El documento describe el cálculo de tensiones y deformaciones en películas epitaxiales sobre sustratos nanoestructurados. Explica que el crecimiento epitaxial ocurre cuando un cristal crece sobre un sustrato cristalino, siendo afectado por su orientación. También describe modelos previos como el de Van der Merwe y trabajos posteriores que encontraron mayores espesores libres de defectos. El objetivo es calcular las tensiones y deformaciones de una película heteroepitaxial sobre un sustrato nanoestructurado usando geometrías reales y
4. Problema ¿Por que es de interés el calculo de los esfuerzos y deformaciones de los cristales epitaxiales?
5. Van der Merwe Los primeros trabajos son de Van der Merwe obtuvo una expresión de la energía para crecimientos epitaxiales que depende de la altura del sobre cristal.
6.
7. En los años 90 se fabricaron películas epitaxiales de germanio sobre Silicio con dimensiones del orden de 100 nm. Eaglesman, encontraron que se pueden obtener islas de Ge sobre Si libres de defectos, hasta espesores de 50 nm, que es superior a los predicho por Van der Merve. Zubia at al. Calcularon desajustes máximo de una película sobre un sustrato nanestructurado, encontrando que el desajuste es mucho mayor que en el caso de epitaxial 2D.
10. Objetivo: El objetivo general Calcular los esfuerzos y deformaciones de una película heteroepitaxial sobre un sustrato nanoestracturado, usando geometrías reales.
11. Aspecto Teórico Para el cálculo de los esfuerzos aplicaremos la teoría de elasticidad
19. Problemas Las expresiones algebraicas de las condiciones de borde, condicionan la converegencia de la rutina. Condiciona el número máximo de elementos. u[N-1][1]=(ny*ny*u[N-1][0]+2.0*ny*nx*(-u[N-2][0]+u[N-1][0])-u[N-1][0]*vv)/(ny*ny-vv);