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Calculo de tensiones en películas sobre substrato nanoestructurado Miguel Bustamante S.
Crecimiento epitaxial ,[object Object]
Crecimiento epitaxial
Problema ¿Por que es de interés el calculo de los esfuerzos y deformaciones de los cristales epitaxiales?
Van der Merwe Los primeros trabajos son de Van der Merwe obtuvo una expresión de la energía para crecimientos epitaxiales que depende de la altura del sobre cristal.
Van der Merve ,[object Object]
En los años 90 se fabricaron películas epitaxiales  de germanio sobre Silicio con dimensiones del orden de 100 nm. Eaglesman, encontraron que se pueden obtener islas de Ge sobre Si libres de defectos, hasta espesores de 50 nm, que es superior a los predicho por Van der Merve.  Zubia at al. Calcularon desajustes máximo de una película sobre un sustrato nanestructurado, encontrando que el desajuste  es mucho mayor que en el caso de epitaxial 2D.
Cristales epitaxiales nanoestructurado
 
Objetivo: El objetivo general  Calcular los esfuerzos y deformaciones de una película heteroepitaxial sobre un sustrato nanoestracturado, usando geometrías reales.
Aspecto Teórico Para el cálculo de los esfuerzos aplicaremos la teoría de elasticidad
Condiciones teóricas ,[object Object],[object Object],[object Object],Ecuación diferencial ,[object Object],[object Object],[object Object]
Calculo de tensiones y esfuerzos
Condiciones Los esfuerzos en las caras libres es cero: nj: Vector perpendicular a la superficie.
Condición n n n Rigidez  infinita n B
 
 
 
Problemas  Las expresiones algebraicas de las condiciones de borde, condicionan la converegencia de la rutina. Condiciona el número máximo de elementos. u[N-1][1]=(ny*ny*u[N-1][0]+2.0*ny*nx*(-u[N-2][0]+u[N-1][0])-u[N-1][0]*vv)/(ny*ny-vv);
A resolver Cristal 1 Cristal 2
Condiciones ,[object Object],Condición de borde en la interfase
 
 
Problemas ,[object Object],[object Object],[object Object]
Montecarlo ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
 
 
Proximo calculo
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