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INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO 
“SANTIAGO MARIÑO” EXTENSIÓN SAN CRISTÓBAL 
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 
PUENTE RECTIFICADOR DE 
MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA 
Orozco Jorge 
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FRECUENCIA 
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El diodo de potencia 
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los 
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos 
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de 
conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo 
y cátodo. 
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, 
deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de 
tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión 
negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. 
El diodo responde a la ecuación: 
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VD: tensión de codo. 
A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, 
las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
 Características estáticas: 
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa). 
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o Modelo estático. 
 Características dinámicas: 
o Tiempo de recuperación inverso (trr). 
o Influencia del trr en la conmutación. 
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Características estáticas 
Parámetros en bloqueo 
 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser 
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en 
ruptura por avalancha. 
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada 
en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. 
 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser 
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. 
 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, 
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características 
del mismo. 
 Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el 
diodo en estado de bloqueo.
Parámetros en conducción 
 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima 
intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede 
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 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada 
cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada 
temperatura de la cápsula (normalmente 25º). 
 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de 
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 
ms. 
 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se 
encuentra en el estado de conducción. 
Modelos estáticos del diodo 
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) 
se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos 
a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el 
nivel de precisión que necesitemos. 
Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando 
modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. 
Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso 
pueden venir ya en las librerías del programa.
Características dinámicas 
Tiempo de recuperación inverso 
El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se 
efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una 
intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de 
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto 
mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos 
la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que 
después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de 
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el 
diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión 
inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo 
ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores 
empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. 
La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en 
pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable 
mientras van desapareciedo el exceso de portadores. 
o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde 
el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. 
o tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico 
negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la 
descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la 
práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la 
intensidad hasta el 10 % de éste. 
o trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.
o Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el 
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diodo. 
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad. 
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dos siguientes casos: 
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Influencia del trr en la conmutación 
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: 
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recuperación inversa. 
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación 
rápida. 
Factores de los que depende trr : 
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mayor será la capacidad almacenada, y por tanto mayor será trr. 
Tiempo de recuperación directo 
tfr (tiempo de 
recuperación directo): es 
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tensión ánodo-cátodo se 
hace positiva y el instante 
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estabiliza en el valor VF. 
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menor que el de 
recuperación inversa y no 
suele producir pérdidas 
de potencia apreciables. 
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Algunos ejemplos: 
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  • 1. INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO “SANTIAGO MARIÑO” EXTENSIÓN SAN CRISTÓBAL LABORATORIO DE ELECTRÓNICA INDUSTRIAL PUENTE RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA Orozco Jorge 19.133.655 SAN CRISTÓBAL, NOVIEMBRE DEL 2014
  • 2. Pre-laboratorio: CARACTERÍSTICAS DE LA CORRIENTE ALTERNA EL CICLO: Es la variación completa de la tensión o la corriente de cero a un valor máximo positivo y luego de nuevo a cero y de este a un valor máximo negativo y finalmente a cero. FRECUENCIA La frecuencia es el número de ciclos que se producen en un segundo. Su unidad es el Hertz (Hz) que equivale a un ciclo por segundo, se representa con la letra f. PERIODO Tiempo necesario para que un ciclo se repita. Se mide en segundos y se representa con la letra P. Frecuencia y periodo son valores inversos T =1/f f =1/T
  • 3. El diodo de potencia Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. El diodo responde a la ecuación: La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: tensión inversa máxima VD: tensión de codo. A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
  • 4.  Características estáticas: o Parámetros en bloqueo (polarización inversa). o Parámetros en conducción. o Modelo estático.  Características dinámicas: o Tiempo de recuperación inverso (trr). o Influencia del trr en la conmutación. o Tiempo de recuperación directo. Características estáticas Parámetros en bloqueo  Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.  Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.  Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.  Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.  Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
  • 5. Parámetros en conducción  Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar.  Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).  Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.  Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción. Modelos estáticos del diodo Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del programa.
  • 6. Características dinámicas Tiempo de recuperación inverso El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores. o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. o tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste. o trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.
  • 7. o Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo. o di/dt: es el pico negativo de la intensidad. o Irr: es el pico negativo de la intensidad. La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo : De donde: Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: o Para ta = tbtrr = 2ta o Para ta = trrtb = 0 En el primer caso obtenemos: Y en el segundo caso:
  • 8. Influencia del trr en la conmutación Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: o Se limita la frecuencia de funcionamiento. o Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa. Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida. Factores de los que depende trr : o A mayor IRRM menor trr. o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada, y por tanto mayor será trr. Tiempo de recuperación directo tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de potencia apreciables. Entrada AC, monofásica o polifásica. Salida DC no controlada, su valor depende de: La tensión de entrada La corriente por la carga Topología del convertidor Flujo de potencia
  • 9. Desde la entrada a la salida Aplicaciones: Pueden usarse en aplicaciones con las siguientes características: De coste mínimo No sensibles al valor de la tensión de salida No problema con el factor de potencia Algunos ejemplos: Entrada de fuentes de alimentación Alimentación de motores DC Laboratorio Rectificador de media onda V1: 120v V2:50.8v Vrms(fuente):71.62v VD:0.7v VL: 50.1v I: 0.27 A P:13.52W
  • 10. Vrms(en la carga): 70.64v Puente rectificador de onda completa V1: 120v V2:50.8v Vrms(fuente):71.62v Vpr:2.8v VL: 48v I: 0.19 A P:9.25W Vrms(en la carga): 70.64v