El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo fototransistores, transistores bipolares, transistores de unión de punto de contacto y transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Los transistores son dispositivos electrónicos de estado sólido que permiten controlar el flujo de corriente eléctrica y se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos.

1. Alumno: Pino Acevedo Alcides Alfredo
Fuente: www.electronicasi.com

2. http://www.st.com/web/en/home.html www.ti.com
http://www.freescale.com
http://www.national.com/
https://www.toshiba.com
www.maximintegrated.com
https://www.sanyo-component.com
www.motorola.com http://www.simens.com/

3. Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de
uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas,
relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
teléfonos móviles, etc

4.  Los fototransistores son sensibles a la radiación
electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz
visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es,
en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un
transistor normal con la corriente de base (IB) (modo
común).Como fototransistor, cuando la luz que incide en
este elemento hace las veces de corriente de base.
(IP)(modo de iluminación).
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6.  Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

8. Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer
resistor".

10. El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de
campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de
salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico,
estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre
los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del
transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella
tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

12. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés
Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador
(D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

13. El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el
material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una
capa de silicio policristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la
compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio policristalino comenzó a
dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-
alineadas. Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada
la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin
utilizar componentes metálicos en la compuerta. De manera similar, el 'óxido'
utilizado como aislante en la compuerta también se ha reemplazado por otros
materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de
tensiones más pequeñas.