Este documento presenta información sobre transistores bipolares de unión (BJT). Explica que los transistores constan de tres terminales (base, colector y emisor) y funcionan como amplificadores o interruptores controlados por pequeñas señales en la base. También describe cómo probar transistores npn y pnp usando un multímetro, y cómo construir y probar un circuito de base sesgada para analizar las corrientes y voltajes en diferentes regiones de operación del transistor.

2. MECATRONICA AUTOMOTRIZ
TEMA: TRNSITORES
INTEGRANTES:
AVILA RODRIGUEZ HENRRY
AYALA GAVILAN YACK BRAYAN
CCENTE VARGAS JACK OMAR
DOCENTE: DANIEL PALOMINO GONZALES

3. INTRODUCCION:
Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de
circuitos de conmutación y procesado de señal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No
existe desgaste por partes móviles).
Por ello es importante conocer su comportamiento ante diferentes señales así como saber cómo probar
que estén en buen estado.
MARCO TEÓRICO
• Transistor. El término “transistor” es la contracción en inglés de transfer y resistor
(Resistencia de transferencia). Consiste en un dispositivo electrónico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Por lo regular
consta de dos funciones:
▪ Dejar pasar o cortar señales eléctricas a partir de una pequeña señal de mando, esto
es el comportamiento de un switch.
▪ Funciona como un elemento amplificador de señales.
Existen dos tipos de transistores: el transistor
Bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) y el
transistor unipolar o de efecto de campo FET (Field
Effect Transistor). Ésta práctica utiliza el transistor
BJT
• Transistor Bipolar de Juntura (BJT).
Consta de tres
cristales
semiconductores
(usualmente de silicio) unidos entre sí. Según como
se coloquen los cristales hay dos tipos básicos de
transistor bipolar: El transistor NPN es el caso de un
bloque P situado entre dos bloques N. Es el más
común. El transistor PNP es lo contrario, cuando un
bloque N está situado entre dos bloques P (Figura 1).
Visto de otra forma, el transistor puede tomarse como la unión de dos diodos (Figura 2)
Figura 1. Simbología de transistores
NPN y PNP
Figura 2. Un transistor es la unión de dos diodos

4. 2
En la figura 1 se puede apreciar cada una de los bloques en los que se realiza un
contacto metálico y que da origen a 3 terminales: Base (B) que es quien controla el
paso de corriente a través del transistor, éste es el bloque de en medio; el Colector
(C) que se encarga de recoger los portadores de carga; y el Emisor (E) que se
encarga de proporcionar los portadores de carga.
• Polarización de Base. La polarización de la base es la configuración que se hace con
el transistor BJT para que éste opere como un amplificador. Para ello, las dos uniones
pn deben estar correctamente polarizadas con voltajes de CD externos, como lo ilustra
la figura 3, las uniones base-emisor y base-colector se polarizan en directa, y la
corriente que fluye por el colector IC estará en función de la corriente que pase por la
base IB esto a causa de un concepto por analizar: la Beta del transistor. Para objetos de
ésta práctica se analiza con transistor npn pero cuando la operación se realiza con
transistores pnp las polaridades del voltaje de polarización (voltajes de las fuentes) y
las direcciones de corriente se invierten como lo muestra la figura 3.
Figura 3. Corrientes en un circuito con polarización de base de un transistor npn
Figura 4. Polarización de base de un transistor npn (a) y pnp (b).

5. 5
• Beta (β) de un transistor. La ganancia de corriente de cd de un transistor es el
cociente de la corriente de CD del colector (IC) entre la corriente de CD de la
base
(IB) y se expresa como beta de CD (βCD).
La βCD no se trata de una constante, es un valor que viene especificado en las hojas
de datos de cada transistor, que puede ir desde 20 hasta 200 o más, pero que sin
embargo puede variar tanto con la corriente de colector como con la temperatura. Si
se mantiene constante la temperatura de la unión y se incremente IC, βCD se
incrementa a un máximo. Si IC se mantiene constante y la temperatura varía, βCD
cambia directamente con la temperatura.
OBJETIVOS:
*Probar apropiadamente un transistor npn o pnp con un óhmetro
*Verificar las tensiones y corrientes en un circuito de base-sesgado, así como construir su línea de
carga de CC.
ANALISIS TEORICO:
MATERIAL Y EQUIPO:
-2 transistores 2N3904
-1 transistor 2N3906
-Potenciómetro de 1M ohm
-Resistencias de 1k ohm y 520k ohm
-Multímetro
-Fuente de voltaje
-Secador de cabello
DESARROLLO:
Para la primera parte se utilizaron el diodo 1N4148, el multímetro y los transistores 2N3904 (npn)
y 2N3906 (pnp).

6. 6
En esta parte se aplicó el proceso para comprobar el buen funcionamiento de un transistor usando
el ohmímetro del multímetro digital de la siguiente manera:
1.- Comprobación de la polaridad de las terminales del multímetro con el diodo 1N4148.
2.- Medir el valor de resistencia entre las terminales base-emisor del transistor 2n3904. Primero se
puso la terminal negativa del multímetro en el emisor y la positiva en la base, se registró en la
tabla si el valor obtenido era alto o bajo y luego se invirtió esta configuración.
3.- De la misma manera se midió la resistencia entre las terminales base-colector y colector-emisor
y se registró los valores obtenidos como alto o bajo (+/-).
4.- Se aplicó exactamente el mismo procedimiento para el transistor 2n3906.
5.- Se comprobó que las tablas de ambos transistores, al ser uno pnp y el otro npn, contenían
resultados opuestos.
Para la segunda parte de la práctica se utilizó el potenciómetro de 1M ohm, una resistencia de 1K
ohm y una de 520K, los 2 transistores 2n3904, el multímetro, un secador de cabello y una fuente
de voltaje de CD que nos proporcionara 15v.

7. 7
1.- Primero se armó el siguiente circuito:
2.- Formulas proporcionadas:
3.- Medimos el voltaje en las resistencias de 1K y 560K y con la ley de Kirchhoff calculamos las
corrientes en la base y el colector:
Voltaje medido en 520K: 14.48V
Voltaje medido en 1K: 6.56V
IB = (14.48)/(520k)= 0.0278mA

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IC= (5.56)/(1K)= 5.56mA
4.- Con las 2 corrientes obtenidas calculamos la “Beta”:
B= (IC)/(IB) = 200
5.- Se midieron los valores de los voltajes VB Y VCE y comparándolos con los calculados con las
formulas propuestas (para VCE).
6.- Con la secadora de cabello le aplicamos aire caliente al transistor y comprobamos que la
corriente del colector aumentaba.
7.- Usando las ecuaciones 5 y 6 calculamos los puntos de saturación y corte de la línea de carga.
8.- Se repitió el proceso de los pasos 2 a 5 (de la práctica otorgada por el profesor) y se registraron
todos los datos obtenidos.
9.-Se sustituyó la resistencia de 520K por el potenciómetro de 1M para variar hasta los máximos y
mínimos valores de las corrientes de saturación y voltajes de corte previamente calculados.
10.- Conociendo estos valores máximos y mínimos variamos la resistencia para obtener diferentes
parámetros en la zona activa del transistor y registrarlos en las tablas.

9. 9
RESULTADOS PRACTICOS Y COMPARACION TEORICO-PRACTICA:
Primera parte:
2N3904 (NPN)
PASO TERMINALES DEL MULTIMETRO RESULTADO
+ -
2 BASE EMISOR -
3 EMISOR BASE +
4 BASE COLECTOR -
5 COLECTOR BASE +
7 COLECTOR EMISOR -
7 EMISOR COLECTOR -
2N3906 (PNP)
PASO TERMINALES DEL MULTIMETRO RESULTADO
+ -
2 BASE EMISOR +
3 EMISOR BASE -
4 BASE COLECTOR +
5 COLECTOR BASE -
7 COLECTOR EMISOR -
7 EMISOR COLECTOR -
Segunda parte:
PARAMETRO TRANSISTOR 1 TRANSISTOR 2
Valor
medido
Valor
calculado
Valor
medido
Valor
calculado
IB 0.028mA 0.0278mA 0.0281mA 0.0273mA
IC 5.6mA 5.56mA 5.69mA 5.64mA
Bdc 200 X 206.59 X
VB 0.7v 0.7v 0.6v 0.7v
VCE 9.24v 9.44v 9.5v 9.36v

10. 10
CONDICION VALORES CALCULADOS VALORES MEDIDOS
IC VCE IC VCE
SATURACION 15mA 0 14.6mA 0.2v
CORTE 0 15.00V 2.8mA 12.07v
REGION ACTIVA 0.0015mA 03.11V 0.0150mA 03.10V
0.00210mA 08.61V 0.0215mA 08.62V
0.00170mA 10.39V 0.0173mA 10.40V
0.00140mA 11.40V 0.0143mA 11.46V
0.00121mA 12.01V 0.0120mA 12.00V
Grafica 1. Grafico donde se muestra el quiescent point del transistor 2N3904.
CONCLUSIONES:
Conclusión de Osvaldo:
La prueba del transistor se puede hacer usando el multímetro en forma de medición de resistencia.
Los pasos son los mismos que con la prueba de diodos de propósito general y los datos obtenidos
serían alta resistencia cuando es polarización en directa y una resistencia fuera de rango cuando
está en inversa.
En una de las sesiones hechas en la práctica, se aumentó el voltaje que alimentaba el colector,
mientras se medía el voltaje de la resistencia de la base en lugar del voltaje del colector. Al hacerlo
el voltaje permaneció inalterable de la resistencia, y con ello la corriente de la base, puesto que
voltaje y valor de la resistencia permanecieron inmutables. Con ello se pudo deducir que la
polarización de la base permite tener una corriente segura en nuestra base sin riesgo de que lo que
7.1, 0.0215
8.62, 0.0173
10.4, 0.015
11.46, 0.0143
12, 0.012
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce (V)
Quiescent Point
recta de carga
Linear (recta de carga)

11. 11
esté conectado a ella sufra alguna alteración de corriente que pudiera provenir precisamente del
colector.
Conclusión de Nicolasa:
BIBLIOGRAFIA:
FLOYD, Thomas L; “Dispositivos Electrónicos”; 8° Edición; Ed. Prentice Hall; México 2008
BOYLESTAD, Robert & Nashelsky, Louis; “Electronic Devices and Circuit Theory”; 7° Edition, Ed.
Prentice Hall; USA 1998

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