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SEMICONDUCTOR
SEMICONDUCTOR
 Semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la
presión, la radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla
adjunta.
ALGUNOS SEMICONDUCTORES
Elemento Grupos
Electrones en
la última capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B, In 13 3 e-
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
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TIPOS DE SEMICONDUCTORES
 SEMICONDUCTORES INTINSECOS
 SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
SEMICONDUCTOR TIPO
INTRINSECO
Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una
estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante
enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.ht
ml
 Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para
saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de
valencia . Las energías requeridas, a
temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3
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respectivamente
 ni = n = p
 siendo ni la concentración intrínseca
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DOPADO DE UN
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 CASO I
 Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo).
Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de
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con una temperatura no muy elevada (a temperatura
ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón
libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en
la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un
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 Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio).
Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de
valencia 3.
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 Semiconductor tipo N
 Es el que está impurificado con impurezas
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pentavalentes. Como los electrones
superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se
les denomina "portadores minoritarios".
ESTADISTICA DE FERMI DIRAC
 La estadística de Fermi-Dirac es la forma de contar
estados de ocupación de forma estadística en un
sistema de fermiones. Forma parte de la Mecánica
Estadística. Y tiene aplicaciones sobre todo en la
Física del estado sólido.
SEMICONDUCTOR TIPO P
 Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son
los minoritarios.
ENLACES
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 http://es.wikipedia.org/wiki/Estad%C3%ADstica_de_Fermi-Dirac
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Semiconductores: tipos y aplicaciones

  • 2. SEMICONDUCTOR  Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
  • 3. ALGUNOS SEMICONDUCTORES Elemento Grupos Electrones en la última capa Cd 12 2 e- Al, Ga, B, In 13 3 e- Si, C, Ge 14 4 e- P, As, Sb 15 5 e- Se, Te, (S) 16 6 e-
  • 4. TIPOS DE SEMICONDUCTORES  SEMICONDUCTORES INTINSECOS  SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
  • 5. SEMICONDUCTOR TIPO INTRINSECO Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.ht ml
  • 6.  Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia . Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente
  • 7.  ni = n = p  siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.  Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (25ºc):  ni(Si) = 1.5 1010cm-3  ni(Ge) = 2.5 1013cm-3 http://www.google.com.pe/imgres?q=SEMICONDUCTORES+INtrinsecos&hl=es&sa=X&rlz=1T4RN
  • 8. DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR  CASO I  Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5.  Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre.
  • 9. CASO II  Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 3.
  • 10. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS  Semiconductor tipo N  Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
  • 11. ESTADISTICA DE FERMI DIRAC  La estadística de Fermi-Dirac es la forma de contar estados de ocupación de forma estadística en un sistema de fermiones. Forma parte de la Mecánica Estadística. Y tiene aplicaciones sobre todo en la Física del estado sólido.
  • 12. SEMICONDUCTOR TIPO P  Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
  • 13. ENLACES  http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.ht m  http://es.wikipedia.org/wiki/Estad%C3%ADstica_de_Fermi-Dirac  http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.ht m  http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.ht m