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SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR
   Semiconductor es un
    elemento que se
    comporta como un
    conductor o como
    aislante dependiendo de
    diversos factores, como
    por ejemplo el campo
    eléctrico o magnético, la
    presión, la radiación que
    le incide, o la
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    ambiente en el que se
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    elementos químicos
    semiconductores de la
    tabla periódica se
    indican en la tabla
ALGUNOS SEMICONDUCTORES

                           Electrones en
      Elemento   Grupos
                          la última capa
 Cd                12          2 e-
 Al, Ga, B, In     13          3 e-
 Si, C, Ge         14          4 e-
 P, As, Sb         15          5 e-
 Se, Te, (S)       16          6 e-
TIPOS DE SEMICONDUCTORES

   SEMICONDUCTORE                   SEMICONDUCTORE
    S INTINSECOS                      S EXTRINSECOS




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SEMICONDUCTOR TIPO INTRINSECO




Es un cristal de Silicio o
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similar a la del carbono
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átomos, en la figura
representados en el
plano por simplicidad.
                  http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm
   Cuando el cristal se
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 Ejemplos de valores
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 ni(Si) = 1.5 1010cm-3
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                 http://www.google.com.pe/imgres?q=SEMICONDUCTORES+INtrinsecos&hl=es&sa=X&rlz=1T4
   ESTRUCTURA            POSICION DEL
    CRISTALINA DE UN       NIVEL DE FERMI
    SILICIO
DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR
   CASO I
   Impurezas de valencia 5
    (Arsénico, Antimonio,
    Fósforo). Tenemos un
    cristal de Silicio dopado con
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   Los átomo de valencia 5
    tienen un electrón de más,
    así con una temperatura no
    muy elevada (a temperatura
    ambiente por ejemplo), el 5º
    electrón se hace electrón
    libre. Esto es, como solo se
    pueden tener 8 electrones
    en la órbita de valencia, el
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    un electrón que será libre.
CASO II
    Impurezas de
     valencia 3
     (Aluminio,
     Boro, Galio).
     Tenemos un
     cristal de Silicio
     dopado con
     átomos de
     valencia 3.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
 Semiconductor tipo N
 Es el que está
  impurificado con
  impurezas "Donadoras",
  que son impurezas
  pentavalentes. Como los
  electrones superan a los
  huecos en un
  semiconductor tipo n,
  reciben el nombre de
  "portadores mayoritarios",
  mientras que a los huecos
  se les denomina
              http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.htm
ESTADISTICA DE FERMI DIRAC
   La estadística de
    Fermi-Dirac es la
    forma de contar
                                    FORMULACION MATEMATICA
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                        http://es.wikipedia.org/wiki/Estad%C3%ADstica_de_Fermi-Dirac
SEMICONDUCTOR TIPO N DOPADO CON
UN ATOMO CON UN ELECTRON
SOBRANTE
SEMICONDUCTOR TIPO P

   Es el que está impurificado con impurezas
    "Aceptoras", que son impurezas trivalentes.
    Como el número de huecos supera el número
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  • 3. ALGUNOS SEMICONDUCTORES Electrones en Elemento Grupos la última capa Cd 12 2 e- Al, Ga, B, In 13 3 e- Si, C, Ge 14 4 e- P, As, Sb 15 5 e- Se, Te, (S) 16 6 e-
  • 4. TIPOS DE SEMICONDUCTORES  SEMICONDUCTORE  SEMICONDUCTORE S INTINSECOS S EXTRINSECOS http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagin a6.htm
  • 5. http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html SEMICONDUCTOR TIPO INTRINSECO Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm
  • 6. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia . Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente
  • 7.  ni = n = p  siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.  Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (25ºc):  ni(Si) = 1.5 1010cm-3  ni(Ge) = 2.5 1013cm-3 http://www.google.com.pe/imgres?q=SEMICONDUCTORES+INtrinsecos&hl=es&sa=X&rlz=1T4
  • 8. ESTRUCTURA  POSICION DEL CRISTALINA DE UN NIVEL DE FERMI SILICIO
  • 9. DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR  CASO I  Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5.  Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre.
  • 10. CASO II  Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 3.
  • 11. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS  Semiconductor tipo N  Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.htm
  • 12. ESTADISTICA DE FERMI DIRAC  La estadística de Fermi-Dirac es la forma de contar FORMULACION MATEMATICA estados de ocupación de forma estadística en un sistema de fermiones. Forma parte de la Mecánica Estadística. Y tiene aplicaciones sobre todo en la Física del estado sólido. http://es.wikipedia.org/wiki/Estad%C3%ADstica_de_Fermi-Dirac
  • 13. SEMICONDUCTOR TIPO N DOPADO CON UN ATOMO CON UN ELECTRON SOBRANTE
  • 14. SEMICONDUCTOR TIPO P  Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.