El documento instruye al lector a investigar las características técnicas de cinco diodos diferentes, incluyendo un JFET y un MOSFET, y crear una presentación en PowerPoint mostrando las características de cada diodo. También proporciona enlaces a sitios web para obtener información sobre diodos y sugiere publicar la presentación en SlideShare y enviar la dirección al profesor.

1. DIODOS
Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca información de
la ficha técnica de cinco diodos diferentes, incluye uno JFET y un MOSFET. Elabora una presentación
en Power Point donde muestres la característica de cada diodo.
Algunas páginas que puedes visitar
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
Publica tu presentación en: www.slideshare.net
Envía la dirección de tu publicación a tu profesor.

2. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para producir una
señal de salida en respuesta a otra señal de
entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El
término «transistor» es la contracción en
inglés de transfer resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, etc.

3. Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificación más aceptada
consiste en dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar Junction
Transistor) y transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor).
La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia,
englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc...
TIPOS DE TRANSISTORES

4. Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unión de tres cristales de semiconductor con dopajes
diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN.
Tecnológicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET. El transistor de unión
bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con
elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o “huecos”
(cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio
(Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).

5. Transistor de contacto puntual
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el
primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que
la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el
emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se “ve” en el colector, de ahí el
nombre de “transfer resistor”. Se basa en efectos de
superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el
transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor
ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

6. Transistor de Unión Unipolar
También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor
de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece
un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se
conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión
de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

7. TRANSISTOR JFET

9. Description
The TPS1110 is a single, low-rDS(on), P-channel enhancement-mode power MOS transistor. The device features
extremely low-rDS(on) values coupled with logic-level gate-drive capability and very low drain-source leakage
current. With a maximum VGS(th) of -0.9 V and an IDSS of only -100 nA, the TPS1110 is the ideal high-side switch
for low-voltage, portable battery-management power-distribution systems where maximizing battery life is an
important concern. The thermal performance of the 8-pin small-outline (D) package has been greatly
enhanced over the standard 8-pin SOIC, further making the TPS1110 ideally suited for many power
applications. For compatibility with existing designs, the TPS1110 has a pinout common with other P-channel
MOSFETs in small-outline integrated circuit (SOIC) packages. The TPS1110 is characterized for an operating
junction temperature range, TJ, from -40°C to 150°C. The D package is available packaged in standard sleeves
or in taped and reeled formats. When ordering the tape-and-reel format, add an R suffix to the device type
number (e.g., TPS1110DR).
Features
•Low rDS(on)...65 m
Typ at VGS = -4.5 V
•High Current Capability
6 A at VGS = -4.5 V
•Logic-Level Gate Drive (3 V Compatible)
VGS(th) = -0.9 V Max
•Low Drain-Source Leakage Current
<100 nA From 25°C to 75°C
at VDS = -6 V
•Fast Switching...5.8 ns Typ td(on)
•Small-Outline Surface-Mount Power Package
TRANSISTOR MOSFET