2. SEMICONDUCTOR
Semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la
presión, la radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla
adjunta.
5. SEMICONDUCTOR TIPO
INTRINSECO
Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una
estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante
enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.ht
ml
6. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para
saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de
valencia . Las energías requeridas, a
temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3
eV para el silicio y el germanio
respectivamente
7. ni = n = p
siendo ni la concentración intrínseca
del semiconductor, función exclusiva
de la temperatura y del tipo de
elemento.
Ejemplos de valores de ni a
temperatura ambiente (25ºc):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.5 1013cm-3
http://www.google.com.pe/imgres?q=SEMICONDUCTORES+INtrinsecos&hl=es&sa=X&rlz=1T4RN
8. DOPADO DE UN
SEMICONDUCTOR
CASO I
Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo).
Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de
valencia 5.
Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así
con una temperatura no muy elevada (a temperatura
ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón
libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en
la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un
electrón que será libre.
9. CASO II
Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio).
Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de
valencia 3.
10. SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
Semiconductor tipo N
Es el que está impurificado con impurezas
"Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones
superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se
les denomina "portadores minoritarios".
11. ESTADISTICA DE FERMI DIRAC
La estadística de Fermi-Dirac es la forma de contar
estados de ocupación de forma estadística en un
sistema de fermiones. Forma parte de la Mecánica
Estadística. Y tiene aplicaciones sobre todo en la
Física del estado sólido.
12. SEMICONDUCTOR TIPO P
Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son
los minoritarios.