ficha técnica de cinco transistores diferentes

1. TRANSISTORES
INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
Gustavo Abad Meza
Curso: Física electrónica
Fabricados por millones de transistores

2. TRANSISTORES DE UNIÓN
El transistor es un dispositivo que ha originado una
evolución en el campo electrónico.
En este tema se introducen las principales características
básicas del transistor bipolar Y se estudian
los modelos básicos de estos dispositivos y su utilización
en el análisis los circuitos de polarización.
Polarizar un transistor es una condición previa a
muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece
las corrientes y tensiones en continua que van a circular
por el dispositivo.
La importancia de estos dispositivos son únicos en campo
de la electrónica.

3. TRANSISTORES DE UNIÓN
Los transistores en principio es similar a dos diodos Un
transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos
uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base forman uno de los diodos,
mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos
son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este
caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso .
Transistor
comun PNP
Transistor
comun NPN
Transistor
NPN
Con unión en
la capsula
Transistor
multiemisor

4. • FOTOTRANSISTORES
• Fototransistores Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor
normal, es decir, están compuestos por el mismo material semiconductor,
tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y
emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera
diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es
totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de
la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoeléctrico.
• Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible
regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y
también, dentro de sus características de elemento optoelectrónico, el
fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando incide
más o menos luz.

5.  TRANSISTORES FET
 Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN
y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre
los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
 Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en
particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que
existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
 Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una
barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su
longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el
canal una unión p-n.
 En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas
llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-
source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

6. La figura muestra el croquis de un FET con canal
N
CANAL P

7. • TRANSISTORES DE UNIÓN FET (JFET)
• (Joint Field Effect Transistor - Transistor de Unión de Efecto
de Campo )
• El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento
sólo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos
de JFET: de "canal N" y "de canal P".
• En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por
medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.
Canal N
Canal P

8. • TRANSISTORES MOSFET
Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S“
• vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en
uniones PN, como el transistor bipolar, ya que en éste, el
movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia
de campos eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de
transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del
inglés, Juntion Field Effect Transistor).
• El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura
MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de
tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un
canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias
al efecto de campo. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al
canal, que también es conocida como la zona de inversión.

9. Tipo Empobrecimiento N
Tipo Empobrecimiento P
Tipo Enriquecimiento N
Tipo Enriquecimiento P

10.  LA ESTRUCTURA MOS.
 La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas:
Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se
genera una capa deOxido de Silicio (SiO2) que, posee
características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta
impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca una
capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características
conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en
contacto con la capsula, como se ve en la figura.

11. • Bibliografía
• http://www.unicrom.com/Tut_caracteristicas_transistor_bipolar.asp
• http://robots-argentina.com.ar/Sensores_fototransistores.htm
• http://www.microelectronicash.com/index.php?
secc=catalogo&keyword=transistor&codigo_de_subrubro=&cod=&pp=10&st
=40
• http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm
• http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets.html

12. Gracias por su tiempo