El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto de punta, de unión por crecimiento, de unión difusa, epitaxiales y de efecto de campo. Explica brevemente cada tipo y proporciona subclasificaciones. También menciona diferentes tipos de transistores de efecto de campo como MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, MODFET e IGBT.

1. PRESENTADOPOR:
LIZBETHBEATRIZESPIRITUMAURICIO.
CARRERA: ING.SISTEMASE INFORMATICA.
CICLO : IV.
AÑO : 2014

3.  Altecsa - Alternativa Electrotécnica Sac.
 EPLI S.A.C - Líder en Electrónica de Potencia.
 Centralion - Uninterruptible Power Supply.
 MTC Radio & Tv.
 Tai Loy S.A..
 RTA Eventos - Producción de Eventos.

4. TRANSISTOR:
Es un pequeño
dispositivo
semiconductor que
cierra o abre un
circuito o amplifica
una señal; se emplea
en circuitos
integrados para
generar bits (ceros y
unos).

6. TRANSISTORES DE PUNTA DE
CONTACTO:
El transistor original fue de esta clase
y consistía en electrodos de emisor y
colector que tocaban un pequeño bloque
de germanio llamado base. El material
de la base podía ser de tipo N y del tipo
P y era un cuadrado de 0.05 pulgada de
lado aproximadamente. A causa de la
dificultad de controlar las
características de este frágil
dispositivo, ahora se le considera
obsoleto.

7. TRANSISTORES DE UNION POR
CRECIMIENTO:
Los cristales de esta clase se obtienen por un proceso de
"crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de
manera que presenten uniones muy poco separadas embebidas
en la pastilla. El material de impureza se cambia durante el
crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, que
luego son cortados para obtener pastillas individuales. Los
transistores de unión se pueden subdividir en tipos de unión de
crecimiento, unión de alineación y de campo interno. El
transistor del último tipo es un dispositivo de unión de
alineación en que la concentración de impurezas que está
contenida dentro de una cierta región de la base a fin de
mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor.

8. TRANSISTOR DE UNION DIFUSA:
Esta clase de semiconductor se puede
utilizar en un margen más amplio de
frecuencias y el proceso de fabricación
ha facilitado el uso de silicio en vez de
germanio, lo cual favorece la capacidad
de potencia de la unidad. Los
transistores de unión difusa se pueden
subdividir en tipos de difusión única
(hometaxial), doble difusión, doble
difusión planar y triple difusión planar.

9. TRANSISTORES EPITAXIALES:
Estos transistores de unión se obtienen
por el proceso de crecimiento en una
pastilla de semiconductor y procesos
fotolitográficos que se utilizan para
definir las regiones de emisor y de base
durante el crecimiento. Las unidades se
pueden subdividir en transistores de
base epitaxial, capa epitaxial y
sobrecapa (overlay).

10. TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO:El transistor de efecto de campo de unión (JFET), o
transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta
1958 no se construyó el primer transistor práctico de
efecto de campo. Se puede considerar a este dispositivo
como si fuese una barra, o canal, de material
semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P.
En cada extremo de la barra se establece un contacto
óhmico, que representa un transistor de efecto de campo
tipo N en su forma más sencilla. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N (desde los extremos
opuestos del canal N) y se conectan externamente entre
sí, se produce una puerta o graduador. Un contacto se
llama surtidor y el otro drenador.

11. Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta:
•El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
•El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
•El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET
con una barrera Schottky.
•En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure
FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el
cuerpo del transistor.
•Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
•Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V.
Aun así los Power MOSFETtodavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones
drenaje-fuente de 1 a 200V.
•Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida
del transistor.por eso tenemos lareferencia
•Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta
fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.

13. BIBLIOGRAFIA:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_ca
mpo
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_Gene
ral/tiposTransistoresFabricacion.html
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSIST
OR-FET.php