1. Colegio Vocacional Monseñor Sanabria
Control de Máquinas
Semiconductores
Trabajo Extra clase
Alumno: Billy Obregón Martínez
Profesor: Luis Fernando Corrales C
2013
3. Diodo Rectificador
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico
o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre.
Constituido por una unión P-N
Tendrá dos electrodos, uno para el lado P-N, llamado Ánodo y otro
para el lado N, llamado Cátodo
4. Diodo Led
Es un diodo que emite luz.
Se conecta en CD, su función es que al hacerle circular una corriente va
a emitir luz.
Se utilizan como pobradores de circuitos(si el led enciende o hace ciertos
comportamientos de un circuito)
En pantallas led, leds infrarrojos.
5. Zener
El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica
inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su
característica inversa.
Esta tensión de ruptura depende de las características de construcción
del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actúa
como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado. y su
polarización es siempre en inversa.
6. Túnel
El diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o
como biestable.
Su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de
polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. Es un dispositivo que ha difiere de
los demás por tener una alta concentración de impurezas en sus dos
lados
La zona de carga es muy estrecha.
7. Fotodiodo
● Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN,
sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja.
● Para que su funcionamiento sea correcto se polarizarán
inversamente, con lo que producirán una cierta circulación de
corriente cuando sean excitados por la luz. Debido a su construcción
se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de
tensión exterior, generan una tensión muy pequeña con el positivo
en el ánodo y el negativo en el cátodo.
9. BJT
● Dispositivo semiconductor que consta de tres zonas
distintas, con dos uniones pn y con un terminal en cada
una de las zonas, o lo que es lo mismo, estamos ante un
dispositivo de tres terminales
10. SCR
● Enorme capacidad de manejar potencia
● Muy robusto
● Se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por
cero
● Para disparar el SCR se debe introducir corriente por la
compuerta.
11. DIAC
● No es un interruptor
● Una vez activado se comporta como un diodo
● Cuando su corriente pasa por cero se apaga
● Para activarlo se debe sobrepasar una tensión
caracteristica que suele ser de 30v.
12. TRIAC
● Funciona como un Tiristor, Al dispararlo, conduce hasta
que la corriente pasa por cero.
● Es bidireccional, conduce en ambos sentidos; Se puede
disparar con corriente entrante y saliente.
● Se utiliza en aplicaciones de baja potencia.
13. IGBT
● El IGBT es un cruce, un híbrido, entre los transistores
MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha las bondades de
ambas tecnologías.
● El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con
las características de los transistores bipolares, pero es
controlado por tensión como un MOSFET. Significa que tiene
las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias
de un transistor bipolar, con la facilidad del control de
conducción por tensión que ofrece un MOSFET.
14. FET
Es un dispositivo electrónico activo unipolar. Se comportan
como resistencias controlados por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener
carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como
elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.
15. MOSFET
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en
el que separadas por un área sobre la cual se hace crecer una
capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Es un transistor de efecto de campo basado en la estructura
MOS. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial están basados en transistores
MOSFET.