1. SEMICONDUCTORES
CURSO : FÍSICA ELECTRÓNICA
ALUMNO : CHRISTIAN BUSTAMANTE
BARRIENTOS
CARRERA : INGENIERÍA DE SISTEMAS E
INFORMÁTICA

2. INTRODUCCIÓN
Así como un rectificador de media onda se obtiene un
semiciclo por cada ciclo de la señal del
transformador, en los rectificadores de doble onda
(onda completa), se obtiene dos semiciclos por cada
periodo (ciclo) de la señal del transformador.
La rectificación de doble onda u onda completa se
puede realizar:
• Rectificador con toma intermedia (o central). Dos
diodos.
• Rectificador en puente. Cuatro diodos

3. QUE ES UN SEMICONDUCTOR
Es un elemento que se comporta como un conductor o
como aislante dependiendo de diversos factores, como
por Ejem: el campo eléctrico o magnético , la presión ,la
radicación que le incide ,o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre .los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la
tabla adjunta. El elemento mas usado es el silicio ,el
segundo el germanio .posteriormente se ha comenzado
a emplear también el azufre .la características común a
todos ellos es que son tetralentes ,teniendo el silicio
una configuración electrónica s2 p2.

4. SEMICONDUCTORES DE LA
TABLA PERIÓDICA QUÍMICA
SEMICONDUCTORES

5. Referencia: Introductiont solid state physic s de Jhon Wiley and son inc 1986

6. Referencia: Introductiont solid state physic s de Jhon Wiley and son inc 1986

8. ¿QUÉ ES UN SEMICONDUCTOR
INTRÍNSECO?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea
, que no contiene ninguna impureza, ni átomos
de otro tipo dentro de su estructura. En ese
caso , la calidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida sea igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conclusión.

9. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Como se puede observar en la induración , en el caso de los
semiconductores el espacio correspondiente a
la banda prohibida es mucho mas estrecho en comparación
con los materiales aislantes . La energía de salto de banda
(Eg) requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conducción es de1eV
aproximadamente .en los semiconductores
de silicio (SI),la energía de salto de banda
requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en
los de germanio(Ge)es
de
0,785eV.

10. SEMICONDUCTOR INTRÍNSECOS
Estructura cristalina de u semiconductor intrínseco
compuesta solamente por átomos de silicio (si) que
forman una celosía ,como se puede observar en la
ilustración ,los átomos de silicio (que solo poseen
cuatro electrones en la ultima orbita o banda de
valencia ), se unen formando enlaces covalentes
para completar 8 electrones y crear así un cuerpo
solido semiconductor .en esos condiciones el cristal
de silicio se comportara igual que si fuera un cuerpo
aislante.

11. SEMICONDUCTORES DOPADOS
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras
de un semiconductor es muy pequeña cuando se agregan un pequeño numero de átomos)entonces se
dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos (en el orden de 1 cada
10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. este dopado pesado se representa
con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que permiten la aparición de electrones sin
huecos asociados a los mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes ya que “«donan”
o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el arsénico y el fosforo de esta forma , no se
han desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al semiconductor
original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo
que los primeros serán los portadores mayoritarias y los últimos los minoritarios . La calidad de
portadores mayoritarios será funciones directa de la calidad de átomos de impureza introducidos

12. SEMICONDUCTORES DOPADO
Es un ejemplo de dopaje de silicio
por el fosforo(dopaje N). En el caso
del fosforó ,se dona un electrón

13. SEMICONDUCTORES DOPADOS
TIPO P:
Se llama así al material que tiene átomos de impureza que permiten formación de
huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos , como ocurre al
romperse una ligadura . Los átomos de este tipo se llaman aceptores , ya
que «aceptan «o toman un electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio, el
indio o el galio .nuevamente .el átomo introduciendo es neutro ,por lo que no
modificara la neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que solo tiene 3electrones
en su ultima capa de valencia , a parecerá una ligadura rota. que tendera a tomar
electrones s delos átomos próximos ,generando finalmente mas huecos que electrones
, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios.

14. DOPANTES
Tipo P:
Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro
(P dopaje ). En el caso del boro le falta un
electrón y ; por tanto .es donado un hueco
de electrón.

15. INFORMACIÓN

http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf
Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.
http://es.wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductores¡ntr.C3.Adnsecos
http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke _semiconducto
http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores%29