Este documento describe un proyecto para diseñar un amplificador de baja señal con un transistor JFET. El equipo tiene 3 semanas para realizar la fundamentación teórica, argumentación matemática y simulación del circuito. Individualmente, cada estudiante debe describir el funcionamiento del circuito y realizar cálculos como la ganancia de voltaje. Colectivamente, deben presentar la simulación del circuito mostrando la señal de salida, valores de voltaje y corriente para validar el diseño.

1. INTRODUCCION
Entendemos que los transistores de efecto de campo (FET) son
dispositivos de tres terminales: FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y
PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre drenaje y
fuente a través del campo eléctrico establecido mediante la tensión
aplicada al terminal de puerta.
También cabe anotar, que es un dispositivo unipolar, que tiene un único
tipo de portadores, por lo tanto presenta alta impedancia de entrada, y a
su vez, La corriente de entrada es prácticamente nula (IG). También tiene
un bajo producto ganancia-ancho de banda, es de fácil fabricación e
integración.
Atravez de este trabajo hablaremos sobre la importancia del dispositivo
en mención en un circuito, que atravez de ciertos puntos estipulados en
la en la guía Fase #2, concluiremos lo anteriormente planteado.

2. Jair Alfonso Daza Jiménez cod. 15172749
ACTIVIDAD A DESARROLLAR
El problema:
Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es
presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución
llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar 2
señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:
Señal de entrada: 300mV a 1Khz. Referencia del JFET para simular en
Proteus: J201 ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V. De
catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este
diseño se trabajara IDSS=16mA.
El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a
la empresa, en él mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación
teórica, una argumentación y la validación de la solución. Además, de ser
aprobada la propuesta, se deberá realizaruna implementación real y para
ello se contará con acceso a los laboratorios.
Actividades a desarrollar:
Individuales:
Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)

3. 1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la
Unidad 2, Cada estudiante debe describir con sus propias palabras la
teoría de funcionamiento del circuito anterior.
Este circuito fue diseñado para amplificar una señal débil, el dispositivo
transistor JFET se encuentra polarizado y este configurado en auto
polarización esto se deduce ya que solo cuenta con una fuente de
alimentación de 20 v.
El circuito se encuentra alimentado por una fuente de 20 v, con la función
de mantener el circuito en proceso, tienen un receptor de señal que va
conectado al dispositivo transistor para su ampliación de la señal, este
tiene con un drenaje”RG”, una compuerta “RG”, y una fuente “RS”. Con
el fin de regular su funcionamiento en el caso de amplificador.
La resistencia “RG” funciona de tal manera que la señal no circule por la
tierra es decir no se pierda, y la lleve al transistor, esta resistencia por lo
general es de un gran tamaño para simular a la señal la tierra.
Cuando la señal entra al JFET, este tiene que estar activo y esto se debe
al actuar de la “RS” que con conjunto a “RG” hacen que el transistoractúe
como si estuviera conectado a tierra, para mantener la operatividad del
mismo esto mediante el valor VSG.
Argumentación.
(Segunda Semana).
2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los
siguientes cálculos.
Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
𝐴𝑣 = −𝐺𝑚𝑅𝐷
𝐴𝑣 = −
𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆
𝑅𝐷
𝐴𝑣 = −
𝐼𝐷
𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑅𝐷
𝐴𝑣 = −
𝐼𝐷
0 − 𝑉𝑆
𝑅𝐷
𝐴𝑣 = −
𝐼𝐷
−𝑉𝑆
𝑅𝐷
𝐴𝑣 =
𝐼𝐷
𝐼𝐷. 𝑅𝑆
𝑅𝐷
𝐴𝑣 =
𝑅𝐷
𝑅𝑆
𝐴𝑣 =
3300
500
𝐴𝑣 = 6.6

4. Solución.
(Tercera semana)
3. Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET
propuesto en la que se evidencie el correcto funcionamiento y las
siguientes mediciones.
- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.
- Valor de VGS.
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.
Simulación

5. Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.
Valor de VGS.

6. Valor de VDS.
Valor de VGD.

7. Valor de la corriente ID.

8. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos. (pp.127-166).
Recuperado de https://elibro-
net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/66453?page=127
Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus
aplicaciones. (pp.154-178). Recuperado de https://elibro-
net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/72403?page=171
Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para
Ingenieros. (pp. 37-51). Recuperado de https://elibro-
net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/50175?page=48
Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET.
[Video] Recuperado
de https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk