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Semiconductores
intrínsecos y
dopados
FIDEL SOSA MAMANI
SEMICONDUCTORES
 Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad
eléctrica inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de
un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el
elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno.
Otros semiconductores son el germanio y el selenio
semiconductor
intrínseco
 Un semiconductor es “intrínseco”
cuando se encuentra en estado puro,
o sea, que no contiene ninguna
impureza, ni átomos de otro tipo
dentro de su estructura.
 La tensión aplicada en la figura
forzará a los electrones libres a
circular hacia la derecha (del terminal
negativo de la pila al positivo) y a los
huecos hacia la izquierda.
En el caso de los semiconductores
intrínsecos el espacio
correspondiente a la banda
prohibida es mucho más
estrecho en comparación con
los materiales aislantes. La
energía de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones
para saltar de la banda de
valencia a la de conducción es
de 1 eV aproximadamente. En
los semiconductores de silicio
(Si), la energía de salto de
banda requerida por los
electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de
germanio (Ge) es de 0,785 eV.
CONDUCCIÓN INTRÍNSECA
Si
Si Si
Si
0ºK
C, Si, Ge
Grupo IV de la tabla
periódica
1s2
2s2
2p2
3s2
3p2
3d10
4s2
4p2
Faltan 4 electrones
en la última capa
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
0ºK
300ºK
+
Electrón Hueco
ACCIÓN DEL CAMPO ELÉCTRICO
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
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+
+
+
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+
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-
-
-
-
-
-
+
 La corriente en un semiconductor es debida
a dos tipos de portadores de carga: HUECOS
y ELECTRONES
 La temperatura afecta fuertemente a las
propiedades eléctricas de los
semiconductores:
mayor
temperatura
más portadores
de carga
menor
resistencia
Semiconducto
res dopados
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al
proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de
cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce
como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa
más como un conductor que como un semiconductor, es
llamado degenerado.
TÉCNICAS DE DOPADO:
– Difusión de impurezas – Implantación iónica
MATERIALES DOPANTES
UTILIDAD DEL DOPADO
La idea de dopar un semiconductor
es variar sus propiedades eléctricas.
Los metales conducen a base de
tener electrones sueltos en su capa
superior. Cuando se fabrican
semiconductores, se buscan
generalmente de dos tipos, P y N.
Dopaje tipo P
Los de tipo P son dopados con otros elementos
para que les falten electrones, lo que normalmente
se denominan huecos en electrónica.
El ejemplo de dopaje
de Silicio por el Boro
(P dopaje). En el caso
del boro le falta un
electrón y, por tanto,
es donado un hueco
de electrón
Dopaje tipo N
 Los de tipo N se dopan para tener electrones de
más.
El siguiente es un
ejemplo de dopaje de
Silicio por el Fósforo
(dopaje N). En el
caso del Fósforo, se
dona un electrón.
Fuentes de información
• http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
• http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp
• http://es.wikipedia.org/wiki/Portador_mayoritario
• http://fisicadesemiconductorescun.blogspot.com/2010/09/fisica-de-semiconductores.html
• https://www.google.com.pe/search?hl=es-
419&site=imghp&tbm=isch&source=hp&biw=1024&bih=682&q=semiconductores+intrinsecos&oq=s
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• http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm
• http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
• http://www.fisicanet.com.ar/fisica/electrodinamica/ap06_conductores_aislantes.php

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Semiconductores intrínsecos y dopados

  • 2. SEMICONDUCTORES  Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio
  • 3. semiconductor intrínseco  Un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura.  La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
  • 4. En el caso de los semiconductores intrínsecos el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.
  • 5. CONDUCCIÓN INTRÍNSECA Si Si Si Si 0ºK C, Si, Ge Grupo IV de la tabla periódica 1s2 2s2 2p2 3s2 3p2 3d10 4s2 4p2 Faltan 4 electrones en la última capa
  • 7. ACCIÓN DEL CAMPO ELÉCTRICO Si Si Si Si Si Si Si Si Si + + + + + + + - - - - - - +
  • 8.  La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES  La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas de los semiconductores: mayor temperatura más portadores de carga menor resistencia
  • 10. En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. TÉCNICAS DE DOPADO: – Difusión de impurezas – Implantación iónica MATERIALES DOPANTES
  • 11. UTILIDAD DEL DOPADO La idea de dopar un semiconductor es variar sus propiedades eléctricas. Los metales conducen a base de tener electrones sueltos en su capa superior. Cuando se fabrican semiconductores, se buscan generalmente de dos tipos, P y N.
  • 12. Dopaje tipo P Los de tipo P son dopados con otros elementos para que les falten electrones, lo que normalmente se denominan huecos en electrónica. El ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es donado un hueco de electrón
  • 13. Dopaje tipo N  Los de tipo N se dopan para tener electrones de más. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.
  • 14. Fuentes de información • http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor • http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp • http://es.wikipedia.org/wiki/Portador_mayoritario • http://fisicadesemiconductorescun.blogspot.com/2010/09/fisica-de-semiconductores.html • https://www.google.com.pe/search?hl=es- 419&site=imghp&tbm=isch&source=hp&biw=1024&bih=682&q=semiconductores+intrinsecos&oq=s emiconductores+in&gs_l=img.1.0.0j0i24l9.3767.12339.0.14566.25.13.3.9.10.0.209.2056.1j11j1.13.0 ....0...1ac.1.26.img..2.23.1820.iVI3Jtu0WCM • https://www.google.com.pe/search?hl=es- 419&site=imghp&tbm=isch&source=hp&biw=1024&bih=682&q=semiconductores+intrinsecos&oq=s emiconductores+in&gs_l=img.1.0.0j0i24l9.3767.12339.0.14566.25.13.3.9.10.0.209.2056.1j11j1.13.0 ....0...1ac.1.26.img..2.23.1820.iVI3Jtu0WCM#hl=es-419&q=semiconductores+dopados&tbm=isch • http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm • http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) • http://www.fisicanet.com.ar/fisica/electrodinamica/ap06_conductores_aislantes.php