El documento describe dos tipos de transistores de efecto de campo: el JFET y el MOSFET. El JFET controla el flujo de corriente a través de un canal semiconductor aplicando un campo eléctrico perpendicular, mientras que el MOSFET es el transistor más utilizado en la industria y funciona amplificando o conmutando señales electrónicas a través de cuatro terminales: fuente, drenador, puerta y sustrato. El documento también explica los circuitos básicos de polarización para ambos tipos de transistores.

2. JFET
Es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la
corriente. El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le
adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están
unidas entre si. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain),
Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La
región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los
electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S). Ver el
gráfico. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El
terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente
(Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-
Vgg). A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente
pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para
la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET El
transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que
halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de
colector. El FET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta
(gate) a fuente (Vgs) modifican la región de rarefacción y causan que varíe el ancho
del canal. Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una
pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida
(drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se
conectan dos terminales conectados entre sí (puerta)

3. MOSFET
MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es
un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular
en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales
están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador
(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Body). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio
que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por
el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las
puertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de
incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes
metálicos en la puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la
puerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener
canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.

4. SIMBOLOGÍA UTILIZADA (DEL JFET Y MOSFET)

5. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR JFET
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA.
Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los
MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensión VGS debe ser negativa en un
NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de polarización característicos para
este tipo de dispositivos. En este apartado se presentan uno de los circuitos más utilizados:
polarización simple ó fija (Figura 153), se utiliza una fuente de tensión externa para generar
una VGS<0.

6. CONFIGURACIÓN DE AUTO POLARIZACIÓN.
La configuración de autopolarización , la caída de tensión en la resistencia RS debida a
ID permite generar una VGS<0.

7. POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE
VOLTAJE.
al como lo hicimos para el BJT, la polarización del JFET se puede realizar por divisor de
voltaje.
Su construcción básica es exactamente la misma, pero el análisis en DC es muy
diferente. Puesto que, la corriente de la compuerta (IG) es de cero amperios mientras
que para el BJT la corriente de la base (IB) afecta los niveles de DC de la corriente y
del voltaje tanto para el circuito de entrada como el de salida. Pues IB proporcionaba
la relación entre el circuito de entrada y el de salida mientras que el VGS hará lo
mismo para el JFET.

8. EJERCICIOS DE TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE UNIÓN (JFET)