El documento describe las memorias y sus componentes fundamentales. Explica que las memorias almacenan datos e instrucciones y permiten lectura y escritura en posiciones específicas seleccionadas por su dirección. Describe los tipos de memorias como de acceso secuencial, de semiconductores y asociativas, haciendo énfasis en las memorias ROM y RAM de semiconductores que tienen una matriz, decodificador de direcciones y trasductores.

1. Tema 8
MEMORIAS
8.1 Introducción
La memoria de un procesador digital es la parte encargada de almacenar la información
que este necesita para su funcionamiento. Esta información puede consistir en valores
utilizados en cálculos, resultados de operaciones, código de programas, etc. En general se
clasifica la información que se puede almacenar en la memoria de un procesador en dos
tipos: datos e instrucciones. Las operaciones que permiten las memorias son básicamente
la lectura (o recuperación) y la escritura (o almacenamiento) de información en posiciones
específicas. En ambas operaciones la posición de memoria que está siendo accedida es
seleccionada por medio de su dirección.
Desde un punto de vista externo, la memoria puede verse como una caja negra (fig. 8.1)
cuyo interfaz con el resto del sistema está formado por varias líneas de comunicación. Estas
líneas pueden ser básicamente de tres tipos:
1. Líneas de datos. utilizadas para el intercambio de la información almacenada en la
memoria con el resto del sistema. Existen memorias en las que las mismas líneas
de datos son compartidas tanto para almacenar como para recuperar la información
(memorias de camino de datos único), y memorias en las que cada operación se
realiza mediante unas líneas de datos dedicadas (memorias con caminos de datos
separados) .
2. Líneas de direcciones, utilizadas para seleccionar la posición de la memoria a la que
se desea acceder.
3. Líneas de contTOl, utilizadas para indicar el tipo de operación a realizar (lectura o
escritura) en la posición escogida.
La capacidad de alrnacenamiento de una memoria puede expresarse en unidades de
bits, bytes o palabras. siendo el byte la unidad utilizada con mayor frecuencia. Debido a
1

2. 2
TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.1: Interfaz externo de una memoria.
Dirección Dirección
DISPOSITIVO
OalO o Bloque
Oalo en Escritura
DISPOSITIVO
de
MEMORIA
----~--.,.
____~K!.llura _....,.
~Ioe l
"--_= n eclura
de
MEMORIA
a} Camino de datos unlco b) Caminos de datos separados
Tabla 8.1: Unidades utilizadas para expresar la capacidad de almacenamiento.
Valor aproximado
,
Kilobyte
1KB = 210 bytes
1000 bytes
Megabyte
1MB = 220 bytes
1 millón de bytes
Gigabyte
1GB = 230 bytes
1000 millones de bytes
Terabyte
1TB = 240 bytes
1 billón de bytes
Petabyte
1PB = 250 bytes
1000 billones de bytes
I Abreviatura I Denominación l Equivalencia
¡él creciente capacidad de las memorias actuales los múltiplos de un byte indicados en la
tabla 8.1 son de uso común.
8.1.1 Estructura general de una memOrIa
Desde el punto de vista de la implementación, para que un dispositivo pueda ser utilizado
como memoria debe disponer de los siguientes componentes:
1. Un medio o soporte, en el que se almacene la información utilizando, en la mayoría
de los casos, dos estados diferentes de energía.
2. Un trasductoT de escritura, que genere la energía necesaria para forzar un estado
determinado en el soporte.
3. Un trasductoT de lectura, que permite detectar el estado almacenado en el soporte .
.:f. en meca.nismo de direcciona.miento, que permita escoger en el soporte la ubicación
a leer o escribir.

3. 8.1. INTRODUCCIÓN
El medio o soporte
El soporte debe cumplir las siguientes condiciones para poder almacenar información:
3
1. Debe diferenciar al menos dos estados estables caracterizados por una magnitud
física (p.e. momento magnético, carga eléctrica, corriente, marca óptica, etc.).
2. Ha de ser posible pasar de un estado a otro mediante la aplicación de una señal
externa.
3. Ha de ser posible detectar el estado existente en un instante determinado.
Los soportes pueden ser discretos o continuos, en los primeros cada bit de información
es almacenado en un dispositivo físico individual (p.e. memorias de semiconductores),
mientras que en los segundos los bits son almacenados en secuencia sobre un medio con-
tinuo (p.e. cintas magnéticas). En general los soportes discretos son más caros, pero
sus trasductores son más sencillos y el mecanismo de direccionamiento es más rápido y
simple.
Otra característica de los soportes es el tiempo que la información permanece grabada
en los mismos. De acuerdo a esta característica podemos clasificados en las siguientes
categorías:
l. DUTaderos, denominados también medios no volátiles, en ellos la información per-
manece mientras no se realice una nueva operación de escritura (p.e. discos magné-
ticos) .
2. Volátiles, la información desaparece si se interrumpe la energía de alimentación del
soporte (p.e. memorias RAM).
3. Con refresco, la información se degrada con el paso del tiempo. En estos soportes
es necesario "refrescar" periódicamente la información almacenada (p.e memorias
d(' c:ondensadores).
-:l. Dr>lectuTO. destructiva, la lectura de la información implica su destrucción. Para
mantener la información es necesario volver a escribirla después de leerla (p.e.
memorias de ferri tas).
0. Permanentes, denominados también medios de solo lectuTa, en ellos la información
es siempre la misma y no puede borrarse (p.e. discos CD-ROM, memorias ROM
de semiconductores). Algunos soportes permiten un número limitado de borrados y
reescrituras mediante algún proceso especial (p.e. memorias EPROM y EEPROM).

4. 4
Los trasductores
TEMA 8. MEMORIAS
Todo dispositivo de memoria debe disponer de trasductores de lectura y escritura que
permitan detectar y forzar respectivamente el estado del soporte. Estos trasductores
son en general elementos caros, por lo que durante el diseño es necesario alcanzar un
compromiso entre su coste y la velocidad de lectura/escritura del dispositivo de memoria.
Los trasductores pueden estar físicamente unidos al soporte (p.e en las memorias de
semiconductores) o ser independientes de él (p.e. cabezales de lectura/escritura en cintas
o discos magnéticos).
El mecanismo de direccionamiento
Su función es la de seleccionar una posición específica en el soporte. En función del tipo
de rm~canismo utilizado podemos clasificar las memorias en las categorías siguientes:
l. Memorias de direccionamiento cableado, en ellas los trasductores son fijos y el meca-
nismo de direccionamiento está implícitamente implementado en la conexión física
entrf' los trasductores y el soporte. La posición es escogida mediante la activación
de las señales que seleccionan el trasductor correspondiente (p.e. memorias de semi-
conductores). A este tipo de memorias se les denomina también memorias de acceso
aleatorio o directo debido a que en ellas el tiempo de acceso es independiente de la
posición accedida.
2. Memorias de direccionamiento por bloques, que tienen trasductores independientes
del soporte y en las que el mecanismo de direccionamiento utiliza algún tipo de
información añadida a los datos e interpretada por la unidad de control del dispo-
sitivo para situar el trasductor frente la posición correcta en el soporte (p.e. cintas
y discos magnéticos).
3. Memorias asociativas, en las que el direccionamiento se hace en función del contenido
de la memoria y no de su ubicación (p.e. en el direccionamiento de algunas memorias
caché).
8.1.2 Tipos de memOrIas
En lo qUE:' respecta a los contenidos de esta asignatura, distinguiremos entre los siguientes
tipos d(· memorias:
l. lJlemorias de acceso secuencial, que se caracterizan por que la información es al-
macenada y recuperada secuencialmente. En estas memorias, si la última posición
accedida es la n-ésima no podrá accederse a la (n+k)-ésima posición hasta k ci-
clos después. La implementación típica de este tipo de memorias es mediante la

5. 8.1. INTRODUCCIÓN 5
utilización de registros de desplazamiento o bien mediante emulación software en
memoria RAM. Dependiendo de la forma en que se almacene y recupere la infor-
mación podemos distinguir dos tipos de configuraciones:
(a) Memorias FIFO (First-in First-out) o colas, en las que los valores se recuperan
en el mismo orden en el que fueron almacenados.
(b) Memorias LIFO (Last-in First-out) o pilas, en las que los valores se recuperan
en orden inverso al que fueron almacenados.
2. j'vlemorias de semiconductores, que son memorias implementadas mediante disposi-
tivos semiconductores que incorporan un mecanismo de direccionamiento cableado
y, por lo tanto, son estáticas y de acceso aleatorio. Distinguiremos dos categorías
dentro de este tipo de memorias:
(a) Memorias de solo lectura (ROM), utilizadas habitualmente para almacenar los
programas de arranque de los ordenadores.
(b) Memorias de lectura-escritura (RAM), utilizadas como memoria principal en
los ordenadores.
La estructura típica de este tipo de memorias (fig. 8.2) está formada por una matriz
de memoria, un decodificador de direcciones, un conjunto de trasductores (1 por
cada bit del tamaño de palabra almacenado) y un elemento de control. En general
estas memorias tienen las siguientes características:
(a) Bus dp direcciones. que puede ser completo, de tamaño m para 2m direcciones
posibles, o multzplexado. se reciben primero m/2 bits de la dirección y después
el resto.
(b) Bus de datos, de tipo triestado para permitir la conexión directa de los buses
de varias memorias entre si.
(e) Señales de control, que modifican diferentes aspectos del funcionamiento de la
memoria. Algunas de las más habituales son:
1. GS o GE, para la activación del chip.
11. O E, activa la salida triestado.
111. M/E, selecciona una operación de escritura.
IV. RAS y GAS, se usan con buses de direcciones multiplexados para indicar
que parte de la dirección se está enviando.
(d) Ancho de palabra, que es normalmente de 4, 8, 16 o 32 bits.
(e) Capacidad, sus valores habituales van desde 4KB hasta 512MB, aunque es
una característica que seguirá incrementándose a medida que aumente el nivel
de integración de los circuitos integrados. Además, como se puede ver en la
fig. 8.3, pueden conectarse varios chips de memoria entre si para aumentar el
número de palabras almacenadas, la longitud de palabra, o ambas cosas a la
vez.

6. 6 TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.2: Diagrama de bloques de una memoria de semiconductores.
Dlrocclón
s. Conlrol
MATRIZ
do
MEMORIA
La utilización correcta de este tipo de memorias requiere tener en cuenta sus requi-
sitos de temporización. En la fig. 8.4 se muestra el cronograma del ciclo de lectura
en una memoria RAM. Durante este ciclo se supone que la señal de control W E
está activada. Los tiempos implicados en la operación son los siguientes:
(a) el mínimo tiempo de ciclo (te) necesario para completar una operación de lec-
tura o escritura correctamente.
(b) el tiempo de acceso (ta), que es el tiempo que transcurre desde que se aplica
una dirección en el bus de direcciones hasta que está disponible en la salida el
dato almacenado en ella.
(c) el tzempo de deselección (td), que es el tiempo que el valor almacenado per-
manece en la salida después de cambiar la dirección aplicada en el bus de
direcciones.
El ciclo de escritura se muestra en la fig. 8.5. Ahora se aplica un pulso de duración
(tw) a la señal de control W E para almacenar, en la dirección indicada, el valor
presente en la entrada de datos. Tanto la dirección como el valor de entrada deben
ser estables antes de la aplicación del pulso de escritura. Nótese que en las memorias
ROM únicamente tiene sentido hablar de ciclo de lectura.
3. Memorias asociativas, en las que como ya se ha comentado el direccionamiento se
hace en función del contenido almacenado en la memoria.
Por su interés, en lo que resta del tema se tratan con mayor detalle los dos últimos tipos.

7. 8.1. INTRODUCCIÓN
Figura 8.3: Conexión en cascada de varios circuitos de memoria: (a) memoria
compuesta por dos módulos 16x4; (b) memoria 16x8 compuesta por dos módulos
(e) memoria 32x8 compuesta por 4 módulos 16x4.
7
32x4
16x4;
AE
7
::~}
AE
A,
dj MEM
.
1(;",4
.
~ QutPUl
(a) (b)
. AE
I
I
I
Q
I
-,-
ME.M
-
-~bxl.
- --
{bxL¡
- - ,-
- MEM
M '-
f--
16xL¡
1-- '-
-16)1,,4 1-
-
(e)
Output

8. 8 TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.4: Ciclo de lectura en una memoria RAM.
Address inputs
Data outputs
R/W input
I . te • I
I I
, 1
~--~ ---A-d-d-re-ss-va-li-d------~X- ------
x~ Datavalid ----{
I
I
I I
~
I
I
I I
~
Time
Figura 8.5: Ciclo de escritura en una memoria RAM.
Aódress input
/. re • 1
1 I
I I
~=========X~
-
Data input x
R/W input
~
L Time

9. 8.2. MEMORIAS DE SÓLO LECTURA (ROM)
8.2 Memorias de sólo lectura (ROM)
8.2.1 Estructura de una memoria ROM
9
Una memoria ROM de tamaño 2nx m bits es un dispositivo que consta de dos componentes
principales:
l. Un decodificador' de direcciones que realiza la decodificación entre las direcciones de
tamaño n y las 2n posibles líneas de direccionamiento.
2. Una memoria de 2n palabras de m bits formada por una matriz de diodos (o transis-
tores) que permiten configurar la conexión entre las 2n líneas de direcciones y las m
de salida. La información la almacena el fabricante estableciendo o no una conexión
entre las líneas mediante el diodo (o transistor) correspondiente.
Las memorias ROM son, por lo tanto, memorias no volátiles y de lectura no destructiva
que están disponibles en tam;.;,uos estándar como 256x4, 2048x8, etc. En la fig. 8.6 puede
verse la estructura de una ROM 8x4 que contiene las palabras: 0110, 1001, 0100, 0010,
0000, 1000,0101 Y 0001 (únicamente se muestran los diodos conectados).
8.2.2 Tipos de memorias ROM
Existen algunas variantes de las memorias ROM básicas que proporcionan características
adicionales:
1. Memorias PROM (Programmable ROM), en estas memorias la conexión de los
diodos o transistores se realiza mediante" fusibles" que pueden ser programados
por el usuario mediante pulsos de corriente (fig. 8.7). Dependiendo del material
utilizado en el fusible habrá PROMs que vengan de fábrica con todas las conexiones
establecidas (unos en todas las posiciones de memoria) en las que la programación
consistirá en eliminar estas conexiones (escribir ceros), y PROMs en las que suceda lo
contrario. Al igual que en las ROMs básicas, la programación solo se puede realizar
una vez, quedando la información permanentemente almacenada en la memoria sin
posibilidad de modificación.
2. Memorias EPROM (Erasable PROM), estas memorias permiten múltiples repro-
gramaciones. La información es almacenada al igual que en las PROM mediante
pulsos de corriente y puede, además, ser borrada mediante radiaciones ultravioleta.
El borrado se realiza en todas las posiciones de memoria a la vez.
3 :lernorias EEPROM (Electrically-Erasable PRONO, se diferencian de las anteriores
en que tanto la programación como el borrado se realizan eléctricamente y pueden ser
selectivos a nivel de palabra, es decir, pueden reprogramarse posiciones específicas
de la memoria.

10. 10
lnhibit
o o o
o o 1
o 1 o
o 1 1
1 o o
1 o 1
1 1 o
1 1 1
TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.6: Estructura de una memoria ROM 8x4.
Outputs

11. 8.3. MEMORIAS DE LECTURA-ESCRITURA (RAM)
Figura 8.7: Diagrama simplificado de una memoria PROM.
11
A,
;¡;
"O
o
u
'"
O
Fusible
link
0,
OutPUIS
4. Memorias Flash, que también permiten el borrado selectivo aunque a diferencia de
las EEPROM este se realiza a nivel de bloque y no de palabra. Este tipo de memoria
se está popularizando en la actualidad y tiene capacidades que van desde los 4Mb
hasta. 1Gb con un ancho de palabra de 8 ó 16 bits.
8.3 Memorias de lectura-escritura (RAM)
En relaciÓn a las memorias ROM explicadas anteriormente, las memorias RAM tienen la
·pntaja de que puede almacenarse la información en ellas tantas veces como sea necesario,
;-lIl11ql(' al contrario que las ROM. la información almacenada se pierde si se interrumpe
la corriente de alimentación. Las memorias RAM son, por lo tanto, memorias volátiles
de lectura no destructiva. Dependiendo del mecanismo de almacenamiento utilizado para
cada posición de la memoria, pueden clasificarse las memorias RAM en dos categorías:
1. estáticas, en las que se utilizan biestables para almacenar la información.
2. dinámicas o con refresco, en las que se utilizan condensadores para mantener el
estado almacenado en cada posición de la memoria. Debido a la pérdida de car-
ga inherente a los condensadores es necesario "refrescarlos" periódicamente para
mantener correctamente los datos almacenados.
Las memorias estáticas tienen en general tiempos de acceso menores (10ns a 300ns) que
las dinámicas (1OOns a 300ns), menores densidades de integración (los tamaños tí picos
son de 256Kb. 1Mb, 4Mb, 32Mb, etc. en las estáticas y de 64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb,
1Gb. etc. en las dinámicas), mayores consumos y son más caras.

12. 12 TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.8: Diagrama de bloques una memoria RAM 23x4.
Input data
~
•
A,
Address Al
Address
Decoder
~
OUlput data
Read/write
8.3.1 Estructura de una memoria RAM
La fig. 8.8 muestra el diagrama de bloques de una memoria RAM 23x4, es decir, que
almacena 8 palabras diferentes de 4 bits seleccionadas mediante 3 líneas de direcciones. La
operación a realizar es seleccionada mediante la señal de control read/write que habilita o
deshabilita los correspondientes buffers de E/S (dispositivos triestado). La fig. 8.9 muestra
el diagrama lógico de una RAM 32x2 comercial. Un decodificador 5x32 se encarga de
seleccionar una de las 32 posiciones de memoria diferentes en base al valor de las 5 líneas de
direcciones del circuito (Ao-A4). Las señales DIo, DIl y DOo, DOl son respectivamente
las líneas de entrada y salida de datos del circuito. El funcionamiento del mismo se
controla mediante las señales siguientes:
1. CEo que habilita las operaciones de lectura/escritura.
2. H'E. que selecciona la operación a realizar (O=escritura, l=lectura).
~3 1¡-So y 11'51 habilitan la escritura del bit correspondiente en la palabra splpccionada.
Cuando o bien 1;1/ E o bien JIT-' Sn valen 1 la operación seleccionada ('s In d(' ]('cturél.
Además este circuito permite operaciones de lectura y escritura simultáneas mediante
la utilización de un biestable para cada bit de la salida. Cuando la línea STROBE está
activa el valor de la salida durante una lectura es directamente el de la posición de memoria
seleccionada, sin embargo cuando el STROBE está inactivo, la salida es almacenada en
el biestable y permanece inalterada independientemente del valor de las otras líneas de
control. Esto posibilita que se realicen escrituras al mismo tiempo que se accede al valor
almacenado en el biestable de salida.

13. 8.3. MEMORIAS DE LECTURA-ESCRITURA (RAM)
Figura 8.9: Diagrama lógico de una memoria RAM 32x2.
13
l']l~
(121 A,
o
(11) A, DECOD
{lOI Al
~x32
1
.
.
l-(J .•.•
Vec fl6J
CiNO' <8l
1 1 ., Pin numO<er

14. 14 TEMA 8. MEMORIAS
8.3.2 Implementaciones estáticas y dinámicas
Existen diferentes soluciones para la implementación de cada celda de almacenamiento
en las memorias RAM. En las celdas de las memorias estáticas se utilizan transistores
bipolares o MOS, y en las de las dinámicas transistores MOS. Entre las soluciones más
comunes se pueden incluir las siguientes:
1. Celda bipolar estática, la implementación de esta celda puede verse en la fig. 8.10.
Todas las celdas de la misma columna comparten dos líneas de bit (D, D), Ytodas las
celdas de una misma fila comparten una línea de selección de palabra. Normalmente
se utilizan niveles de tensión en las líneas de bit mayores que en la de palabra. Para
leer el valor almacenado en la celda se incrementa la tensión en la línea de selección
de palabra, consiguiéndose así que la corriente circule a través de uno de los emisores
a una de las líneas de bit. La escritura se consigue aumentando la tensión en la línea
de selección de palabra y reduciéndola en una de las líneas de bit.
2. Celda MOS estática, que como puede verse en la fig. 8.11 está formada por seis
transistores FET. El estado de la celda es almacenado en TI y T2, los transistores
T3 y T4 son los substitutos de las resistencias utilizadas en la celda bipolar y T5 y T6
se utilizan para activar la conexión entre las salidas de TI y T2 Y las líneas de bit.
Durante la lectura el valor almacenado en TI y T2 pasa a las líneas de bit y en la
escritura sucede al contrario, se almacena en TI y T2 el valor presente en las líneas
de bit.
:3 Cpldo. MOS dinámica, en la fig. 8.12 se muestra una celda básica formada por un
único transistor FET y un condensador. Un incremento de tensión en la línea de
selección de palabra activa el transistor que conecta el condensador a la línea de bit.
En las lecturas el valor del condensador pasa a la línea de bit y en las escrituras
sucede al contrario, se almacena en el condensador el valor presente en la línea de
bit. Este tipo de implementación permite mayores densidades de integración puesto
que se utiliza un menor número de elementos que en las estáticas, sin embargo
como ya se comentó anteriormente, requieren de un refresco periódico de la carga
del condensador.
8.4 Memorias asociativas
A diferencia de las memorias vistas hasta el momento, en las memorias asociativas el
direccionami0nto no se hace según la posición ocupada por la información almacenada sino
por su contenido. En las memorias de acceso aleatorio es necesario indicar la localización
física de la información a la que se quiere acceder, pero debido a que esta localización
no tie!le' ninguna relación lógica con los contenidos que almacena, no es posible realizar
búsquedas basadas en relaciones entre los datos almacenados.

15. 8.4. MEMORIAS ASOCIATIVAS
Figura 8.10: Celda bipolar estática.
15
o +V
-.-- Word line
Figura 8.11: Celda MOS estática.
v,
Figura 8.12: Celda MOS dinámica.
o
Word line
Word line

16. 16 TEMA 8. MEMORIAS
Tabla 8.2: Datos utilizados en el ejemplo.
Nombre I Peso I Talla I Edad I
P. Pérez 63
1.71
27
M. García
90
1.87
45
L. Dobarro
82
1.83
33
A. Alvarez
51
1.64
61
Veamos un ejemplo. Consideremos una memoria que almacene la información de la
tabla 8.2. Para poder acceder a los datos de una persona en una memoria de acceso
aleatorio sería necesario indicar la posición física en la que se almacena su entrada en la
tabla. Estp método de acceso es artificial e introduce una complejidad excesiva cuando lo
rlespahlc sería poder recuperar esa información proporcionando el valor de uno de los cam-
pos almacenados, p.e. el nombre o la edad. De esta manera se aprovecharían las relaciones
lógicas entre los datos. Aunque este tipo de acceso podría emularse también sobre una
memoria de acceso aleatorio mediante una búsqueda secuencial sería excesivamente lento.
Las memorias asociativas optimizan este tipo de búsquedas accediendo simultáneamente
a todas las posiciones de memoria y seleccionando aquellas que contengan información
que coincida con la buscada.
En resumen las memorias asociativas tienen la capacidad de acceder a una palabra
almacenada utilizando como dirección el valor de dicha palabra o un subcampo de la mis-
ma. El acceso se realiza mediante la comparación en paralelo de la clave de búsqueda con
todas las palabras almacenadas en la memoria. Debido a esta capacidad a estas memo-
rias también se las denomina memorias direccionables por contenido (CAM), memorias
de búsqueda paralela o memorias multiacceso, y son utilizadas en múltiples aplicaciones
como la implementación de memorias caché asociativas, el diseño de los mecanismos de
control de la memoria virtual, la manipulación de la información almacenada en grandes
bases de datos, el tratamiento de señales de radar, el procesamiento de imágenes, la in-
teligencia artificial o la implementación de procesadores asociativos (STARAN, PEPE),
entrf> otras. Su principal desventaja respecto a las memorias de acceso a.lr.at.orio es su
l'lp'i:ldo coste de implementación.
8.4.1 Estructura de una memoria asociativa
La estructura general de una memoria asociativa puede verse en la fig. 8.13. Sus compo-
nentes principales son los siguientes:
1. Una matriz de almacenamiento (MA) formada por n celdas de longitud m. En cada
celda puede almacenarse una palabra de m bits y estará formada por un conjunto
de m biestables y las puertas lógicas necesarias para realizar las operaciones de
comparación y de control de la lectura/escritura de valores.

17. 8.4. MEMORIAS ASOCIATIVAS
Figura 8.13: Diagrama de bloques de una memoria asociativa.
17
Unióaó c<
control
Co,paran¿o
J'!áscara
u
.•
e
'-
o
~
e
u
GJ-- ~
: I -o
1 1 o
1 ": ~
, I ~
1 .-
&--~
2. Un registro comparando (C) de m bits, que contiene la clave de búsqueda.
3. Un reyzstro máscam (M) de m bits, que se utiliza para seleccionar las posiciones del
registro comparando que serán utilizadas durante el proceso de búsqueda.
4. Un registro mdicador (1) de n bits, 1 por celda, que contiene el resultado de la
c.omparación de la clave de búsqueda con los contenidos de cada registro. Asociados
con este registro puede haber uno o más registros temporales (T) que almacenen los
resultados de búsquedas anteriores.
o. en registro de salida (S) de m bits, que almacena una de las palabras de la memoria
seleccionadas por el proceso de búsqueda.
G ena 'Unidad de control (UC) que gestiona el funcionamiento de la memoria.
La unidad de control se encarga de coordinar el funcionamiento de la memoria. Para
rpalizar una búsqueda el proceso comienza con la activación de todos los bits del registro
1. ....continuación se realiza la comparación en paralelo del contenido del registro C,
enmascarado parcialmente por el contenido del registro M, con cada una de las palabras
almacenadas en MA. Si el contenido de una celda no coincide con la clave de búsqueda
se desactiva su registro 1 asociado. Por lo tanto después de la comparación únicamente
estarán activos los registros 1 asociados a celdas cuyos contenidos coinciden con la clave
de búsqueda. La ue se encargará entonces o bien de pasar el contenido de una de esas

18. 18 TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.14: Esquema lógico del circuito que calcula la clave de búsqueda en una memoria
asociati va.
Ccroparanco
:--IáS~3ra
Cc~tr'~l 'de
b'J,qced2
(: 3:
'N
1;
el !
'. '--'
.'-
.:::-.~~~
....
.......... ~
..
1
c·
. ,
. ~r
~~;111<:.
celdas al registro S utilizando para ello algún criterio de selección predefinido, o bien de ir
pasando consecutivamente a S los contenidos de todas las celdas coincidentes en función
d(J algún criterio de ordenación,
8.4.2 Búsqueda en una memoria asociativa
La clave utilizada durante una búsqueda se calcula en base a los contenidos de los registros
e y M. El registro e contendrá el valor del comparando y el M permitirá habilitar las
posiciones de e utilizadas durante la búsqueda. Así si el registro M tienen el valor
000 ...0111 se compararán únicamente los tres últimos bits de econ los valores almacenados
en la memoria, mientras que si tiene el valor 11...11 se utilizará el valor completo de e
durante la búsqueda.
En la fig. 8.14 puede verse el esquema del circuito que calcula la clave de búsqueda
de acuerdo a la tabla de verdad 8.3, de manera que los valores de MOk y JlI1k asociados
al bit k-ésimo del comparando no se activarán a menos que el bit correspondiente de la
máscara esté activo. Estas líneas son, por lo tanto, las que llevan los valores de e no
enmascarados por el contenido de M a todas las celdas de la memoria.
En la fig. 8.15 se muestra la parte del circuito que realiza la comparación en las celdas
de acuerdo a la tabla de verdad 8.4, donde 5ik representa el bit k-ésimo almacenado en
la i-ésima celda de la memoria y Rk el resultado (en lógica negativa) de la comparación
pntre 5ik v las líneas A10k y Mlk correspondientes. El valor de Rik se calcula como:

19. 8.4. MEMORIAS ASOCIATIVAS
Tabla 8.3: Tabla de verdad para el cálculo de la clave de búsqueda.
o XO
O
1
O O
O
1
1
Ck
Ck
19
Figura 8.15: Esquema lógico del circuito que realiza la comparación en la matriz de
almacenamiento de una memoria asociativa.
Al

20. 20 TEMA 8. MEMORIAS
Tabla 8.4: Tabla de verdad para la comparación en las celdas.
o O
X
O
Ck
Ck
Ck
O
Ck
Ck
Ck
1
v el valor de desactivación del bit correspondiente a la celda i-ésima en el registro l (R.¡)
se calculará entonces como:
Por lo tanto el bit Ji se desactivará cuando algún bit en la celda correspondiente no
coincida con el de la clave de búsqueda. Nótese que ningún bit del comparando que esté
enmascarado tendrá influencia en el proceso de comparación.
La línea de control Al es la encargada de activar todos los bits del registro l que,
como ya se comentó anteriormente, es una operación que normalmente realiza la De
antes de iniciar una búsqueda. También es posible realizar una búsqueda con una serie de
comparaciones sucesivas entre las que no se active la línea Al, de forma que al terminar
la serie estarán activados únicamente los bits de l correspondientes a las palabras cuyos
contenidos han superado todas las comparaciones.
El circuito de la fig. 8.15 permite realizar el proceso de comparación en paralelo tanto a
nivel de palabra como a nivel de bit, es por eso que a este tipo de estructura se le denomina
bit-paralelo en contraposición a las estructuras bit-serie, en las que la comparación es en
paralelo a nivel de palabra y en serie a nivel de bit. Las segundas tienen la ventaja de ser
menos complejas a nivel electrónico pero los procesos de búsqueda son más lentos.
8.4.3 Lectura en una memoria asociativa
La lectura de un valor en una memoria asociativa se compone de dos fases: la búsqueda,
que activa los bits del registro l correspondientes a las palabras que coincidan con la
clave de búsqueda utilizada, y la extracción al registro S de los datos almacenados en
las palabras seleccionadas. En la fig. 8.16 se muestra una implementación simple de la
rxtracción que pone en S el valor correspondiente a la suma lógica de todas las palabras
seleccionadas por la búsqueda.
El esquema anterior no permite acceder a los valores individuales de las palabras
seleccionadas. Para poder añadir esta capacidad será necesario establecer una relación
de orden entre todas las celdas, de manera que cada una de ellas tenga una única celda
predecesora y una sucesora (obviamente excepto la primera y la última). En la fig. 8.17
se muestra un circuito que garantiza que después de un proceso de búsqueda únicamente

21. 8.4. MEMORIAS ASOCIATIVAS 21
Figura 8.16: Esquema lógico del circuito que realiza la lectura en una memoria asociativa.
_:
'l'
~: I SJ,.l
'-l
!_---.
"eS;H.!~sta ,----
I 11
,--- ¡
rcSPI,J:ir:~ =-------:,
i
estará activada la primera de las palabras que coincida con la clave utilizada. La señal de
control PRIMERA activa esta función de la memoria y la señal UNA/NINGUNA indica
si hay alguna palabra seleccionada después de la búsqueda (es la suma lógica de todos los
bits de 1, ~;=l 1p). Como puede verse en el circuito, ahora cada ~ se calcula como:
D. = R' + PRIMERA· l'
'Lt t t
siendo R~ el valor calculado por el circuito de comparación explicado anteriormente e 1:
la suma lógica de los bits del registro I anteriores al i-ésimo (~~~ll 1p). De esta manera se
desactivará el bit 11cuando falle la comparación, o bien cuando esté activada la función
de seleccionar el primer coincidente y haya alguna palabra anterior seleccionada.
La extracción de todos los valores coincidentes requiere de procesos más complejos que
¡,wlIllitan secuenciar el paso de cada palabra al registro S. Esto complica la lógica de la
Le y requiere de algún mecanismo que permita marcar las palabras que ya hayan sido
extraídas.
8.4.4 Escritura en una memoria asociativa
En la fig. 8.18 puede verse el esquema del circuito que implementa la operación de escritura
en una memoria asociativa. Al igual que con la lectura, las palabras a modificar son

22. 22 TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.17: Esquema lógico del circuito que selecciona la primera de las palabras encon-
tradas en una memoria asociativa.
Al
r---·· ".
PRIMERA
Po
---
---
T·
I
. D-e.5 ¡'3u~l Il.
---------~
,
J
l • UNA/NINGUNA

23. 8.4. MEMORIAS ASOCIATIVAS 23
Figura 8.18: Esquema lógico del circuito que realiza la escritura en una memoria asocia-
tiva.
,-_j1.__
. .... .J
i
I
-1
~.
"O '
.
w
~
~
~
v
",'
-J '
/
11
! 1
11
t---~~-
I -
s",: :1].
. ¡ . ~ :
, '
; .
~. -----
selrccionadas mediante los bits correspondientes del registro 1 activados por una búsqueda
previa. Las líneas lVOk y -VVlk contienen los valores a escribir en el bit k-ésimo de cada
palalm·:¡ seleccionada. Los valores de estas líneas se calculan a partir de los contenidos
de los regist.ros lVI y C, de manera semejante a las líneas MOk y Nf1k ya explicadas
ant.eriormente para el circuito de comparación. En este caso en lugar de la línea CB,
que activaba la operación de búsqueda, se utiliza una señal auxiliar CE para activar la
de escritura. Al igual que pasaba en la búsqueda, con el registro M se pueden inhibir
aquellos bits que no se quieran modificar durante la escritura, de manera que la memoria
permite la escritura en paralelo tanto a nivel de palabra como a nivel de bit.
8.4.5 Estructura global de una celda de un bit
La fig. 8.19 muestra la estructura completa de una celda de un bit en una memoria aso-
ciativa. Suponiendo que el biestable que almacena el valor de la celda esté implementado
llwdiant,e dos puertas lógicas, el número total de puertas utilizadas es de nueve (pueden
reducirse a siete utilizando lógica triestado y OR cableadas). Esta celda es completa en el
sent.ido de que no es necesaria ninguna puerta lógica adicional para construir matrices de
mavor capacidad de almacenamiento a partir de varias celdas. En la fig. 8.20 se muestra
el esquema de conexión de una matriz 2x2 construida a partir de cuatro celdas como la
de la fig. 8.19

24. 24 TEMA 8. MEMORIAS
Figura 8.19: Esquema completo de una celda de 1 bit en una memoria asociativa.
Lectura
Respuesta
Figura 8.20: Matriz de almacenamiento de 2 celdas de 2 bits construida a partir de celdas
como la de la fig. 8.19.