Procedimientos para la planificación en los Centros Educativos tipo V ( multi...
Memoria EEPROM
1.
2.
3. • EEPROM responde a “Erasable Programmable Read Only Memory”
que se puede traducir como Memoria programable borrable de solo
lectura. También se la conoce como E-2-PROM. Como su nombre
sugiere, una EEPROM puede ser borrada y programada con impulsos
eléctricos. Al ser una pieza que se puede gestionar por estos impulsos
eléctricos, podemos realizar todas estas operaciones de reprogramación
sin tener que desconectarla de la placa a la cual va conectada.
• La EEPROM también se conoce como “non-volatile memory” o
memoria no volátil y es debido a que cuando se desconecta la energía,
los datos almacenados en la EEPROM no serán eliminados quedando
intactos. Las EEPROM más nuevas no tiene datos almacenados en ellas y
deben ser primero configuradas con un programador antes de ser
usadas. La información almacenada dentro de este dispositivo puede
permanecer durante años sin una fuente de energía eléctrica.
4. • Se pueden conectar fácilmente con microprocesadores o
microcontroladores, algunas de estas memorias tienen pines
para realizar esta labor.
• Transferencia de datos de manera serial , lo que permite
ahorro del micro para dedicarlo a otras funciones.
• El consumo de corriente es mucho menor que en las
memorias que trabajan en paralelo.
5. Son usadas para almacenar información programable de usuario, como
por ejemplo:
•Información de programación VCR
•Información de programación de CD
•Información de usuario de productos instalados en el equipo
La EEPROM en el monitor realiza dos funciones:
•Cuando encendemos un monitor se copiarán todos los datos o información desde la EEPROM al
microprocesador. Por ejemplo, la EEPROM dejará al microprocesador conocer las frecuencias en
las cuales el monitor funcionará.
•La EEPROM se utiliza para guardar la configuración mas reciente del monitor. La configuración
del monitor no desaparecerá aunque el monitor sea apagado. Cuando se haga un cambio en
dicha configuración, el microprocesador actualiza estos cambios en la EEPROM. Cuando el
monitor vuelve a encenderse, los datos ya actualizados son usados para poner el monitor
operativo.
6. • El chip EEPROM es físicamente similar a la EPROM chip. También está
compuesto de células con dos transistores. La puerta flotante se separa
de la puerta de control por una delgada capa de óxido. A diferencia de la
EPROM chip, sin embargo, el chip de EEPROM capa de óxido es mucho
más delgada. En los chips de EEPROM, la capa de aislamiento es sólo
alrededor de 1 nanómetro de espesor, mientras que en EPROM chips, la
capa de óxido es de alrededor de 3 nanómetros de espesor. La delgada
capa de óxido de medios más bajos requisitos de voltaje para iniciar los
cambios de valor en la celda.
• Túnel de los electrones de la puerta flotante a la capa de óxido que
separa la puerta flotante y el control de la puerta sigue siendo el
método de cambiar un poco el valor de 1 a 0. Para borrar la
programación EEPROM, la barrera de electrones todavía tiene que ser
superado por la aplicación de suficiente tensión de programación.
7. Si bien la EEPROM pueden ser reprogramados, el
número de veces que puede ser alterado es limitado.
Esta es la razón principal por la EEPROM chips son
populares sólo para almacenar datos de configuración,
tales como el BIOS del equipo código que no requiere
la reprogramación frecuente. La capa aislante de óxido
pueden ser dañadas por los frecuentes reescribir.
Moderno-día EEPROM puede volver a escribir hasta un
millón de veces.
8. – La programación y el borrado pueden realizarse sin la necesidad de
una fuente de luz UV y unidad programadora de PROM, además de
poder hacerse en el mismo circuito gracias a que el mecanismo de
transporte de cargas requiere corrientes muy bajas.
– Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma
individual.
– Para borra la información no se requiere luz ultravioleta.
– Las memorias EEPROM no requieren programador.
– De manera individual puedes borrar y reprogramar eléctricamente
grupos de caracteres o palabras en el arreglo de la memoria.
9. – El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en circuito donde su
antepasado inmediato requería media hora bajo luz ultravioleta
externa.
– El tiempo de programación depende de un pulso por cada palabra
de datos de 10 ms, versus los 50 ms empleados por una ROM
programable y borrable.
– Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que
se observen problemas para almacenar la información.
– Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.