y Si, la corriente de saturación /„ se duplica con un incremento de temperatura de 10
°C; en otras palabras, la razón de la corriente de saturación en la temperatura T2 a la temperatura 7, es
VD
lo
T
k
q
T)
kT/q, V
■ voltaje entre las terminales del diodo, V
s corriente de saturación de temperatura dependiente, A
m temperatura absoluta de unión p-n, K
* constante de Boltzmann (1.38 x 10-23
J/K)
■ carga del electrón (1.6 x 10-19
C)
* constante empírica, 1 para Ge y 2 para Si
DIODOS SEMICONDUCTORES 27
Figura 2-4
Figura 2-5
Ejemplo 2.3 Encuentre el porcentaje de incremento de la corriente de saturación inversa de un diodo si la
temperatura se incrementa de 25 a 50 X).
Mediante (2.2)
28 DIODOS SEMICONDUCTORES
la unión p-n en polarización inversa; en una unión p-n polarizada en directo una capacitancia de difusión algo más
grande (en general de varios cientos de picofarads), directamente proporcional a la corriente directa, se debe
incluir en el modelo (Problema 2.25.)
2.4 ANÁLISIS GRÁFICO
Una solución gráfica supone necesariamente que el diodo es una resistencia y, por consiguiente, que está
instantáneamente caracterizada por su curva estática iD en función de El balance de la red en estudio debe
ser lineal de modo que exista el equivalente de Thévenin para ella (Figura 2-6). Por eso, las dos ecuaciones
simultáneas que se deben resolver gráficamente para son la característica del diodo.
y la línea de carga
(2.3)
(2.4)
Ejemplo 2.4 En el circuito que se indica en la figura 2-3a), Determine gráficamente
utilizando la característica del diodo de la figura 2-7.
El circuito puede reducirse al que se muestra en la figura 2.6, con
En consecuencia, con esos valores la línea de carga (2.4) debe sobreponerse a la característica del diodo, como
se ve en la figura 2-7. La solución deseada, está dada por el punto de intersección de las
dos gráficas.
Ejemplo 2.5 Si todas las fuentes varían con el tiempo en la parte original de una red lineal, entonces es
también una fuente de variación con el tiempo. En forma reducida [Figura 2-8a)], cada una de las redes tiene un
voltaje de Thévenin el cual es una onda triangular con una cresta de 2 V. Determine en esta red.
En este caso no existe un valor único de iD que satisfaga las ecuaciones simultáneas (2.3) y (2.4); más bien,
aquí existe un valor de iD correspondiente a cada valor que toma Una solución aceptable para iD puede
encontrarse considerando un número finito de valores de Puesto que es repetitivo, iD será repetitivo también
(con el mismo periodo), así que sólo se necesita considerar un ciclo.
Como se indica en la figura 2-86), comenzamos trazando una gráfica escalada de en función del tiempo,
con el eje de paralelo al eje de la característica del diodo. Luego seleccionamos un punto en la gráfica
tal que Considerando que el tiempo se detiene en construimos una línea de carga para
este valor en la gráfica de la característica del diodo; ésta interseca el eje
0.5/50 =10 mA. Determinamos el valor ¡D en el cual esta línea de carga interseca la característica, y trazamos el
punto en un sistema coordenado de iD en función del tiempo elaborado a la izquierda de la curva característica
del diodo. Después aumentamos el tiempo para algún nuevo valor, y repetimos íntegramente el proceso. Y
continuamos hasta que se acomplete un ciclo de Puesto que la línea de carga está cambiando continuamente,
se le llama línea de carga dinámica. La solución de una gráfica de iD difiere drásticamente de la forma de una
gráfica de debido a la no linealidad del diodo.
DIODOS SEMICONDUCTORES 29
30 DIODOS SEMICONDUCTORES
Ejemplo 2.6 Si se presentan ambas fuentes una de cd y otra con variación en el tiempo, en la parte lineal original
de una red, entonces es una combinación en serie de una fuente de cd y una que varía con el tiempo. Suponga
que la fuente de Thévenin de una red particular combina una batería de 0.7 V y una fuente sinusoidal con una
cresta de 0.1 V, como la que se observa en la figura 2-9a). Encuentre para la red.
Trazamos una gráfica escalada de con el eje paralelo al eje vD de la curva característica del diodo.
Luego consideramos el componente ca de para estar momentáneamente en cero (f =0) y graficamos una
línea de carga para este instante en la característica del diodo. Esta línea de carga particular se llama línea de
carga de cd, y su intersección con la curva característica del diodo se denomina punto estático o punto Q. Los
valores de en el punto Q se l l a m a n r e s p e c t i v a m e n t e , en la figura 2-9b).
En general, se necesitan varias líneas de carga dinámicas para terminar el análisis de iD en un ciclo de
Sin embargo, en el caso de la red en estudio se requieren solamente las líneas de carga dinámicas para los valores
máximos y mínimos de La razón es que la característica del diodo es casi una línea recta cercana al punto Q
[de a a b en la figura 2-9b)], de modo que habrá una distorsión despreciable en la componente ca de Así
pues, será de la misma forma que (por ejemplo, sinusoidal), y ésta puede ser fácilmente trazada una vez que
los extremos de variación hayan sido determinados. La solución de iD es
donde /dm es la amplitud del término sinusoidal.
sen
2.5 ANÁLISIS DEL CIRCUITO EQUIVALENTE
Técnicas lineales por secciones
En el análisis lineal por secciones, la curva característica del diodo se aproxima con los segmentos de una
línea recta. Aquí usaremos sólo las tres aproximaciones mostradas en la figura 2-10, en la cual se reemplaza el
diodo real por las combinaciones de diodos ideales, resistores y baterías. El modelo más simple que se observa
en la figura 2-1 Oa) trata el diodo real como una resistencia infinita para y como una batería ideal si tiende
a ser más grande que VF. El VF se selecciona normalmente de 0.6 a 0.7 V para un diodo de Si y de 0.2 a 0.3 V
para un diodo de Ge.
Si se requiere mayor precisión en la aplicación del intervalo de conducción directa se introduce un resistor
RF, como se indica en la figura 2-10b). Si la corriente inversa del diodo (/D <0) no puede despreciarse, entonces
se introduce un refinamiento adicional (RR más un diodo ideal) como se ve en la figura 2-1 Oc).
Técnicas de señales pequeñas
El análisis de señales pequeñas se puede aplicar al circuito del diodo mostrado en la figura 2-9 si la amplitud
de la señal de ca es suficientemente pequeña como para que la curvatura de la característica del diodo pueda
despreciarse en el intervalo de operación (de b a a). Entonces el voltaje del diodo y la corriente pueden escribirse
como la suma de una señal de cd y una señal de ca sin deformación. Además, la razón del voltaje de ca del
diodo a la corriente id de ca del diodo serán constantes e iguales a
(2.5)
donde rd se conoce como resistencia dinámica del diodo. Se deduce (de un argumento de circuitos lineales) que
los componentes de la señal de ca pueden determinarse mediante el análisis del circuito de "señal pequeña" que se
advierte en la figura 2-11; si la frecuencia de la señal de ca es grande, puede colocarse un capacitor en paralelo
2 DIODOS SEMICONDUCTORES 31
Figura 2-9
DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODOS SEMICONDUCTORES 33
con rd para simular el agotamiento o la capacitancia de difusión como se estudió en la sección 2.3. Generalmente
los componentes de cd o de señal en reposo deben determinarse por métodos gráficos puesto que la característica
del diodo no es lineal.
Ejemplo 2.7 Para el circuito que se observa en la figura 2-9, determine /D.
La corriente /DQ en el punto Q se ha determinado como 36 mA (Ejemplo 2.6). La resistencia dinámica del diodo
en el punto Q puede evaluarse gráficamente:
La corriente total del diodo se obtiene por superposición y coincide bien con lo que se encontró en el ejemplo 2.6:
Ejemplo 2.8 Para el circuito que se indica en la figura 2-9, determine y la capacitancia de
difusión es 5000 pF.
Del ejemplo 2.7, La capacitancia de difusión Cd actúa en paralelo con rd para proporcionar la
siguiente impedancia equivalente del diodo como se vio en la señal de ca:
En el dominio de la frecuencia, del circuito de señal pequeña (Figura 2-11) se obtiene
En el dominio del tiempo, con /DQ como se descubrió en el ejemplo 2.6, tenemos
Ahora el circuito para señal pequeña mostrado en la figura 2-11 puede analizarse para encontrar /d:
2.6 APLICACIONES DEL DIODO COMO RECTIFICADOR
Los circuitos rectificadores son recles de dos puertos en las que se aprovecha la conducción unilateral del
diodo: Un voltaje de ca se aplica en el puerto de entrada y aparece un voltaje de cd en el puerto de salida.
El circuito rectificador más simple (Figura 2-12) contiene un diodo sencillo. Se le llama comúnmente
rectificador de media onda debido a que el diodo conduce durante las mitades positiva o negativa de la forma de
onda del voltaje de entrada.
34 DIODOS SEMICONDUCTORES
Figura 2-12
Ejemplo 2.9 y el diodo es ideal. Calcule el valor promedio de
Se necesita considerar sólo un ciclo de Para el medio ciclo positivo, y, mediante la división del voltaje,
Para el medio ciclo negativo, el diodo está en polarización inversa, iD =0 y =0. Por tanto,
Aunque el rectificador de media onda da una salida de cd, la corriente fluye a través de RL sólo la mitad del
tiempo y el valor promedio del voltaje de salida es apenas veces el valor máximo del voltaje sinusoidal
de entrada. El voltaje de salida puede mejorarse mediante un rectificador de onda completa (véanse los problemas
2.27 y 2.48).
Cuando se utilizan los rectificadores como fuentes de potencia de cd, conviene que el valor promedio del
voltaje de salida permanezca casi constante aun cuando varíe la carga. El grado de constancia se mide como
regulación del voltaje.
(2.6)
lo cual se expresa normalmente como porcentaje. Observe que la regulación de 0 por ciento significa un voltaje
constante de salida.
Ejemplo 2.10 Encuentre la regulación del voltaje del rectificador de media onda indicado en la figura 2-12.
Del ejemplo 2.9, sabemos que
Suponiendo que para cuando no hay carga, podemos escribir
Así pues, la regulación del voltaje es
(2.7)
2.7 FILTRACIÓN DE FORMA DE ONDAS
La salida de un solo rectificador no es suficiente para suministrar potencia, debido a su variación con respecto
al tiempo. La situación se mejora colocando un filtro entre el rectificador y la carga. El filtro actúa como supresor
DIODOS SEMICONDUCTORES 35
de las armónicas de la forma de onda del rectificador y conserva la componente de cd. El factor de ondulación es
una medida de bondad de la forma de ondas rectificadas filtradas y no filtradas.
Normalmente se dice que un valor pequeño es alcanzable y práctico.
(2.8)
Ejemplo 2.11 Calcule el factor de ondulación para el rectificador de media onda del ejemplo 2.9a) sin un filtro y
b) con un filtro de capacitor en paralelo como se muestra en la figura 2-13a).
a) Para el circuito del ejemplo 2.9,
Figura 2-13
b) El capacitor que se observa en la figura 2-13 almacena energía, mientras que el diodo permite que la corriente
fluya, y entrega energía a la carga cuando el flujo de la corriente está bloqueado. El voltaje de carga real
que resulta con el filtro insertado está trazado en la figura 2-13b), para el cual suponemos que sen
y que D es un diodo ideal. En el caso de D es un capacitor de polarización directa y C se carga
al valor es menor que la polarización inversa de D provoca que éste actúe como un
circuito abierto. Durante este intervalo el capacitor se descarga a través de dando
(2.9)
En el intervalo el diodo D se polariza en directo y se carga nuevamente el capacitor a un valor
Entonces cae por debajo del valor de y ocurre otro ciclo de descarga idéntico al primero.
Es obvio que, si la constante de tiempo RLC es suficientemente grande (comparada con T) se produce
una disminución del voltaje VL como el indicado en la figura 2-13b), se habrá logrado una reducción máxima
en y un incremento máximo en relacionados con el rectificador no filtrado. La introducción de dos
aproximaciones totalmente razonables conduce a establecer fórmulas simples para y, por tanto,
para F,. Esas fórmulas son lo suficientemente exactas para el diseño y el trabajo de análisis.
variación máxima en el voltaje de salida
valor máximo en el voltaje de salida
36 DIODOS SEMICONDUCTORES
1. Si es pequeño, entonces mostrado en la figura 2-13b)
2. Si es suficientemente pequeño, entonces (2.9) puede representarse en el i n t e r v a l o p o r una línea
recta con una pendiente de magnitud
La línea punteada llamada "Aproximación "que se ve en la figura 2-136) realiza estas dos aproximaciones.
Del triángulo recto abc,
donde f es la frecuencia de Puesto que, en esta aproximación,
y es supuestamente grande,
(2.10)
2.8 OPERACIONES DE RECORTE Y SUJECIÓN
Los circuitos de recorte del diodo separan una señal de entrada con un nivel particular de cd y llegan a la
salida sin distorsión, la parte superior deseada o inferior de la forma de onda original. Se utilizan para eliminar el
ruido de amplitud o para fabricar nuevas formas de ondas de una señal existente.
Ejemplo 2.12 La figura 2-14a muestra un circuito recortador positivo, el cual recorta una parte de la señal de
entrada que es más grande que Vb y pasa como señal de salida a cualquier parte de que sea menor que
DIODOS SEMICONDUCTORES 37
Vb. Como puede verse, es negativo cuando provocando que el diodo ideal actúe como circuito abierto.
El valor de aparece en las terminales de salida como sin trayectoria para que la corriente fluya a través de R.
Sin embargo, cuando el diodo conduce actuando como cortocircuito y haciendo que se cumpla que
La gráfica de transferencia o característica de transferencia para el circuito en la figura 2-14b) contiene las
relaciones entre el voltaje de entrada tomado de aquí como y el voltaje de salida.
Sujeción, es un proceso de fijación de las crestas positiva o negativa de una forma de onda de entrada de ca
a un nivel específico de cd, sin importar cualquier variación en dichas crestas.
Ejemplo 2.13 Un circuito ideal de sujeción se indica en la figura 2-15b) y una forma de onda triangular de entrada
de ca, en la figura 2-15a). Si el capacitor C está descargado inicialmente, el diodo ideal D está polarizado
directamente para y actúa como un cortocircuito, mientras que el capacitor se carga a En
D opera como un circuito abierto lo que interrumpe la única trayectoria posible de descarga del capacitor. Así
pues, el valor se conserva; puesto que nunca puede excederse de permanece en polarización
inversa para toda d a n d o L a función se traza como se ve en la figura 2-15c); todas las
crestas positivas son ajustadas a cero, y el valor promedio se cambia de 0 a
2.9 EL DIODO ZENER
El diodo Zener o diodo de referencia, cuyo símbolo se indica en la figura 2-16a), tiene su uso principal como
un regulador de voltaje o referencia. La característica de conducción directa de un diodo Zener es muchas veces
la misma que la de un diodo rectificador; sin embargo, éste opera normalmente con polarización inversa, en cuyo
caso su característica es radicalmente diferente. Observe, en la figura 2-16b) que:
1. La ruptura de voltaje inverso es más bien abrupta, el voltaje de ruptura puede controlarse a través del proceso
de manufacturación por lo que tiene un valor razonablemente predecible.
2. Cuando un diodo Zener está en ruptura inversa, su voltaje permanece extremadamente cerca del valor de la
ruptura, mientras que la corriente varía de la corriente nominal (/z) a 10 por ciento o menos de la corriente
nominal lz.
Un regulador Zener debe diseñarse de modo que para asegurar que permanezca constante.
38 DIODOS SEMICONDUCTORES
fl)
Figura 2-16 b
)
Ejemplo 2.14 Encuentre el voltaje en el diodo Zener indicado en la figura 2-16a) y se conoce
que
Puesto que la operación está en la región segura y pronosticable del diodo Zener. Por tanto,
Frecuentemente Rz se desprecia en el diseño de los reguladores Zener. El problema 2.29 ilustra la técnica
del diseño.
Problemas resueltos
2.1 A una temperatura de unión de 25 °C, ¿para qué intervalo de fluctuación en la caída de voltaje la
ecuación (2.1) puede aproximarse como con menos del 1 por ciento de error para un diodo
Ge?
De (2.1) con el error será menor del 1 por ciento si Para este intervalo,
2.2 Un diodo de Ge descrito por (2.1) se opera a una temperatura de unión de 27 °C. Para una corriente directa
de 10 mA, se encuentra que es 0.3 V. a) Si calcule la corriente directa, b) Encuentre la
corriente de saturación Inversa.
a) Formamos la razón
fl)
Figura 2-16 b
)
DIODOS SEMICONDUCTORES 39
Después
b) Según (2.7),
2.3 Para el circuito que se ve en la figura 2-17a), trace las formas de onda de si el voltaje de la fuente
es como el que se indica en la figura 2-17b). El diodo es ideal, y
Si conduce de modo que
Si D obstruye de modo que como se indica en la figura 2-17c).
2.4 Amplíe el procedimiento del análisis del diodo ideal de la sección 2.2 para el caso de diodos múltiples
despejando la corriente iL en el circuito de la figura 2-18a). Suponga que son ideales. Y además
es una onda cuadrada de 10 V de un periodo de 1 ms.
Paso 1; Suponga que ambos diodos están polarizados directamente, y reemplace cada uno con un cortocircuito
como se muestra en la figura 2-18b).
Paso 2: Puesto que D, está "encendido", o en el estado de impedancia cero, la división de corriente requiere
que
Por tanto, según la ley de Ohm,
(2)
Paso 3: Observe que cuando según (2) t e n e m o s , A s i m i s m o , mediante (1),
Así todas las corrientes del diodo son más grandes o iguales que cero, y el análisis es válido.
Sin embargo, cuando tenemos, p o r y e l análisis n o e s válido.
Paso 4: Reemplace D, con un circuito abierto como se observa en la figura 2-18c). Ahora obviamente
según la ley de Ohm,
Además, la división del voltaje requiere que
(2)
40 DIODOS SEMICONDUCTORES
Figura 2-17
Figura 2-18
de modo que verificando que D1, realmente es el diodo con polarización inversa. Observe
que, si D2 hubiera sido reemplazado con un circuito abierto, podríamos haber encontrado que
realmente no habría estado en polarización inversa.
DIODOS SEMICONDUCTORES 41
2.5 En el circuito que se ve en la figura 2-19, los diodos D1 y D2 son ideales. Encuentre /D, y /D2.
Debido a las polaridades de D1 y D2, es necesario que Así pues, Pero
V1; así pues, y t a m b i é n a pesar de las condiciones en ia malla del lado derecho. Esto conduce
Figura 2-19
42 DIODOS SEMICONDUCTORES
a ¡02 = ¡s- Ahora usando el procedimiento del análisis de la sección 2.2, suponemos que D2 está en
polarización inversa y lo reemplazamos por un cortocircuito. Según LVK,
por ejemplo, los voltajes del diodo tienen el mismo orden que los voltajes de entrada. SuDonga que es
positivo y que excede a Entonces O, debe estar en polarización directa, c o n y , por lo tanto,
En consecuencia, D2 y D3 obstruyen, mientras que pasa como En general, esto es
así: La compuerta lógica OR establece que la señal de entrada positiva más grande se pasa com<
mientras que se obstruye el resto de las señales de entrada. Si todas las señales de entrada son negativas,
La aplicación de esta lógica da el trazo de mostrado en la figura 2-20c).
2.7 El diodo en el circuito que se observa en la figura 2-21a) tiene la característica terminal no lineal de la
figura 2-21 b). Encuentre en forma analítica
El circuito equivalente de Thévenin a la izquierda de las terminales a,b de la red que se indica en la
figura 2-21a) tiene
El diodo se puede modelar como en la figura 2-1 Ob), con
El circuito equivalente de Thévenin junto con el modelo del diodo se representan en el circuito que se ve
en la figura 2-21 c). Ahora, por la ley de Ohm,
Puesto que está, en efecto, polarizado directamente y el análisis es válido
2.6 La compuerta lógica OR puede utilizarse para fabricar formas de ondas compuestas. Trace la salida
de la compuerta indicada en la figura 2-20a) si las tres señales de la figura 2-20b) están presentes en las
terminales de entrada. Suponga que los diodos son ideales.
Para este circuito, LVK da
DIODOS SEMICONDUCTORES 43
2.8 Resuelva gráficamente para iD el problema 2.7.
El circuito equivalente de Thévenin ya ha sido determinado en el problema 2.7. Según (2.4), la línea
de carga de cd está dada por
(1)
En la figura 2-22, (1) ha sido superpuesto en la característica del diodo, regraficando de la figura 2-21 b).
Como en el ejemplo 2.6, las escalas de tiempo equivalentes para son colocadas adyacentes a la
curva característica. Puesto que la característica del diodo es lineal cerca del punto Q en la fluctuación
de operación, sólo necesitan dibujarse las líneas de carga dinámicas correspondientes al máximo y
mínimo. Una vez que son construidas paralelamente a la línea de carga de cd, iD puede trazarse.
Figura 2-22
2.9 Use la técnica de señal pequeña mostrada en la sección 2.5 para encontrar en el problema 2.7.
El circuito equivalente de Thévenin del problema 2.7 es válido aquí. Además, la Intersección de la
línea de carga de cd y la característica del diodo que se ve en la figura 2-22 dan
V. Según (2.5) la resistencia dinámica es, pues,
44 DIODOS SEMICONDUCTORES
Tenemos ahora todos los valores necesarios para el análisis utilizando el circuito de señal pequeña
mostrado en la figura 2.11. Por la Ley de Ohm.
2.10 Una fuente de voltaje, se coloca directamente a través de un diodo caracterizado
por la figura 2-21 b). La fuente no tiene impedancia interna y su polaridad es apropiada para la polarización
directa del diodo, a) Trace la corriente resultante del diodo /D. o) Determine el valor de la corriente de
reposo ID.
a) Una gráfica escalada de se ha colocado en forma adyacente al eje de la característica del diodo indicada
en la figura 2-23. Con una resistencia cero entre la fuente de voltaje ideal y el diodo, la línea de carga tiene
DIODOS SEMICONDUCTORES 45
El circuito se analiza como se indica en la figura 2-3c); los instantes de interés son
. . . , en cuyos tiempos está en su valor más negativo.
Una aplicación de LVK da
Figura 2-24
2.12 En el circuito de la figura 2-24, un generador de onda rectangular de 10 V con un periodo de
.Trace para los dos primeros ciclos si el capacitor ; inicialmente está descargado
y el diodo es ideal.
En el intervalo
Para
(1)
Puesto que , ocurre la falla de avalancha
6) De (7), queda manifiesto que sí
2.11 En el circuito mostrado en la figura 2-3a) suponga que
El diodo es ideal, con una corriente de saturación inversa y una clasificación de voltaje inverso
de pico (VIP) d a) ¿Fallará el diodo por la ruptura de avalancha? b) Si el diodo fallara, ¿existe
un valor de RL para el cual no ocurrirá la falla?
a) Del ejemplo 2.1.
una pendiente infinita y Así iD se encuentra proyectando punto por punto de sobre la característica
del diodo, seguida por la reflexión a través del eje de iD. Observe que i'D está extremadamente distorsionada,
presentando un pequeño parecido con
46 DIODOS SEMICONDUCTORES
Y para , D nuevamente obstruye y el voltaje del capacitor permanece en
Figura 2-25
2.13 El circuito indicado en la figura 2-26a) es un regulador de voltaje "inexpansivo"; todos los diodos son
idénticos y tienen la característica señalada en la figura 2-21 b). Encuentre la regulación de cuando
se incrementa de su valor nominal de 4 V al valor 6 V. Suponga que
Determinamos en el problema 2.7 que cada diodo puede modelarse como una batería, , y
un resistor, , en serie. Combinando las cadenas de los diodos entre los puntos a y b y entre los
puntos b y c se obtiene el circuito que se ve en la figura 2-26b), donde
Según LVK,
de donde
Las formas de onda de se trazan en la figura 2-25.
y (2.6) da
2.14 El circuito que vemos en la figura 2-17a) se usa como fuente de potencia de cd que alimenta una carga
RL que fluctúa entre es una onda cuadrada de 10 V. Determine el cambio en el valor
promedio de en porcentaje para el intervalo de variación de la carga, y comente la calidad de regulación
mostrada por este circuito.
Sea T el periodo de cuando
y así
Este valor grande de regulación es prohibitivo en la mayoría de las aplicaciones. Ningún otro circuito o
una red filtradora serían necesarios para hacer que esta potencia suministrada fuera útil.
2.15 El circuito de la figura 2-27 agrega un nivel de cd (un voltaje de polarización) a una señal cuyo valor
promedio es cero. SI es una onda cuadrada de 10 V de periodo y el diodo es ideal,
encuentre el valor promedio de
DIODOS SEMICONDUCTORES 47
48 DIODOS SEMICONDUCTORES
Figura 2-27
Si D está con polarización directa y tiene polarización inversa y
Así pues,
En algunas señales de entrada simétricas, este tipo de circuito podría destruir la simetría de la entrada.
2.16 Dimensione el capacitor de filtro en el circuito rectificador mostrado en la figura 2-13 de modo que el voltaje
de ondulación sea aproximadamente de 5 por ciento del valor promedio del voltaje de salida. El diodo es
ideal, Calcule el valor promedio de para este filtro.
Por tanto, utilizando la aproximación de (2.10), tenemos
2.17 En el circuito recortador positivo que se ve en la figura 2-14a), el diodo es ideal y es una onda triangular
de 10 V con un periodo T. Trace un ciclo del voltaje de salida
El diodo obstruye (actúa como un circuito abierto) para d a n d o e l diodo
está en conducción directa, recortando v¡ para efectuar La forma de onda del voltaje de salida
resultante está trazada en la figura 2-28.
2.18 Dibuje una característica de transferencia relacionando con para la red recortadora positiva del
problema 2.17. Asimismo, trace un ciclo de la forma de onda de salida si
Por tanto, utilizando la aproximación de (2.10), tenemos
DIODOS SEMICONDUCTORES 49
E l diodo obstruye para y conduce para Así p u e s , c o n
La característica de transferencia se muestra en la figura 2-29a). Para la señal de entrada dada,
la salida es una onda sinusoidal con la cresta positiva recortada en 6V, como se indica en la figura 2-29/b).
Figura 2-29
2.19 Invierta el diodo que se indica en la figura 2-14a) para crear una red recortadora negativa, a) Sea
V, y dibuje las características de la red de transferencia, b) Trace un ciclo de la forma de onda de salida
si
50 DIODOS SEMICONDUCTORES
a) El diodo conduce para y obstruye cuando . Por tanto,
V cuando La característica de transferencia se dibuja en la figura 2-30a).
b) Con el recortador negativo, la salida concuerda con las crestas positivas de arriba de 6 V
y es de 6 V en caso contrario. La figura 2-30 señala la forma de onda de la salida.
Figura 2-30
DIODOS SEMICONDUCTORES 51
2.20 Se aplica una señal al circuito de fijación de la figura 2-15b). Tratando el diodo en forma
ideal, trace la forma de onda de salida para Inicialmente, el capacitor está descargado.
Figura 2-32
2.21 Los diodos en el circuito que se observa en la figura 2-32 son ideales. Trace la característica de
transferencia para
La inspección del circuito muestra que /2 puede no tener una componente por la batería de 10 V
debido a que D2 tiene la peculiaridad de conducción en un solo sentido. Así pues, D, está "apagado" para
V, <0; entonces vD2 =-10 V y V¡ =0.
Así pues, si está "encendido" y Pero, si está "apagado",
están dados en función de según (1). La figura 2-33 indica el resultado compuesto.
Figura 2-33
Cuando el diodo está con polarización directa, dando como los cambios en
y así el diodo permanece en el modo de obstrucción, produciendo
La forma de onda de salida está trazada en la figura 2-31.
Ahora O, está "encendido" sin embargo, D2 está "apagado" si El principio de
conducción para D2 ocurre cuando Vab = 10 V con /2 =0o cuando, por medio del divisor de voltaje,
Por lo tanto, (1)
52 DIODOS SEMICONDUCTORES
2.22 Suponga que el diodo D2 se invierte en el circuito mostrado en la figura 2r32. Trace la característica de
transferencia resultante para
El diodo D2 está ahora "encendido" y hasta que V1 se incrementa lo suficiente como para
que , el punto en que . Esto es, ' hasta que
(1)
Para l y (1) permanece válido. La característica de transferencia resultante se observa con
línea punteada en la figura 2-33.
2.23 Suponga que se agrega un resistor a través de las terminales c,d del circuito que se ve en la
figura 2-32. Describa los cambios que se presentan en la característica de transferencia del problema
2.21.
Aquí no hay cambio en la característica de transferencia si . Sin embargo, D2 permanece
"apagado" hasta que sea se incrementa y. En el umbral de conducción para D2, la corriente
a través de D2 es cero; así,
Así pues, ' cuando y el punto de ruptura mostrado en el problema 2.21 en
se ha movido a . La característica de transferencia p a r a s e traza y se muestra en
la figura 2-33.
2.24 Trace la característica de entrada de la red que se observa en la figura 2-34a) cuando a) el interruptor
está abierto y b) cuando está cerrado.
Fiaura 2-34
La solución se encuentra más fácilmente si la fuente de corriente y resistor se reemplazan por los equivalentes
de Thévenin
Por lo tanto, por la ley de Ohm,
o hasta que
DIODOS SEMICONDUCTORES 53
a ) L V K d a l a cual es la ecuación de una línea recta que se interseca con el e j e y el
La pendiente de la línea es Se traza la característica mostrada en la figura 2-34b).
b) El diodo está polarizado en inversa y actúa como un circuito abierto cuando Se deduce que la
característica de aquí es idéntica a la del interruptor abierto si Pero si el diodo está con
polarización directa y actúa como un cortocircuito. En consecuencia, nunca puede alcanzar los
valores negativos y la corriente i puede incrementarse negativamente sin límite. La gráfica corres-
pondiente se incluye en la figura 2-34c).
2.25 En el circuito de señal pequeña que se ve en la figura 2-35, el capacitor modela la capacitancia de difusión
del diodo, de modo que se conoce por ser de frecuencia Así pues,
Encuentre el ángulo de fase a) entre id, y y b) entre
a) La capacitancia de difusión produce una reactancia
Así pues, id adelanta a mediante un ángulo de fase de 26.57°.
b) Sea la impedancia vista a la derecha de entonces
Por lo tanto, adelanta a mediante un ángulo de 26.57°-4.76° =21.81°.
Figura 2-35
2.26 Utilizando diodos ideales, resistores y baterías, sintetice un circuito generador de una función que
conduzca a la característica de i-v indicada en la figura 2-36a).
Puesto que la característica tiene dos puntos de corte, se requieren dos diodos. Ambos diodos deben
estar orientados de modo que la corriente no fluya para Además, un diodo debe moverse a
polarización directa en el primer punto de ruptura, y el segundo diodo debe comenzar la
conducción en Observe también que la pendiente de la gráfica es la recíproca de la re-
sistencia del equivalente de Thévenin de la parte activa de la red.
El circuito que se observa en la figura 2-36b) producirá la gráfica dada
Estos valores se obtienen como sigue:
1 . S i s o n negativos, ambos diodos obstruyen y n o fluye corriente.
2. Si tiene polarización directa y actúa como un cortocircuito, mientras que es
negativo y provoca que D2 actúe como un circuito abierto, se encuentra como el recíproco de la
pendiente en ese rango:
54 DIODOS SEMICONDUCTORES
3. Sí ambos diodos tienen polarización directa,
Figura 2-36
2.27 Encuentre para el circuito del rectificador de onda completa mostrado en la figura 2-37a), tratando al
transformador y a los diodos como ideales.
Los dos voltajes llamados indicados en la figura 2-37a) son idénticos en magnitud y fase. El
transformador ideal y la fuente de voltaje pueden, pues, ser reemplazados por dos fuentes de voltaje
idénticas, como se ve en la figura 2-37b), sin alterar el comportamiento eléctrico del balance de la red.
Cuando es positivo, D, tiene polarización directa y conduce pero D2 tiene polarización inversa y
obstruye. A la inversa, cuando es negativa, D2 conduce y D, obstruye. En resumen,
2.28 El diodo Zener en el circuito regulador de voltaje de la figura 2-38 tiene un voltaje inverso de ruptura
constante para . Si , dimensiones Rs de modo que se regula
a (mantiene en) 8.2 V, mientras aue Vb varía entre por ciento de su valor nominal 12 V.
a) b)
Según LCK
y así
DIODOS SEMICONDUCTORES 95
Figura 2-37
Según la ley de Ohm,
Ahora una aplicación de la LVK da
(1)
Figura 2-38
y usamos (1) para calcular fls para tener una corriente máxima del Zener l2 en el valor más alto de
Ahora revisamos si en el valor más bajo de Vb:
Puesto que y se conserva la regulación.
2.29 Un diodo Zener tiene las especificaciones Suponga a) Encuentre la
corriente máxima disponible cuando el diodo Zener está actuando como regulador, b) Si un circuito de
sólo una malla consta de una fuente ideal de cd de 15 V, un resistor variable R y el diodo Zener descrito,
encuentre el intervalo de valores de R para los cuales el diodo Zener permanece en ruptura constante
inversa sin riesgo de fallar.
a)
56 DIODOS SEMICONDUCTORES
b) Según LVK,
De la sección 2.9, sabemos que la regulación se conserva si
2.30 Un diodo emisor de luz (LED) tiene una caída de voltaje directo más grande que un diodo común de señal.
Un LED común puede modelarse como una caída de voltaje constante directo de Su intensidad
luminosa varía directamente con la corriente directa y se describe por
Un circuito en serie consta de un LED, un resistor limitador de corriente R y una fuente V, de cd de 5 V.
Encuentre el valor de fi tal que la intensidad luminosa sea 1 mcd.
Según (í), debemos tener
De LVK, tenemos
de modo que
2.31 El voltaje de ruptura inverso del LED del problema 2.30 está garantizado por el fabricante para que sea
menor que 3 V. Conociendo que la fuente de cd de 5 V puede aplicarse inadvertidamente de modo que
polarice al LED en forma inversa, deseamos agregar un diodo Zener para asegurarnos de que la ruptura
inversa del LED nunca pueda ocurrir. Un diodo Zener está disponible tiene y una
caída directa de 0.6 V. Describa la conexión apropiada del Zener en el circuito para proteger al LED y
determine el valor de la intensidad luminosa que resultará si R está inalterado respecto del problema 2.31.
El diodo Zener y el LED deben conectarse en serie de modo que el ánodo de un dispositivo se conecte
al cátodo del otro. Por consiguiente, aun cuando la fuente de 5 V se conecta al revés, el voltaje inverso
a través del LED será menor de Cuando la fuente de cd se conecta al LED en
polarización directa, tendremos
de modo que
La falla por sobrecorriente se evita si
Así pues, necesitamos
DIODOS SEMICONDUCTORES 57
Problemas complementarios
2.32 Un diodo de Si tiene una corriente de saturación a) Encuentre la corriente directa
iD si la caída directa vD es 0.5 V. b) Este diodo está especificado para una corriente máxima de 5 A. ¿Cuál
es su temperatura de unión en la corriente especificada si la caída directa es 0.7 V?
2.33 Resuelva el problema 2.1 para un diodo de Si.
2.34Los datos del laboratorio para un diodo de Si descritos por (2.1) muestran q u e c u a n d o
para . Encuentre a) la temperatura para la cual los datos fueron tomados y b)
la corriente inversa de saturación.
2.35 ¿Para qué voltaje la corriente inversa de un diodo de Ge que se describe en (2.1) alcanzará el 99 por
ciento de su valor de saturación a una temperatura de 300 °K?
2.36 Encuentre el incremento en la temperatura necesario para aumentar la corriente de saturación Inversa
de un diodo por un factor de 100.
Resp. 66.4 °C
2 . 3 7 E l diodo del problema 2.32 está operando en un circuito donde éste tiene resistencia dinámica
¿Cuáles deben ser las condiciones de reposo?
2.38 El diodo del problema 2.32 tiene corriente directa Encuentre el voltaje total
a través del diodo.
2.39 Encuentre la potencia disipada en el resistor de carga del circuito que se observa en la figura
2-17a) si el diodo es ideal y
Resp. 206.6 mW
2.40 La compuerta lógica AND indicada en la figura 2-39a) tiene un tren de pulso en su entrada como se indica
en la figura 2-396). La señal es errática, cayendo por debajo del nivel nominal lógico de cuando en
cuando. Determine
Resp. diferente de cero
2.41 La compuerta lógica AND mostrada en la figura 2-39a) se usa para generar un tren de pulsos burdos
proporcionando Determine (a) la amplitud y (b) el periodo del tren de pulsos
que aparece como
58 DIODOS SEMICONDUCTORES
2.42 En el circuito que se indica en la figura 2-24, es una onda rectangular de 10 V con un periodo de 4 ms.
El diodo no es ideal, con la característica mostrada en la figura 2-21 b). Si el capacitor está inicialmente
descargado, determine para el primer ciclo de
2.43 El voltaje directo a través del diodo del problema 2.33 es . Encuentre la componente
de ca de la corriente del diodo id.
b)
Figura 2-39
2.44 El circuito que se ve en la figura 2-40a) es un circuito duplicador de voltaje, usado algunas veces como
una fuente de potencia de bajo nivel cuando la carga RL es bastante constante. Se le llama "duplicador"
debido a que el valor máximo en estado estable de vL es dos veces el valor máximo del voltaje de la fuente
sinusoidal. La figura 2-40b) muestra un esquema del voltaje de salida en estado estable para
Suponga que los diodos son ideales, a) Resuelva,
por el método de prueba y error, la ecuación trascendental para el tiempo de caída b) Calcule el valor
de cresta a cresta en el voltaje de ondulación.
a) Figura 2-40 b)
DIODOS SEMICONDUCTORES 59
2.45 Encuentre la corriente del diodo durante un ciclo de carga del capacitor en el circuito rectificador que se
observa en la figura 2-13a) si (Sugerencia: La fórmula
aproximada de la ondulación no puede usarse pues el capacitor requiere implícitamente un tiempo igual
a cero para cargarse. En cambio, resuelva la corriente del capacitor y la corriente de carga, y sume.)
2.46 En el circuito que se indica en la figura 2-27, Si el diodo es ideal y
determine el valor promedio del voltaje de carga
Resp. 3.18 V
2.47 Resuelva de nuevo el problema 2.20 con el diodo mostrado en la figura 2-156) invertido y todo lo demás
igual. (El circuito es ahora un circuito fijador positivo.)
Resp. para para
2.48 Se utilizan cuatro diodos para el puente de onda completa mostrado en la figura 2-41. Suponiendo que
los diodos son ideales y que a) encuentre ef voftaj'e de saíída y o) el valor promedio de
Resp.
2.49 Un capacitor de filtrado en paralelo (Ejemplo 2.11) se agrega al rectificador de onda completa del problema
2.48. Muestre que el factor de ondulación está dado por
2.50 Invente un circuito rectificador de pico mediante la conexión de un capacitor de filtrado de entre
los puntos a,b en el circuito de la figura 2-41. . a) Obtenga la magnitud (de cresta
a cresta) del voltaje de ondulación y b) el valor promedio de
2.51 El circuito discriminador de nivel (Figura 2-42) tiene una salida cero, independientemente de la polaridad
de la señal de entrada, hasta que la entrada alcanza un valor crítico. Arriba del valor crítico, la salida
duplica la entrada. Con tal circuito algunas veces se puede eliminar los efectos de ruido de bajo nivel a
cambio de una pequeña distorsión. Relacione con para el circuito.
60 DIODOS SEMICONDUCTORES
2.52 El diodo que se ve en la figura 2-34 es invertido, pero todo lo demás permanece igual. Escriba una
ecuación que relacione v e / cuando a) el interruptor está abierto y b) cuando está cerrado.
2.53 El diodo Zener en el circuito de regulación de voltaje que se observa en la figura 2-38 tiene
V en un valor mínimo de de Si fluctúa entre a) encuentre el
valor máximo de para mantener la regulación y b) especifique la clasificación de potencia mínima del
diodo Zener.
2.54 El circuito regulador que se ve en la figura 2-38 se modifica reemplazando el diodo Zener por dos diodos
Zener en serie para obtener un voltaje regulado de 20 V. Las características de los dos Zener son:
a) Si varía entre 10 mA y 90 mA y . entre 22 V y 26 V, dimensiones de tal modo que la regulación
se conserve, b) ¿El Zener excederá su corriente nominal?
lo cual excede la especificación del diodo Zener 2
2.55 Los dos diodos Zener de la figura 2-43 tienen caídas directas despreciables y ambos regulan a un valor
constante para Si encuentre el valor promedio
del voltaje de carga cuando es una onda 10 V rectangular.
Resp. 0.75 V
2.56 El diodo Zener del problema 2.29 que se utiliza en un circuito simple en serie consta de una fuente de voltaje
variable de cd el diodo Zener y un resistor limitador de corriente a) Encuentre la fluctuación
permitida de Vs para la cual el diodo Zener está seguro y su regulación se conserva, b) Encuentre una
expresión de la potencia disipada por el diodo Zener.
2.57 El diodo varactor está diseñado para operar con polarización inversa y se fabrica en un proceso que
incrementa la dependencia del voltaje de la capacitancia de agotamiento o capacitancia de la unión
Frecuentemente un diodo varactor se conecta en paralelo con un inductor L para formar un circuito
resonante en que la frecuencia de resonancia es dependiente del voltaje. Dicho circuito
DIODOS SEMICONDUCTORES 61
puede formar las bases de un transmisor con modulación de frecuencia (FM). Un diodo varactor con una
capacitancia de agotamiento de se conecta en paralelo con un
encuentre el valor de requerido para establecer resonancia a una frecuencia de 100 MMZ.
2.58 Un LED con intensidad luminosa descrito por (1) del problema 2.30 es modelado mediante la función lineal
por secciones mostrada en la figura 2-10(b), con Calcule las intensidades luminosas
máxima y mínima que resultan si se usa el LED en un circuito en serie que consta del LED, un resistor
limitador de corriente y una fuente (Nota: Puesto que el periodo de
excede 1 minuto, es lógico suponer que la intensidad luminosa fluctúa según lo hace sin necesidad
de considerar la física del proceso de emisión de luz.)
2
Características de
transistores bipolares
de unión
3.1 CONSTRUCCIÓN DE TBJ Y SÍMBOLOS
El transistor bipolar de unión (TBJ) es un dispositivo de tres elementos (emisor, base y colector) hechos de
capas alternas de materiales semiconductores de tipo n y p unidos metalúrgicamente. El transistor puede ser del
tipo pnp (conducción principal mediante huecos positivos) o del tipo npn (conducción principal mediante electrones
negativos), como se muestra en la figura 3-1 (donde también se ilustran los símbolos esquemáticos y las
direcciones de corriente). La notación de doble subíndice se utiliza en la clasificación de los voltajes terminales
de modo que, por ejemplo, _
_
■ simboliza el incremento de potencial de la terminal del emisor E a la terminal base
B. Por razones de apariencia, comúnmente las corrientes y voltajes constan de componentes superpuestos de
cd y ca (normalmente señales sinusoidales). La tabla 3-1 presenta la notación de los voltajes y corrientes
terminales.
Tabla 3-1
Ejemplo 3.1 En el transistor npn que se ve en la figura 3-1a), se mueven de la base a la región
del emisor, mientras que se mueven del emisor a la región de la base. Un amperímetro da la
lectura de la corriente base Determine la corriente del emisor y la corriente del colector
La corriente del emisor se determina con la tasa neta del flujo de la carga positiva en la región del emisor:
Además, seqún LCK.
Tipo de valor
instantánea total
cd
punto estático
instantánea ca
rms
máximo de la sinusoide
Sírr
Variable
letras minúsculas
letras mayúsculas
letras mayúsculas
letras minúsculas
letras mayúsculas
letras mayúsculas
ibolo
Subíndice
letras mayúsculas
letras mayúsculas
letras mayúsculas más Q
letras minúsculas
letras minúsculas
letras minúsculas más m
Ejemplos
CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 63
3.2 CARACTERÍSTICAS TERMINALES DE LA BASE COMÚN
La conexión de la base común (BC) es un arreglo de dos puertos del transistor, el cual comparte la base en
un punto común con las terminales de entrada y salida. Las variables independientes de entrada son la corriente
del emisor y el voltaje emisor-base Las variables independientes de salida son la corriente del colector y
el voltaje colector-base El análisis práctico del transistor BC está basado en dos conjuntos de curvas
determinados experimerúaimente:
1. Las características de entrada o de transferencia relacionan (variables del puerto de entrada) cuando
se mantiene constante el valor de (variable del puerto de salida). El método de medición en laboratorio
se indica en la figura 3-2a), y la forma común de la familia de curvas resultante se representa en la figura
3-26).
2. Las características de salida o de colector dan ¡c en función de (variables del puerto de salida) para valores
constantes de (variable del puerto de entrada), medidas como se ve en la figura 3-2a). La figura 3-2c)
muestra la forma común de la familia de curvas resultante.
Figura 3-2 Características de base común (dispositivo pnp de Si)
3
64 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION
Figura 3-2 (Continuación)
3.3 CARACTERÍSTICAS TERMINALES DEL EMISOR COMÚN
La conexión del emisor común (EC) es un arreglo de un transistor de dos puertos (ampliamente usado debido
a su amplificación de corriente alta) en que el emisor comparte un punto común con las terminales de entrada y
salida. Las variables independientes del puerto de entrada son la corriente de base y el voltaje entre la base
y el emisor y las variables independientes del puerto de salida son la corriente del colector el voltaje del
colector al emisor Como el análisis de BC, el de EC se basa en:
1. Las características de entrada o de transferencia que relacionan las variables del puerto de entrada y
con constante. La figura 3-3a) muestra el arreglo medido, y la figura 3-3b) las características de entrada
resultante.
2. Las características de salida o del colector muestran la relación funcional entre las variables de salida del
puerto y el para la constante, medidas como se ve en la figura 3-3a). Las características del colector
representativo se muestran en la figura 3-3c).
Figura 3-3 Características del emisor común (dispositivo pnp de Si)
3
CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 65
3.4 RELACIONES DE CORRIENTE
Las dos uniones pn de los TBJ pueden estar polarizadas independientemente, lo cual da por resultado cuatro
posibles modos de operación de un transistor como se indica en la tabla 3-2. Una unión está polarizada en forma
directa si el material n está en un potencial más bajo que el del material p, y se tiene una polarización inversa
cuando el material n está en un potencial más alto que el del material p.
Tabla 3-2
Polarización del
emisor base
directa
inversa
inversa
directa
Polarización del
colector base
directa
inversa
directa
inversa
Modo de
operación
saturación
corte
inversa
lineal o activa
La saturación indica operación para los dispositivos de Si) tal que fluye la
máxima corriente en el colector y el transistor actúa en forma muy parecida a un interruptor cerrado entre las
terminales del colector y emisor. [Véanse las figuras 3-2c) y 3-3c).]
El corte indica una operación cercana al eje del voltaje de las características del colector, donde el transistor
actúa en forma muy semejante a un interruptor abierto. Sólo la corriente de fuga (similar a del diodo) fluye en
este modo de operación; Así pues, para la conexión B C , p a r a la conexión EC. Las figuras
3-2c) y 3-3c) indican estas corrientes de fuga.
El modo inverso es un modo activo de poco uso e ineficiente, en que el emisor y el colector están
intercambiados.
El modo activo o lineal describe la operación en la región a la derecha de la saturación y arriba del corte en
las figuras 3-2c) y 3.3c); aquí, existen relaciones casi lineales entre las corrientes terminales y las constantes
siguientes de proporcionalidad se definen para las corrientes de cd:
3
66 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION
(3.1)
(3.2)
donde las corrientes de fuga generadas térmicamente se relacionan mediante
(3.3)
La constante es una medida de la proporción de la mayoría de portadores (huecos para los dispositivos pnp,
electrones para npn) introducida en la región base del emisor que son recibidos por el colector. La ecuación (3.2)
es la característica de amplificación de la corriente cd del TBJ: Excepto para la corriente de fuga, la corriente de
base se incrementa o amplifica veces para llegar a ser la corriente del colector. En condiciones de cd, LCK da
activo.
Ejemplo 3.2 Determine para el transistor del ejemplo 3.1 si las corrientes de fuga (flujo debido a los huecos)
son despreciables y el flujo descrito de la carga es constante.
Si suponemos entonces
Ejemplo 3.3 Un TBJ tiene Encuentre a) la corriente del colector cd, 6)
la corriente del emisor cd y c) el error en porcentaje de la corriente del emisor cuando la corriente de fuga es
despreciable.
a) Con
Utilizando (3.3) en (3.2) entonces da
c) Despreciando la corriente de fuga, tenemos
3
y
b) La corriente del emisor cd se obtiene de (3.1):
dando un error en la corriente del emisor
CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 67
3.5 LINEAS DE POLARIZACIÓN Y DE CARGA PARA CD
Las fuentes de voltaje y los resistores polarizan un transistor; esto es, establecen un conjunto específico de
voltajes y corrientes terminales, determinando ast un punto de operación en modo activo (llamado punto estático
o punto Ó). Normalmente, los valores estáticos son invariables por la aplicación de una señal de ca para el circuito.
Con el arreglo de polarización universal que se indica en la figura 3-4a), sólo se necesita una fuente de
potencia de cd (VCc) para establecer la operación en modo activo. Úsese el equivalente de Thévenin del circuito
a la izquierda de las terminales a,b para el circuito mostrado en la figura 3-46), donde
(3.5)
Si despreciamos la corriente de fuga de modo que y si suponemos que el voltaje de emisor a la
base es constante respectivamente), entonces LVK alrededor de la malla
del emisor de la figura 3-4¿>) da
(3.6)
lo cual se puede representar por el circuito de polarización equivalente de la malla del emisor que se ve en la
figura 3-4c). Despejando en (3.6) y observando que
obtenemos
Si los valores de la componente y el valor del peor caso son tales que
(3.7)
3
68 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3
después lE0 (y así ) es casi constante, a pesar de los cambios de entonces el circuito tiene polarización
independiente de
Según la figura 3-3c) es evidente que se describe la familia de las características del colector mediante
relaciones matemáticas con la variable independiente y el parámetro Suponemos que el circuito
del colector puede polarizarse para colocar el punto Q en cualquier lugar en la región activa. Un arreglo
representativo se muestra en la figura 3-5a), del cual se deduce
Así pues, si la línea de carga de cd,
se combinan con las relaciones para las características del colector, el sistema resultante se puede resolver
(analítica y gráficamente) para las cantidades del colector en reposo
Ejemplo 3.4 El interruptor de la fuente de señal que se ve en la figura 3-5a) está cerrado, y la corriente de la
base del transistor se convierte en
Las características del colector del transistor se muestran en la figura 3-5b). Si determine
gráficamente a) en el punto Q.
a) La línea de carga cd tiene la intersección con el eje de las ordenadas en y el eje de las abscisas
por y está construida en la figura 3-5b). El punto Q es la intersección de la línea de carga con la
curva característica Las cantidades estáticas se pueden leer de los ejes como
y
b) Se construye una escala de tiempo perpendicular a la línea de carga en el punto Q, y se dibuja un trazo
escalado de [Figura. 3-5b) y se traslada a lo largo de la línea de carga para trazar
Como oscila entre a lo largo de la línea de carga del punto a al b, los componentes ca de la corriente
del colector y el voltaje toman los valores
El signo negativo en significa un cambio en la fase de 180°.
c) De (3.2) con coincide con el e j e e n la figura 3-5b), se deduce que
Es claro que los amplificadores pueden polarizarse para su operación en cualquier punto a lo largo de la línea
de carga. La tabla 3-3 muestra las diversas clases de amplificadores, basadas en el porcentaje del ciclo en señal
en el cual operan en la región lineal o activa.
(3.8)
y la especificación
(3.10)
CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 69
a)
3
70
Tabla 3-3
3.6 CAPACITORES DE CA Y LÍNEAS DE CARGA
Dos usos comunes de los capacitores (ajustados en su valor para que aparezcan como cortocircuitos para
frecuencias de señal) se representan mediante el circuito de la figura 3-6a):
1. Los capacitores de acoplamiento limitan las cantidades de cd hacia el transistor y su sistema de circuitos
de polarización.
2. Los capacitores de paso efectivamente quitan el resistor del emisor, el cual reduce la ganancia para
señales de ca, pero permiten que desempeñe su labor en el establecimiento de la polarización inde-
pendiente de (Sección 3.5).
Los capacitores que se indican en la figura se ponen en corto cuando aparecen las señales de ca [Figura.
3-66)]. En la figura 3-6a), observamos que la resistencia del circuito de colector vista por la corriente de polarización
Sin embargo, de la figura 3-66) esto es aparente a la señal de corriente al balancear
la resistencia del circuito de colector Puesto que en general, aparece el concepto
de línea de carga de ca. Mediante la aplicación de LVK al circuito mostrado en la figura 3-6b), se encuentra la
característica del sistema de circuito para la señal externa.
CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES ,DE UNION 3
Clase
A
AB
B
C
Porcentaje de la excursión de
la señal en la región activa
100
entre 50 y 100
50
menos de 50
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf
Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf

Más contenido relacionado

La actualidad más candente

Amplificador en Base Comun y Colector Comun
Amplificador en Base Comun y Colector ComunAmplificador en Base Comun y Colector Comun
Amplificador en Base Comun y Colector Comuniscped
 
Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación
Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación  Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación
Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación Maximiliano Garcia
 
Cuadro comparativo de familias logicas
Cuadro comparativo de familias logicasCuadro comparativo de familias logicas
Cuadro comparativo de familias logicasGermanGeorge
 
3 2 circuitos-disparo
3 2 circuitos-disparo3 2 circuitos-disparo
3 2 circuitos-disparoAxtridf Gs
 
Transformadores monofasicos bachillerato
Transformadores monofasicos bachillerato Transformadores monofasicos bachillerato
Transformadores monofasicos bachillerato Mario Rosales
 
Tabla de codigos ansi para protecciones electricas
Tabla de codigos ansi para protecciones electricasTabla de codigos ansi para protecciones electricas
Tabla de codigos ansi para protecciones electricasEfraín Herrera Jaén
 
Ejercicios resueltos
Ejercicios resueltosEjercicios resueltos
Ejercicios resueltosColono
 
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
AMPLIFICADORES OPERACIONALESAMPLIFICADORES OPERACIONALES
AMPLIFICADORES OPERACIONALESLuis Miguel Q
 
500 proyectos de electronica
500 proyectos de electronica500 proyectos de electronica
500 proyectos de electronicafedericoblanco
 
Interruptores De Potencia
Interruptores De PotenciaInterruptores De Potencia
Interruptores De Potenciateoriaelectro
 
Filtros activos
Filtros activosFiltros activos
Filtros activosgotens1984
 
PLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdf
PLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdfPLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdf
PLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdfSANTIAGO PABLO ALBERTO
 
54599266 ejercicios-flip-flops
54599266 ejercicios-flip-flops54599266 ejercicios-flip-flops
54599266 ejercicios-flip-flopsSENA-CIMI-GIRON
 
Tema 7:Amplificador Diferencial
Tema 7:Amplificador DiferencialTema 7:Amplificador Diferencial
Tema 7:Amplificador DiferencialHéctor
 
Electronica rectificadores
Electronica rectificadoresElectronica rectificadores
Electronica rectificadoresVelmuz Buzz
 
Rectificadores bueno
Rectificadores buenoRectificadores bueno
Rectificadores buenosuperone314
 

La actualidad más candente (20)

Amplificador en Base Comun y Colector Comun
Amplificador en Base Comun y Colector ComunAmplificador en Base Comun y Colector Comun
Amplificador en Base Comun y Colector Comun
 
Control de-motores-electricos
Control de-motores-electricosControl de-motores-electricos
Control de-motores-electricos
 
Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación
Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación  Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación
Tipos de controles AC y velocidad de motores Electrónica Presentación
 
Cuadro comparativo de familias logicas
Cuadro comparativo de familias logicasCuadro comparativo de familias logicas
Cuadro comparativo de familias logicas
 
3 2 circuitos-disparo
3 2 circuitos-disparo3 2 circuitos-disparo
3 2 circuitos-disparo
 
Transformadores monofasicos bachillerato
Transformadores monofasicos bachillerato Transformadores monofasicos bachillerato
Transformadores monofasicos bachillerato
 
Tabla de codigos ansi para protecciones electricas
Tabla de codigos ansi para protecciones electricasTabla de codigos ansi para protecciones electricas
Tabla de codigos ansi para protecciones electricas
 
Ejercicios resueltos
Ejercicios resueltosEjercicios resueltos
Ejercicios resueltos
 
inversores
inversoresinversores
inversores
 
Informe amplificador operacional
Informe amplificador operacionalInforme amplificador operacional
Informe amplificador operacional
 
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
AMPLIFICADORES OPERACIONALESAMPLIFICADORES OPERACIONALES
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
 
500 proyectos de electronica
500 proyectos de electronica500 proyectos de electronica
500 proyectos de electronica
 
Interruptores De Potencia
Interruptores De PotenciaInterruptores De Potencia
Interruptores De Potencia
 
Filtros activos
Filtros activosFiltros activos
Filtros activos
 
PLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdf
PLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdfPLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdf
PLC y Electroneumática: Automatismos Industriales José Roldan Viloria.pdf
 
54599266 ejercicios-flip-flops
54599266 ejercicios-flip-flops54599266 ejercicios-flip-flops
54599266 ejercicios-flip-flops
 
Variadores VENTAJAS Y DESVENTAJAS
Variadores VENTAJAS Y DESVENTAJASVariadores VENTAJAS Y DESVENTAJAS
Variadores VENTAJAS Y DESVENTAJAS
 
Tema 7:Amplificador Diferencial
Tema 7:Amplificador DiferencialTema 7:Amplificador Diferencial
Tema 7:Amplificador Diferencial
 
Electronica rectificadores
Electronica rectificadoresElectronica rectificadores
Electronica rectificadores
 
Rectificadores bueno
Rectificadores buenoRectificadores bueno
Rectificadores bueno
 

Similar a Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf

Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica 4ta Edición Allan Robbins...
Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica  4ta Edición Allan Robbins...Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica  4ta Edición Allan Robbins...
Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica 4ta Edición Allan Robbins...SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Analisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdf
Analisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdfAnalisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdf
Analisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdfEMERSON EDUARDO RODRIGUES
 
An lisis de circuitos(solucionario)..pdf
An lisis de circuitos(solucionario)..pdfAn lisis de circuitos(solucionario)..pdf
An lisis de circuitos(solucionario)..pdfSarah Morrow
 
Clase 0 forma de evaluación ei
Clase 0 forma de evaluación eiClase 0 forma de evaluación ei
Clase 0 forma de evaluación eiTensor
 
Clase 0 forma de evaluación
Clase 0 forma de evaluaciónClase 0 forma de evaluación
Clase 0 forma de evaluaciónTensor
 
Preinforme fuente switching
Preinforme fuente switchingPreinforme fuente switching
Preinforme fuente switchingLautaro Narvaez
 
Electrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdf
Electrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdfElectrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdf
Electrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdfJOSE273341
 
Fundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdf
Fundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdfFundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdf
Fundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdfSANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Fundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadikuFundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadikuMichael Pabón León
 
Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)
Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)
Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)Lex Mortem
 
Sadiku circuitos elctricos-3edi
Sadiku circuitos elctricos-3ediSadiku circuitos elctricos-3edi
Sadiku circuitos elctricos-3ediNacho Ramon Gauna
 
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadikuFundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadikuOsmar Catalino Rojas Orué
 
fundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdf
fundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdffundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdf
fundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdfALEJANDROREALPE3
 
Fundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadikuFundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadikuAndrés Rojas
 
Fundamentos de circuitos eléctricos 3edi sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos   3edi sadikuFundamentos de circuitos eléctricos   3edi sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos 3edi sadikuNéstor Baide
 
Fundamentos de circuitos electricos
Fundamentos de circuitos electricosFundamentos de circuitos electricos
Fundamentos de circuitos electricosnaimfernandiux
 
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
 Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadikuMonicaGonzaga
 

Similar a Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf (20)

Contenido Circuitos Eléctricos I
Contenido Circuitos Eléctricos IContenido Circuitos Eléctricos I
Contenido Circuitos Eléctricos I
 
Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica 4ta Edición Allan Robbins...
Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica  4ta Edición Allan Robbins...Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica  4ta Edición Allan Robbins...
Análisis de circuitos eléctricos teoría y practica 4ta Edición Allan Robbins...
 
Analisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdf
Analisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdfAnalisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdf
Analisis de circuitos - Teoria y practica EMERSON EDUARDO RODRIGUES.pdf
 
An lisis de circuitos(solucionario)..pdf
An lisis de circuitos(solucionario)..pdfAn lisis de circuitos(solucionario)..pdf
An lisis de circuitos(solucionario)..pdf
 
Clase 0 forma de evaluación ei
Clase 0 forma de evaluación eiClase 0 forma de evaluación ei
Clase 0 forma de evaluación ei
 
Clase 0 forma de evaluación
Clase 0 forma de evaluaciónClase 0 forma de evaluación
Clase 0 forma de evaluación
 
Preinforme fuente switching
Preinforme fuente switchingPreinforme fuente switching
Preinforme fuente switching
 
Electrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdf
Electrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdfElectrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdf
Electrónica - Dispositivos y Aplicaciones.pdf
 
Fundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdf
Fundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdfFundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdf
Fundamentos de circuitos eléctricos 3ra edición Sadiku.pdf
 
Fundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadikuFundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-electricos-3edi-sadiku
 
Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)
Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)
Libro Fundamentos de circuitos eléctricos (Charles Alexander)
 
Sadiku circuitos elctricos-3edi
Sadiku circuitos elctricos-3ediSadiku circuitos elctricos-3edi
Sadiku circuitos elctricos-3edi
 
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadikuFundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
 
fundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdf
fundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdffundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdf
fundamentos-de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku.pdf
 
Fundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadikuFundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos 3 ed sadiku
 
Fundamentos de circuitos eléctricos 3edi sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos   3edi sadikuFundamentos de circuitos eléctricos   3edi sadiku
Fundamentos de circuitos eléctricos 3edi sadiku
 
Fundamentos de circuitos electricos
Fundamentos de circuitos electricosFundamentos de circuitos electricos
Fundamentos de circuitos electricos
 
Fundamentos de-circuitos
Fundamentos de-circuitosFundamentos de-circuitos
Fundamentos de-circuitos
 
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
 Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
Fundamentos de-circuitos-elc3a9ctricos-3edi-sadiku
 
Sadiku
SadikuSadiku
Sadiku
 

Más de SANTIAGO PABLO ALBERTO

Manual de teoría y practica electroneumática avanzada
Manual de teoría y practica electroneumática avanzadaManual de teoría y practica electroneumática avanzada
Manual de teoría y practica electroneumática avanzadaSANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez
Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez
Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Programación de microcontroladores PIC en C con Fabio Pereira
Programación de microcontroladores PIC en  C con Fabio PereiraProgramación de microcontroladores PIC en  C con Fabio Pereira
Programación de microcontroladores PIC en C con Fabio PereiraSANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...
Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...
Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Programación de autómatas PLC OMRON CJ/CP1
Programación de  autómatas PLC OMRON CJ/CP1Programación de  autómatas PLC OMRON CJ/CP1
Programación de autómatas PLC OMRON CJ/CP1SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Manual del sistema del controlador programable S7-200 SMART
Manual del sistema del controlador programable S7-200 SMARTManual del sistema del controlador programable S7-200 SMART
Manual del sistema del controlador programable S7-200 SMARTSANTIAGO PABLO ALBERTO
 
PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...
PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...
PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por Luis Miguel...
PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por  Luis Miguel...PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por  Luis Miguel...
PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por Luis Miguel...SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...
Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...
Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...
PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...
PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...SANTIAGO PABLO ALBERTO
 
Electrónica digital: Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...
Electrónica digital:  Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...Electrónica digital:  Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...
Electrónica digital: Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...SANTIAGO PABLO ALBERTO
 

Más de SANTIAGO PABLO ALBERTO (20)

secuencia electroneumática parte 1
secuencia electroneumática parte 1secuencia electroneumática parte 1
secuencia electroneumática parte 1
 
secuencia electroneumática parte 2
secuencia electroneumática parte 2secuencia electroneumática parte 2
secuencia electroneumática parte 2
 
Manual de teoría y practica electroneumática avanzada
Manual de teoría y practica electroneumática avanzadaManual de teoría y practica electroneumática avanzada
Manual de teoría y practica electroneumática avanzada
 
Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez
Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez
Programacion de PLC basado en Rslogix 500 por Roni Domínguez
 
Programación de microcontroladores PIC en C con Fabio Pereira
Programación de microcontroladores PIC en  C con Fabio PereiraProgramación de microcontroladores PIC en  C con Fabio Pereira
Programación de microcontroladores PIC en C con Fabio Pereira
 
Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...
Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...
Análisis y Diseño de Sistemas de Control Digital por Ricardo Fernandez del Bu...
 
Arduino: Arduino de cero a experto
Arduino: Arduino de cero a expertoArduino: Arduino de cero a experto
Arduino: Arduino de cero a experto
 
Fisica I
Fisica IFisica I
Fisica I
 
Quimica.pdf
Quimica.pdfQuimica.pdf
Quimica.pdf
 
Manual básico PLC OMRON
Manual básico PLC OMRON Manual básico PLC OMRON
Manual básico PLC OMRON
 
Programación de autómatas PLC OMRON CJ/CP1
Programación de  autómatas PLC OMRON CJ/CP1Programación de  autómatas PLC OMRON CJ/CP1
Programación de autómatas PLC OMRON CJ/CP1
 
Manual del sistema del controlador programable S7-200 SMART
Manual del sistema del controlador programable S7-200 SMARTManual del sistema del controlador programable S7-200 SMART
Manual del sistema del controlador programable S7-200 SMART
 
Catálogo de PLC S7-200 SMART
Catálogo de PLC S7-200 SMART Catálogo de PLC S7-200 SMART
Catálogo de PLC S7-200 SMART
 
PLC: Automatismos industriales
PLC: Automatismos industrialesPLC: Automatismos industriales
PLC: Automatismos industriales
 
PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...
PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...
PLC: Buses industriales y de campo practicas de laboratorio por Jose Miguel R...
 
PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por Luis Miguel...
PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por  Luis Miguel...PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por  Luis Miguel...
PLC y Electroneumática: Electricidad y Automatismo eléctrico por Luis Miguel...
 
Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...
Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...
Electrónica: Diseño y desarrollo de circuitos impresos con Kicad por Miguel P...
 
PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...
PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...
PLC: Diseño, construcción y control de un motor doble Dahlander(cuatro veloci...
 
PLC: Motor Dahlander
PLC: Motor DahlanderPLC: Motor Dahlander
PLC: Motor Dahlander
 
Electrónica digital: Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...
Electrónica digital:  Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...Electrónica digital:  Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...
Electrónica digital: Introducción a la Lógica Digital - Teoría, Problemas y ...
 

Último

Controladores Lógicos Programables Usos y Ventajas
Controladores Lógicos Programables Usos y VentajasControladores Lógicos Programables Usos y Ventajas
Controladores Lógicos Programables Usos y Ventajasjuanprv
 
TEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIAS
TEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIASTEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIAS
TEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIASfranzEmersonMAMANIOC
 
Mapas y cartas topográficas y de suelos.pptx
Mapas y cartas topográficas y de suelos.pptxMapas y cartas topográficas y de suelos.pptx
Mapas y cartas topográficas y de suelos.pptxMONICADELROCIOMUNZON1
 
TERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOL
TERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOLTERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOL
TERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOLdanilojaviersantiago
 
CAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESO
CAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESOCAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESO
CAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESOLUISDAVIDVIZARRETARA
 
CONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptx
CONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptxCONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptx
CONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptxBrayanJavierCalle2
 
PERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADO
PERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADOPERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADO
PERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADOFritz Rebaza Latoche
 
desarrollodeproyectoss inge. industrial
desarrollodeproyectoss  inge. industrialdesarrollodeproyectoss  inge. industrial
desarrollodeproyectoss inge. industrialGibranDiaz7
 
clases de porcinos generales de porcinos
clases de porcinos generales de porcinosclases de porcinos generales de porcinos
clases de porcinos generales de porcinosDayanaCarolinaAP
 
aCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.ppt
aCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.pptaCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.ppt
aCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.pptCRISTOFERSERGIOCANAL
 
Comite Operativo Ciberseguridad 012020.pptx
Comite Operativo Ciberseguridad 012020.pptxComite Operativo Ciberseguridad 012020.pptx
Comite Operativo Ciberseguridad 012020.pptxClaudiaPerez86192
 
PPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdf
PPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdfPPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdf
PPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdfalexquispenieto2
 
Reporte de Exportaciones de Fibra de alpaca
Reporte de Exportaciones de Fibra de alpacaReporte de Exportaciones de Fibra de alpaca
Reporte de Exportaciones de Fibra de alpacajeremiasnifla
 
Reporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdf
Reporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdfReporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdf
Reporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdfMikkaelNicolae
 
01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.ppt
01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.ppt01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.ppt
01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.pptoscarvielma45
 
INTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICA
INTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICAINTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICA
INTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICAJOSLUISCALLATAENRIQU
 
Principales aportes de la carrera de William Edwards Deming
Principales aportes de la carrera de William Edwards DemingPrincipales aportes de la carrera de William Edwards Deming
Principales aportes de la carrera de William Edwards DemingKevinCabrera96
 
NTP- Determinación de Cloruros en suelos y agregados (1) (1).pptx
NTP- Determinación de Cloruros  en suelos y agregados (1) (1).pptxNTP- Determinación de Cloruros  en suelos y agregados (1) (1).pptx
NTP- Determinación de Cloruros en suelos y agregados (1) (1).pptxBRAYANJOSEPTSANJINEZ
 
Procesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptx
Procesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptxProcesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptx
Procesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptxJuanPablo452634
 
TEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdf
TEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdfTEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdf
TEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdfXimenaFallaLecca1
 

Último (20)

Controladores Lógicos Programables Usos y Ventajas
Controladores Lógicos Programables Usos y VentajasControladores Lógicos Programables Usos y Ventajas
Controladores Lógicos Programables Usos y Ventajas
 
TEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIAS
TEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIASTEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIAS
TEXTURA Y DETERMINACION DE ROCAS SEDIMENTARIAS
 
Mapas y cartas topográficas y de suelos.pptx
Mapas y cartas topográficas y de suelos.pptxMapas y cartas topográficas y de suelos.pptx
Mapas y cartas topográficas y de suelos.pptx
 
TERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOL
TERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOLTERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOL
TERMODINAMICA YUNUS SEPTIMA EDICION, ESPAÑOL
 
CAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESO
CAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESOCAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESO
CAPITULO 4 ANODIZADO DE ALUMINIO ,OBTENCION Y PROCESO
 
CONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptx
CONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptxCONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptx
CONCEPTOS EN HIDROGEOLOGIA-diapositivas varias.pptx
 
PERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADO
PERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADOPERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADO
PERFORACIÓN Y VOLADURA EN MINERÍA APLICADO
 
desarrollodeproyectoss inge. industrial
desarrollodeproyectoss  inge. industrialdesarrollodeproyectoss  inge. industrial
desarrollodeproyectoss inge. industrial
 
clases de porcinos generales de porcinos
clases de porcinos generales de porcinosclases de porcinos generales de porcinos
clases de porcinos generales de porcinos
 
aCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.ppt
aCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.pptaCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.ppt
aCARGA y FUERZA UNI 19 marzo 2024-22.ppt
 
Comite Operativo Ciberseguridad 012020.pptx
Comite Operativo Ciberseguridad 012020.pptxComite Operativo Ciberseguridad 012020.pptx
Comite Operativo Ciberseguridad 012020.pptx
 
PPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdf
PPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdfPPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdf
PPT ELABORARACION DE ADOBES 2023 (1).pdf
 
Reporte de Exportaciones de Fibra de alpaca
Reporte de Exportaciones de Fibra de alpacaReporte de Exportaciones de Fibra de alpaca
Reporte de Exportaciones de Fibra de alpaca
 
Reporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdf
Reporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdfReporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdf
Reporte de simulación de flujo del agua en un volumen de control MNVA.pdf
 
01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.ppt
01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.ppt01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.ppt
01 MATERIALES AERONAUTICOS VARIOS clase 1.ppt
 
INTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICA
INTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICAINTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICA
INTEGRALES TRIPLES CLASE TEORICA Y PRÁCTICA
 
Principales aportes de la carrera de William Edwards Deming
Principales aportes de la carrera de William Edwards DemingPrincipales aportes de la carrera de William Edwards Deming
Principales aportes de la carrera de William Edwards Deming
 
NTP- Determinación de Cloruros en suelos y agregados (1) (1).pptx
NTP- Determinación de Cloruros  en suelos y agregados (1) (1).pptxNTP- Determinación de Cloruros  en suelos y agregados (1) (1).pptx
NTP- Determinación de Cloruros en suelos y agregados (1) (1).pptx
 
Procesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptx
Procesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptxProcesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptx
Procesos-de-la-Industria-Alimentaria-Envasado-en-la-Produccion-de-Alimentos.pptx
 
TEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdf
TEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdfTEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdf
TEXTO UNICO DE LA LEY-DE-CONTRATACIONES-ESTADO.pdf
 

Electrónica: Dispositivos Electrónicos y Circuitos por Jimmie J.Cathey.pdf

  • 3.
  • 4. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y CIRCUITOS Profesor graduado en Ingeniería Eléctrica Universidad de Kentuchky Graciela Bruriesca Correa Ingeniero Mecángco-Electricista, UNAM Profesora, Faculpd de Ingeniería, UNAM REVISIÓN TÉCNICA: Roberto Maclas Pérez Ingeniero Mecánico Electricista, UNAM Jefe del Departamento de Comunicaciones y Electrónica Facultad Ingeniería, UNAM McGRAW-HILL MÉXICO • BOGOTÁ • BUENOS AIRES • CARACAS • GUATEMALA • LISBOA MADRID • NUEVA YORK • PANAMÁ • SAN JUAN • SANTIAGO • SAO PAULO AUCKLAND • HAMBURGO • LONDRES • MILÁN • MONTREAL • NUEVA DELHI PARÍS • SAN FRANCISCO • SINGAPUR • ST. LOUIS SIDNEY • TOKIO • TORONTO Jimmie L. G á t e y , Ph.D.
  • 5. Jimmie J. Cathey obtuvo su Doctorado de la Universidad de Texas A y M., y tiene 13 años de experiencia en la industria, en el diseño y desarrolle de sistemas de fuerza eléctrica. Desde 1980 está incorporado a la Universidad de Kentucky, y su interés sobre la investigación y enseñanza se centra en la potencia electrónica, máquinas eléctricas y robótica. Él está reqistrado como Ingeniero Profesional DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y CIRCUITOS Prohibida la reproducción total o parcial de esta obra, por cualquier medio, sin autorización escrita del editor DERECHOS RESERVADOS © 1991 respecto a ía primera edición en español poi McGRAW-HILL INTERAMERICANA DE MÉXICO, S. A. de C. V. ATLACOMULCO 499-501, Fracc. Industrial San Andrés Atoto 53500 Naucalpan de Juárez, Edo. de México Miembro de la Cámara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nüm. 1890 ISBN 968-422-243-2 Traducido de la primera edición en inglés de SCHAUM'S OUTLINE OF ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS Copyright (c) MCMLXXXIX by McGraw-Hill, inc. U.S.A. Esta obra se terminó de imprimir en octubre de 1990 en Impresora y Editora Xalco S.A José María Martínez s/n Col. San Miguel Jacalones Chalco Edo. Méx. Se tiraron 5000 ejemplares
  • 6. A Phillip y Julia con el deseo de que no se aparten nunca del buen camino
  • 7.
  • 8. Prefacio El tema de la electrónica puede dividirse en dos grandes categorías; la aplicación de las propiedades físicas de los materiales en el desarrollo de dispositivos electrónicos de control y la utilización de estos dispositivos en las aplicaciones a los circuitos. En este libro se hace hincapié en la segunda categoría, comenzando con las categorías terminales de los dispositivos electrónicos de control. Nos ocupamos de otros temas sólo cuando son necesarios para entender esas características. Este libro tiene por objeto complementar las obras para un curso introductorio de circuitos electrónicos destinado a ingenieros. Servirá además como repaso para los que ya hayan tomado ese curso. Los estudiantes de ingeniería que se inscriben en un curso de circuitos electrónicos dirigido a quienes no siguen esta carrera se darán cuenta que algunas partes de los capítulos 1 a 6, 10 y 11 ofrecen un valioso complemento a su estudio. Cada capítulo contiene un breve repaso de los temas pertinentes, junto con las ecuaciones y las leyes que se aplican en cada caso. También se incluyen ejemplos para aclarar y poner de relieve los principios en el momento que se explican. Como en las otras obras de la serie Schaum, la solución de problemas constituye la parte medular del libro: con tal fin, se incluyen más de 640 problemas resueltos. Deseo agradecer a mi esposa Mary Ann por su incansable labor en la mecanografía del manuscrito. Un agradecimiento especial al Editor Ed Millman por sus valiosas sugerencias y meticulosa revisión del material. Acepto la responsabilidad de los errores que se me hayan escapado y deseo ofrecer mis disculpas desde ahora. JlMMIE J. CATHEY
  • 9.
  • 10. Capitulo 6 AMPLIFICADORES BJT DE SEÑAL PEQUEÑA EN FRECUENCIA MEDIA 140 6.1 Introducción 6.2 Modelos de parámetros híbridos 6.3 El circuito T equivalente 6.4 Conversión de parámetros 6.5 Medidas de bondad en amplificadores 6.6 Análisis del amplificador EC 6.7 Análisis del amplificador BC 6.8 Análisis del amplificador CC Capítulo 5 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES 115 5.1 Introducción 5.2 Incertidumbre de p y efectos de temperatura en el BJT 5.3 Análisis del factor de estabilidad 5.4 Estabilización de elementos no lineales de circuitos BJT 5.5 Polarización de límites del punto Q para el FET Capítulo 4 CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 92 4.1 Introducción 4.2 Construcción de JFET y sus símbolos 4.3 Características terminales del JFET 4.4 Línea de polarización JFET y línea de carga 4.5 Análisis gráfico para JFET 4.6 Construcción del MOSFET y sus símbolos 4.7 Características terminales del MOSFET 4.8 Polarización del MOSFET y líneas de carga Capítulo 3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 62 3.1 Construcción de TBJ y sus símbolos 3.2 Características terminales de la base común 3.3 Características terminales del emisor común 3.4 Relaciones de corriente 3.5 Líneas de polarización y de carga para cd 3.6 Capacitores de ca y líneas de carga Capítulo 2 DIODOS SEMICONDUCTORES 24 2.1 Introducción 2.2 El diodo ideal 2.3 Características del diodo 2.4 Análisis gráfico 2.5 Análisis del circuito equivalente 2.6 Amplificaciones del diodo como rectificador 2.7 Filtración de forma de ondas 2.8 Operaciones de recorte y sujeción 2.9 El diodo Zener Capítulo 1 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 1 1.1 Introducción 1.2 Elementos de circuitos 1.3 Leyes de circuitos 1.4 Circuitos en estado estable 1.5 Teoremas de redes 1.6 Redes de dos puertos 1.7 Valores instantáneos, valores promedio y valores RMS
  • 11. Capítulo 7 AMPLIFICADORES FET DE SEÑAL PEQUEÑA EN FRECUENCIA MEDIA 176 7.1 Introducción 7.2 Circuitos equivalentes de señal pequeña para el FET 7.3 Análisis del amplificador FC 7.4 Análisis del amplificador DC 7.5 Análisis del amplificador GC Capítulo 8 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 195 8.1 Introducción 8.2 Gráficas de Bode y respuesta en frecuencia 8.3 Efecto de baja frecuencia de los capacitores de paso y acoplamiento 8.4 Modelos del FET de alta frecuencia 8.5 Modelos del FET de alta frecuencia 8.6 Capacitancia de Miller Capítulo 9 AMPLIFICADORES DE POTENCIA 226 9.1 Clasificación y características del amplificador 9.2 Potencia y eficiencia de los amplificadores 9.3 Especificaciones y consideraciones térmicas 9.4 Amplificador clase A con acoplamiento directo 9.5 Amplificador clase A acoplado con inductor 9.6 Amplificador clase A con acoplamiento por transformador 9.7 Amplificadores de contrafase 9.8 Amplificadores de simetría complementaria Capitulo 10 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 250 10.1 Introducción 10.2 Amplificadores operacionales ideales y prácticos 10.3 Amplificador inversor 10.4 Amplificador no inversor 10.5 Razón de rechazo de modo común 10.6 Amplificador sumador 10.7 Amplificador de diferenciación 10.8 Amplificador integrador 10.9 Amplificador logarítmico 10.10 Aplicaciones en los filtros 10.11 Generadores de función y acondicionadores de señal Capítulo 11 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 279 11.1 El concepto de retroalimentación 11.2 Efecto de la retroalimentación en la ganancia y en la respuesta en frecuencia 11.3 Efecto de la retroalimentación en las ¡mpedancias de entrada y salida 11.4 Retroalimentación de voltaje-serie 11.5 Retroalimentación de corriente-serie 11.6 Retroalimentación de voltaje-paralelo 11.7 Retroalimentación de corriente-paralelo Capítulo 12 CONMUTACIÓN Y CIRCUITOS LÓGICOS 313 12.1 Introducción 12.2 Modelos de conmutación para el BJT 12.3 Modelos de conmutación para el FET 12.4 Lógica digital y álgebra Booleana 12.5 Diagramas de bloques de lógica digital 12.6 Multivibradores biestables Capítulo 13 TUBOS DE VACIO 331 13.1 Introducción 13.2 Diodos de vacío 13.3 Construcción de un triodo de vacío y símbolos 13.4 Características terminales del triodo 13.5 Polarización y análisis gráfico de los amplificadores con triodo 13.6 Circuito equivalente del triodo 13.7 Tubos de rejilla de control múltiple ÍNDICE 347
  • 12. Análisis de circuitos: desde el punto de vista de puertos 1.1 INTRODUCCIÓN Los dispositivos electrónicos se describen por sus características no lineales de voltaje/corriente entre sus terminales. Los circuitos que contienen dispositivos electrónicos son analizados y diseñados mediante gráficas con características medidas experimentalmente o mediante Idealización de sus características voltaje/corriente. Según su aplicación, este último enfoque permite formular las ecuaciones que se utilizan para pequeñas perturbaciones y que son válidas para variaciones alrededor de un punto de operación, así como un conjunto de ecuaciones lineales por partes. El conjunto de ecuaciones lineales describe el circuito en términos de elementos pasivos ¡nterconectados, y fuentes de voltaje y dé corriente independientes o controladas; la formulación, así como la solución requieren el conocimiento de análisis de circuitos y los principios de reducción de los mismos, estudiados en este capítulo. 1.2 ELEMENTOS DE CIRCUITOS Los elementos invariantes en el tiempo (o de valor constante) mostrados en la figura 1-1a) a c) (el resistor, inductor y capacitor, respectivamente) se llaman elementos pasivos, puesto que ninguno de ellos puede suminis- trar energía continuamente a un circuito. Para un voltaje y corriente tenemos las siguientes relaciones: Para el resistor, v = Ri o i=Gv (1.1) donde R es su resistencia en ohms (Q) y G = MR es su conductancia en siemens (S). La ecuación (1.1) se conoce como ley de Ohm. Para el inductor, donde L es su inductancia en henrys (H). Para el capacitor, o donde C es su capacitancia en farads (F). Si R, L y C son independientes del voltaje y la corriente (así como del tiempo) se dice que los elementos son lineales: La multiplicación de la corriente que circula por cada uno de ellos por una constante da por resultado la multiplicación de su voltaje terminal por la misma constante. (Problemas 1.1 y 1.3.) Los elementos de la figura 1-1d) a h) se llaman elementos activos debido a que cada uno es capaz de suministrar energía continuamente a una red. La fuente ideal de voltaje de la figura-1-1d) proporciona un voltaje v entre sus terminales que es independiente de la corriente que circula a través de ésta. La fuente ideal de corriente mostrada en la figura 1-1e) proporciona una corriente independiente del voltaje a través de sus terminales. Sin embargo, la fuente de voltaje controlada (o dependiente) de la figura 1 -1 f) tiene un voltaje terminal que depende del voltaje ^través o la corriente que circula por algún otro elemento de la red. De manera-análoga, (1.3) (1.2)
  • 13. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS la fuente de corriente controlada (o dependiente), que se observa en la figura 1.1 g) proporciona una corriente cuya magnitud depende del voltaje entre las terminales o de la corriente que atraviesa algún otro elemento de la red. Si la relación de dependencia para el voltaje o la corriente de una fuente controlada es de primer grado, entonces la fuente es una fuente controlada lineal (o dependiente). La batería o fuente de voltaje de cd que se indican en la figura 1-1/7) es una clase especial de la fuente de voltaje independiente. 1.3 LEYES DE CIRCUITOS Refiriéndonos a las tres relaciones de voltaje/corriente dadas de (7.7) a (7.3), las leyes de Kirchhoff son suficientes para formular las ecuaciones simultáneas necesarias para conocer todas las corrientes y voltajes de una red. (Utilizamos el término red para indicar cualquier arreglo de los elementos del circuito.) La ley de voltajes de Kirchhoff (LVK) determina que la suma algebraica de todos los voltajes alrededor de cualquier malla cerrada en un circuito es cero; esto se expresa en forma matemática como (1.4) donde n es el número total de voltajes de los elementos pasivos y activos alrededor de la malla considerada. La ley de corrientes de Kirchhoff (LCK) determina que la suma algebraica de todas las corrientes en cada nodo (unión de elementos) debe ser cero; esto es, (1.5) donde m es el número total de corrientes que fluyen hacia dentro del nodo considerado. 1.4 CIRCUITOS EN ESTADO ESTABLE En un tiempo (suficientemente grande) después de energizar un circuito que contiene solamente elementos lineales, los voltajes y las corrientes llegan a ser independientes de las condiciones iniciales y la variación en el tiempo de las cantidades de un circuito se vuelven idénticas a las de las fuentes independientes; se dice entonces que el circuito está operando en estado estable. Si todas las fuentes no dependientes en una red son independien- tes del tiempo, al estado estable de la red se le llama estado estable de cd. Por otro lado, si la magnitud de cada fuente no independiente puede escribirse como donde K es una constante, entonces al estado estable resultante se le conoce como estado estable sinusoidal y los métodos del dominio de la frecuencia o métodos fasoriales se aplican en su análisis. En general, el análisis de los circuitos electrónicos es una 2 Figura 1-1
  • 14. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS combinación del análisis de cd y del análisis en el estado estable sinusoidal, utilizando el principio de superposición que estudiaremos en la siguiente sección. 1.5 TEOREMAS DE REDES Una red lineal (o circuito lineal) está 'orrnada por la interconexión de las terminales de fuentes independientes (esto es, no dependientes), fuentes controladas lineaimente y también por elementos lineales pasivos que forman una o más trayectorias cerradas. El teorema de superposición establece que en una red lineal que contiene múltiples fuentes, el voltaje a través o la corriente que atraviesa cualquier elemento pasivo puede determinarse como la suma algebraica de los voltajes o corrientes individuales debidos a la acción aislada de cada una de las fuentes, desactivando las otras fuentes independientes. Una fuente de voltaje ideal se desactiva colocándola en cortocircuito. Una fuente de corriente ideal se desactiva colocándola en circuito abierto. En general, las fuentes controladas permanecen activas cuando se aplica el teorema de superposición. Ejemplo 1.1 ¿Es la red de la figura 1-2 un circuito lineal? La definición de un circuito lineal se cumple si la fuente controlada es lineaimente controlada; esto es, si a es una constante. Figura 1-2 Ejemplo 1.2 Encuentre la corriente 4 utilizando el teorema de superposición. Para el circuito mostrado en la figura 1 -2 si tenemos que: = 10 sen = Primero desactivamos Vb poniéndola en cortocircuito y utilizamos un símbolo prima para denotar una respuesta debida sólo a Utilizando el método de voltajes de nodo con una incógnita y sumando las corrientes en el nodo superior, tenemos Sustituyendo los valores dados y despejando obtenemos Por consiguiente, por la ley de Ohm, 3
  • 15. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Ahora bien, desactivando y utilizando un signo de doble prima para señalar una respuesta debida sólo a tenemos donde de manera que Por lo tanto, por la división de la corriente, Las terminales en una red normalmente se consideran en pares. Un puerto es un par de terminales a través de las cuales puede identificarse un voltaje, y la corriente de entrada de una terminal es igual a la corriente de salida de la otra terminal. En la figura 1-3, si entonces las terminales 1 y 2 forman un puerto. Por otra parte, si se observa a la izquierda de las terminales 1,2, la red A es una red de un puerto. Del mismo modo, si se observa al lado derecho de las terminales 1, 2, la red B es una red de un solo puerto. El teorema de Thévenin establece que una red de un puerto arbitrariamente lineal, como la red A que se observa en la figura 1-3a), puede reemplazarse en las terminales 1,2 por una fuente equivalente de voltaje conectada en serie con una impedancia ZTh como se observa en la figura 1-3b). VTh es el voltaje en circuito abierto entre las terminales 1,2 de la red A y es la razón del voltaje de circuito abierto entre la corriente de cortocircuito de la red A determinada entre las terminales 1,2 con la red B desconectada. Si la red A o la B contienen una fuente controlada, entonces su variable de control debe estar en esa misma red. Por el contrario, ZTh es la impedancia equivalente mirando hacia dentro de la red A a través de las terminales 1,2, con todas las otras fuentes independientes desactivadas. Si la red A contiene una fuente controlada, ZTh se determina como la impedancia en el punto de excitación (Ejemplo 1.4). Ejemplo 1.3 Encuentre el voltaje equivalente VTh y la impedancia para la red al lado izquierdo de las terminales 1,2. En el circuito mostrado en la figura 1 -4, VA =4 V, IA 4 Finalmente, por el teorema de superposición, Figura 1-3 Red B Red B Red B Red lineal A
  • 16. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Figura 1-4 La corriente no fluye a través de R2 con las terminales 1,2 en circuito abierto; así pues, por KVL, La impedancia de Thévenin se determina como la impedancia equivalente para el circuito a la izquierda de las terminales 1,2, con las fuentes independientes desactivadas (esto significa que VA se sustituye por un cortocircuito y IA por un circuito abierto): Ejemplo 1.4 En el circuito que se observa en la figura 1-5a), Encuentre el voltaje equivalente y la impedancia de Thévenin para la red a la izquierda de las terminales 1,2. Figura 1-5 La corriente no fluye a través de R2 con las terminales 1,2 en circuito abierto. Pero la variable de control para la fuente dependiente controlada por voltaje está todavía contenida en la red a la izquierda de las terminales 1,2. La aplicación de LVK da de manera que Puesto que la red a la izquierda de las terminales 1,2 contiene una fuente controlada, ZTh se determina como la impedancia en el punto de excitación con la red a la derecha de las terminales 1,2 de la figura 1-5a) sustituida por la fuente en el punto de excitación que se indica en la figura 1 -5b) y desactivada VA (en corto circuito). Después de estos cambios, LCK aplicada en el nodo a da □ a) b)
  • 17. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS La aplicación de LVK alrededor de la malla exterior de este circuito (con VA todavía desactivado) da (1.6) (1.7) La sustitución de (1.6) en (17) da la solución El teorema de Norton establece que una red arbitraria y lineal de un puerto como la red A mostrada en la figura 1-3a) se puede sustituir en las terminales 1,2 por una fuente de corriente equivalente y una admitancia YN conectadas en paralelo como se observa en la figura 1-3c). IN es la corriente en cortocircuito que fluye de la terminal 1 a la terminal 2 debida a la red A, y YN es la razón de la corriente del cortocircuito entre voltaje del circuito abierto entre las terminales 1,2 con la red B desconectada. Si la red A o B contienen una fuente controlada, su variable de control debe estar en la misma red. Es obvio que así pues, cualquier método para determinar ZTh es igualmente válido para encontrar YN. Ejemplo 1.5 Obtenga la corriente IN y la admitancia YN equivalentes de Norton para el circuito que se ve en la figura 1 -4 con valores como los del ejemplo 1.3. La corriente de Norton se determina como la corriente de cortocircuito de la terminal 1 a la 2 mediante superposición; esto es La admitancia de Norton se encuentra a partir del resultado del ejemplo 1.3 como Algunas veces denotamos los voltajes y corrientes con un subíndice doble para señalar cuáles terminales son de más interés. De esta manera, V13 es el voltaje a través de las terminales 1 y 3, donde la terminal 1 está a potencial más alto que el de la terminal 3. De manera análoga, /,3 es la corriente que fluye de la terminal 1 a la terminal 3. Por ejemplo, VL en la figura 1-5a) puede etiquetarse como V,2 (pero no como V21). Obsérvese también que un elemento activo (independiente o controlado) está restringido a su corriente o voltaje asignado o indicado, sin importar lo que ocurra en el resto del circuito. Así la fuente controlada en la figura 1 -5a) proporcionará a VL A, sin importar qué voltaje se requiera ni qué cambios sucedan en otras partes del circuito. 1.6 REDES DE DOS PUERTOS La red de la figura 1-6 es una red de dos puertos si se cumple que Puede caracterizarse mediante las cuatro variables sólo dos de las cuales pueden ser independientes. Si se supone que son variables independientes y que la red es lineal y contiene fuentes no independientes, las variables independientes y dependientes se relacionan mediante los parámetros de impedancia de circuito abierto (o, simplemente, tos parámetros con el conjunto de ecuaciones Figura 1-6 6 1 corriente debida a corriente debida a
  • 18. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS (1.8) (1.9) Se puede evaluar cada uno de los parámetros z mediante el establecimiento de la corriente apropiada a cero (o, en forma equivalente mediante un circuito abierto en un puerto apropiado de la red). Estos parámetros son: (1.10) (1.11) (1.12) (1.13) De manera similar, si se supone que V, y l2 son variables independientes resulta una caracterización de la red de dos puertos por medio de los parámetros híbridos (o, simplemente, los parámetros se obtiene (1.14) (1.15) Dos de los parámetros h se determinan mediante el puerto 2 en cortocircuito, mientras que los dos restantes se determinan mediante el puerto 1 en circuito abierto: (1.16) (1.17) (1.18) (1.19) Ejemplo 1.6 Encuentre los parámetros z para la red de dos puertos que se observa en la figura 1 -7. Con el puerto 2 (a la derecha) en circuito abierto, /2 =0 y usando (1.10) da Asimismo, la corriente IR2 descendiente a través de se obtiene por medio de la ecuación de la divisora de corriente Pero, por la ley de Ohm,
  • 19. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Por tanto, mediante (1.12), De manera análoga, con el circuito abierto en el puerto conducen a El uso de la división de la corriente para encontrar la corriente descendente a través de da Y la ley de Ohm da Así que, por (1.11) Ejemplo 1.7 Encuentre los parámetros h para la red de dos puertos de la figura 1-7. Con el puerto 2 en cortocircuito, Mediante la división de corriente, de manera que, por (1.18), Si el punto 1 está en un circuito abierto, la división de voltaje y (1.17) conducen a Finalmente, es la admitancia en el punto 2, dada en (1.19): 1.7 VALORES INSTANTÁNEOS, VALORES PROMEDIO Y VALORES RMS Los valores instantáneos de una cantidad son el valor de ella en un tiempo determinado. A menudo queremos conocer el valor promedio de una cantidad que tiene variaciones en el tiempo. Pero, obviamente, el valor promedio 8
  • 20. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Ejemplo 1.9 Suponga que tenemos una resistencia R conectada directamente a una fuente de voltaje de cd. La potencia absorbida por R es Ahora reemplace por una fuente de voltaje de ca, La potencia instantánea está dada por Por tanto, la potencia promedio en un periodo es, mediante (1.20), Comparando (1.23) y (1.25) vemos que, en lo que se refiere a la disipación de la potencia, una fuente de ca de amplitud Vm es equivalente a otra de cd de magnitud (1.26) Por este motivo al valor rms de un sinusoide, se le llama su valor eficaz. Desde este punto de vista, a menos que se haga una declaración explícita de lo contrario, todas las corrientes 9 de una función sinusoidal en un periodo es cero. Por lo tanto, para sinusoides existe otro concepto que es más útil, el del valor cuadrático medio (rms): Para cualquier función con variación de tiempo f(t) con un periodo T, el valor promedio en un periodo está dado por (1.20) y el valor rms correspondiente está definido como Ejemplo 1.8 Puesto que el valor promedio de una función del tiempo sinusoidal es cero, el valor promedio de medio ciclo de dicha función no es cero y se utiliza con frecuencia. Encuentre el valor promedio de me- dio ciclo de la señal sinusoidal de corriente que pasa a través de la resistencia R, la cual está conectada directamente a una fuente de (ca) de señal periódica Por medio de la ley de Ohm, y de (1.20), aplicada a la mitad del ciclo desde (1.22) (1.23) (1.24) (1.25) (1.21) donde, por supuesto, F0 y F son independientes de f0. El motivo por el cual se introducen los valores rms se puede comprender con el ejemplo 1.9.
  • 21. 10 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Problemas resueltos 1.1 Pruebe que el elemento inductor de la figura 1 -1 b) es un elemento lineal, demostrando que (1.2) satisface la proposición del teorema de superposición. Sean dos corrientes que fluyen a través de los inductores. Entonces mediante (1.2) los voltajes a través del inductor para estas corrientes son, respectivamente, Ahora bien, suponga que son constantes arbitrarias diferentes. Entonces por (1.2) y (1), (2) Puesto que (2) se cumple para cualquier par de constantes la superposición se satisface y el elemento es lineal. 1.2 Encuentre la corriente / mediante el teorema de superposición. Si 3 A en el circuito que se observa en la figura. Figura 1-8 Con desactivada (circuito abierto), LVK y la ley de Ohm da la componente de . debida a Vs como Con . desactivada (cortocircuito), la división de la corriente determina la componente debida a /s; Por superposición, la corriente total es y voltajes que están en el dominio de la frecuencia (fasores) utilizarán valores rms en vez de valores máximos. Así pues, el voltaje en el dominio del tiempo se indicará en el dominio de la frecuencia como (1)
  • 22. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 11 1.3 Suponga que todos los valores del circuito son como el del problema 1-2 y la figura 1-8, excepto que R2 =0.25/ £2. Determine la corriente / utilizando el método de voltajes de nodo. Por (1.1), la relación voltaje/corriente para es Aplicando el método de voltajes de nodo en a y utilizando (1), obtenemos Reordenando y sustituyendo los valores dados obtenemos Haciendo x2 =vab y aplicando la fórmula cuadrática, obtenemos La raíz negativa es un número que no tiene significado, puesto que el valor resultante de no satisface LVK; por consiguiente, se toma el valor positivo Observe que, debido a que la resistencia R2 es una función de la corriente, el circuito no es lineal y no se puede aplicar al teorema de superposición. 1.4 Para el circuito que se observa en la figura 1-9, encuentre si a) k =0 y b) k =0.01. No use teoremas de redes para simplificar el circuito anterior a la solución. Figura 1-9 a) Para k =0, la corriente / puede determinarse inmediatamente con la ley de Ohm: Puesto que la salida de la fuente de corriente controlada fluye a través de la combinación en paralelo de dos resistores de 100 Ω, tenemos 1 (1) de modo que (1)
  • 23. b) Con es necesario resolver dos ecuaciones simultáneas con las incógnitas Alrededor de la malla del lado izquierdo, LVK da Con como incógnita, (1) se convierte en (2) (3) Resolviendo (2) y (3) simultáneamente mediante la regla de Cramer nos conduce a 1.5 Para el circuito de la figura 1-10, encuentre iL por el método de voltajes de nodo si a) Con como incógnitas y sumando las corrientes en el nodo c, obtenemos (1) (2) Ahora bien, la suma de corrientes en el nodo a da (3) Sustituyendo (2) en (4) y reordenando se obtiene (4) (5) 12 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 1 Sustituyendo (2) en (7) y reordenando da Pero
  • 24. 13 La sustitución de los valores dados en (3) y (5) y la aplicación de la regla de Cramer finalmente dan y por la ley de Ohm, b) Con los valores dados (incluyendo a =0) sustituidos en (3) y (5), se utiliza la regla de Cramer para determinar Entonces se obtiene de nuevo con la ley de Ohm: 1.6 Encuentre el equivalente de Thóvenin para la red a la izquierda de las terminales a, b. Si V, = 10 V, V2 = 15 V, en el circuito mostrado en la figura 1-11. Con las terminales a, b en circuito abierto, sólo fluye la corriente de malla /. Por lo tanto, mediante LVK, de modo que, Figura 1-11 El voltaje equivalente de Thévenin es entonces ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS
  • 25. 14 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Desactivando (poniendo en cortocircuito) las fuentes de voltaje independientes V, y V2 se obtiene la impedancia de Thévenin a la izquierda de las terminales a, b como se conectan como se indica en la figura 1 -3b) para obtener el circuito equivalente de Thévenin. 1.7 Encuentre el equivalente de Norton de la red a la izquierda de las terminales a, b, para el circuito y los valores del problema 1.6. Con las terminales a, b en cortocircuito, el componente de la corriente U debido a V, únicamente es En consecuencia, por superposición, Ahora bien, con Rn como en el problema 1.6, íN y YN se conectan como se muestra en la figura 1 -3c) para producir el circuito equivalente de Norton. 1.8 Encuentre la impedancia de Thévenin, así como la razón del voltaje de circuito abierto entre la corriente de cortocircuito. Para ilustrar la equivalencia de los resultados, utilice el circuito £^>s voltajes de los problemas 1.6 y 1.7. El voltaje de circuito abierto es VJh como se determinó en el problema 1.6 y la corriente en cortocircuito es IN del problema 1.7. Por tanto, 1.9 Los teoremas de Thévenin y Norton se aplican también a circuitos diferentes de los de cd en estado estable. Para el circuito en el "dominio de la frecuencia" que sé observa en la figura 1-12 (donde s es la frecuencia), encuentre a) el equivalente de Thévenin y b) el equivalente de Norton del circuito a la derecha de las terminales a, b. a) Con las terminales a,b en circuito abierto, sólo fluye la corriente de malla /(s); mediante LVK y la ley de Ohm, con todas las corrientes y voltajes como funciones de s, tenemos De manera análoga, la componente debida sólo a V¡ es lo cual concuerda con el resultado del problema 1.6.
  • 26. Después LVK da Con las fuentes independientes desactivadas, la impedancia de Thévenin se puede determinar como b) La corriente de Norton se puede encontrar con y la admitancia de Norton con b Figura 1-12 1.10 Determine los parámetros z para la red de dos puertos que se observa en la figura 1-13. Cuando /2 =0, mediante la ley de Ohm, (2) Asimismo, en el nodo b, LCK da Así pues, según (1.10), Además, nuevamente por la ley de Ohm, La sustitución de (2) en (1) da de modo que, según (1.12), ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 15 (1)
  • 27. 16 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS En seguida con /, =0. aplicando LCK en el nodo a nos da Ahora bien, la sustitución de (2) en (3) da Portante, de (1.13), (3) 1.11 Determine los parámetros h para la red de dos puertos que se indica en la figura 1-13. Para de esta manera, /, =V, /10 y, según (1.16), Además, l2 =-/i y, mediante (1.18), Ahora bien, Con h =0, la LVK da y, de (1.17), Finalmente, aplicando LCK en el nodo a da de modo que, según (1.19), La aplicación de LVK entonces conduce a de esta manera, mediante (1.11),
  • 28. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 17 1.12 Utilice (7.8), (7.9), y (7.76) a (7.79) para encontrar los parámetros h en términos de los parámetros z. Estableciendo V2 =0 en (7.9) da Ahora bien, con /, =0. (7.8) y (7.9) se convierte en de modo que, de (7.77), y, de (7.79), 1.13 Los parámetros h de la red de dos puertos mostrada en la figura 1-14 son y Encuentre la ganancia de voltaje Por la ley de Ohm, de modo que (1. 15) puede escribirse como con lo cual podemos despejar la ganancia de voltaje: de lo cual obtenemos La sustitución anterior de (7) en (7.8) y el uso de (7.76) da Despejando /, y sustituyéndolo en (7.14) da
  • 29. 1.14 Determine el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin a la derecha del puerto 1 del circuito que se advierte en la figura 1-14. El voltaje de Thévenin es V, de (1.8) con el puerto 1 en circuito abierto: Ahora bien, por la ley de Ohm, Pero, con /1 =0, la expresión (1.9) se reduce a Restando (2) de (3) da Puesto que en general, concluimos de (4) que Sustituyendo (2) en (1.8) y (7.9) da V, se encuentra despejando V2 y sustituyendo el resultado en (5): (1) (2) (3) (4) (5) (6) 1.15 Encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin en el puerto 1 del circuito que se indica en la figura 1-14 si RL se reemplaza por una fuente de voltaje controlada por corriente de tal manera que V2 es una constante. Como en el problema 1.14 (2) Despejando /2 en (2) y sustituyendo el resultado en (1) da Después ZTh se calcula como la impedancia en el punto de excitación Pero si /1 =0, la expresión (1.9) y las relaciones definidas para la fuente controlada conducen a de lo cual l2 =0 y, por tanto, VTh =0. Ahora sea V1 =VI)PI de modo que /, =/dp, y determinamos ZTh como la impedancia en el punto de excitación. De (1.8), (1.9), y las relaciones definidas para la fuente controlada, tenemos 18 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS (1)
  • 30. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 19 de lo cual la impedancia de Thévenin se encuentra con 1.16 La forma de onda de la corriente periódica mostrada en la figura 1-15 está compuesta por segmentos de una sinusoide. Encuentre (a) el valor promedio de la corriente y (b) el valor de rms (eficaz) de la corriente. a) Debido a que i(t) =0 cuando el valor promedio de la corriente es, de acuerdo a (1.20), Figura 1-15 Figura 1-16 1.17 Suponga que la forma de onda periódica que se indica en la figura 1-16 es una corriente (en vez de un voltaje). Encuentre a) el valor promedio de la corriente y b) el valor rms de la corriente. a) La integral indicada en (1.20) es simplemente el área bajo la curva f(t) para un periodo. Podemos, por lo tanto, encontrar el promedio de la corriente como 6) De manera análoga, la integral en (1.21) no es más que el área bajo la curva Por tanto, 1.18 Calcule el promedio y los valores rms de la corriente Puesto que i(t) tiene periodo la expresión (1.20) da 6) Según (1.21) y la identidad de modo que
  • 31. 20 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Este resultado se esperaba, puesto que el valor promedio de una sinusoide en un ciclo es cero. La ecuación (1.21) y la identidad proporcionan el valor rms de ¡(t): 1.19 Encuentre el valor rms (o eficaz) de una corriente que consta de la suma de dos funciones que varían sinusoidalmente con frecuencias cuya razón es un entero. Sin pérdida de generalidad, podemos escribir 1.20 Encuentre el valor promedio de la potencia entregada a una red de un puerto con una convención de signos pasivos (que es; la corriente que se dirige de la terminal positiva a la negativa) Después de realizar la integración y evaluar sus límites, el resultado es de modo que donde k es un entero. Aplicando (1.21) y retomando obtenemos Realizando la integración indicada y evaluando en los límites resulta El flujo de la potencia instantánea en el puerto está dado por Según (1.20),
  • 32. 21 Problemas complementarios 1.21 Pruebe que el elemento capacitivo que se indica en la figura 1-1c) es un elemento lineal que satisface el postulado del teorema de superposición. (Sugerencia: vea el problema 1.1) 1.22 1.23 En la figura 1 -17, a) encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin para ia red a la izquierda de las terminales a, b y b) use el circuito equivalente de Thévenin para determinar la corriente lL. Figura 1-17 Figura 1-18 1.24 En el circuito mostrado en la figura 1-12, y la carga es un resistor de a) Determine el equivalente de Thévenin para la red a la derecha de las terminales a,b. b) Use el equivalente de Thévenin para encontrar la corriente de carga (Sugerencia: Los resultados del problema 1.9 pueden utilizarse aquí, con s =/2.) 1.25 Encuentre el equivalente de Thévenin en el circuito puente como se ve a través del resistor de carga RL que se observa en la figura 1-18. 1.26 Suponga que el circuito puente mostrado en la figura 1-18 se equilibra mediante Encuentre los elementos del circuito equivalente de Norton. Resp. 1.27 Para el circuito que se indica en la figura 1-19, a) determine el equivalente de Thévenin del circuito a la izquierda de las terminales a,b, y b) use el equivalente de Thévenin para encontrar la corriente de carga ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Resp. a)
  • 33. 22 ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS Figura 1-19 1.28 En el circuito que se observa en la figura 1-20, sea ñ, =RZ=RC = 1 Q y determine el equivalente de Thévenin para el circuito a la derecha de las terminales a,b a) si vc =0.5/,, y b) si vc =0.5/2. Figura 1-20 1.29 Encuentre el equivalente de Thévenin para la red a la izquierda de las terminales a,b, mostrada en la figura a) si k =0, y b) si k =0.1. Use el equivalente de Thévenin para verificar los resultados del problema 1 ¿ 1.30 Encuentre el equivalente de Thévenin para el circuito a la izquierda de las terminales a,b que se observa en la figura 1-10, y úselo para verificar los resultados del problema 1.5. 1.31 Otra solución del problema 1.3 incluye la determinación de un circuito equivalente de Thévenin el cual, cuando está conectado a través de la R2 =0.25i no lineal, permite el establecimiento de una ecuación cuadrática para la corriente i mediante LVK. Encuentre los elementos del circuito de Thévenin y la corriente resultante. 1.32 Use las ecuaciones (1.10) a (7.75) para encontrar los parámetros z en términos de los parámetros n. 1.33 Para la red de dos puertos que se advierte en la figura 1-14, (a) obtenga la razón de la ganancia de voltaje V2/V1 en términos de los parámetros z, y luego evalúe dicha razón utilizando los valores de los parámetros h dados en el problema 1.13 y los resultados del problema 1.32.
  • 34. ANÁLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 23 1.34 Obtenga en términos de los parámetros h, la razón de ganancia de corriente I2 /I1 para la red de dos puertos mostrada en la figura 1-14: 1.35 Encuentre la razón de ganancia de corriente I2 /I1, para la red de dos puertos que vemos en la figura 1-14 en términos de los parámetros z. 1.36 Determine el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin, en términos de los parámetros z, observando hacia la derecha del puerto 1 de la red de dos puertos mostrada en la figura 1-14, si RL se reemplaza por una fuente de voltaje independiente de cd Vd1, conectada de modo que V2 =V2. 1.37 Encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thévenin en términos de los parámetros h, que se ven a la derecha del puerto 1 de la red que vemos en la figura 1-14 si RL se reemplaza por una fuente de corriente controlada por voltaje tal que y se supone que los parámetros h son positivos. 1.39 Evalúe los parámetros z de la red mostrada en la figura 1-10. 1.38 Determine la impedancia en el punto de excitación (la impedancia de entrada con todas las fuentes independientes desactivadas) de la red de dos puertos que se advierte en la figura 1-14. 1.40 Encuentre la corriente /1 que se ve en la figura 1 -2 V. 1.41 Para una red de un puerto con una convención de signos pasivos (Problema 1.20), Calcule a) la potencia instantánea que fluye en la red y b) su potencia promedio.
  • 35. Diodos semiconductores 2.1 INTRODUCCIÓN Los diodos se encuentran entre los dispositivos electrónicos más viejos y más ampliamente usados. Un diodo puede definirse como un conductor casi unidireccional en el cual el estado de conductividad se determina mediante la polaridad del voltaje entre sus terminales. El tema de este capítulo es el diodo semiconductor, el cual está formado por la unión metalúrgica de materiales de tipo p y n. (Un material del tipo p es un elemento del grupo IV impurificado con una pequeña cantidad de material del tipo V; el material del tipo n es un elemento base del grupo IV impurificado con un material del grupo III.) 2.2 EL DIODO IDEAL El símbolo del rectificador común o diodo se observa en la figura 2-1. El dispositivo tiene dos terminales llamadas ánodo (tipo p) y cátodo (tipo n), con lo cual queda claro su nombre. Cuando el voltaje terminal es no negativo se dice que el diodo tiene polarización directa o está "encendido"; la corriente positiva que fluye se llama corriente directa. Cuando se dice que el diodo está en polarización inversa o "apagado", y la corriente negativa pequeña correspondiente recibe el nombre de corriente inversa. El diodo ideal es un dispositivo perfecto con dos estados que muestra una impedancia cero cuando la polarización es directa y una impedancia infinita cuando la polarización es inversa (Figura 2-2). Obsérvese que, como la corriente o voltaje es cero en cualquier instante, no existe potencia disipada en un diodo ideal. En muchas aplicaciones de circuitos, la caída de voltaje directo del diodo y la corriente inversa son pequeños en comparación con otras variables del circuito; por eso, se obtienen resultados suficientemente exactos si el diodo real se representa como ideal.
  • 36. DIODOS SEMICONDUCTORES 25 El procedimiento del análisis del diodo ideal es como sigue: Paso 1: Supóngase que es directo, y reemplácese el diodo ideal con un cortocircuito. Paso 2: Evalúese la corriente del diodo utilizando cualquier técnica de análisis para circuito lineal. Paso 3: Paso 4: = 0, y despéjese las cantidades del circuito deseadas utilizando cualquier método en su análisis. El voltaje se determina y debe tener un valor negativo. Ejemplo 2.1 Encuentre el voltaje en el circuito que se indica en la figura 2-3a), donde D es un diodo ideal. El análisis se simplifica si se encuentra el equivalente de Thévenin para el circuito a la izquierda de las terminales a,b; el resultado es Figura 2-3 Paso 1: Después de reemplazar la red al lado izquierdo de las terminales a,b con el equivalente de Thévenin, supóngase que está polarizado directamente y reemplácese el diodo D con un cortocircuito, como se ve en la figura 2-36). Paso 2: Por la ley de Ohm, Paso 3:
  • 37. 26 DIODOS SEMICONDUCTORES Paso 4: Si y el resultado del paso 3 es inválido. El diodo D debe reemplazarse por un circuito abierto como se ilustra en la figura 2-3c), y el análisis se realiza de nuevo. Puesto que ahora iD se verifica que el diodo está polarizado inversamente. (Véase el problema 2-4 para la extensión de este procedimiento a un circuito multidiodo.) 2.3 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO El uso de la función de probabilidad de Fermi-Dirac para predecir cambios en la neutralización permite obtener la ecuación estática (sin variación en el tiempo) para la corriente del diodo de unión: (2.2) (2.1) donde Ejemplo 2.2 Encuentre el valor de VT en (2.1) a 20 °C. Recordando que el valor del cero absoluto es -273 °C, escribimos En tanto que (2.1) sirve como modelo útil del diodo de unión en cuanto a su resistencia dinámica, la figura 2-4 presenta regiones de inexactitud: 1. La caída real del voltaje directo (medido) es mayor que la que se obtiene de la ecuación (2.1) (debida a la resistencia óhmica de los contactos entre el metal y el material semiconductor). 2. La corriente inversa real para es mayor que la calculada con (2.1) (debida a la corriente de fuga ¡s a lo largo de la superficie del material semiconductor). 3. La corriente real inversa se incrementa a valores significativamente grandes que los obtenidos con la ecuación (2.1) para (debido a un fenómeno complejo llamado disrupción en avalancha). En los diodos que se encuentran en el mercado, la impurificación apropiada (adición de impurezas) del material base produce las diferentes características estáticas para cada diodo. En la figura 2-5 se ve una comparación de las características del diodo de Si y para el de Ge. ambos tipos de diodos muestran una corriente inversa casi constante /fl. En general, mientras que para Sí en el caso de los diodos de nivel de señal (especificaciones de corriente directa menores que 1 A). En un diodo con polarización directa, el voltaje de conducción para entrar a la región de resistencia baja está entre 0.2 y 0.3 V para Ge, y entre 0.6 y 0.7 v para Si. En ambos diodos Ge y Si, la corriente de saturación /„ se duplica con un incremento de temperatura de 10 °C; en otras palabras, la razón de la corriente de saturación en la temperatura T2 a la temperatura 7, es VD lo T k q T) kT/q, V ■ voltaje entre las terminales del diodo, V s corriente de saturación de temperatura dependiente, A m temperatura absoluta de unión p-n, K * constante de Boltzmann (1.38 x 10-23 J/K) ■ carga del electrón (1.6 x 10-19 C) * constante empírica, 1 para Ge y 2 para Si
  • 38. DIODOS SEMICONDUCTORES 27 Figura 2-4 Figura 2-5 Ejemplo 2.3 Encuentre el porcentaje de incremento de la corriente de saturación inversa de un diodo si la temperatura se incrementa de 25 a 50 X). Mediante (2.2)
  • 39. 28 DIODOS SEMICONDUCTORES la unión p-n en polarización inversa; en una unión p-n polarizada en directo una capacitancia de difusión algo más grande (en general de varios cientos de picofarads), directamente proporcional a la corriente directa, se debe incluir en el modelo (Problema 2.25.) 2.4 ANÁLISIS GRÁFICO Una solución gráfica supone necesariamente que el diodo es una resistencia y, por consiguiente, que está instantáneamente caracterizada por su curva estática iD en función de El balance de la red en estudio debe ser lineal de modo que exista el equivalente de Thévenin para ella (Figura 2-6). Por eso, las dos ecuaciones simultáneas que se deben resolver gráficamente para son la característica del diodo. y la línea de carga (2.3) (2.4) Ejemplo 2.4 En el circuito que se indica en la figura 2-3a), Determine gráficamente utilizando la característica del diodo de la figura 2-7. El circuito puede reducirse al que se muestra en la figura 2.6, con En consecuencia, con esos valores la línea de carga (2.4) debe sobreponerse a la característica del diodo, como se ve en la figura 2-7. La solución deseada, está dada por el punto de intersección de las dos gráficas. Ejemplo 2.5 Si todas las fuentes varían con el tiempo en la parte original de una red lineal, entonces es también una fuente de variación con el tiempo. En forma reducida [Figura 2-8a)], cada una de las redes tiene un voltaje de Thévenin el cual es una onda triangular con una cresta de 2 V. Determine en esta red. En este caso no existe un valor único de iD que satisfaga las ecuaciones simultáneas (2.3) y (2.4); más bien, aquí existe un valor de iD correspondiente a cada valor que toma Una solución aceptable para iD puede encontrarse considerando un número finito de valores de Puesto que es repetitivo, iD será repetitivo también (con el mismo periodo), así que sólo se necesita considerar un ciclo. Como se indica en la figura 2-86), comenzamos trazando una gráfica escalada de en función del tiempo, con el eje de paralelo al eje de la característica del diodo. Luego seleccionamos un punto en la gráfica tal que Considerando que el tiempo se detiene en construimos una línea de carga para este valor en la gráfica de la característica del diodo; ésta interseca el eje 0.5/50 =10 mA. Determinamos el valor ¡D en el cual esta línea de carga interseca la característica, y trazamos el punto en un sistema coordenado de iD en función del tiempo elaborado a la izquierda de la curva característica del diodo. Después aumentamos el tiempo para algún nuevo valor, y repetimos íntegramente el proceso. Y continuamos hasta que se acomplete un ciclo de Puesto que la línea de carga está cambiando continuamente, se le llama línea de carga dinámica. La solución de una gráfica de iD difiere drásticamente de la forma de una gráfica de debido a la no linealidad del diodo.
  • 41. 30 DIODOS SEMICONDUCTORES Ejemplo 2.6 Si se presentan ambas fuentes una de cd y otra con variación en el tiempo, en la parte lineal original de una red, entonces es una combinación en serie de una fuente de cd y una que varía con el tiempo. Suponga que la fuente de Thévenin de una red particular combina una batería de 0.7 V y una fuente sinusoidal con una cresta de 0.1 V, como la que se observa en la figura 2-9a). Encuentre para la red. Trazamos una gráfica escalada de con el eje paralelo al eje vD de la curva característica del diodo. Luego consideramos el componente ca de para estar momentáneamente en cero (f =0) y graficamos una línea de carga para este instante en la característica del diodo. Esta línea de carga particular se llama línea de carga de cd, y su intersección con la curva característica del diodo se denomina punto estático o punto Q. Los valores de en el punto Q se l l a m a n r e s p e c t i v a m e n t e , en la figura 2-9b). En general, se necesitan varias líneas de carga dinámicas para terminar el análisis de iD en un ciclo de Sin embargo, en el caso de la red en estudio se requieren solamente las líneas de carga dinámicas para los valores máximos y mínimos de La razón es que la característica del diodo es casi una línea recta cercana al punto Q [de a a b en la figura 2-9b)], de modo que habrá una distorsión despreciable en la componente ca de Así pues, será de la misma forma que (por ejemplo, sinusoidal), y ésta puede ser fácilmente trazada una vez que los extremos de variación hayan sido determinados. La solución de iD es donde /dm es la amplitud del término sinusoidal. sen 2.5 ANÁLISIS DEL CIRCUITO EQUIVALENTE Técnicas lineales por secciones En el análisis lineal por secciones, la curva característica del diodo se aproxima con los segmentos de una línea recta. Aquí usaremos sólo las tres aproximaciones mostradas en la figura 2-10, en la cual se reemplaza el diodo real por las combinaciones de diodos ideales, resistores y baterías. El modelo más simple que se observa en la figura 2-1 Oa) trata el diodo real como una resistencia infinita para y como una batería ideal si tiende a ser más grande que VF. El VF se selecciona normalmente de 0.6 a 0.7 V para un diodo de Si y de 0.2 a 0.3 V para un diodo de Ge. Si se requiere mayor precisión en la aplicación del intervalo de conducción directa se introduce un resistor RF, como se indica en la figura 2-10b). Si la corriente inversa del diodo (/D <0) no puede despreciarse, entonces se introduce un refinamiento adicional (RR más un diodo ideal) como se ve en la figura 2-1 Oc). Técnicas de señales pequeñas El análisis de señales pequeñas se puede aplicar al circuito del diodo mostrado en la figura 2-9 si la amplitud de la señal de ca es suficientemente pequeña como para que la curvatura de la característica del diodo pueda despreciarse en el intervalo de operación (de b a a). Entonces el voltaje del diodo y la corriente pueden escribirse como la suma de una señal de cd y una señal de ca sin deformación. Además, la razón del voltaje de ca del diodo a la corriente id de ca del diodo serán constantes e iguales a (2.5) donde rd se conoce como resistencia dinámica del diodo. Se deduce (de un argumento de circuitos lineales) que los componentes de la señal de ca pueden determinarse mediante el análisis del circuito de "señal pequeña" que se advierte en la figura 2-11; si la frecuencia de la señal de ca es grande, puede colocarse un capacitor en paralelo
  • 42. 2 DIODOS SEMICONDUCTORES 31 Figura 2-9
  • 44. DIODOS SEMICONDUCTORES 33 con rd para simular el agotamiento o la capacitancia de difusión como se estudió en la sección 2.3. Generalmente los componentes de cd o de señal en reposo deben determinarse por métodos gráficos puesto que la característica del diodo no es lineal. Ejemplo 2.7 Para el circuito que se observa en la figura 2-9, determine /D. La corriente /DQ en el punto Q se ha determinado como 36 mA (Ejemplo 2.6). La resistencia dinámica del diodo en el punto Q puede evaluarse gráficamente: La corriente total del diodo se obtiene por superposición y coincide bien con lo que se encontró en el ejemplo 2.6: Ejemplo 2.8 Para el circuito que se indica en la figura 2-9, determine y la capacitancia de difusión es 5000 pF. Del ejemplo 2.7, La capacitancia de difusión Cd actúa en paralelo con rd para proporcionar la siguiente impedancia equivalente del diodo como se vio en la señal de ca: En el dominio de la frecuencia, del circuito de señal pequeña (Figura 2-11) se obtiene En el dominio del tiempo, con /DQ como se descubrió en el ejemplo 2.6, tenemos Ahora el circuito para señal pequeña mostrado en la figura 2-11 puede analizarse para encontrar /d: 2.6 APLICACIONES DEL DIODO COMO RECTIFICADOR Los circuitos rectificadores son recles de dos puertos en las que se aprovecha la conducción unilateral del diodo: Un voltaje de ca se aplica en el puerto de entrada y aparece un voltaje de cd en el puerto de salida. El circuito rectificador más simple (Figura 2-12) contiene un diodo sencillo. Se le llama comúnmente rectificador de media onda debido a que el diodo conduce durante las mitades positiva o negativa de la forma de onda del voltaje de entrada.
  • 45. 34 DIODOS SEMICONDUCTORES Figura 2-12 Ejemplo 2.9 y el diodo es ideal. Calcule el valor promedio de Se necesita considerar sólo un ciclo de Para el medio ciclo positivo, y, mediante la división del voltaje, Para el medio ciclo negativo, el diodo está en polarización inversa, iD =0 y =0. Por tanto, Aunque el rectificador de media onda da una salida de cd, la corriente fluye a través de RL sólo la mitad del tiempo y el valor promedio del voltaje de salida es apenas veces el valor máximo del voltaje sinusoidal de entrada. El voltaje de salida puede mejorarse mediante un rectificador de onda completa (véanse los problemas 2.27 y 2.48). Cuando se utilizan los rectificadores como fuentes de potencia de cd, conviene que el valor promedio del voltaje de salida permanezca casi constante aun cuando varíe la carga. El grado de constancia se mide como regulación del voltaje. (2.6) lo cual se expresa normalmente como porcentaje. Observe que la regulación de 0 por ciento significa un voltaje constante de salida. Ejemplo 2.10 Encuentre la regulación del voltaje del rectificador de media onda indicado en la figura 2-12. Del ejemplo 2.9, sabemos que Suponiendo que para cuando no hay carga, podemos escribir Así pues, la regulación del voltaje es (2.7) 2.7 FILTRACIÓN DE FORMA DE ONDAS La salida de un solo rectificador no es suficiente para suministrar potencia, debido a su variación con respecto al tiempo. La situación se mejora colocando un filtro entre el rectificador y la carga. El filtro actúa como supresor
  • 46. DIODOS SEMICONDUCTORES 35 de las armónicas de la forma de onda del rectificador y conserva la componente de cd. El factor de ondulación es una medida de bondad de la forma de ondas rectificadas filtradas y no filtradas. Normalmente se dice que un valor pequeño es alcanzable y práctico. (2.8) Ejemplo 2.11 Calcule el factor de ondulación para el rectificador de media onda del ejemplo 2.9a) sin un filtro y b) con un filtro de capacitor en paralelo como se muestra en la figura 2-13a). a) Para el circuito del ejemplo 2.9, Figura 2-13 b) El capacitor que se observa en la figura 2-13 almacena energía, mientras que el diodo permite que la corriente fluya, y entrega energía a la carga cuando el flujo de la corriente está bloqueado. El voltaje de carga real que resulta con el filtro insertado está trazado en la figura 2-13b), para el cual suponemos que sen y que D es un diodo ideal. En el caso de D es un capacitor de polarización directa y C se carga al valor es menor que la polarización inversa de D provoca que éste actúe como un circuito abierto. Durante este intervalo el capacitor se descarga a través de dando (2.9) En el intervalo el diodo D se polariza en directo y se carga nuevamente el capacitor a un valor Entonces cae por debajo del valor de y ocurre otro ciclo de descarga idéntico al primero. Es obvio que, si la constante de tiempo RLC es suficientemente grande (comparada con T) se produce una disminución del voltaje VL como el indicado en la figura 2-13b), se habrá logrado una reducción máxima en y un incremento máximo en relacionados con el rectificador no filtrado. La introducción de dos aproximaciones totalmente razonables conduce a establecer fórmulas simples para y, por tanto, para F,. Esas fórmulas son lo suficientemente exactas para el diseño y el trabajo de análisis. variación máxima en el voltaje de salida valor máximo en el voltaje de salida
  • 47. 36 DIODOS SEMICONDUCTORES 1. Si es pequeño, entonces mostrado en la figura 2-13b) 2. Si es suficientemente pequeño, entonces (2.9) puede representarse en el i n t e r v a l o p o r una línea recta con una pendiente de magnitud La línea punteada llamada "Aproximación "que se ve en la figura 2-136) realiza estas dos aproximaciones. Del triángulo recto abc, donde f es la frecuencia de Puesto que, en esta aproximación, y es supuestamente grande, (2.10) 2.8 OPERACIONES DE RECORTE Y SUJECIÓN Los circuitos de recorte del diodo separan una señal de entrada con un nivel particular de cd y llegan a la salida sin distorsión, la parte superior deseada o inferior de la forma de onda original. Se utilizan para eliminar el ruido de amplitud o para fabricar nuevas formas de ondas de una señal existente. Ejemplo 2.12 La figura 2-14a muestra un circuito recortador positivo, el cual recorta una parte de la señal de entrada que es más grande que Vb y pasa como señal de salida a cualquier parte de que sea menor que
  • 48. DIODOS SEMICONDUCTORES 37 Vb. Como puede verse, es negativo cuando provocando que el diodo ideal actúe como circuito abierto. El valor de aparece en las terminales de salida como sin trayectoria para que la corriente fluya a través de R. Sin embargo, cuando el diodo conduce actuando como cortocircuito y haciendo que se cumpla que La gráfica de transferencia o característica de transferencia para el circuito en la figura 2-14b) contiene las relaciones entre el voltaje de entrada tomado de aquí como y el voltaje de salida. Sujeción, es un proceso de fijación de las crestas positiva o negativa de una forma de onda de entrada de ca a un nivel específico de cd, sin importar cualquier variación en dichas crestas. Ejemplo 2.13 Un circuito ideal de sujeción se indica en la figura 2-15b) y una forma de onda triangular de entrada de ca, en la figura 2-15a). Si el capacitor C está descargado inicialmente, el diodo ideal D está polarizado directamente para y actúa como un cortocircuito, mientras que el capacitor se carga a En D opera como un circuito abierto lo que interrumpe la única trayectoria posible de descarga del capacitor. Así pues, el valor se conserva; puesto que nunca puede excederse de permanece en polarización inversa para toda d a n d o L a función se traza como se ve en la figura 2-15c); todas las crestas positivas son ajustadas a cero, y el valor promedio se cambia de 0 a 2.9 EL DIODO ZENER El diodo Zener o diodo de referencia, cuyo símbolo se indica en la figura 2-16a), tiene su uso principal como un regulador de voltaje o referencia. La característica de conducción directa de un diodo Zener es muchas veces la misma que la de un diodo rectificador; sin embargo, éste opera normalmente con polarización inversa, en cuyo caso su característica es radicalmente diferente. Observe, en la figura 2-16b) que: 1. La ruptura de voltaje inverso es más bien abrupta, el voltaje de ruptura puede controlarse a través del proceso de manufacturación por lo que tiene un valor razonablemente predecible. 2. Cuando un diodo Zener está en ruptura inversa, su voltaje permanece extremadamente cerca del valor de la ruptura, mientras que la corriente varía de la corriente nominal (/z) a 10 por ciento o menos de la corriente nominal lz. Un regulador Zener debe diseñarse de modo que para asegurar que permanezca constante.
  • 49. 38 DIODOS SEMICONDUCTORES fl) Figura 2-16 b ) Ejemplo 2.14 Encuentre el voltaje en el diodo Zener indicado en la figura 2-16a) y se conoce que Puesto que la operación está en la región segura y pronosticable del diodo Zener. Por tanto, Frecuentemente Rz se desprecia en el diseño de los reguladores Zener. El problema 2.29 ilustra la técnica del diseño. Problemas resueltos 2.1 A una temperatura de unión de 25 °C, ¿para qué intervalo de fluctuación en la caída de voltaje la ecuación (2.1) puede aproximarse como con menos del 1 por ciento de error para un diodo Ge? De (2.1) con el error será menor del 1 por ciento si Para este intervalo, 2.2 Un diodo de Ge descrito por (2.1) se opera a una temperatura de unión de 27 °C. Para una corriente directa de 10 mA, se encuentra que es 0.3 V. a) Si calcule la corriente directa, b) Encuentre la corriente de saturación Inversa. a) Formamos la razón fl) Figura 2-16 b )
  • 50. DIODOS SEMICONDUCTORES 39 Después b) Según (2.7), 2.3 Para el circuito que se ve en la figura 2-17a), trace las formas de onda de si el voltaje de la fuente es como el que se indica en la figura 2-17b). El diodo es ideal, y Si conduce de modo que Si D obstruye de modo que como se indica en la figura 2-17c). 2.4 Amplíe el procedimiento del análisis del diodo ideal de la sección 2.2 para el caso de diodos múltiples despejando la corriente iL en el circuito de la figura 2-18a). Suponga que son ideales. Y además es una onda cuadrada de 10 V de un periodo de 1 ms. Paso 1; Suponga que ambos diodos están polarizados directamente, y reemplace cada uno con un cortocircuito como se muestra en la figura 2-18b). Paso 2: Puesto que D, está "encendido", o en el estado de impedancia cero, la división de corriente requiere que Por tanto, según la ley de Ohm, (2) Paso 3: Observe que cuando según (2) t e n e m o s , A s i m i s m o , mediante (1), Así todas las corrientes del diodo son más grandes o iguales que cero, y el análisis es válido. Sin embargo, cuando tenemos, p o r y e l análisis n o e s válido. Paso 4: Reemplace D, con un circuito abierto como se observa en la figura 2-18c). Ahora obviamente según la ley de Ohm, Además, la división del voltaje requiere que (2)
  • 51. 40 DIODOS SEMICONDUCTORES Figura 2-17 Figura 2-18 de modo que verificando que D1, realmente es el diodo con polarización inversa. Observe que, si D2 hubiera sido reemplazado con un circuito abierto, podríamos haber encontrado que realmente no habría estado en polarización inversa.
  • 52. DIODOS SEMICONDUCTORES 41 2.5 En el circuito que se ve en la figura 2-19, los diodos D1 y D2 son ideales. Encuentre /D, y /D2. Debido a las polaridades de D1 y D2, es necesario que Así pues, Pero V1; así pues, y t a m b i é n a pesar de las condiciones en ia malla del lado derecho. Esto conduce Figura 2-19
  • 53. 42 DIODOS SEMICONDUCTORES a ¡02 = ¡s- Ahora usando el procedimiento del análisis de la sección 2.2, suponemos que D2 está en polarización inversa y lo reemplazamos por un cortocircuito. Según LVK, por ejemplo, los voltajes del diodo tienen el mismo orden que los voltajes de entrada. SuDonga que es positivo y que excede a Entonces O, debe estar en polarización directa, c o n y , por lo tanto, En consecuencia, D2 y D3 obstruyen, mientras que pasa como En general, esto es así: La compuerta lógica OR establece que la señal de entrada positiva más grande se pasa com< mientras que se obstruye el resto de las señales de entrada. Si todas las señales de entrada son negativas, La aplicación de esta lógica da el trazo de mostrado en la figura 2-20c). 2.7 El diodo en el circuito que se observa en la figura 2-21a) tiene la característica terminal no lineal de la figura 2-21 b). Encuentre en forma analítica El circuito equivalente de Thévenin a la izquierda de las terminales a,b de la red que se indica en la figura 2-21a) tiene El diodo se puede modelar como en la figura 2-1 Ob), con El circuito equivalente de Thévenin junto con el modelo del diodo se representan en el circuito que se ve en la figura 2-21 c). Ahora, por la ley de Ohm, Puesto que está, en efecto, polarizado directamente y el análisis es válido 2.6 La compuerta lógica OR puede utilizarse para fabricar formas de ondas compuestas. Trace la salida de la compuerta indicada en la figura 2-20a) si las tres señales de la figura 2-20b) están presentes en las terminales de entrada. Suponga que los diodos son ideales. Para este circuito, LVK da
  • 54. DIODOS SEMICONDUCTORES 43 2.8 Resuelva gráficamente para iD el problema 2.7. El circuito equivalente de Thévenin ya ha sido determinado en el problema 2.7. Según (2.4), la línea de carga de cd está dada por (1) En la figura 2-22, (1) ha sido superpuesto en la característica del diodo, regraficando de la figura 2-21 b). Como en el ejemplo 2.6, las escalas de tiempo equivalentes para son colocadas adyacentes a la curva característica. Puesto que la característica del diodo es lineal cerca del punto Q en la fluctuación de operación, sólo necesitan dibujarse las líneas de carga dinámicas correspondientes al máximo y mínimo. Una vez que son construidas paralelamente a la línea de carga de cd, iD puede trazarse. Figura 2-22 2.9 Use la técnica de señal pequeña mostrada en la sección 2.5 para encontrar en el problema 2.7. El circuito equivalente de Thévenin del problema 2.7 es válido aquí. Además, la Intersección de la línea de carga de cd y la característica del diodo que se ve en la figura 2-22 dan V. Según (2.5) la resistencia dinámica es, pues,
  • 55. 44 DIODOS SEMICONDUCTORES Tenemos ahora todos los valores necesarios para el análisis utilizando el circuito de señal pequeña mostrado en la figura 2.11. Por la Ley de Ohm. 2.10 Una fuente de voltaje, se coloca directamente a través de un diodo caracterizado por la figura 2-21 b). La fuente no tiene impedancia interna y su polaridad es apropiada para la polarización directa del diodo, a) Trace la corriente resultante del diodo /D. o) Determine el valor de la corriente de reposo ID. a) Una gráfica escalada de se ha colocado en forma adyacente al eje de la característica del diodo indicada en la figura 2-23. Con una resistencia cero entre la fuente de voltaje ideal y el diodo, la línea de carga tiene
  • 56. DIODOS SEMICONDUCTORES 45 El circuito se analiza como se indica en la figura 2-3c); los instantes de interés son . . . , en cuyos tiempos está en su valor más negativo. Una aplicación de LVK da Figura 2-24 2.12 En el circuito de la figura 2-24, un generador de onda rectangular de 10 V con un periodo de .Trace para los dos primeros ciclos si el capacitor ; inicialmente está descargado y el diodo es ideal. En el intervalo Para (1) Puesto que , ocurre la falla de avalancha 6) De (7), queda manifiesto que sí 2.11 En el circuito mostrado en la figura 2-3a) suponga que El diodo es ideal, con una corriente de saturación inversa y una clasificación de voltaje inverso de pico (VIP) d a) ¿Fallará el diodo por la ruptura de avalancha? b) Si el diodo fallara, ¿existe un valor de RL para el cual no ocurrirá la falla? a) Del ejemplo 2.1. una pendiente infinita y Así iD se encuentra proyectando punto por punto de sobre la característica del diodo, seguida por la reflexión a través del eje de iD. Observe que i'D está extremadamente distorsionada, presentando un pequeño parecido con
  • 57. 46 DIODOS SEMICONDUCTORES Y para , D nuevamente obstruye y el voltaje del capacitor permanece en Figura 2-25 2.13 El circuito indicado en la figura 2-26a) es un regulador de voltaje "inexpansivo"; todos los diodos son idénticos y tienen la característica señalada en la figura 2-21 b). Encuentre la regulación de cuando se incrementa de su valor nominal de 4 V al valor 6 V. Suponga que Determinamos en el problema 2.7 que cada diodo puede modelarse como una batería, , y un resistor, , en serie. Combinando las cadenas de los diodos entre los puntos a y b y entre los puntos b y c se obtiene el circuito que se ve en la figura 2-26b), donde Según LVK, de donde Las formas de onda de se trazan en la figura 2-25. y (2.6) da
  • 58. 2.14 El circuito que vemos en la figura 2-17a) se usa como fuente de potencia de cd que alimenta una carga RL que fluctúa entre es una onda cuadrada de 10 V. Determine el cambio en el valor promedio de en porcentaje para el intervalo de variación de la carga, y comente la calidad de regulación mostrada por este circuito. Sea T el periodo de cuando y así Este valor grande de regulación es prohibitivo en la mayoría de las aplicaciones. Ningún otro circuito o una red filtradora serían necesarios para hacer que esta potencia suministrada fuera útil. 2.15 El circuito de la figura 2-27 agrega un nivel de cd (un voltaje de polarización) a una señal cuyo valor promedio es cero. SI es una onda cuadrada de 10 V de periodo y el diodo es ideal, encuentre el valor promedio de DIODOS SEMICONDUCTORES 47
  • 59. 48 DIODOS SEMICONDUCTORES Figura 2-27 Si D está con polarización directa y tiene polarización inversa y Así pues, En algunas señales de entrada simétricas, este tipo de circuito podría destruir la simetría de la entrada. 2.16 Dimensione el capacitor de filtro en el circuito rectificador mostrado en la figura 2-13 de modo que el voltaje de ondulación sea aproximadamente de 5 por ciento del valor promedio del voltaje de salida. El diodo es ideal, Calcule el valor promedio de para este filtro. Por tanto, utilizando la aproximación de (2.10), tenemos 2.17 En el circuito recortador positivo que se ve en la figura 2-14a), el diodo es ideal y es una onda triangular de 10 V con un periodo T. Trace un ciclo del voltaje de salida El diodo obstruye (actúa como un circuito abierto) para d a n d o e l diodo está en conducción directa, recortando v¡ para efectuar La forma de onda del voltaje de salida resultante está trazada en la figura 2-28. 2.18 Dibuje una característica de transferencia relacionando con para la red recortadora positiva del problema 2.17. Asimismo, trace un ciclo de la forma de onda de salida si Por tanto, utilizando la aproximación de (2.10), tenemos
  • 60. DIODOS SEMICONDUCTORES 49 E l diodo obstruye para y conduce para Así p u e s , c o n La característica de transferencia se muestra en la figura 2-29a). Para la señal de entrada dada, la salida es una onda sinusoidal con la cresta positiva recortada en 6V, como se indica en la figura 2-29/b). Figura 2-29 2.19 Invierta el diodo que se indica en la figura 2-14a) para crear una red recortadora negativa, a) Sea V, y dibuje las características de la red de transferencia, b) Trace un ciclo de la forma de onda de salida si
  • 61. 50 DIODOS SEMICONDUCTORES a) El diodo conduce para y obstruye cuando . Por tanto, V cuando La característica de transferencia se dibuja en la figura 2-30a). b) Con el recortador negativo, la salida concuerda con las crestas positivas de arriba de 6 V y es de 6 V en caso contrario. La figura 2-30 señala la forma de onda de la salida. Figura 2-30
  • 62. DIODOS SEMICONDUCTORES 51 2.20 Se aplica una señal al circuito de fijación de la figura 2-15b). Tratando el diodo en forma ideal, trace la forma de onda de salida para Inicialmente, el capacitor está descargado. Figura 2-32 2.21 Los diodos en el circuito que se observa en la figura 2-32 son ideales. Trace la característica de transferencia para La inspección del circuito muestra que /2 puede no tener una componente por la batería de 10 V debido a que D2 tiene la peculiaridad de conducción en un solo sentido. Así pues, D, está "apagado" para V, <0; entonces vD2 =-10 V y V¡ =0. Así pues, si está "encendido" y Pero, si está "apagado", están dados en función de según (1). La figura 2-33 indica el resultado compuesto. Figura 2-33 Cuando el diodo está con polarización directa, dando como los cambios en y así el diodo permanece en el modo de obstrucción, produciendo La forma de onda de salida está trazada en la figura 2-31. Ahora O, está "encendido" sin embargo, D2 está "apagado" si El principio de conducción para D2 ocurre cuando Vab = 10 V con /2 =0o cuando, por medio del divisor de voltaje, Por lo tanto, (1)
  • 63. 52 DIODOS SEMICONDUCTORES 2.22 Suponga que el diodo D2 se invierte en el circuito mostrado en la figura 2r32. Trace la característica de transferencia resultante para El diodo D2 está ahora "encendido" y hasta que V1 se incrementa lo suficiente como para que , el punto en que . Esto es, ' hasta que (1) Para l y (1) permanece válido. La característica de transferencia resultante se observa con línea punteada en la figura 2-33. 2.23 Suponga que se agrega un resistor a través de las terminales c,d del circuito que se ve en la figura 2-32. Describa los cambios que se presentan en la característica de transferencia del problema 2.21. Aquí no hay cambio en la característica de transferencia si . Sin embargo, D2 permanece "apagado" hasta que sea se incrementa y. En el umbral de conducción para D2, la corriente a través de D2 es cero; así, Así pues, ' cuando y el punto de ruptura mostrado en el problema 2.21 en se ha movido a . La característica de transferencia p a r a s e traza y se muestra en la figura 2-33. 2.24 Trace la característica de entrada de la red que se observa en la figura 2-34a) cuando a) el interruptor está abierto y b) cuando está cerrado. Fiaura 2-34 La solución se encuentra más fácilmente si la fuente de corriente y resistor se reemplazan por los equivalentes de Thévenin Por lo tanto, por la ley de Ohm, o hasta que
  • 64. DIODOS SEMICONDUCTORES 53 a ) L V K d a l a cual es la ecuación de una línea recta que se interseca con el e j e y el La pendiente de la línea es Se traza la característica mostrada en la figura 2-34b). b) El diodo está polarizado en inversa y actúa como un circuito abierto cuando Se deduce que la característica de aquí es idéntica a la del interruptor abierto si Pero si el diodo está con polarización directa y actúa como un cortocircuito. En consecuencia, nunca puede alcanzar los valores negativos y la corriente i puede incrementarse negativamente sin límite. La gráfica corres- pondiente se incluye en la figura 2-34c). 2.25 En el circuito de señal pequeña que se ve en la figura 2-35, el capacitor modela la capacitancia de difusión del diodo, de modo que se conoce por ser de frecuencia Así pues, Encuentre el ángulo de fase a) entre id, y y b) entre a) La capacitancia de difusión produce una reactancia Así pues, id adelanta a mediante un ángulo de fase de 26.57°. b) Sea la impedancia vista a la derecha de entonces Por lo tanto, adelanta a mediante un ángulo de 26.57°-4.76° =21.81°. Figura 2-35 2.26 Utilizando diodos ideales, resistores y baterías, sintetice un circuito generador de una función que conduzca a la característica de i-v indicada en la figura 2-36a). Puesto que la característica tiene dos puntos de corte, se requieren dos diodos. Ambos diodos deben estar orientados de modo que la corriente no fluya para Además, un diodo debe moverse a polarización directa en el primer punto de ruptura, y el segundo diodo debe comenzar la conducción en Observe también que la pendiente de la gráfica es la recíproca de la re- sistencia del equivalente de Thévenin de la parte activa de la red. El circuito que se observa en la figura 2-36b) producirá la gráfica dada Estos valores se obtienen como sigue: 1 . S i s o n negativos, ambos diodos obstruyen y n o fluye corriente. 2. Si tiene polarización directa y actúa como un cortocircuito, mientras que es negativo y provoca que D2 actúe como un circuito abierto, se encuentra como el recíproco de la pendiente en ese rango:
  • 65. 54 DIODOS SEMICONDUCTORES 3. Sí ambos diodos tienen polarización directa, Figura 2-36 2.27 Encuentre para el circuito del rectificador de onda completa mostrado en la figura 2-37a), tratando al transformador y a los diodos como ideales. Los dos voltajes llamados indicados en la figura 2-37a) son idénticos en magnitud y fase. El transformador ideal y la fuente de voltaje pueden, pues, ser reemplazados por dos fuentes de voltaje idénticas, como se ve en la figura 2-37b), sin alterar el comportamiento eléctrico del balance de la red. Cuando es positivo, D, tiene polarización directa y conduce pero D2 tiene polarización inversa y obstruye. A la inversa, cuando es negativa, D2 conduce y D, obstruye. En resumen, 2.28 El diodo Zener en el circuito regulador de voltaje de la figura 2-38 tiene un voltaje inverso de ruptura constante para . Si , dimensiones Rs de modo que se regula a (mantiene en) 8.2 V, mientras aue Vb varía entre por ciento de su valor nominal 12 V. a) b) Según LCK y así
  • 66. DIODOS SEMICONDUCTORES 95 Figura 2-37 Según la ley de Ohm, Ahora una aplicación de la LVK da (1) Figura 2-38 y usamos (1) para calcular fls para tener una corriente máxima del Zener l2 en el valor más alto de Ahora revisamos si en el valor más bajo de Vb: Puesto que y se conserva la regulación. 2.29 Un diodo Zener tiene las especificaciones Suponga a) Encuentre la corriente máxima disponible cuando el diodo Zener está actuando como regulador, b) Si un circuito de sólo una malla consta de una fuente ideal de cd de 15 V, un resistor variable R y el diodo Zener descrito, encuentre el intervalo de valores de R para los cuales el diodo Zener permanece en ruptura constante inversa sin riesgo de fallar. a)
  • 67. 56 DIODOS SEMICONDUCTORES b) Según LVK, De la sección 2.9, sabemos que la regulación se conserva si 2.30 Un diodo emisor de luz (LED) tiene una caída de voltaje directo más grande que un diodo común de señal. Un LED común puede modelarse como una caída de voltaje constante directo de Su intensidad luminosa varía directamente con la corriente directa y se describe por Un circuito en serie consta de un LED, un resistor limitador de corriente R y una fuente V, de cd de 5 V. Encuentre el valor de fi tal que la intensidad luminosa sea 1 mcd. Según (í), debemos tener De LVK, tenemos de modo que 2.31 El voltaje de ruptura inverso del LED del problema 2.30 está garantizado por el fabricante para que sea menor que 3 V. Conociendo que la fuente de cd de 5 V puede aplicarse inadvertidamente de modo que polarice al LED en forma inversa, deseamos agregar un diodo Zener para asegurarnos de que la ruptura inversa del LED nunca pueda ocurrir. Un diodo Zener está disponible tiene y una caída directa de 0.6 V. Describa la conexión apropiada del Zener en el circuito para proteger al LED y determine el valor de la intensidad luminosa que resultará si R está inalterado respecto del problema 2.31. El diodo Zener y el LED deben conectarse en serie de modo que el ánodo de un dispositivo se conecte al cátodo del otro. Por consiguiente, aun cuando la fuente de 5 V se conecta al revés, el voltaje inverso a través del LED será menor de Cuando la fuente de cd se conecta al LED en polarización directa, tendremos de modo que La falla por sobrecorriente se evita si Así pues, necesitamos
  • 68. DIODOS SEMICONDUCTORES 57 Problemas complementarios 2.32 Un diodo de Si tiene una corriente de saturación a) Encuentre la corriente directa iD si la caída directa vD es 0.5 V. b) Este diodo está especificado para una corriente máxima de 5 A. ¿Cuál es su temperatura de unión en la corriente especificada si la caída directa es 0.7 V? 2.33 Resuelva el problema 2.1 para un diodo de Si. 2.34Los datos del laboratorio para un diodo de Si descritos por (2.1) muestran q u e c u a n d o para . Encuentre a) la temperatura para la cual los datos fueron tomados y b) la corriente inversa de saturación. 2.35 ¿Para qué voltaje la corriente inversa de un diodo de Ge que se describe en (2.1) alcanzará el 99 por ciento de su valor de saturación a una temperatura de 300 °K? 2.36 Encuentre el incremento en la temperatura necesario para aumentar la corriente de saturación Inversa de un diodo por un factor de 100. Resp. 66.4 °C 2 . 3 7 E l diodo del problema 2.32 está operando en un circuito donde éste tiene resistencia dinámica ¿Cuáles deben ser las condiciones de reposo? 2.38 El diodo del problema 2.32 tiene corriente directa Encuentre el voltaje total a través del diodo. 2.39 Encuentre la potencia disipada en el resistor de carga del circuito que se observa en la figura 2-17a) si el diodo es ideal y Resp. 206.6 mW 2.40 La compuerta lógica AND indicada en la figura 2-39a) tiene un tren de pulso en su entrada como se indica en la figura 2-396). La señal es errática, cayendo por debajo del nivel nominal lógico de cuando en cuando. Determine Resp. diferente de cero 2.41 La compuerta lógica AND mostrada en la figura 2-39a) se usa para generar un tren de pulsos burdos proporcionando Determine (a) la amplitud y (b) el periodo del tren de pulsos que aparece como
  • 69. 58 DIODOS SEMICONDUCTORES 2.42 En el circuito que se indica en la figura 2-24, es una onda rectangular de 10 V con un periodo de 4 ms. El diodo no es ideal, con la característica mostrada en la figura 2-21 b). Si el capacitor está inicialmente descargado, determine para el primer ciclo de 2.43 El voltaje directo a través del diodo del problema 2.33 es . Encuentre la componente de ca de la corriente del diodo id. b) Figura 2-39 2.44 El circuito que se ve en la figura 2-40a) es un circuito duplicador de voltaje, usado algunas veces como una fuente de potencia de bajo nivel cuando la carga RL es bastante constante. Se le llama "duplicador" debido a que el valor máximo en estado estable de vL es dos veces el valor máximo del voltaje de la fuente sinusoidal. La figura 2-40b) muestra un esquema del voltaje de salida en estado estable para Suponga que los diodos son ideales, a) Resuelva, por el método de prueba y error, la ecuación trascendental para el tiempo de caída b) Calcule el valor de cresta a cresta en el voltaje de ondulación. a) Figura 2-40 b)
  • 70. DIODOS SEMICONDUCTORES 59 2.45 Encuentre la corriente del diodo durante un ciclo de carga del capacitor en el circuito rectificador que se observa en la figura 2-13a) si (Sugerencia: La fórmula aproximada de la ondulación no puede usarse pues el capacitor requiere implícitamente un tiempo igual a cero para cargarse. En cambio, resuelva la corriente del capacitor y la corriente de carga, y sume.) 2.46 En el circuito que se indica en la figura 2-27, Si el diodo es ideal y determine el valor promedio del voltaje de carga Resp. 3.18 V 2.47 Resuelva de nuevo el problema 2.20 con el diodo mostrado en la figura 2-156) invertido y todo lo demás igual. (El circuito es ahora un circuito fijador positivo.) Resp. para para 2.48 Se utilizan cuatro diodos para el puente de onda completa mostrado en la figura 2-41. Suponiendo que los diodos son ideales y que a) encuentre ef voftaj'e de saíída y o) el valor promedio de Resp. 2.49 Un capacitor de filtrado en paralelo (Ejemplo 2.11) se agrega al rectificador de onda completa del problema 2.48. Muestre que el factor de ondulación está dado por 2.50 Invente un circuito rectificador de pico mediante la conexión de un capacitor de filtrado de entre los puntos a,b en el circuito de la figura 2-41. . a) Obtenga la magnitud (de cresta a cresta) del voltaje de ondulación y b) el valor promedio de 2.51 El circuito discriminador de nivel (Figura 2-42) tiene una salida cero, independientemente de la polaridad de la señal de entrada, hasta que la entrada alcanza un valor crítico. Arriba del valor crítico, la salida duplica la entrada. Con tal circuito algunas veces se puede eliminar los efectos de ruido de bajo nivel a cambio de una pequeña distorsión. Relacione con para el circuito.
  • 71. 60 DIODOS SEMICONDUCTORES 2.52 El diodo que se ve en la figura 2-34 es invertido, pero todo lo demás permanece igual. Escriba una ecuación que relacione v e / cuando a) el interruptor está abierto y b) cuando está cerrado. 2.53 El diodo Zener en el circuito de regulación de voltaje que se observa en la figura 2-38 tiene V en un valor mínimo de de Si fluctúa entre a) encuentre el valor máximo de para mantener la regulación y b) especifique la clasificación de potencia mínima del diodo Zener. 2.54 El circuito regulador que se ve en la figura 2-38 se modifica reemplazando el diodo Zener por dos diodos Zener en serie para obtener un voltaje regulado de 20 V. Las características de los dos Zener son: a) Si varía entre 10 mA y 90 mA y . entre 22 V y 26 V, dimensiones de tal modo que la regulación se conserve, b) ¿El Zener excederá su corriente nominal? lo cual excede la especificación del diodo Zener 2 2.55 Los dos diodos Zener de la figura 2-43 tienen caídas directas despreciables y ambos regulan a un valor constante para Si encuentre el valor promedio del voltaje de carga cuando es una onda 10 V rectangular. Resp. 0.75 V 2.56 El diodo Zener del problema 2.29 que se utiliza en un circuito simple en serie consta de una fuente de voltaje variable de cd el diodo Zener y un resistor limitador de corriente a) Encuentre la fluctuación permitida de Vs para la cual el diodo Zener está seguro y su regulación se conserva, b) Encuentre una expresión de la potencia disipada por el diodo Zener. 2.57 El diodo varactor está diseñado para operar con polarización inversa y se fabrica en un proceso que incrementa la dependencia del voltaje de la capacitancia de agotamiento o capacitancia de la unión Frecuentemente un diodo varactor se conecta en paralelo con un inductor L para formar un circuito resonante en que la frecuencia de resonancia es dependiente del voltaje. Dicho circuito
  • 72. DIODOS SEMICONDUCTORES 61 puede formar las bases de un transmisor con modulación de frecuencia (FM). Un diodo varactor con una capacitancia de agotamiento de se conecta en paralelo con un encuentre el valor de requerido para establecer resonancia a una frecuencia de 100 MMZ. 2.58 Un LED con intensidad luminosa descrito por (1) del problema 2.30 es modelado mediante la función lineal por secciones mostrada en la figura 2-10(b), con Calcule las intensidades luminosas máxima y mínima que resultan si se usa el LED en un circuito en serie que consta del LED, un resistor limitador de corriente y una fuente (Nota: Puesto que el periodo de excede 1 minuto, es lógico suponer que la intensidad luminosa fluctúa según lo hace sin necesidad de considerar la física del proceso de emisión de luz.) 2
  • 73. Características de transistores bipolares de unión 3.1 CONSTRUCCIÓN DE TBJ Y SÍMBOLOS El transistor bipolar de unión (TBJ) es un dispositivo de tres elementos (emisor, base y colector) hechos de capas alternas de materiales semiconductores de tipo n y p unidos metalúrgicamente. El transistor puede ser del tipo pnp (conducción principal mediante huecos positivos) o del tipo npn (conducción principal mediante electrones negativos), como se muestra en la figura 3-1 (donde también se ilustran los símbolos esquemáticos y las direcciones de corriente). La notación de doble subíndice se utiliza en la clasificación de los voltajes terminales de modo que, por ejemplo, _ _ ■ simboliza el incremento de potencial de la terminal del emisor E a la terminal base B. Por razones de apariencia, comúnmente las corrientes y voltajes constan de componentes superpuestos de cd y ca (normalmente señales sinusoidales). La tabla 3-1 presenta la notación de los voltajes y corrientes terminales. Tabla 3-1 Ejemplo 3.1 En el transistor npn que se ve en la figura 3-1a), se mueven de la base a la región del emisor, mientras que se mueven del emisor a la región de la base. Un amperímetro da la lectura de la corriente base Determine la corriente del emisor y la corriente del colector La corriente del emisor se determina con la tasa neta del flujo de la carga positiva en la región del emisor: Además, seqún LCK. Tipo de valor instantánea total cd punto estático instantánea ca rms máximo de la sinusoide Sírr Variable letras minúsculas letras mayúsculas letras mayúsculas letras minúsculas letras mayúsculas letras mayúsculas ibolo Subíndice letras mayúsculas letras mayúsculas letras mayúsculas más Q letras minúsculas letras minúsculas letras minúsculas más m Ejemplos
  • 74. CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 63 3.2 CARACTERÍSTICAS TERMINALES DE LA BASE COMÚN La conexión de la base común (BC) es un arreglo de dos puertos del transistor, el cual comparte la base en un punto común con las terminales de entrada y salida. Las variables independientes de entrada son la corriente del emisor y el voltaje emisor-base Las variables independientes de salida son la corriente del colector y el voltaje colector-base El análisis práctico del transistor BC está basado en dos conjuntos de curvas determinados experimerúaimente: 1. Las características de entrada o de transferencia relacionan (variables del puerto de entrada) cuando se mantiene constante el valor de (variable del puerto de salida). El método de medición en laboratorio se indica en la figura 3-2a), y la forma común de la familia de curvas resultante se representa en la figura 3-26). 2. Las características de salida o de colector dan ¡c en función de (variables del puerto de salida) para valores constantes de (variable del puerto de entrada), medidas como se ve en la figura 3-2a). La figura 3-2c) muestra la forma común de la familia de curvas resultante. Figura 3-2 Características de base común (dispositivo pnp de Si) 3
  • 75. 64 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION Figura 3-2 (Continuación) 3.3 CARACTERÍSTICAS TERMINALES DEL EMISOR COMÚN La conexión del emisor común (EC) es un arreglo de un transistor de dos puertos (ampliamente usado debido a su amplificación de corriente alta) en que el emisor comparte un punto común con las terminales de entrada y salida. Las variables independientes del puerto de entrada son la corriente de base y el voltaje entre la base y el emisor y las variables independientes del puerto de salida son la corriente del colector el voltaje del colector al emisor Como el análisis de BC, el de EC se basa en: 1. Las características de entrada o de transferencia que relacionan las variables del puerto de entrada y con constante. La figura 3-3a) muestra el arreglo medido, y la figura 3-3b) las características de entrada resultante. 2. Las características de salida o del colector muestran la relación funcional entre las variables de salida del puerto y el para la constante, medidas como se ve en la figura 3-3a). Las características del colector representativo se muestran en la figura 3-3c). Figura 3-3 Características del emisor común (dispositivo pnp de Si) 3
  • 76. CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 65 3.4 RELACIONES DE CORRIENTE Las dos uniones pn de los TBJ pueden estar polarizadas independientemente, lo cual da por resultado cuatro posibles modos de operación de un transistor como se indica en la tabla 3-2. Una unión está polarizada en forma directa si el material n está en un potencial más bajo que el del material p, y se tiene una polarización inversa cuando el material n está en un potencial más alto que el del material p. Tabla 3-2 Polarización del emisor base directa inversa inversa directa Polarización del colector base directa inversa directa inversa Modo de operación saturación corte inversa lineal o activa La saturación indica operación para los dispositivos de Si) tal que fluye la máxima corriente en el colector y el transistor actúa en forma muy parecida a un interruptor cerrado entre las terminales del colector y emisor. [Véanse las figuras 3-2c) y 3-3c).] El corte indica una operación cercana al eje del voltaje de las características del colector, donde el transistor actúa en forma muy semejante a un interruptor abierto. Sólo la corriente de fuga (similar a del diodo) fluye en este modo de operación; Así pues, para la conexión B C , p a r a la conexión EC. Las figuras 3-2c) y 3-3c) indican estas corrientes de fuga. El modo inverso es un modo activo de poco uso e ineficiente, en que el emisor y el colector están intercambiados. El modo activo o lineal describe la operación en la región a la derecha de la saturación y arriba del corte en las figuras 3-2c) y 3.3c); aquí, existen relaciones casi lineales entre las corrientes terminales y las constantes siguientes de proporcionalidad se definen para las corrientes de cd: 3
  • 77. 66 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (3.1) (3.2) donde las corrientes de fuga generadas térmicamente se relacionan mediante (3.3) La constante es una medida de la proporción de la mayoría de portadores (huecos para los dispositivos pnp, electrones para npn) introducida en la región base del emisor que son recibidos por el colector. La ecuación (3.2) es la característica de amplificación de la corriente cd del TBJ: Excepto para la corriente de fuga, la corriente de base se incrementa o amplifica veces para llegar a ser la corriente del colector. En condiciones de cd, LCK da activo. Ejemplo 3.2 Determine para el transistor del ejemplo 3.1 si las corrientes de fuga (flujo debido a los huecos) son despreciables y el flujo descrito de la carga es constante. Si suponemos entonces Ejemplo 3.3 Un TBJ tiene Encuentre a) la corriente del colector cd, 6) la corriente del emisor cd y c) el error en porcentaje de la corriente del emisor cuando la corriente de fuga es despreciable. a) Con Utilizando (3.3) en (3.2) entonces da c) Despreciando la corriente de fuga, tenemos 3 y b) La corriente del emisor cd se obtiene de (3.1): dando un error en la corriente del emisor
  • 78. CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 67 3.5 LINEAS DE POLARIZACIÓN Y DE CARGA PARA CD Las fuentes de voltaje y los resistores polarizan un transistor; esto es, establecen un conjunto específico de voltajes y corrientes terminales, determinando ast un punto de operación en modo activo (llamado punto estático o punto Ó). Normalmente, los valores estáticos son invariables por la aplicación de una señal de ca para el circuito. Con el arreglo de polarización universal que se indica en la figura 3-4a), sólo se necesita una fuente de potencia de cd (VCc) para establecer la operación en modo activo. Úsese el equivalente de Thévenin del circuito a la izquierda de las terminales a,b para el circuito mostrado en la figura 3-46), donde (3.5) Si despreciamos la corriente de fuga de modo que y si suponemos que el voltaje de emisor a la base es constante respectivamente), entonces LVK alrededor de la malla del emisor de la figura 3-4¿>) da (3.6) lo cual se puede representar por el circuito de polarización equivalente de la malla del emisor que se ve en la figura 3-4c). Despejando en (3.6) y observando que obtenemos Si los valores de la componente y el valor del peor caso son tales que (3.7) 3
  • 79. 68 CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3 después lE0 (y así ) es casi constante, a pesar de los cambios de entonces el circuito tiene polarización independiente de Según la figura 3-3c) es evidente que se describe la familia de las características del colector mediante relaciones matemáticas con la variable independiente y el parámetro Suponemos que el circuito del colector puede polarizarse para colocar el punto Q en cualquier lugar en la región activa. Un arreglo representativo se muestra en la figura 3-5a), del cual se deduce Así pues, si la línea de carga de cd, se combinan con las relaciones para las características del colector, el sistema resultante se puede resolver (analítica y gráficamente) para las cantidades del colector en reposo Ejemplo 3.4 El interruptor de la fuente de señal que se ve en la figura 3-5a) está cerrado, y la corriente de la base del transistor se convierte en Las características del colector del transistor se muestran en la figura 3-5b). Si determine gráficamente a) en el punto Q. a) La línea de carga cd tiene la intersección con el eje de las ordenadas en y el eje de las abscisas por y está construida en la figura 3-5b). El punto Q es la intersección de la línea de carga con la curva característica Las cantidades estáticas se pueden leer de los ejes como y b) Se construye una escala de tiempo perpendicular a la línea de carga en el punto Q, y se dibuja un trazo escalado de [Figura. 3-5b) y se traslada a lo largo de la línea de carga para trazar Como oscila entre a lo largo de la línea de carga del punto a al b, los componentes ca de la corriente del colector y el voltaje toman los valores El signo negativo en significa un cambio en la fase de 180°. c) De (3.2) con coincide con el e j e e n la figura 3-5b), se deduce que Es claro que los amplificadores pueden polarizarse para su operación en cualquier punto a lo largo de la línea de carga. La tabla 3-3 muestra las diversas clases de amplificadores, basadas en el porcentaje del ciclo en señal en el cual operan en la región lineal o activa. (3.8) y la especificación (3.10)
  • 80. CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 69 a) 3
  • 81. 70 Tabla 3-3 3.6 CAPACITORES DE CA Y LÍNEAS DE CARGA Dos usos comunes de los capacitores (ajustados en su valor para que aparezcan como cortocircuitos para frecuencias de señal) se representan mediante el circuito de la figura 3-6a): 1. Los capacitores de acoplamiento limitan las cantidades de cd hacia el transistor y su sistema de circuitos de polarización. 2. Los capacitores de paso efectivamente quitan el resistor del emisor, el cual reduce la ganancia para señales de ca, pero permiten que desempeñe su labor en el establecimiento de la polarización inde- pendiente de (Sección 3.5). Los capacitores que se indican en la figura se ponen en corto cuando aparecen las señales de ca [Figura. 3-66)]. En la figura 3-6a), observamos que la resistencia del circuito de colector vista por la corriente de polarización Sin embargo, de la figura 3-66) esto es aparente a la señal de corriente al balancear la resistencia del circuito de colector Puesto que en general, aparece el concepto de línea de carga de ca. Mediante la aplicación de LVK al circuito mostrado en la figura 3-6b), se encuentra la característica del sistema de circuito para la señal externa. CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES ,DE UNION 3 Clase A AB B C Porcentaje de la excursión de la señal en la región activa 100 entre 50 y 100 50 menos de 50