El documento describe el transistor de efecto de campo de unión (JFET). Explica que el JFET es un dispositivo semiconductor de tres terminales que controla la corriente en un canal semiconductor usando una unión pn polarizada en inversa. Luego describe la estructura, simbología, operación básica y características eléctricas del JFET como la tensión de estrangulamiento, corriente de drenaje máxima y voltaje de corte. Finalmente, compara las ventajas y desventajas de los JFET frente a los transistores bipolares.
Este documento describe el funcionamiento del transistor de efecto de campo JFET. Explica que el JFET controla el flujo de corriente entre el drenador y la fuente variando el voltaje aplicado a la compuerta. Describe las curvas de características del JFET y los diferentes métodos de polarización, incluyendo polarización fija, autopolarización y polarización por divisor de voltaje.
Electronica analisis a pequeña señal fetVelmuz Buzz
1) Los amplificadores con transistores de efecto de campo (FET) proporcionan una alta ganancia de voltaje y una alta impedancia de entrada. 2) Los dispositivos FET como los MOSFET decrecientes se pueden usar para diseñar amplificadores con ganancias similares de voltaje, aunque los MOSFET tienen una mayor impedancia de entrada. 3) El modelo equivalente de pequeña señal para los FET es más simple que para los BJT, usando el factor de transconductancia gm en lugar del factor de ganancia β.
El documento describe la conexión Darlington, la cual utiliza dos transistores BJT conectados de tal forma que actúan como un solo transistor con una alta ganancia de corriente. La ganancia total es el producto de las ganancias individuales de cada transistor. También explica que los transistores Darlington encapsulados contienen internamente dos transistores conectados de esta forma, proporcionando una alta ganancia. Finalmente, analiza el circuito equivalente en corriente continua y alterna, así como la impedancia, ganancia y otros parámetros.
Electronica transitores efecto de cambioVelmuz Buzz
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, tipos (JFET y MOSFET), y operación. Explica que los FET son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje en lugar de corriente, y que los MOSFET se han vuelto muy populares debido a su pequeño tamaño y proceso de fabricación más simple en comparación con los BJT. También describe la construcción y operación básicas de los JFET y MOSFET.
Este documento presenta una guía para el Laboratorio I de Electrónica, con el objetivo de enseñar a los estudiantes una metodología formal (TOP-DOWN) para el desarrollo de proyectos electrónicos de pequeña complejidad. Describe los objetivos del laboratorio, los requisitos previos, la metodología a seguir dividida en 6 etapas clave, y un cronograma de actividades propuesto para el semestre. El documento provee una infraestructura metodológica unificada para que los estudiantes aprendan conceptos pr
Este documento presenta las respuestas a un pre-laboratorio sobre rectificadores y diodos Zener. En la primera respuesta, se definen y dibujan rectificadores de media onda y onda completa, incluyendo puente y punto medio. La segunda respuesta describe las características de un diodo Zener, como mantener un voltaje constante cuando está polarizado inversamente. La tercera respuesta dibuja la curva característica de un diodo Zener, mostrando su zona operativa de voltaje constante.
El diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión PN dopada muy intensamente, lo que produce una región de empobrecimiento extremadamente estrecha. Esto causa un efecto túnel que da como resultado una conductancia diferencial negativa y resistencia negativa en ciertos intervalos de voltaje, lo que permite que la corriente fluya en una sola dirección. Los diodos túnel se utilizan comúnmente en osciladores y otros circuitos de microondas debido a su baja potencia y resistencia a la radiación.
Este documento trata sobre amplificadores multietapa. Explica que para obtener mayores ganancias de tensión, se pueden conectar en cascada dos o más etapas de amplificadores. La ganancia total de un amplificador multietapa es el producto de las ganancias individuales de cada etapa. También describe cómo el acoplo RC compensa y estabiliza los puntos de trabajo entre etapas. Finalmente, presenta los pasos para calcular la ganancia total de un amplificador de dos etapas.
Este documento describe el funcionamiento del transistor de efecto de campo JFET. Explica que el JFET controla el flujo de corriente entre el drenador y la fuente variando el voltaje aplicado a la compuerta. Describe las curvas de características del JFET y los diferentes métodos de polarización, incluyendo polarización fija, autopolarización y polarización por divisor de voltaje.
Electronica analisis a pequeña señal fetVelmuz Buzz
1) Los amplificadores con transistores de efecto de campo (FET) proporcionan una alta ganancia de voltaje y una alta impedancia de entrada. 2) Los dispositivos FET como los MOSFET decrecientes se pueden usar para diseñar amplificadores con ganancias similares de voltaje, aunque los MOSFET tienen una mayor impedancia de entrada. 3) El modelo equivalente de pequeña señal para los FET es más simple que para los BJT, usando el factor de transconductancia gm en lugar del factor de ganancia β.
El documento describe la conexión Darlington, la cual utiliza dos transistores BJT conectados de tal forma que actúan como un solo transistor con una alta ganancia de corriente. La ganancia total es el producto de las ganancias individuales de cada transistor. También explica que los transistores Darlington encapsulados contienen internamente dos transistores conectados de esta forma, proporcionando una alta ganancia. Finalmente, analiza el circuito equivalente en corriente continua y alterna, así como la impedancia, ganancia y otros parámetros.
Electronica transitores efecto de cambioVelmuz Buzz
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo sus características principales, tipos (JFET y MOSFET), y operación. Explica que los FET son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje en lugar de corriente, y que los MOSFET se han vuelto muy populares debido a su pequeño tamaño y proceso de fabricación más simple en comparación con los BJT. También describe la construcción y operación básicas de los JFET y MOSFET.
Este documento presenta una guía para el Laboratorio I de Electrónica, con el objetivo de enseñar a los estudiantes una metodología formal (TOP-DOWN) para el desarrollo de proyectos electrónicos de pequeña complejidad. Describe los objetivos del laboratorio, los requisitos previos, la metodología a seguir dividida en 6 etapas clave, y un cronograma de actividades propuesto para el semestre. El documento provee una infraestructura metodológica unificada para que los estudiantes aprendan conceptos pr
Este documento presenta las respuestas a un pre-laboratorio sobre rectificadores y diodos Zener. En la primera respuesta, se definen y dibujan rectificadores de media onda y onda completa, incluyendo puente y punto medio. La segunda respuesta describe las características de un diodo Zener, como mantener un voltaje constante cuando está polarizado inversamente. La tercera respuesta dibuja la curva característica de un diodo Zener, mostrando su zona operativa de voltaje constante.
El diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión PN dopada muy intensamente, lo que produce una región de empobrecimiento extremadamente estrecha. Esto causa un efecto túnel que da como resultado una conductancia diferencial negativa y resistencia negativa en ciertos intervalos de voltaje, lo que permite que la corriente fluya en una sola dirección. Los diodos túnel se utilizan comúnmente en osciladores y otros circuitos de microondas debido a su baja potencia y resistencia a la radiación.
Este documento trata sobre amplificadores multietapa. Explica que para obtener mayores ganancias de tensión, se pueden conectar en cascada dos o más etapas de amplificadores. La ganancia total de un amplificador multietapa es el producto de las ganancias individuales de cada etapa. También describe cómo el acoplo RC compensa y estabiliza los puntos de trabajo entre etapas. Finalmente, presenta los pasos para calcular la ganancia total de un amplificador de dos etapas.
El documento describe máquinas de estado en VHDL. Explica flip-flops tipo D, la estructura básica de una máquina de estado con secciones secuencial y combinacional, y cómo diseñar la sección secuencial. Luego presenta un template para FSM y un ejemplo de contador BCD implementado como máquina de estado. Finalmente, describe un diseño alternativo donde la salida es almacenada de forma síncrona.
Este documento presenta dos circuitos que utilizan amplificadores operacionales: un amplificador no inversor y un amplificador sumador. Incluye la fundamentación teórica, cálculos, implementación práctica y simulación de cada circuito. Los resultados experimentales concuerdan con los cálculos teóricos, demostrando el funcionamiento correcto de los amplificadores operacionales.
El documento describe los amplificadores operacionales (amp op), incluyendo sus características ideales como una ganancia infinita y una impedancia de entrada y salida infinita y cero respectivamente. Explica que los amp op son importantes para construir funciones de transferencia y controladores de sistemas de control. También describe varios circuitos que se pueden implementar con amp op como sumadores, restadores e integradores.
Soluciones: Openheim - Sistemas y señales - cap 5Carlos Brizuela
Este documento contiene respuestas a ejercicios sobre transformadas de Fourier. En el Ejercicio 5.1, se calculan las transformadas de Fourier de dos señales usando la ecuación de análisis. En el Ejercicio 5.2, se calculan las transformadas de Fourier de dos señales adicionales usando la misma ecuación. Luego, en los Ejercicios 5.3 a 5.6, se calculan más transformadas de Fourier y transformadas inversas aplicando diferentes propiedades de la transformada.
El documento describe dos métodos de polarización para JFET: polarización fija y auto polarización. Ambos métodos utilizan la malla de entrada y salida junto con la ecuación de Schockley, requiriendo los datos de corriente de saturación y voltaje de estrangulamiento. La auto polarización opera de manera similar al MOSFET de enriquecimiento, usando la ecuación de saturación en lugar de la ecuación de Schockley.
El documento explica los diferentes tipos de rectificadores de media onda y onda completa, y cómo se usan junto con filtros y reguladores para crear fuentes de alimentación no reguladas. Incluye ejemplos de cálculos para diseñar tales fuentes, como encontrar el valor del capacitor de filtro requerido para obtener un voltaje de salida deseado.
El documento trata sobre circuitos integrados digitales. Brevemente describe las características de los circuitos integrados digitales, incluyendo que pueden contener miles de componentes en un pequeño espacio y son fundamentales para el desarrollo de la electrónica moderna. También cubre varias familias lógicas como RTL, DTL, TTL, ECL e IIL y sus características.
Amplificadores operacionales con funciones de transferenciaMartín E
Los amplificadores operacionales (OpAmps) son amplificadores que realizan operaciones matemáticas. Fueron inventados durante la Segunda Guerra Mundial y utilizados originalmente en computadoras analógicas. Los OpAmps modernos ofrecen una forma conveniente de construir funciones de transferencia y sistemas de control mediante una alta ganancia, baja impedancia de salida e impedancia de entrada infinita.
Este documento describe el diseño y funcionamiento de un amplificador de audio de un solo transistor. Consiste en una etapa de preamplificación con un transistor BC548B que amplifica la señal de un micrófono, y una etapa de salida con dos transistores TIP31C y TIP32C que alimentan un altavoz. Se explican los análisis de corriente continua y alterna, así como los modelos híbridos de los transistores utilizados. Finalmente, se muestran las simulaciones del circuito en Proteus.
Este documento describe el dispositivo UJT (transistor unijuntura), incluyendo su construcción, características, regiones de operación y aplicaciones. El UJT contiene dos regiones semiconductoras y tres terminales (emisor, base 1 y base 2). Se utiliza comúnmente en osciladores y circuitos de disparo debido a su comportamiento de resistencia negativa.
Este documento describe los circuitos lógicos de tres estados, los cuales tienen una tercera salida de alta impedancia además de los estados lógicos normales de Alto y Bajo. Explica que los dispositivos de tres estados tienen una entrada de habilitación que establece la salida en el estado de alta impedancia. También describe cómo las salidas de tres estados se pueden interconectar para transferir señales de forma eficiente a través de un bus compartido, siempre y cuando solo una salida esté habilitada a la vez para evitar corrientes
El circuito astable se construye añadiendo una red de realimentación RC a un comparador Schmitt trigger. La salida del circuito oscila entre los niveles +A y -A a medida que la tensión del condensador oscila entre +A/2 y -A/2. El circuito genera una onda cuadrada simétrica a partir de la forma de onda triangular de la tensión del condensador.
Este documento describe dos tipos de transistores MOSFET y su configuración y polarización. Explica que los MOSFET de tipo de empobrecimiento funcionan cuando el voltaje de la compuerta es cero o negativo, mientras que los MOSFET de tipo de enriquecimiento requieren un voltaje positivo en la compuerta para conducir corriente. También describe las curvas de drenador características y los métodos comunes de polarización para cada tipo.
Problema nuestra del calculo de factor de rizo E1Tensor
El documento describe cómo calcular el factor de rizo de una fuente de alimentación rectificada con un filtro de capacitor. Se da que el voltaje pico es 32.541 V y la corriente de carga es 120 mA con un capacitor de 470 μF. Usando la hipótesis de que el voltaje de continua es igual al voltaje pico, se calcula el voltaje pico a pico en 2.127 V y el voltaje de rizo rms en 0.614 V. Esto da un factor de rizo del 2.03%.
El documento describe diferentes tipos de circuitos que utilizan diodos, incluyendo rectificadores para convertir corriente alterna en continua, multiplicadores de tensión para aumentar el voltaje, limitadores de voltaje para manipular señales, compuertas lógicas para operaciones booleanas, reguladores de voltaje/corriente para mantener valores constantes, y circuitos fijadores para desplazar señales. Los diodos permiten que la corriente fluya en una sola dirección en estos circuitos para realizar funciones como rectificación, multiplicación,
El documento describe el diodo Zener, que se utiliza como parte fundamental de los reguladores de voltaje. Un diodo Zener es un diodo de silicio diseñado para operar en la región de ruptura inversa, donde mantiene un voltaje constante independientemente de variaciones en la corriente o voltaje de entrada. Los diodos Zener se utilizan comúnmente como reguladores de voltaje básicos y limitadores de voltaje en aplicaciones como fuentes de alimentación.
1) El documento introduce conceptos básicos sobre la propagación de ondas a lo largo de líneas de transmisión, las cuales pueden modelizarse como una sucesión de cuadripolos de tamaño infinitesimal.
2) Para cada cuadripolo se aplica la aproximación cuasi-estática, representándose la línea como un circuito de parámetros distribuidos.
3) En el caso ideal, sin pérdidas, las ecuaciones resultantes describen ondas de tensión y corriente que se propagan a lo largo de la línea a
Cuadro comparativo de familias logicasGermanGeorge
El documento presenta un cuadro comparativo de las principales familias lógicas, incluyendo TTL, CMOS, ECL, RTL y DTL. Para cada familia, se proporciona una breve definición, sus principales ventajas y desventajas, y algunas características clave. El documento provee una visión general de las diferentes familias lógicas utilizadas en circuitos integrados digitales.
Este documento proporciona una guía sobre el uso del temporizador 0 (TMR0) y las interrupciones en los microcontroladores. Explica los registros asociados a TMR0, cómo funciona el temporizador y el prescaler, y cómo calcular tiempos de conteo utilizando TMR0 y un registro auxiliar para lograr temporizaciones mayores a 65.536 milisegundos.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor, y el transistor JFET. Explica sus estructuras, funciones y aplicaciones.
Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca información de la ficha técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y un MOSFET. Elabora una presentación en Power Point donde muestres la característica de cada diodo.
Algunas páginas que puedes visitar
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
Publica tu presentación en:
www.slideshare.net
Luego, envía la dirección de tu publicación a tu profesor
El documento describe máquinas de estado en VHDL. Explica flip-flops tipo D, la estructura básica de una máquina de estado con secciones secuencial y combinacional, y cómo diseñar la sección secuencial. Luego presenta un template para FSM y un ejemplo de contador BCD implementado como máquina de estado. Finalmente, describe un diseño alternativo donde la salida es almacenada de forma síncrona.
Este documento presenta dos circuitos que utilizan amplificadores operacionales: un amplificador no inversor y un amplificador sumador. Incluye la fundamentación teórica, cálculos, implementación práctica y simulación de cada circuito. Los resultados experimentales concuerdan con los cálculos teóricos, demostrando el funcionamiento correcto de los amplificadores operacionales.
El documento describe los amplificadores operacionales (amp op), incluyendo sus características ideales como una ganancia infinita y una impedancia de entrada y salida infinita y cero respectivamente. Explica que los amp op son importantes para construir funciones de transferencia y controladores de sistemas de control. También describe varios circuitos que se pueden implementar con amp op como sumadores, restadores e integradores.
Soluciones: Openheim - Sistemas y señales - cap 5Carlos Brizuela
Este documento contiene respuestas a ejercicios sobre transformadas de Fourier. En el Ejercicio 5.1, se calculan las transformadas de Fourier de dos señales usando la ecuación de análisis. En el Ejercicio 5.2, se calculan las transformadas de Fourier de dos señales adicionales usando la misma ecuación. Luego, en los Ejercicios 5.3 a 5.6, se calculan más transformadas de Fourier y transformadas inversas aplicando diferentes propiedades de la transformada.
El documento describe dos métodos de polarización para JFET: polarización fija y auto polarización. Ambos métodos utilizan la malla de entrada y salida junto con la ecuación de Schockley, requiriendo los datos de corriente de saturación y voltaje de estrangulamiento. La auto polarización opera de manera similar al MOSFET de enriquecimiento, usando la ecuación de saturación en lugar de la ecuación de Schockley.
El documento explica los diferentes tipos de rectificadores de media onda y onda completa, y cómo se usan junto con filtros y reguladores para crear fuentes de alimentación no reguladas. Incluye ejemplos de cálculos para diseñar tales fuentes, como encontrar el valor del capacitor de filtro requerido para obtener un voltaje de salida deseado.
El documento trata sobre circuitos integrados digitales. Brevemente describe las características de los circuitos integrados digitales, incluyendo que pueden contener miles de componentes en un pequeño espacio y son fundamentales para el desarrollo de la electrónica moderna. También cubre varias familias lógicas como RTL, DTL, TTL, ECL e IIL y sus características.
Amplificadores operacionales con funciones de transferenciaMartín E
Los amplificadores operacionales (OpAmps) son amplificadores que realizan operaciones matemáticas. Fueron inventados durante la Segunda Guerra Mundial y utilizados originalmente en computadoras analógicas. Los OpAmps modernos ofrecen una forma conveniente de construir funciones de transferencia y sistemas de control mediante una alta ganancia, baja impedancia de salida e impedancia de entrada infinita.
Este documento describe el diseño y funcionamiento de un amplificador de audio de un solo transistor. Consiste en una etapa de preamplificación con un transistor BC548B que amplifica la señal de un micrófono, y una etapa de salida con dos transistores TIP31C y TIP32C que alimentan un altavoz. Se explican los análisis de corriente continua y alterna, así como los modelos híbridos de los transistores utilizados. Finalmente, se muestran las simulaciones del circuito en Proteus.
Este documento describe el dispositivo UJT (transistor unijuntura), incluyendo su construcción, características, regiones de operación y aplicaciones. El UJT contiene dos regiones semiconductoras y tres terminales (emisor, base 1 y base 2). Se utiliza comúnmente en osciladores y circuitos de disparo debido a su comportamiento de resistencia negativa.
Este documento describe los circuitos lógicos de tres estados, los cuales tienen una tercera salida de alta impedancia además de los estados lógicos normales de Alto y Bajo. Explica que los dispositivos de tres estados tienen una entrada de habilitación que establece la salida en el estado de alta impedancia. También describe cómo las salidas de tres estados se pueden interconectar para transferir señales de forma eficiente a través de un bus compartido, siempre y cuando solo una salida esté habilitada a la vez para evitar corrientes
El circuito astable se construye añadiendo una red de realimentación RC a un comparador Schmitt trigger. La salida del circuito oscila entre los niveles +A y -A a medida que la tensión del condensador oscila entre +A/2 y -A/2. El circuito genera una onda cuadrada simétrica a partir de la forma de onda triangular de la tensión del condensador.
Este documento describe dos tipos de transistores MOSFET y su configuración y polarización. Explica que los MOSFET de tipo de empobrecimiento funcionan cuando el voltaje de la compuerta es cero o negativo, mientras que los MOSFET de tipo de enriquecimiento requieren un voltaje positivo en la compuerta para conducir corriente. También describe las curvas de drenador características y los métodos comunes de polarización para cada tipo.
Problema nuestra del calculo de factor de rizo E1Tensor
El documento describe cómo calcular el factor de rizo de una fuente de alimentación rectificada con un filtro de capacitor. Se da que el voltaje pico es 32.541 V y la corriente de carga es 120 mA con un capacitor de 470 μF. Usando la hipótesis de que el voltaje de continua es igual al voltaje pico, se calcula el voltaje pico a pico en 2.127 V y el voltaje de rizo rms en 0.614 V. Esto da un factor de rizo del 2.03%.
El documento describe diferentes tipos de circuitos que utilizan diodos, incluyendo rectificadores para convertir corriente alterna en continua, multiplicadores de tensión para aumentar el voltaje, limitadores de voltaje para manipular señales, compuertas lógicas para operaciones booleanas, reguladores de voltaje/corriente para mantener valores constantes, y circuitos fijadores para desplazar señales. Los diodos permiten que la corriente fluya en una sola dirección en estos circuitos para realizar funciones como rectificación, multiplicación,
El documento describe el diodo Zener, que se utiliza como parte fundamental de los reguladores de voltaje. Un diodo Zener es un diodo de silicio diseñado para operar en la región de ruptura inversa, donde mantiene un voltaje constante independientemente de variaciones en la corriente o voltaje de entrada. Los diodos Zener se utilizan comúnmente como reguladores de voltaje básicos y limitadores de voltaje en aplicaciones como fuentes de alimentación.
1) El documento introduce conceptos básicos sobre la propagación de ondas a lo largo de líneas de transmisión, las cuales pueden modelizarse como una sucesión de cuadripolos de tamaño infinitesimal.
2) Para cada cuadripolo se aplica la aproximación cuasi-estática, representándose la línea como un circuito de parámetros distribuidos.
3) En el caso ideal, sin pérdidas, las ecuaciones resultantes describen ondas de tensión y corriente que se propagan a lo largo de la línea a
Cuadro comparativo de familias logicasGermanGeorge
El documento presenta un cuadro comparativo de las principales familias lógicas, incluyendo TTL, CMOS, ECL, RTL y DTL. Para cada familia, se proporciona una breve definición, sus principales ventajas y desventajas, y algunas características clave. El documento provee una visión general de las diferentes familias lógicas utilizadas en circuitos integrados digitales.
Este documento proporciona una guía sobre el uso del temporizador 0 (TMR0) y las interrupciones en los microcontroladores. Explica los registros asociados a TMR0, cómo funciona el temporizador y el prescaler, y cómo calcular tiempos de conteo utilizando TMR0 y un registro auxiliar para lograr temporizaciones mayores a 65.536 milisegundos.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor, y el transistor JFET. Explica sus estructuras, funciones y aplicaciones.
Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca información de la ficha técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y un MOSFET. Elabora una presentación en Power Point donde muestres la característica de cada diodo.
Algunas páginas que puedes visitar
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
Publica tu presentación en:
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Luego, envía la dirección de tu publicación a tu profesor
El documento describe dos tipos de transistores de efecto de campo: el JFET y el MOSFET. El JFET controla el flujo de corriente a través de un canal semiconductor aplicando un campo eléctrico perpendicular, mientras que el MOSFET es el transistor más utilizado en la industria y funciona amplificando o conmutando señales electrónicas a través de cuatro terminales: fuente, drenador, puerta y sustrato. El documento también explica los circuitos básicos de polarización para ambos tipos de transistores.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor, el JFET y el MOSFET. Explica sus estructuras, funciones y aplicaciones comunes en dispositivos electrónicos.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo su estructura, símbolos y principio de funcionamiento. Explica las diferencias entre los transistores JFET (de unión de efecto de campo) y MOSFET (de efecto de campo metal-óxido-semiconductor), y proporciona detalles sobre cómo influyen las tensiones de entrada VGS y VDS en la corriente de salida de estos dispositivos.
Este informe consolida el aspecto teórico de los montajes básicos y el análisis en DC de los transistores de efecto de campo (FET). Se describen los tipos principales de FET, incluyendo JFET y MOSFET, y sus características de funcionamiento. También se explican diversas configuraciones de polarización de FET y MOSFET, mostrando sus ecuaciones de entrada y salida. El objetivo es desarrollar la comprensión de estos dispositivos semiconductores fundamentales para el diseño de circuitos electrónicos.
El documento describe los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Los JFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta-fuente, formando un canal variable entre drenador y fuente. Los MOSFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta, formando un canal mediante acumulación o deplexión de portadores en el sustrato entre drenador y fuente. Ambos se usan comúnmente como interruptores, amplificadores y en circuitos digitales.
El documento presenta información sobre dos tipos de transistores de efecto de campo: JFET y MOSFET. Explica que el JFET controla la corriente de drenador mediante la tensión de puerta, y que su canal se cierra cuando la tensión de puerta supera un límite. El MOSFET funciona formando un canal entre drenador y fuente al aplicar tensión de puerta, permitiendo el paso de corriente, la cual se controla variando la tensión de drenador. Finalmente, compara las características eléctricas de ambos dispositivos
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), e IGBT. Explica las características clave de cada tipo de transistor como su construcción, principio de operación, aplicaciones y diferencias con los transistores bipolares. También proporciona detalles sobre las curvas características, zonas de operación y polaridad de los transistores JFET y MOSFET.
El documento describe diferentes tipos de transistores de efecto de campo (FET), incluyendo MOSFET, JFET, MESFET y otros. Explica las características de cada uno y cómo se diferencian según el método de aislamiento entre el canal y la puerta. También describe las curvas características típicas de los FET y cómo funcionan, con detalles sobre su configuración y aplicaciones comunes.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), y transistores insulados de puerta bipolares (IGBT). Explica las características clave de cada tipo de transistor, como sus terminales, mecanismos de conducción, y aplicaciones comunes. También proporciona detalles sobre cómo los transistores MOSFET y JFET funcionan a nivel básico.
Este documento describe el transistor de punto de contacto, el primer transistor inventado en 1947. Consta de una base de germanio con dos puntas metálicas que actúan como emisor y colector. Modula la resistencia vista en el colector a través de la corriente de base. También describe los transistores JFET y MOSFET, sus características y símbolos.
Este documento contiene información sobre diferentes tipos de tiristores especiales. Brevemente describe 1) el transistor de inducción estática (SIT), un dispositivo unipolar que controla el flujo de electrones a través de una barrera de potencial. 2) El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT), el cual combina las características de un MOSFET y un transistor bipolar. 3) Los transistores de efecto de campo de unión metal-óxido-semiconductor (MOSFET), incluyendo su estructura y modos de operación.
Este documento describe dos tipos de transistores de efecto de campo, JFET y MOSFET. Explica sus principios de funcionamiento, estructuras internas y aplicaciones. También compara transistores bipolares con MOSFET, señalando que los MOSFET ocupan menos espacio y son más simples de fabricar, lo que los ha hecho omnipresentes en la electrónica digital.
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores unipolares controlados por un campo eléctrico. Existen dos tipos principales: los JFET de unión y los MOSFET de puerta aislada. Los FET tienen tres terminales (puerta, drenador y fuente) y funcionan como interruptores controlados por la tensión de puerta. Permiten aplicaciones de amplificación, conmutación y control de potencia debido a su alta impedancia de entrada y baja capacidad.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de unión bipolar inventado en 1947, el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Actualmente los transistores se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de consumo y aplicaciones de potencia.
El documento describe el transistor de unión bipolar (BJT), el cual se fabrica sobre un sustrato de semiconductor como silicio o germanio. Contiene tres zonas contaminadas que forman dos uniones PN, dando como resultado transistores PNP o NPN. La configuración de las uniones PN determina el comportamiento del transistor como dispositivo semiconductor.
El documento describe el transistor FET, incluyendo sus partes (puerta, drenador, fuente), cómo se polariza (aplicando un voltaje negativo a la puerta para controlar el flujo de corriente), y sus aplicaciones como amplificador, oscilador y en circuitos digitales debido a su bajo ruido, alta impedancia de entrada y facilidad de integración.
El documento proporciona información sobre los transistores JFET y MOSFET. Explica que los JFET son transistores de efecto de campo que conducen corriente según la tensión aplicada en la puerta, y describen sus zonas de funcionamiento. También describe la estructura y funcionamiento básico de los MOSFET, incluyendo sus terminales y que son los transistores más utilizados en circuitos analógicos y digitales. Brevemente menciona también a los IGBT que combinan características de los FET y transistores bipolares.
Equipo 4. Mezclado de Polímeros quimica de polimeros.pptxangiepalacios6170
Presentacion de mezclado de polimeros, de la materia de Quimica de Polímeros ultima unidad. Se describe la definición y los tipos de mezclado asi como los aditivos usados para mejorar las propiedades de las mezclas de polimeros
La energía radiante es una forma de energía que
se transmite en forma de ondas
electromagnéticas esta energía se propaga a
través del vacío y de ciertos medios materiales y
es fundamental en una variedad naturales y
tecnológicos
Los puentes son estructuras esenciales en la infraestructura de transporte, permitiendo la conexión entre diferentes
puntos geográficos y facilitando el flujo de bienes y personas.
2. Objetivos
Conocer la estructura interna y el funcionamiento del
transistor de efecto de campo (JFET).
Diferenciar el comportamiento de un transistor de efecto
de campo de canal N con respecto a uno de canal P.
Identificar las características eléctricas y de fabricación
mas importantes a tener en cuenta al momento de
seleccionar un transistor de efecto de campo.
Hacer uso adecuado de la hoja de datos de un transistor
de efecto de campo.
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
3. Transistor de efecto de campo (FET)
El FET (Transistor de Efecto de
Campo de Unión) es un dispositivo
semiconductor de tres terminales
que opera con una unión pn
polarizada en inversa para
controlar corriente en un canal
semiconductor. (Floyd, 2008)
A diferencia de los transistores
BJT, los FET son dispositivos
unipolares, ya que la corriente
existe tanto en forma de electrones
como de huecos (Savant, 2000)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
4. Estructura de un FET
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
Imagen tomada de: (Floyd, 2008)
5. Estructura de un FET
Imagen tomada de: (Boylestad y Nashelsky, 2009)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
7. Efecto de campo
La tensión de alimentación del drenador es positiva y la de la puerta
negativa. El término efecto de campo se relaciona con las zonas de
deplexión que rodean a cada zona p. Las uniones entre cada zona p y
las zonas n tienen capas de deplexión debido a que los electrones libres
se difunden desde las zonas n en las zonas p. (Malvino, 1999)
Imagen tomada de: (Malvino, 1999)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
8. Ventajas de los FET sobre los BJT
De acuerdo con Floyd (2008), entre las ventajas que se tienen al
usar transistores de efecto de campo sobre transistores
bipolares se tienen las siguientes:
Alta impedancia de entrada (de 107 a 1012 Ω).
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET son, en general, mas fáciles de fabricar pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es
posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito
integrado.
Los FET se comportan como resistores variables controlados por
tensión para valores pequeños de drenaje a fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar
carga el tiempo suficiente para permitir su uso como elemento de
almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar grandes corrientes.
Los FET son mas estables a la temperatura que los BJT.
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
9. Desventajas de los FET sobre los
BJT
De acuerdo con Floyd (2008), entre las desventajas
que se pueden presentar al usar transistores de
efecto de campo sobre transistores bipolares se
tienen las siguientes:
Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre
debido a su alta impedancia de entrada.
Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy
pobre.
Los FET son susceptibles de daño debido a la
electricidad estática.
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
10. Operación básica de los FET
Imagen tomada de: (Floyd, 2008)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
11. Construcción del FET
En el caso del JFET tipo n, se construye
utilizando una cinta de material tipo n con dos
materiales de tipo p difundidos en ella, uno a
cada lado.
La parte superior del canal tipo n está
conectada mediante un contacto óhmico a un
terminal conocido como drenaje (D), en tanto
que el extremo inferior del mismo material está
conectado mediante un contacto óhmico a una
terminal conocida como fuente (S). Los dos
materiales tipo p están conectados entre sí y a
la terminal de compuerta (G).
Sin potenciales aplicados, el JFET tiene dos
uniones p-n en condiciones sin polarización. El
resultado es una región de empobrecimiento en
cada unión, la cual se asemeja a la misma
región de un diodo en condiciones sin
polarización (Boylestad y Nashelsky, 2009)JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
Imagen tomada de: (Boylestad y Nashelsky,
2009)
12. VGS = 0 V, VDS algún valor positivo
En el instante en que se aplica VDD, los electrones son atraídos hacia el drenaje y se establece la
corriente convencional ID. las corrientes a través del drenaje y la fuente son equivalentes (ID = IS).
la región de empobrecimiento es más ancha cerca de la parte superior de ambos materiales tipo
p.
El hecho de que la unión p-n se polarice en inversa a lo largo del canal produce una corriente de
cero amperes en la compuerta (Boylestad y Nashelsky, 2009).
Imagen tomada de: (Boylestad y Nashelsky,
2009)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
13. Tensión de estrangulamiento
Conforme el voltaje VDS aumente de 0 V a algunos volts, la corriente también lo hará de
acuerdo con la ley de Ohm. La pendiente constante relativa de la gráfica revela que en la
región de valores bajos de VDS, la resistencia en esencia es constante. A medida que VDS
se incrementa y se aproxima un nivel conocido como Vp, las regiones de empobrecimiento
se ensanchan, lo que reduce notablemente el ancho del canal. La ruta reducida de
conducción hace que la resistencia se incremente, y ocurra la curva en la gráfica de la
figura (Floyd, 2008)JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
Imagen tomada de: (Boylestad y Nashelsky,
2009)
14. Corriente de drenaje (IDSS)
Un incremento continuo de VDS por encima del voltaje de estrangulamiento
produce una corriente casi constante en el drenaje. Este valor de la corriente en
el drenaje es IDSS (Drain to Source with gate Shorted, Drenaje a fuente con la
compuerta en cortocircuito) y siempre viene especificada en las hojas de datos de
los JFET. IDSS es la corriente máxima en el drenaje que un JFET específico es
capaz de producir sin importar el circuito externo y siempre se especifica en la
condición, VGS = 0 V y VDS > |Vp| (Floyd, 2008).JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
Imagen tomada de: (Boylestad y Nashelsky,
2009)
15. Región óhmica
la tensi6n de estrangulamiento
separa las dos zonas principales
de funcionamiento del JFET. La
parte casi horizontal es la zona
activa. La parte casi vertical de la
curva de salida se llama zona
óhmica. Cuando un JFET
funciona en la zona 6hmica actúa
como una resistencia pequeña
con un valor aproximado de:
𝑅 𝐷𝑆 =
𝑉𝑝
𝐼 𝐷𝑆𝑆
Si el JFET funciona en cualquier
lugar de la zona óhmica, tiene una
resistencia de 400Ω. (Floyd,
2008).
Imagen tomada de: (Floyd, 2008)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
16. Ruptura
la ruptura ocurre en el
punto C cuando ID
comienza a incrementarse
muy rápido con cualquier
incremento adicional de
VDS. La ruptura puede
dañar irreversiblemente el
dispositivo, así que los
JFET siempre se operan
por debajo de la ruptura y
dentro de la región activa,
(corriente constante) (Floyd,
2008). Imagen tomada de: (Floyd, 2008)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
17. VGS < 0V
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
Imagen tomada de: (Floyd, 2008)
18. Voltaje de corte
El valor de VGS que hace que ID sea
aproximadamente cero es el voltaje de
corte. El JFET debe operar entre VGS
0 V y VGS(corte). Con este intervalo de
voltajes de compuerta a fuente, ID varía
desde un máximo de IDSS hasta un
mínimo de casi cero.
Mientras más negativo es VGS, más
pequeña llega a ser ID en la región
activa. Cuando VGS tiene un valor
negativo suficientemente grande, ID se
reduce a cero.
El estrechamiento de la región de
empobrecimiento provoca este efecto de
corte hasta un punto donde el canal se
cierra por completo. (Boylestad y
Nashelsky, 2009).
Imagen tomada de: (Floyd, 2008)
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
19. Características de transferencia
La característica de
transferencia es una gráfica
de la corriente de drenaje ID,
como función de la tensión
compuerta a fuente , VGS, por
encima del estrangulamiento.
Se grafica con VDS igual a una
constante, aunque la
característica de transferencia
es en esencia independiente
de VDS pues, luego de que el
FET llega al estrangulamiento,
Id permanece constante para
valores mayores de VDS
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
Imagen tomada de: (Floyd, 2008)
21. Ecuación de Shockley
En los JFET no existe una relación lineal entre las cantidades de entrada
y salida. La relación entre ID y VGS está definida por la ecuación de
Schockley:
𝐼 𝐷 = 𝐼 𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝐺𝑆
𝑉𝑃
2
El termino al cuadrado en la ecuación produce una relación no lineal
entre ID y VGS lo cual produce una curva que crece exponencialmente
con la magnitud decreciente de VGS (Savant, 2000).
Variable de control
Constante
s
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
22. Método abreviado
la curva de transferencia se puede trazar con un nivel de precisión satisfactorio
con sólo utilizar los cuatro puntos definidos anteriormente y revisados en la tabla
1:
Tabla 1
VGS contra ID
VGS ID
0 V IDSS
0.3 Vp IDSS/2
0.5 Vp IDSS/4
Vp 0 mA
JFET Ing. Alexis Barrios U. MSc
23. Referencias
Electrónica II Ing. Alexis Barrios
Floyd, T. (2008). Dispositivos Electrónicos. Octava edición.
Ciudad de México, México: Editorial Pearson.
Savant, C. J. (2000). Diseño Electrónico: Circuitos y Sistemas.
Tercera edición. Ciudad de México, México: Editorial Alhambra.
Boylestad, R. Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de
Circuitos y Dispositivos electrónicos. Décima edición. Ciudad
de México, México: Editorial Pearson.
[2] Malvino, A., Principios de Electrónica. Sexta edición.
Editorial Mc Graw Hill. Madrid. 1999.
Notas del editor
Al comparar el FET con el BJT, se aprecia que el drenaje es análogo al colector, en tanto que la fuente es análogo al emisor, mientras que la compuerta es análoga a la base. La fuente y el drenaje de un FET se pueden intercambiar sin afectar la operación del transistor.
Si VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de empobrecimiento “se tocarán”; se originará una condición conocida como estrangulamiento El nivel de VDS que establece esta condición se conoce como voltaje de estrangulamiento y lo denota Vp,
Si VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de empobrecimiento “se tocarán”; se originará una condición conocida como estrangulamiento El nivel de VDS que establece esta condición se conoce como voltaje de estrangulamiento y lo denota Vp,
Debido al termino al cuadrado, los JFET también son conocidos como dispositivos de ley cuadrática.
Debido al termino al cuadrado, los JFET también son conocidos como dispositivos de ley cuadrática.
Debido al termino al cuadrado, los JFET también son conocidos como dispositivos de ley cuadrática.